1T/CACCXXXX-XXXX車(chē)用芯片技術(shù)汽車(chē)電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片技術(shù)要求及試驗(yàn)方法本文件規(guī)定了汽車(chē)電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的技術(shù)要求及試驗(yàn)方法。本文件適用于汽車(chē)電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的研制、使用和試驗(yàn)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本適用于本文件。GB/T4937.4-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）GB/T4937.12-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第12部分：掃頻振動(dòng)GB/T4937.26半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分：靜電放電（ESD）敏感度測(cè)試人體模型（HBM）GB/T34590.2-2022道路車(chē)輛功能安全第2部分：功能安全管理GB/T36479-2018集成電路焊柱陣列試驗(yàn)方法GB/T42968.1-2023集成電路電磁抗擾度測(cè)量第1部分:通用條件和定義AEC-Q100Rev-J:FailureMechanismBasedStressTestQualificationForIntegratedCircuitsInAutomotiveApplicationANSI/ESDA/JEDECJS-002ChargedDeviceModel(CDM)DeviceLevelIEC60749-3半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分外觀檢查（Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part3:Externalvisualexamination）IEC62373-1半導(dǎo)體器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFETs）的偏置溫度不穩(wěn)定性試驗(yàn)第1部分：MOSFETs的快速偏置溫度不穩(wěn)定性試驗(yàn)（Semiconductordevices-Bias-temperaturestabilitytestformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)-Part1:FastBTItestforMOSFET）IEC62374半導(dǎo)體器件柵介質(zhì)層的時(shí)間相關(guān)介電擊穿（TDDB）試驗(yàn)（Semiconductordevices-Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms）IEC62374-1半導(dǎo)體器件內(nèi)部金屬層間的時(shí)間相關(guān)介電擊穿（TDDB）試驗(yàn)（Semiconductordevices-Part1:Time-dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayers）IEC62415半導(dǎo)體器件恒流電遷移試驗(yàn)（Semiconductordevices-Constantcurrentelectromigrationtest）IEC62416半導(dǎo)體器件金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管的熱載流子試驗(yàn)（Semiconductordevices-HotcarriertestonMOStransistors）IEC62880-1半導(dǎo)體器件應(yīng)力遷移試驗(yàn)第1部分：銅應(yīng)力遷移試驗(yàn)（Semiconductordevices-Stressmigrationteststandard-Part1:Copperstressmigrationteststandard）J-STD-020濕度敏感等級(jí)分類(lèi)（MoistureSensitivityLevels，MSL）JEDECJ-STD-020Moisture/ReflowSensitivityClassificationForNon-HermeticSurfaceMountDevicesJESD22-A101穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命（STEADY-STATETEMPERATURE-HUMIDITYBIASLIFETEST）JESD22-A103高溫貯存壽命（HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE）2JESD22-A104溫度循環(huán)（TEMPERATURECYCLING）JESD22-A105上電溫循（POWERANDTEMPERATURECYCLING）JESD22-A110高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HIGHLYACCELERATEDTEMPERATUREANDHUMIDITYSTRESSTEST(HAST)）JESD22-A113塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理（Pre-conditionOFPLASTICSURFACEMOUNTDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING）JESD22-A118加速水汽抵抗性——無(wú)偏壓HAST（ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-UNBIASEDHAST）JESD22-A119半導(dǎo)體器件非易失性存儲(chǔ)器的耐久性、數(shù)據(jù)保持和工作壽命試驗(yàn)（Semiconductordevices-Non-volatilememoryendurance,dataretention,andoperatinglifetest）JESD74A半導(dǎo)體器件早期壽命失效率試驗(yàn)（Semiconductordevices-Earlylifefailureratetest）JESD78F.02ICLatch-UpTest3術(shù)語(yǔ)、定義和縮略語(yǔ)下列術(shù)語(yǔ)、定義和縮略語(yǔ)適用于本文件。3.1術(shù)語(yǔ)3.1.1電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片ElectronicParkingBrakedriversICs用于電子駐車(chē)制動(dòng)專(zhuān)用的預(yù)驅(qū)芯片。3.1.2電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)ElectronicParkingBrakeSystem一種通過(guò)電控方式實(shí)現(xiàn)汽車(chē)駐車(chē)制動(dòng)功能的系統(tǒng)。3.2縮略語(yǔ)下列縮略語(yǔ)適用于本文件。CDM：帶電器件模型（ChargedDeviceModel）Cpk：過(guò)程能力K指數(shù)（ProcessCapabilityIndex）EOS：過(guò)電應(yīng)力（ElectricalOverstress）ESD：靜電放電（ElectrostaticDischarge）HBM：人體模型（Human-BodyModel）MSL：潮濕敏感度等級(jí)（MoistureSensitivityLevel）Ppk：過(guò)程性能K指數(shù)（ProcessPerformanceIndex）4技術(shù)要求4.1功能要求電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片通過(guò)預(yù)驅(qū)電路來(lái)控制外部功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET）來(lái)實(shí)現(xiàn)后輪制動(dòng)器工作。電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片一般由電源管理電路、電荷泵、振蕩器、安全控制電路（可選）、接口電路、預(yù)驅(qū)電路、監(jiān)測(cè)電路、燈光驅(qū)動(dòng)電路（可選）和輪速傳感器（可選）等組成，通過(guò)對(duì)串行外設(shè)接口(SerialPeripheralInterface，SPI)進(jìn)行配置，用于控制輪速制動(dòng)執(zhí)行器。其中電源管理電路為整個(gè)芯片提供穩(wěn)定的電源，電荷泵為預(yù)驅(qū)電路提供高壓電源，振蕩器為電荷泵、安全控制電路等提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信T/CACCXXXX-XXXX3號(hào)，安全控制電路提供高安全的控制邏輯，接口電路實(shí)現(xiàn)輸入和輸出的配置、診斷和通信等功能，通信速率按照所采用標(biāo)準(zhǔn)的通信協(xié)議執(zhí)行，預(yù)驅(qū)電路實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)外部晶體管，并且具備VGS和VDS監(jiān)測(cè)功能，H橋控制方式除了常開(kāi)和關(guān)控制外還集成了PWM控制，監(jiān)測(cè)電路對(duì)外部H橋?qū)崿F(xiàn)電流和電壓的監(jiān)測(cè)功能，燈光驅(qū)動(dòng)電路主要用于LED陣列或燈泡驅(qū)動(dòng)，輪速傳感器用于檢測(cè)輪速信息，其功能框圖如下：圖1電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的功能框圖電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的功能安全目標(biāo)如下1）芯片應(yīng)能夠保證輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正確性2）芯片內(nèi)部故障可被檢測(cè)且能夠被管理；（3）芯片失效后外部MCU仍能控制外部MOS管的開(kāi)關(guān)。結(jié)合實(shí)際系統(tǒng)應(yīng)用的需求，制定符合系統(tǒng)功能安全要求的芯片功能安全等級(jí)。4.2電性能要求4.2.1電源電壓VBP按照B.1的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電源電壓范圍應(yīng)包含設(shè)計(jì)要求的工作電壓范4.2.2電源電流IBP按照B.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電源電流應(yīng)小于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.3電源過(guò)壓濾波時(shí)間TVBP_O_ON_DELAY按照B.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電源過(guò)壓濾波時(shí)間應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.4電源退出過(guò)壓報(bào)故障時(shí)間TVBP_O_OFF_DELAY按照B.3的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電源退出過(guò)壓報(bào)故障時(shí)間應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范4.2.5數(shù)字最高通信速率Rmax按照B.4的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的通信速率最大值應(yīng)不小于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.6數(shù)字輸入高電平電壓閾值VINTH4按照B.5的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的數(shù)字輸入高電平電壓閾值應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范4.2.7數(shù)字輸入低電平電壓閾值VINTL按照B.5的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的數(shù)字輸入低電平電壓閾值應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范4.2.8H橋預(yù)驅(qū)開(kāi)啟電壓VGS_ON按照B.6的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的H橋預(yù)驅(qū)開(kāi)啟電壓應(yīng)大于設(shè)計(jì)要求的最小值。4.2.9H橋預(yù)驅(qū)關(guān)斷電壓VGS_OFF按照B.6的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的H橋預(yù)驅(qū)關(guān)斷電壓應(yīng)小于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.10H橋預(yù)驅(qū)開(kāi)啟最大驅(qū)動(dòng)電流IG_SOURCE按照B.7的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的預(yù)驅(qū)開(kāi)啟時(shí)最大驅(qū)動(dòng)電流能力應(yīng)大于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.11H橋預(yù)驅(qū)關(guān)斷最大驅(qū)動(dòng)電流IG_SINK按照B.8的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的預(yù)驅(qū)關(guān)斷時(shí)最大驅(qū)動(dòng)電流能力應(yīng)大于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.12H橋功率管源極監(jiān)測(cè)端漏電流IS_BACK按照B.9的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的H橋功率管源極監(jiān)測(cè)端漏電流應(yīng)小于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.13電機(jī)電壓信號(hào)檢測(cè)誤差A(yù)CCMOTOR_VTEST按照B.10的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電機(jī)電壓信號(hào)檢測(cè)誤差的絕對(duì)值應(yīng)小于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.14電機(jī)電流信號(hào)檢測(cè)誤差A(yù)CCMOTOR_ITEST按照B.11的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電機(jī)電流信號(hào)檢測(cè)誤差的絕對(duì)值應(yīng)小于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.15電荷泵電壓VCP按照B.12的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電荷泵電壓應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.16電荷泵電流ICP按照B.13的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的電荷泵電流驅(qū)動(dòng)能力應(yīng)大于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.2.17燈光驅(qū)動(dòng)電流ILAMP按照B.14的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的燈光驅(qū)動(dòng)電流能力應(yīng)大于設(shè)計(jì)要求的最大值。T/CACCXXXX-XXXX54.2.18輪速狀態(tài)電流閾值IMSS_THR按照B.15的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的輪速狀態(tài)電流閾值應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.19輪速狀態(tài)傳感器電源正端電壓VMSP按照B.16的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的輪速狀態(tài)傳感器電源正端電壓應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.20輪速傳感器電源負(fù)端電壓VMSM按照B.16的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的輪速傳感器電源負(fù)端電壓應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范4.2.21安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)高電平電壓閾值VINTH_ACT按照B.17的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)高電平電壓閾值應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.22安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)低電平電壓閾值VINTL_ACT按照B.17的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)低電平電壓閾值應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.23接口電路輸入高電平電壓閾值VINTH_IO按照B.18的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的接口電路輸入高電平電壓閾值應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.24接口電路輸入低電平電壓閾值VINTL_IO按照B.18的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的接口電路輸入低電平電壓閾值應(yīng)在設(shè)計(jì)要求的范圍內(nèi)。4.2.25接口電路輸出高電平電壓VOH_IO按照B.19的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的接口電路輸出高電平電壓應(yīng)大于設(shè)計(jì)要求的最小值。4.2.26接口電路輸出低電平電壓VOL_IO按照B.19的方法進(jìn)行試驗(yàn)，電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的接口電路輸出低電平電壓應(yīng)小于設(shè)計(jì)要求的最大值。4.3環(huán)境可靠性要求電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片的環(huán)境可靠性要求包括了使用要求等級(jí)、加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)要求、加速壽命模擬試驗(yàn)要求、封裝完整性試驗(yàn)要求、晶圓工藝可靠性試驗(yàn)要求、電性能驗(yàn)證試驗(yàn)要求、缺陷篩選試驗(yàn)要求和腔體封裝完整性試驗(yàn)要求等，按照附錄A相關(guān)方法進(jìn)行試驗(yàn)。4.4電磁兼容性要求電子駐車(chē)制動(dòng)用預(yù)驅(qū)芯片應(yīng)滿(mǎn)足以下電磁兼容要求：6a)電磁發(fā)射要求：滿(mǎn)足電磁發(fā)射要求，保證不對(duì)其他電氣/電子部件產(chǎn)生異常干擾；b)電磁抗擾度要求：在加載電磁干擾信號(hào)的情況下，滿(mǎn)足其芯片應(yīng)用功能要求；c)脈沖抗擾度要求：在加載脈沖干擾信號(hào)的情況下，滿(mǎn)足其規(guī)定的功能特性；根據(jù)所需的功能和工作模式發(fā)射等級(jí)、抗擾度限值等級(jí)進(jìn)行相應(yīng)試驗(yàn)。5試驗(yàn)方法5.1總則測(cè)試項(xiàng)中如有涉及溫度工作條件的，所采用的溫度范圍應(yīng)該與對(duì)應(yīng)的可靠性測(cè)試報(bào)告內(nèi)標(biāo)稱(chēng)值一致。5.2測(cè)試設(shè)備及參數(shù)測(cè)量精度測(cè)試設(shè)備和硬件系統(tǒng)應(yīng)具有足夠的測(cè)試精度。要求電流測(cè)量誤差小于典型值的5%或者測(cè)試精度達(dá)到0.1μA；電壓測(cè)量誤差小于典型值的1%或者測(cè)試精度達(dá)到1mV；時(shí)間參數(shù)測(cè)量誤差小于典型值的1%或者測(cè)試精度達(dá)到100ps；速率參數(shù)、頻率參數(shù)測(cè)量誤差小于典型值的1%。5.3電性能試驗(yàn)方法5.3.1電源電壓VBP按照?qǐng)DB.1連接器件，根據(jù)B.1.3的測(cè)試條件和B.1.4的測(cè)試程序測(cè)試使器件全部功能都正常的電壓范圍，即為電源電壓VBP。5.3.2電源電流IBP按照?qǐng)DB.2連接器件，根據(jù)B.2.3的測(cè)試條件和B.2.4的測(cè)試程序測(cè)試電源端流入的電流值，即為電源電流IBP。5.3.3電源過(guò)壓濾波時(shí)間TVBP_O_ON_DELAY、電源退出過(guò)壓報(bào)故障時(shí)間TVBP_O_OFF_DELAY按照?qǐng)DB.3連接器件，根據(jù)B.3.3的測(cè)試條件和B.3.4的測(cè)試程序測(cè)試電源電壓達(dá)到過(guò)壓狀態(tài)至器件報(bào)告過(guò)壓的等待時(shí)間，即為電源過(guò)壓濾波時(shí)間TVBP_O_ON_DELAY，測(cè)試從電壓結(jié)束過(guò)壓狀態(tài)至器件報(bào)告過(guò)壓結(jié)束的等待時(shí)間，即為電源退出過(guò)壓報(bào)故障時(shí)間TVBP_O_OFF_DELAY。5.3.4最高數(shù)字通信速率Rmax按照?qǐng)DB.4連接器件，根據(jù)B.4.3的測(cè)試條件和B.4.4的測(cè)試程序測(cè)試能使通信正常的最高數(shù)字速率，即為最高通訊速率Rmax。5.3.5數(shù)字輸入高電平電壓閾值VINTH、數(shù)字輸入低電平電壓閾值VINTL按照?qǐng)DB.5連接器件，根據(jù)B.5.3的測(cè)試條件和B.5.4的測(cè)試程序測(cè)試使器件正常工作的最低輸入高電平電壓值，即為數(shù)字輸入高電平電壓閾值VINTH；測(cè)試使器件正常工作的最大輸入低電平電壓值，即為數(shù)字輸入低電平電壓閾值VINTL。5.3.6H橋預(yù)驅(qū)開(kāi)啟電壓VGS_ON、H橋預(yù)驅(qū)關(guān)斷電壓VGS_OFF按照?qǐng)DB.6連接器件，根據(jù)B.6.3的測(cè)試條件和B.6.4的測(cè)試程序測(cè)試測(cè)試器件開(kāi)啟外部功率管的柵極驅(qū)動(dòng)后，柵極驅(qū)動(dòng)電壓與外部功率管源極電壓的差值，即為H橋預(yù)驅(qū)開(kāi)啟電壓VGS_ON；測(cè)試器件關(guān)閉外部功率管的柵極驅(qū)動(dòng)后，柵極驅(qū)動(dòng)電壓與外部功率管源極電壓的差值，即為H橋預(yù)驅(qū)關(guān)斷電壓VGS_OFF。T/CACCXXXX-XXXX75.3.7H橋預(yù)驅(qū)開(kāi)啟最大驅(qū)動(dòng)電流IG_SOURCE按照?qǐng)DB.7連接器件，根據(jù)B.7.3的測(cè)試條件和B.7.4的測(cè)試程序通過(guò)測(cè)試器件在預(yù)驅(qū)動(dòng)開(kāi)啟時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)端口在輸出高電平條件下的最大電流驅(qū)動(dòng)值，即為H橋預(yù)驅(qū)開(kāi)啟最大驅(qū)動(dòng)電流IG_SOURCE。5.3.8H橋預(yù)驅(qū)關(guān)斷最大驅(qū)動(dòng)電流IG_SINK按照?qǐng)DB.8連接器件，根據(jù)B.8.3的測(cè)試條件和B.8.4的測(cè)試程序測(cè)試器件在預(yù)驅(qū)動(dòng)關(guān)閉時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)端口在輸出低電平條件下的最大電流驅(qū)動(dòng)值，即為H橋預(yù)驅(qū)關(guān)斷最大驅(qū)動(dòng)電流IG_SINK。5.3.9H橋功率管源極監(jiān)測(cè)端漏電流IS_BACK按照?qǐng)DB.9連接器件，根據(jù)B.9.3的測(cè)試條件和B.9.4的測(cè)試程序測(cè)試器件在正常工作時(shí)，連接外部功率管源極的輸入端口漏電流，即為H橋功率管源極監(jiān)測(cè)端漏電流IS_BACK。5.3.10電機(jī)電壓信號(hào)檢測(cè)誤差A(yù)CCMOTOR_VTEST按照?qǐng)DB.10連接器件，根據(jù)B.10.3的測(cè)試條件和B.10.4的測(cè)試程序測(cè)試器件內(nèi)部檢測(cè)模塊的電機(jī)信號(hào)的電壓檢測(cè)誤差的最大值（不含符號(hào)），即為電機(jī)電壓信號(hào)檢測(cè)誤差A(yù)CCMOTOR_VTEST。5.3.11電機(jī)電流信號(hào)檢測(cè)誤差A(yù)CCMOTOR_ITEST按照?qǐng)DB.11連接器件，根據(jù)B.11.3的測(cè)試條件和B.11.4的測(cè)試程序測(cè)試被測(cè)器件內(nèi)部檢測(cè)模塊的電機(jī)信號(hào)的電流檢測(cè)誤差的最大值（不含符號(hào)），即為電機(jī)電流信號(hào)檢測(cè)誤差A(yù)CCMOTOR_ITEST。5.3.12電荷泵電壓VCP按照?qǐng)DB.12連接器件，根據(jù)B.12.3的測(cè)試條件和B.12.4的測(cè)試程序測(cè)試器件的電荷泵輸出電壓，即為電荷泵電壓VCP。5.3.13電荷泵電流ICP按照?qǐng)DB.13連接器件，根據(jù)B.13.3的測(cè)試條件和B.13.4的測(cè)試程序測(cè)試器件電荷泵最大驅(qū)動(dòng)電流值，即為電荷泵電流ICP。5.3.14燈光驅(qū)動(dòng)電流ILAMP按照?qǐng)DB.14連接器件，根據(jù)B.14.3的測(cè)試條件和B.14.4的測(cè)試程序測(cè)試器件燈光驅(qū)動(dòng)的最大驅(qū)動(dòng)電流值，即為燈光驅(qū)動(dòng)電流ILAMP。5.3.15輪速狀態(tài)電流閾值IMSS_THR按照?qǐng)DB.15連接器件，根據(jù)B.15.3的測(cè)試條件和B.15.4的測(cè)試程序測(cè)試器件監(jiān)測(cè)輪速狀態(tài)的電流閾值，即為輪速狀態(tài)電流閾值IMSS_THR。5.3.16輪速狀態(tài)傳感器電源正端電壓VMSP、輪速傳感器電源負(fù)端電壓VMSM按照?qǐng)DB.16連接器件，根據(jù)B.16.3的測(cè)試條件和B.16.4的測(cè)試程序測(cè)試器件監(jiān)測(cè)輪速狀態(tài)傳感器的正端供電電壓值，即為輪速狀態(tài)傳感器電源正端電壓VMSP；測(cè)試負(fù)端供電電壓值，即為輪速傳感器電源負(fù)端電壓VMSM。5.3.17安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)高電平電壓閾值VINTH_ACT、安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)低電平電壓閾值VINTL_ACT8按照?qǐng)DB.17連接器件，根據(jù)B.17.3的測(cè)試條件和B.17.4的測(cè)試程序測(cè)試器件的安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)的控制輸入高電平的最小電壓值，即為安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)高電平電壓閾值VINTH_ACT；測(cè)試安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)的控制輸入低電平的最大電壓值，即為安全關(guān)斷開(kāi)關(guān)低電平電壓閾值VINTL_ACT。5.3.18接口電路輸入高電平電壓閾值VINTH_IO、接口電路輸入低電平電壓閾值VINTL_IO按照?qǐng)DB.18連接器件，根據(jù)B.18.3的測(cè)試條件和B.18.4的測(cè)試程序測(cè)試器件的接口電路輸入高電平的最小電壓值，即為接口電路輸入高電平電壓閾值VINTH_IO；測(cè)試接口電路輸入低電平的最大電壓值，即為接口電路輸入低電平電壓閾值VINTL_IO。5.3.19接口電路輸出高電平電壓VOH_IO、接口電路輸出低電平電壓VOL_IO按照?qǐng)DB.19連接器件，根據(jù)B.19.3的測(cè)試條件和B.19.4的測(cè)試程序測(cè)試器件的接口電路輸出高電平電壓值，即為接口電路輸出高電平電壓VOH_IO；測(cè)試接口電路輸出低電平電壓值，即為接口電路輸出低電平電壓VOL_IO。T/CACCXXXX-XXXX9（規(guī)范性）環(huán)境及可靠性試驗(yàn)方法A.1使用要求等級(jí)A.1.1產(chǎn)品溫度等級(jí)擇適用的環(huán)境工作溫度范圍，允許供需雙方協(xié)商工作溫度范圍和試驗(yàn)條件，但最低工作溫度不應(yīng)高于－40℃,最高工作溫度不應(yīng)低于125℃。對(duì)于適用于多個(gè)溫度等級(jí)的芯片，應(yīng)使用推薦的最嚴(yán)溫度等級(jí)進(jìn)行試驗(yàn)。表A.1環(huán)境工作溫度等級(jí)A.1.2潮濕敏感度等級(jí)按照表A.2選擇適用的潮濕敏感度等級(jí)，允許供需雙方協(xié)商工作潮濕度范圍和試驗(yàn)條件，對(duì)于適用于多個(gè)潮濕敏感度等級(jí)的芯片，應(yīng)使用推薦的最嚴(yán)潮濕敏感度等級(jí)進(jìn)行試驗(yàn)。表A.2潮濕敏感度等級(jí)A.2加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)要求A.2.1預(yù)處理A.2.1.1設(shè)備本測(cè)試方法需要使用以下設(shè)備1.濕度箱溫度具備在125℃/85%RH、125℃/60%RH和30℃/60%RH條件下運(yùn)行的濕度室。在室內(nèi)的工作區(qū)域內(nèi)，溫度容差必須為±2℃,濕度容差必須為±3%RH。具備60℃/60%RH能力的濕度室是加速浸漬條件的可選配置。2.焊錫回流設(shè)備a)(優(yōu)選)具有完全對(duì)流回流焊功能的系統(tǒng)，能夠維持本標(biāo)準(zhǔn)要求的回流曲線。b)紅外/對(duì)流焊回流設(shè)備，能夠維持本標(biāo)準(zhǔn)所要求的回流參數(shù)。該設(shè)備必須使用紅外技術(shù)僅加熱空氣，而不會(huì)直接觸及待測(cè)的SMD封裝/器件。注：濕敏性分類(lèi)試驗(yàn)結(jié)果取決于包件的體溫(而不是回流運(yùn)輸器和3.光學(xué)顯微鏡(用于外部視覺(jué)檢查的40倍)4.電氣測(cè)試設(shè)備能夠進(jìn)行室溫直流和功能測(cè)試的電氣測(cè)試設(shè)備。5.烘烤爐烤箱能夠以1255℃的溫度運(yùn)行。6.溫度循環(huán)室10℃至6010℃的范圍內(nèi)運(yùn)行。A.2.1.2測(cè)試流程本試驗(yàn)應(yīng)在恒定溫濕度偏壓應(yīng)力/高加速溫濕度應(yīng)力、高壓蒸煮/無(wú)偏壓高加速溫濕度應(yīng)力、溫度循環(huán)和功率溫度循環(huán)應(yīng)力測(cè)試之前進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)。使用3個(gè)不連續(xù)批次（同時(shí)滿(mǎn)足不連續(xù)的晶圓批次、不連續(xù)的封裝批次，無(wú)法滿(mǎn)足時(shí)由供需雙方協(xié)商確定）的樣品，試驗(yàn)樣品數(shù)量不應(yīng)少于需要進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)項(xiàng)目樣品數(shù)量的總和，按照下列步驟進(jìn)行試驗(yàn)：a)按照A.6.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，替換不合格樣品；b)在不低于40倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行外部目視檢查，替換不合格樣品；c)每個(gè)批次選取3顆樣品進(jìn)行超聲波掃描分層試驗(yàn)；d)按照A.2.6的方法以不高于-40℃的最低溫度和不低于60℃的最高溫度進(jìn)行5次溫度循環(huán)（可選步驟）；e)在1255℃條件下保持24h；注：可根據(jù)器件特性視情況調(diào)整試驗(yàn)時(shí)間和溫度f(wàn))在步驟e）完成后2h內(nèi)，按照表A.2的濕度敏感性等級(jí)選取相應(yīng)的條件進(jìn)行試驗(yàn)；g)在步驟f）完成后15min～4h的時(shí)間內(nèi)，按照?qǐng)DA.1的示意圖和表A.3、表A.4的試驗(yàn)條件，完成3次再流焊試驗(yàn)，每次循環(huán)間隔時(shí)應(yīng)將樣品冷卻至室溫，間隔時(shí)間為5min～60min；h)在不低于40倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行外部目視檢查；i)按照A.6.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查；j)每個(gè)批次選取3顆樣品進(jìn)行超聲波掃描分層試驗(yàn)。表A.3回流焊試驗(yàn)參數(shù)表A.4封裝溫度分類(lèi)T/CACCXXXX-XXXXV＜350mm3V＞2000mm3<1.6mm>2.5mm注：V表示體積，體積包括封裝體的外部尺寸，不包括外部端子和/圖A.1回流焊試驗(yàn)示意圖A.2.2穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)A.2.2.1設(shè)備該測(cè)試需要一個(gè)具備持續(xù)保持特定溫度和相對(duì)濕度功能的溫度濕度測(cè)試箱，同時(shí)要能為待測(cè)設(shè)備提供特定偏置配置下的電氣連接。1.溫度和相對(duì)濕度該試驗(yàn)室必須能夠在升至和降至指定測(cè)試條件的過(guò)程中，提供穩(wěn)定的溫度和相對(duì)濕度環(huán)境。注意：務(wù)必確保測(cè)試箱（干球溫度）的溫度始終高于濕球溫度。2.處于壓力狀態(tài)下的設(shè)備處于壓力狀態(tài)下的設(shè)備必須放置得當(dāng)，以盡量減少溫度梯度的差異。注意：應(yīng)采取措施盡量減少設(shè)備之間的相對(duì)濕度差異，并最大限度地提高設(shè)備之間的空氣流通量。3.減少污染物的排放在選擇板件和插座的材料時(shí)必須格外謹(jǐn)慎，以盡量減少污染物的釋放，并盡量減少因腐蝕及其他因素導(dǎo)致的材料劣化。4.離子污染測(cè)試設(shè)備（例如卡架、測(cè)試板、插座、布線、存儲(chǔ)容器等）所產(chǎn)生的離子污染應(yīng)得到控制，以避免產(chǎn)生測(cè)試誤差。5.去離子水應(yīng)使用在室溫下電阻率不低于1MΩ·cm的去離子水。A.2.2.2試驗(yàn)流程試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)，本試驗(yàn)按照表A.5的條件進(jìn)行試驗(yàn)，按照GB/T4937.4-2012中4.2的偏壓準(zhǔn)則施加偏壓。使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。應(yīng)在3h內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定溫度和相對(duì)濕度。1.溫度、相對(duì)濕度和持續(xù)時(shí)間表A.5穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)條件8氣壓為參考試驗(yàn)條件。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許試驗(yàn)過(guò)程中在室溫下對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過(guò)96h。可通過(guò)將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無(wú)氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間可以延長(zhǎng)至288h。2.偏置根據(jù)以下指南采用兩種偏置方法中的任意一種：a)盡可能減少功率損耗。b)盡可能交替對(duì)引腳進(jìn)行偏置。c)盡可能將電位差分布在芯片金屬化層上。d)在工作范圍內(nèi)盡可能增大電壓。e)可以使用兩種偏置方法中的任意一種來(lái)滿(mǎn)足這些指南，以更嚴(yán)酷的為準(zhǔn)：1)持續(xù)偏壓：直流偏壓應(yīng)被持續(xù)施加。當(dāng)芯片溫度比腔室環(huán)境溫度高出≤10℃時(shí)，持續(xù)偏壓的嚴(yán)苛程度高于循環(huán)偏壓。如果芯片溫度未知，且被測(cè)設(shè)備的散熱量小于200mW。如果DUT的散熱量超過(guò)200mW，則應(yīng)計(jì)算芯片溫度。如果芯片溫度比腔室環(huán)境溫度高出的幅度超過(guò)5℃,則應(yīng)將芯片溫度相對(duì)于腔室環(huán)境的升高部分納入測(cè)試結(jié)果報(bào)告中，因?yàn)檫@會(huì)影響到加速失效機(jī)理的影響。2)循環(huán)偏壓：施加到被測(cè)器件上的直流電壓應(yīng)通過(guò)適當(dāng)?shù)念l率和占空比進(jìn)行周期性中斷。如果偏壓配置導(dǎo)致器件溫度升高超過(guò)腔室環(huán)境溫度ΔTja，且升高幅度超過(guò)10℃,那么針對(duì)特定器件類(lèi)型進(jìn)行優(yōu)化的循環(huán)偏壓，其影響將比連續(xù)偏壓更為顯著。由于功率耗散導(dǎo)致的加熱效應(yīng)傾向于將水分驅(qū)離芯片，從而阻礙與水分相關(guān)的故障機(jī)制。循環(huán)偏壓使得在設(shè)備功率耗散不存在的非工作時(shí)段內(nèi)，芯片表面能夠保留水分。對(duì)于大多數(shù)塑料封裝的微電路而言，讓DUT的偏壓有1小時(shí)的接通和1小時(shí)的斷開(kāi)時(shí)間是最優(yōu)的。根據(jù)已知的熱阻抗和耗散率計(jì)算出的芯片溫度，如果超過(guò)腔室環(huán)境溫度5℃或以上，則應(yīng)在報(bào)告中注明這一信息。A.2.3強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)A.2.3.1設(shè)備該測(cè)試要求有一個(gè)壓力室，能夠持續(xù)維持特定的溫度和相對(duì)濕度，同時(shí)以指定的偏壓配置提供與待測(cè)設(shè)備的電氣連接。1.控制條件該腔室必須能夠在升溫和降溫過(guò)程中提供受控的壓力、溫度和相對(duì)濕度條件，以達(dá)到指定的測(cè)試條件。校準(zhǔn)記錄應(yīng)證實(shí)設(shè)備在最大熱質(zhì)量負(fù)載和最小(零)被測(cè)設(shè)備功率損耗的升溫和降溫過(guò)程中，不會(huì)使被測(cè)設(shè)備表面溫度高于50℃,從而避免冷凝現(xiàn)象。校準(zhǔn)記錄還應(yīng)證實(shí)，在穩(wěn)定狀態(tài)條件和最大熱質(zhì)量負(fù)載下，測(cè)試條件保持在3.1中規(guī)定的公差范圍內(nèi)。2.溫度曲線T/CACCXXXX-XXXX建議對(duì)每個(gè)測(cè)試周期的溫度分布進(jìn)行永久記錄，以便驗(yàn)證應(yīng)力的有效性。3.應(yīng)力下的設(shè)備處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備必須在物理上被妥善安置，以最小化溫度梯度。處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備與內(nèi)腔壁面的距離不應(yīng)少于3厘米，且不得受到來(lái)自加熱器的直接輻射熱影響安裝設(shè)備的板面應(yīng)被定向，以盡量減少對(duì)蒸汽循環(huán)的干擾。4.最小化污染釋放在選擇電路板和插座材料時(shí)必須格外小心，以最大限度地減少污染物的釋放，并盡可能降低因腐蝕和其他機(jī)制導(dǎo)致的性能退化。5.離子污染應(yīng)控制測(cè)試儀器(卡箱、測(cè)試板、插件箱、接線盒等)的離子污染，以避免測(cè)試偽影。6.去離子水應(yīng)使用室溫下最小電阻率為1MΩ·cm的去離子水。A.2.3.2試驗(yàn)流程試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)，本試驗(yàn)按照GB/T4937.4的方法進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在樣品恢復(fù)室溫后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許試驗(yàn)過(guò)程中在室溫下對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過(guò)96h。可通過(guò)將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無(wú)氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)完成功能檢查，中斷時(shí)間可以延長(zhǎng)至288h。A.2.4加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速試驗(yàn)A.2.4.1設(shè)備該測(cè)試要求有一個(gè)壓力室，能夠在升溫和降溫過(guò)程中保持指定的溫度和相對(duì)濕度，直至達(dá)到或脫離指定的測(cè)試條件。建議為每個(gè)測(cè)試周期建立溫度分布的永久記錄，以便驗(yàn)證應(yīng)力條件。校準(zhǔn)記錄應(yīng)證實(shí)設(shè)備在最大熱質(zhì)量負(fù)載條件下，在升溫和降溫過(guò)程中不會(huì)使被測(cè)設(shè)備(DUT)表面溫度高于50℃,從而避免冷凝。校準(zhǔn)記錄還應(yīng)證實(shí)，在穩(wěn)定狀態(tài)和最大熱質(zhì)量負(fù)載條件下，測(cè)試條件保持在表A.6中規(guī)定的公差范圍內(nèi)。2.壓力下的設(shè)備處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備必須以最小化溫度梯度放置在試驗(yàn)箱內(nèi)。處于應(yīng)力狀態(tài)下的設(shè)備與內(nèi)部試驗(yàn)箱壁面的距離不應(yīng)少于3cm，且不得受到來(lái)自加熱器的直接輻射熱影響。如果設(shè)備被安裝在板上，則應(yīng)調(diào)整板的方向，以盡量減少對(duì)蒸汽循環(huán)的干擾。3.離子污染引入試驗(yàn)室的任何材料應(yīng)最大限度地減少污染物的釋放，并最大程度地降低因腐蝕等機(jī)制導(dǎo)致的退化。應(yīng)控制試驗(yàn)設(shè)備的離子污染，以避免人為因素導(dǎo)致的試驗(yàn)結(jié)果偏差。4.蒸餾水或去離子水應(yīng)使用蒸餾或去離子水，其在室溫下的最小電阻率為1MΩ·cm。A.2.4.2試驗(yàn)流程試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)，本試驗(yàn)從表A.6中選擇合適的條件進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。應(yīng)在3h內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定溫度和相對(duì)濕度。對(duì)于塑料封裝的樣品，試驗(yàn)溫度不應(yīng)高于有效玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。表A.6加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)條件12氣壓為參考試驗(yàn)條件。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過(guò)程中對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過(guò)96h。可通過(guò)將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無(wú)氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間可以延長(zhǎng)至288h。A.2.5溫濕度貯存試驗(yàn)試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)，本試驗(yàn)按照表A.7的條件進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。應(yīng)在3h內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定溫度和相對(duì)濕度。表A.7溫濕度貯存試驗(yàn)條件8試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法在室溫下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過(guò)程中對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過(guò)96h?？赏ㄟ^(guò)將樣品放置在密封的防潮袋中（非真空包裝、無(wú)氮?dú)獗Ｗo(hù)、不使用干燥劑）降低樣品的潮氣釋放速率。當(dāng)樣品放置于密封袋中時(shí)，可在144h內(nèi)進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間可以延長(zhǎng)至288h。A.2.6溫度循環(huán)試驗(yàn)A.2.6.1設(shè)備所使用的腔室應(yīng)能夠在腔室滿(mǎn)載時(shí)提供并控制工作區(qū)域內(nèi)的指定溫度和循環(huán)時(shí)序。應(yīng)盡量減少對(duì)樣品的熱直接傳導(dǎo)。應(yīng)通過(guò)以下一種或兩種方法中的任一種驗(yàn)證每個(gè)腔室達(dá)到樣品溫度要求的能力：a)使用配備儀器的部件和最大負(fù)載進(jìn)行定期校準(zhǔn)，并在每次測(cè)試期間持續(xù)監(jiān)測(cè)此類(lèi)固定工具熱電偶的溫度測(cè)量，以確保測(cè)試結(jié)果的重復(fù)性。b)在每次測(cè)試期間，持續(xù)監(jiān)測(cè)置于最不利溫度位置(例如，載荷的角部和中部)的已安裝儀器的部件。A.2.6.2試驗(yàn)流程T/CACCXXXX-XXXX試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)，本試驗(yàn)按照表A.8的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。使用熱電偶或其他溫度測(cè)量裝置監(jiān)控樣品的溫度和保持時(shí)間。允許在試驗(yàn)過(guò)程中中斷，但中斷總次數(shù)不應(yīng)超過(guò)總循環(huán)數(shù)的10%。注：如果使用熱電偶測(cè)量溫度，宜使用導(dǎo)熱膠或鋁箔膠帶，試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。功能檢查應(yīng)在恢復(fù)室溫后96h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過(guò)程中對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過(guò)96h。試驗(yàn)后，每批樣品隨機(jī)抽取3顆對(duì)晶粒粘接和鍵合區(qū)域進(jìn)行分層掃描；從一批樣品中取出五個(gè)樣品進(jìn)行開(kāi)封，對(duì)每個(gè)樣品的角鍵（每個(gè)角2個(gè)鍵）和每側(cè)一個(gè)中間鍵按照A.4.2的方法進(jìn)行鍵合點(diǎn)拉力試驗(yàn)。表A.8溫度循環(huán)試驗(yàn)條件0-55°C21-55°C2-65°C22-55°C3-55°C可任選一個(gè)條件進(jìn)行試驗(yàn)。度，從而引發(fā)在設(shè)計(jì)應(yīng)用條件下通常不會(huì)見(jiàn)到的失效機(jī)制，2)應(yīng)避免被測(cè)設(shè)備(DUT)之間以及它們與測(cè)試板之間的巨大熱梯度，以保持測(cè)試數(shù)據(jù)的完整性，3)在測(cè)試條件溫度范圍內(nèi)，熱膨脹系數(shù)的差異可能導(dǎo)致測(cè)試板上的電鍍通孔過(guò)早失效，從而限制被測(cè)部件的電學(xué)讀出能力。對(duì)于Pb/Sn焊料組合物，不建議在Ts(max)超過(guò)125℃的測(cè)試條件下使用，因?yàn)槊啃r(shí)循環(huán)次數(shù)可參考如下標(biāo)準(zhǔn)：1.組件循環(huán)速率典型的元件級(jí)溫度循環(huán)速率在每小時(shí)1至3個(gè)循環(huán)(cph)之間。典型的失效機(jī)制包括但不限于疲勞(如金屬電路疲勞)和分層。對(duì)于某些失效機(jī)制，如球焊點(diǎn)完整性，如果溫度循環(huán)箱能夠符合特定測(cè)試條件下的TS標(biāo)稱(chēng)值和浸泡要求，則可采用更高的循環(huán)速率，即>3cph。2.焊接互連循環(huán)速率典型的焊接互連循環(huán)速率較慢，通常在1cph到2cph之間，在進(jìn)行焊點(diǎn)疲勞評(píng)估時(shí)適用。這包括倒裝芯片、球柵陣列和堆疊封裝中的焊點(diǎn)互連。循環(huán)頻率和浸泡時(shí)間對(duì)焊點(diǎn)互連的影響更為顯著。A.2.7功率溫度循環(huán)試驗(yàn)A.2.7.1設(shè)備本試驗(yàn)所用裝置應(yīng)包括成組或單個(gè)被測(cè)器件的熱沉，該熱沉用來(lái)耗散正向?qū)〒p耗產(chǎn)生的熱量及控制導(dǎo)通關(guān)斷時(shí)間。散熱方式可選擇自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷和液冷。根據(jù)器件殼溫、芯片結(jié)溫變化量和導(dǎo)通-關(guān)斷時(shí)間,確定散熱方式的設(shè)置及參數(shù)。應(yīng)使用插座或其他的安裝方式來(lái)提供可靠的電連接裝置，避免過(guò)多的熱傳導(dǎo)至器件引出端。在整個(gè)試驗(yàn)過(guò)程中，電源應(yīng)不受外界電壓和環(huán)境溫度的影響，均能保持規(guī)定的試驗(yàn)條件。試驗(yàn)電路中應(yīng)提供控制負(fù)載電流導(dǎo)通-關(guān)斷的開(kāi)關(guān)，并且獨(dú)立于任何被測(cè)器件的(柵)控制功能。通過(guò)監(jiān)控?zé)岢翜囟萒s或殼溫Tc來(lái)控制導(dǎo)通-關(guān)斷時(shí)間(循環(huán)周期)。另外，適用時(shí)，也可由固定的時(shí)間裝置來(lái)控制循環(huán)周期。試驗(yàn)電路應(yīng)被設(shè)計(jì)為：當(dāng)某個(gè)器件出現(xiàn)異?；蚴r(shí)不會(huì)改變其他器件設(shè)定的試驗(yàn)條件(例如：用新器件替換有缺陷的器件)。避免由瞬態(tài)電壓脈沖或其他條件導(dǎo)致的電、熱或機(jī)械過(guò)應(yīng)力。A.2.7.2試驗(yàn)流程試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1進(jìn)行預(yù)處理試驗(yàn)，本試驗(yàn)按照表A.9的試驗(yàn)條件和GB/T4937.34的方法進(jìn)行試驗(yàn)，使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于45片。使用熱電偶或其他溫度測(cè)量裝置監(jiān)控樣品的溫度。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。表A.9功率溫度循環(huán)試驗(yàn)條件℃℃℃1010210310ΔTc可能非常小，因?yàn)樵谳^短的循環(huán)周期內(nèi)，器件通常在嚴(yán)酷的功率循環(huán)條件下，在引線鍵合界面薄的芯片金屬化層中的高電流密度會(huì)產(chǎn)生電遷移。*注：由于某些器件的殼溫和接合點(diǎn)溫度可能顯著高于環(huán)境溫度，因此電路的設(shè)計(jì)應(yīng)確保不會(huì)超過(guò)最大額定殼溫或圖A.2經(jīng)典負(fù)載功率P和溫度循環(huán)試驗(yàn)條件2測(cè)試設(shè)置應(yīng)在測(cè)試周期的初始階段和結(jié)束階段進(jìn)行監(jiān)控，以確保所有設(shè)備都按要求承受了應(yīng)力的考驗(yàn)。在繼續(xù)循環(huán)測(cè)試之前，必須糾正任何偏差，以確保資質(zhì)數(shù)據(jù)的有效性。采用焊料互連的器件，其循環(huán)速率通常在小于1cph到2cph之間。這包括倒裝芯片、球柵陣列以及帶有焊料互連的堆疊封裝。循環(huán)斜坡率和浸泡時(shí)間對(duì)于焊料互連更為關(guān)鍵。在測(cè)試這些器件時(shí)，重要的是要避免測(cè)試樣品中的瞬時(shí)熱梯度。熱質(zhì)量大且熱傳遞效率低的樣品，需要斜坡速率足夠慢，以補(bǔ)償熱T/CACCXXXX-XXXX質(zhì)量的影響。在溫度斜坡期間，樣品的溫度應(yīng)保持在比環(huán)境溫度低幾度以?xún)?nèi)。在這種情況下，典型的升溫速率應(yīng)為每分鐘15℃或更低，適用于循環(huán)過(guò)程中的任何階段。對(duì)于不受熱質(zhì)量約束的樣品，升溫速率可以更快。A.2.8高溫貯存壽命試驗(yàn)A.2.8.1設(shè)備1.高溫存儲(chǔ)室進(jìn)行此項(xiàng)測(cè)試所需的設(shè)備應(yīng)包括一個(gè)可控溫箱，能夠在整個(gè)待測(cè)樣品組中維持指定的溫度。2.電氣測(cè)試設(shè)備能夠進(jìn)行所測(cè)試設(shè)備相應(yīng)測(cè)量的電氣設(shè)備，包括寫(xiě)入并驗(yàn)證非易失性存儲(chǔ)器所需的保留數(shù)據(jù)模元。A.2.8.2試驗(yàn)流程按照表A.10的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于45片。使用熱電偶或其他溫度測(cè)量裝置監(jiān)控樣品的溫度。表A.10高溫貯存壽命試驗(yàn)條件010~3試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，功能檢查應(yīng)在恢復(fù)室溫后48h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過(guò)程中對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，中斷時(shí)間不宜超過(guò)168h。超出的中斷時(shí)間應(yīng)在繼續(xù)試驗(yàn)時(shí)增加相同的時(shí)間進(jìn)行補(bǔ)償。注：在選擇加速測(cè)試條件時(shí)需格外謹(jǐn)慎，因?yàn)槭褂玫募铀贉囟瓤赡艹鲈O(shè)至少應(yīng)考慮以下幾點(diǎn):a)金屬的熔點(diǎn)，特別是焊料。包括冶金界面在內(nèi)的金屬降解。b)封裝退化。例如:任何聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱穩(wěn)定性(在空氣中)c)封裝的濕度等級(jí)。d)硅器件的溫度限制。例如:非易失性存儲(chǔ)器中的電荷損失。e)應(yīng)選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)試條件(溫度、時(shí)間)，以涵蓋相應(yīng)故障機(jī)制的加速過(guò)程以及該設(shè)備的預(yù)期壽命(運(yùn)行時(shí)間)。對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器，如果其編程擦除耐久性，數(shù)據(jù)保留和使用壽命試驗(yàn)（EDR）試驗(yàn)選擇的溫度不低于本試驗(yàn)溫度，可不進(jìn)行本試驗(yàn)。A.3加速壽命模擬試驗(yàn)要求A.3.1高溫工作壽命試驗(yàn)A.3.1.1試驗(yàn)要求按照表A.11的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品,每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于77片。使用熱電偶或其他溫度測(cè)量裝置監(jiān)控樣品的溫度。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但允許在中期測(cè)量期間中斷，中斷總時(shí)間不應(yīng)超過(guò)總試驗(yàn)時(shí)間的10%。應(yīng)在樣品冷卻至55℃或更低時(shí)切斷電壓。宜在試驗(yàn)過(guò)程中（如試驗(yàn)的168h和500h時(shí)）對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。0123可使用結(jié)溫代替環(huán)溫，結(jié)溫不應(yīng)低于芯片最大工作條件（試試驗(yàn)時(shí)，樣品應(yīng)處于運(yùn)行狀態(tài)，且試驗(yàn)中不應(yīng)發(fā)生熱關(guān)機(jī)現(xiàn)象。宜通過(guò)調(diào)整輸入?yún)?shù)（例如：電源電壓、時(shí)鐘頻率、輸入信號(hào)等）來(lái)控制內(nèi)部功耗。非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)先按照A.3.3.2進(jìn)行編程/擦除耐久性試驗(yàn)，之后再進(jìn)行本試驗(yàn)。在試驗(yàn)過(guò)程中及試驗(yàn)前后對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查時(shí)，應(yīng)按照A.6.1的方法依次在室溫、表A.1規(guī)定的最低工作溫度和表A.1規(guī)定的最高工作溫度條件下測(cè)試，或依次在在室溫、表A.1規(guī)定的最高工作溫度和表A.1規(guī)定的最低工作溫度條件下測(cè)試。如果適用，宜對(duì)試驗(yàn)后的關(guān)鍵性能和可靠性相關(guān)電氣參數(shù)進(jìn)行漂移分析。高壓器件（加電電壓大于10V的樣品）功能檢查的時(shí)間不宜超過(guò)96h，其他器件功能檢查的時(shí)間不宜超過(guò)168h。超出的時(shí)間應(yīng)按照表A.12的要求進(jìn)行補(bǔ)償。表A.12功能檢查的時(shí)間超過(guò)規(guī)定時(shí)長(zhǎng)的補(bǔ)償方式A.3.2早期壽命失效試驗(yàn)A.3.2.1試驗(yàn)要求按照表A.13的要求進(jìn)行試驗(yàn)，使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品,每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于800片。使用熱電偶或其他溫度測(cè)量裝置監(jiān)控樣品的溫度。T/CACCXXXX-XXXX表A.13早期壽命失效試驗(yàn)條件0123試驗(yàn)時(shí)，樣品應(yīng)處于運(yùn)行狀態(tài)，且試驗(yàn)中不應(yīng)發(fā)生熱關(guān)機(jī)現(xiàn)象。宜通過(guò)調(diào)整輸入?yún)?shù)（例如：電源電壓、時(shí)鐘頻率、輸入信號(hào)等）來(lái)控制內(nèi)部功耗。在試驗(yàn)前和試驗(yàn)后48h內(nèi)，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。通過(guò)本試驗(yàn)后合格的樣品，可用于開(kāi)展其他應(yīng)力試驗(yàn)。A.3.3非易失性存儲(chǔ)器耐久性、數(shù)據(jù)保持和工作壽命試驗(yàn)A.3.3.1一般規(guī)定本試驗(yàn)適用于非易失性存儲(chǔ)器（NVM）或帶有非易失性存儲(chǔ)器模塊的芯片（如微處理器閃存對(duì)于一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器或內(nèi)部存儲(chǔ)單元，本試驗(yàn)中的部分方法不適用，可由供需雙方協(xié)商。每組試驗(yàn)分別使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量至少77片，每組分別按照下列順序開(kāi)展試驗(yàn)：a)第1組：高溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，高溫?cái)?shù)據(jù)保持試驗(yàn)（HTDR）；b)第2組：高溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，高溫偏壓壽命試驗(yàn)（HTOL）；c)第3組：低溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，低溫?cái)?shù)據(jù)保留試驗(yàn)（LTDR）。A.3.3.2編程/擦除耐久性試驗(yàn)按照GB/T35003-2018中5.2的方法在不低于85℃的溫度條件下進(jìn)行高溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，在不超過(guò)55℃的溫度條件下進(jìn)行低溫編程/擦除耐久性試驗(yàn)，試驗(yàn)時(shí)長(zhǎng)按照GB/T35003-2018中公式（1）計(jì)算。試驗(yàn)前和試驗(yàn)后，依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。試驗(yàn)后，應(yīng)在96h內(nèi)完成檢查并進(jìn)行編程。A.3.3.3高溫?cái)?shù)據(jù)保持試驗(yàn)按照表A.1的溫度要求和A.2.8的方法進(jìn)行1000h高溫壽命存儲(chǔ)試驗(yàn)。試驗(yàn)后96h內(nèi)，依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許在試驗(yàn)中對(duì)樣品進(jìn)行讀取功能檢查，但不應(yīng)對(duì)樣品進(jìn)行編程、擦除且中斷時(shí)間不應(yīng)超過(guò)96h。A.3.3.4高溫工作壽命試驗(yàn)按照A.3.1的方法進(jìn)行高溫工作壽命試驗(yàn)。試驗(yàn)后168h內(nèi)，依次在室溫、表A.1規(guī)定的最低工作溫度和最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許在試驗(yàn)中對(duì)樣品進(jìn)行讀取功能檢查，但不應(yīng)對(duì)樣品進(jìn)行編程、擦除且中斷時(shí)間不應(yīng)超過(guò)168h。A.3.3.5低溫?cái)?shù)據(jù)保留試驗(yàn)在不高于55℃的條件下進(jìn)行1000h試驗(yàn)。使用熱電偶或其他溫度測(cè)量裝置監(jiān)控樣品的溫度。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行讀取、編程、擦除等功能檢查，功能檢查應(yīng)在恢復(fù)室溫后96h內(nèi)完成。應(yīng)力條件應(yīng)連續(xù)施加，但中期測(cè)量期間可中斷。允許在試驗(yàn)過(guò)程中（如500h時(shí)）對(duì)樣品進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，但不應(yīng)對(duì)樣品進(jìn)行編程、擦除且中斷時(shí)間不宜超過(guò)168h，超出的中斷時(shí)間應(yīng)在繼續(xù)試驗(yàn)時(shí)增加相同的時(shí)間進(jìn)行補(bǔ)償。A.4封裝完整性試驗(yàn)A.4.1鍵合剪切強(qiáng)度試驗(yàn)本試驗(yàn)適用于鍵合球高度不低于31.75μm的樣品，示意圖見(jiàn)圖A.3。試驗(yàn)樣品數(shù)量不應(yīng)少于5片，每片樣品選擇不少于6個(gè)位置在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行試驗(yàn)，開(kāi)封過(guò)程不應(yīng)影響鍵合剪切強(qiáng)度或鍵合拉力。推刀抬高高度應(yīng)在焊盤(pán)上方2.54μm處至待測(cè)鍵合球高度的1/2處范圍內(nèi)選取，剪切速度應(yīng)在280～500μm/s范圍內(nèi)選取，同時(shí)測(cè)量每個(gè)選定位置的剪切力。試驗(yàn)后使用不低于30倍光學(xué)放大倍率的顯微鏡進(jìn)行分離模式的判定，分離模式見(jiàn)表A.14。圖A.3鍵合球剪切試驗(yàn)示意圖T/CACCXXXX-XXXX表A.14分離模式123456A.4.2破壞性鍵合拉力試驗(yàn)試驗(yàn)樣品數(shù)量不應(yīng)少于5片，每片樣品選擇不少于6個(gè)位置進(jìn)行試驗(yàn)。從下列兩個(gè)試驗(yàn)方法中任選一個(gè)進(jìn)行試驗(yàn)。單鍵合點(diǎn)鍵合線拉力試驗(yàn)：切斷連接芯片或基板與框架上的引線，使兩端鍵合點(diǎn)都能進(jìn)行拉力試驗(yàn)。對(duì)引線施加垂直于芯片表面的拉力，使引線斷裂并記錄分離模式與拉力大小，分離模式見(jiàn)圖A.4。雙鍵合點(diǎn)鍵合線拉力試驗(yàn)：當(dāng)鍵合線線徑不小于25.4μm時(shí)，在引線中跨和頂部之間插入鉤針施加拉力，見(jiàn)圖A.5；當(dāng)鍵合線線徑小于25.4μm時(shí)，在鍵合球上方插入鉤針施加拉力；當(dāng)鍵合線線徑大于127μm且鉤針不適用時(shí)，可使用適當(dāng)?shù)膴A子代替鉤針。對(duì)引線施加垂直于芯片表面的拉力，使引線斷裂并記錄分離模式與拉力大小。圖A.4鍵合點(diǎn)拉力試驗(yàn)分離模式圖a)將鉤針置于中跨與頂點(diǎn)之間。b)將鉤針置于中跨附近。c)將鉤針置于中跨附近。d)如果中跨與頂點(diǎn)所在位置大致相同，則將鉤針?lè)旁谥锌绺郊Ｈ缥恢貌煌?，則將鉤針?lè)旁谥锌缗c頂端之間的近似中點(diǎn)處。T/CACCXXXX-XXXX圖A.5A.4.3可焊性試驗(yàn)鍵合點(diǎn)拉力試驗(yàn)示意圖本試驗(yàn)使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于15片進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前應(yīng)從表A.15中選擇適當(dāng)?shù)臈l件進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理后應(yīng)在2h內(nèi)進(jìn)行試驗(yàn)或?qū)⑵骷娣庞诘獨(dú)庀渲?，并?2h內(nèi)進(jìn)行試驗(yàn)。對(duì)于使用蒸汽老化預(yù)處理的樣品，當(dāng)試驗(yàn)樣品從蒸汽老化設(shè)備中移出時(shí),可以按照下述方法之一干燥樣品：a)在干燥環(huán)境中(推薦用干燥氮?dú)?，最高100℃烘焙不超過(guò)1h；b)在室溫環(huán)境下的空氣中干燥至少15min。表A.15預(yù)處理?xiàng)l件ABCDE表A.16蒸汽溫度試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)使用Sn96.5Ag3.0Cu0.5（SAC305）焊料，允許Ag含量在3.0wt%～4.0wt%之間、Cu0.5wt%～1.0wt%之間變化；助焊劑成分應(yīng)符合表A.17的規(guī)定。對(duì)于不同類(lèi)型的樣品，使用下列不同的方法進(jìn)行試驗(yàn)。有引線元器件焊料槽浸焊觀察試驗(yàn)：先將樣品以20°~45°的角度浸入助焊劑中，待樣品表面浸沒(méi)在助焊劑中保持5s～10s后，將樣品引線與焊料面呈90°方向，以（25±6）mm/s的速度浸入焊料槽，并在焊料面與樣品本體在距離1.27mm以?xún)?nèi)停止，在（245±5）℃條件下保持50—0.5s。將樣品取出冷卻5s以上后，在不低于30倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行觀察焊料層細(xì)節(jié)。無(wú)引線元器件焊料槽浸焊觀察試驗(yàn)：先將樣品以20°~45°的角度浸入助焊劑中，待器件表面浸沒(méi)在助焊劑中保持5s～10s后，將樣品與焊料面呈20°~45°方向，以（25±6）mm/s的速度浸入焊料槽，在（245±5）℃條件下保持50—0.5s。將樣品取出冷卻5s以上后，在不低于30倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行觀察焊料層細(xì)節(jié)。焊球、柱陣列封裝器件表面貼裝工藝模擬試驗(yàn)：使用開(kāi)模絲網(wǎng)將錫膏印至試驗(yàn)基板，取下絲網(wǎng)后將樣品置于印刷好的基板上，在確認(rèn)樣品位置無(wú)誤后進(jìn)行再流焊接，待冷卻后將樣品從基板上取下，在不低于30倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行觀察焊料層細(xì)節(jié)。表A.17助焊劑成分A.4.4物理尺寸量測(cè)試驗(yàn)本試驗(yàn)包括物理尺寸量測(cè)和共面性測(cè)量?jī)蓚€(gè)部分。使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于10片。使用千分尺、卡尺、量規(guī)、輪廓投影儀或其他能夠確定實(shí)際設(shè)備尺寸的測(cè)量設(shè)備對(duì)樣品進(jìn)行尺寸量測(cè)。對(duì)于焊柱陣列（CGA）封裝產(chǎn)品按照GB/T36479-2018中5.1的方法對(duì)樣品進(jìn)行共面度測(cè)量。對(duì)于焊球陣列（BGA）封裝產(chǎn)品采用基準(zhǔn)平面法測(cè)量，具體步驟如下：a)應(yīng)小心處置器件，確保不會(huì)損傷焊球。b)器件水平放置，焊球朝上，如圖A.6所示。c)測(cè)量時(shí)，不允許對(duì)器件施加外力。d)測(cè)量每一個(gè)焊球頂點(diǎn)。e)測(cè)定三個(gè)具有到植球面最大的垂直距離的焊球頂點(diǎn)，這三個(gè)點(diǎn)形成基準(zhǔn)平面，如圖A.6所示。f)由焊球形成的三角形基準(zhǔn)平面應(yīng)包括器件重心。如果構(gòu)建的基準(zhǔn)平面不包括器件重心，則使用下一個(gè)和植球面具有最大的垂直距離的焊球來(lái)構(gòu)建有效的基準(zhǔn)平面。如果基準(zhǔn)平面三角形包括了器件重心，則認(rèn)為此基準(zhǔn)平面是有效的。但也可能存在多個(gè)基準(zhǔn)平面。如果存在多個(gè)基準(zhǔn)平面，應(yīng)使用能產(chǎn)生最壞測(cè)量結(jié)果的基準(zhǔn)平面來(lái)進(jìn)行共面度測(cè)量。T/CACCXXXX-XXXXg)測(cè)量每個(gè)焊球頂點(diǎn)和基準(zhǔn)平面之間的距離，其最大測(cè)量差值就是共面度，如圖A.7所示。圖A.6基準(zhǔn)平面圖A.7BGA共平面A.4.5錫球剪切試驗(yàn)使用3個(gè)不連續(xù)批次的樣品，每批次樣品數(shù)量不應(yīng)少于10片，每片樣品選擇不少于5個(gè)位置進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)前應(yīng)先按照A.2.1步驟g）的方法進(jìn)行兩次封裝體峰值溫度（TP）為220℃的再流焊試驗(yàn)，待樣品冷卻恢復(fù)常溫后進(jìn)行試驗(yàn)。本試驗(yàn)的示意圖見(jiàn)圖A.8。推刀抬高高度為待測(cè)焊球的1/3處，剪切速度在280μm/s～500μm/s范圍內(nèi)選取，試驗(yàn)后在不低于40倍光學(xué)放大倍率下進(jìn)行分離模式的判定，分離模式見(jiàn)表A.18。圖A.8錫球剪切試驗(yàn)示意圖表A.18分離模式1234T/CACCXXXX-XXXX5A.4.6凸塊剪切試驗(yàn)本試驗(yàn)使用1個(gè)批次的樣品，樣品數(shù)量不應(yīng)少于5片，每片樣品選擇不少于4個(gè)凸塊進(jìn)行試驗(yàn)，按照A.4.5錫球剪切試驗(yàn)的方法進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試有效載荷由供需雙方協(xié)商確定，試驗(yàn)前后測(cè)量樣品Cpk參數(shù)。A.5晶圓可靠性試驗(yàn)A.5.1電遷移試驗(yàn)參考IEC62415的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.2電介質(zhì)擊穿試驗(yàn)參考IEC62374、IEC62374-1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.3熱載流子注入效應(yīng)試驗(yàn)參考IEC62416的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.4負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定試驗(yàn)參考IEC62373-1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.5.5應(yīng)力遷移試驗(yàn)參考IEC62880-1的方法進(jìn)行試驗(yàn)。A.6電性能驗(yàn)證試驗(yàn)A.6.1功能/電氣參數(shù)試驗(yàn)使用足夠精度的硬件測(cè)試板對(duì)樣品的功能/電氣參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)。硬件測(cè)試板測(cè)試程序應(yīng)參考供應(yīng)商數(shù)據(jù)手冊(cè)或者用戶(hù)規(guī)格說(shuō)明書(shū)編制。A.6.2人體模型靜電放電試驗(yàn)依據(jù)GB/T4937.26第5節(jié)的方法對(duì)HBM測(cè)試儀器進(jìn)行認(rèn)證。認(rèn)證完成后引腳可按照GB/T4937.26中6.3節(jié)與6.4節(jié)部分進(jìn)行分類(lèi)與分組。測(cè)試電壓點(diǎn)的選擇應(yīng)從500V開(kāi)始，通過(guò)后繼續(xù)進(jìn)行下一等級(jí)的電壓點(diǎn)測(cè)試，不允許跳過(guò)某個(gè)電壓點(diǎn)，若500V的測(cè)試未通過(guò)則應(yīng)進(jìn)行250V的測(cè)試，若是250V的測(cè)試未通過(guò)則應(yīng)進(jìn)行125V的測(cè)試，若此時(shí)依然未通過(guò)125V的測(cè)試，則將該器件的HBMESD等級(jí)設(shè)為0A級(jí)。每個(gè)電壓點(diǎn)至少使用3個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。不同引腳組合同一電壓可使用同一個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。按照GB/T4937.26第6節(jié)的方法進(jìn)行試驗(yàn)，且應(yīng)當(dāng)按照表A.19的引腳連接順序進(jìn)行測(cè)試。特別的，若是使用低寄生測(cè)試儀進(jìn)行HBM試驗(yàn)應(yīng)當(dāng)驗(yàn)證每個(gè)引腳組合的連接性且必須測(cè)試相鄰非電源引腳，但是此時(shí)允許采用表A.20進(jìn)行簡(jiǎn)化測(cè)試。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后96h內(nèi)進(jìn)行。驗(yàn)證通過(guò)后按照表A.21進(jìn)行HBMESD等級(jí)分類(lèi)。表A.19傳統(tǒng)引腳組合集12………NN+1表A.20簡(jiǎn)化引腳組合集12………N所有與電源引腳組N相連的非電源引腳N+1表A.21HBMESD等級(jí)分類(lèi)表<50T/CACCXXXX-XXXX2A.6.3帶電器件模型靜電放電試驗(yàn)應(yīng)對(duì)CDM測(cè)試中的各個(gè)儀器和部件進(jìn)行按照J(rèn)S-002中第6節(jié)的要求進(jìn)行認(rèn)證，保證CDM測(cè)試的輸出波形滿(mǎn)足要求。應(yīng)當(dāng)準(zhǔn)備全新待測(cè)器件，并在測(cè)試前對(duì)設(shè)備和待測(cè)器件進(jìn)行清潔與ESD防護(hù)避免非測(cè)試流程中的意外靜電事件。應(yīng)依據(jù)JS-002中的測(cè)試步驟對(duì)所有引腳進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試電壓點(diǎn)的選擇應(yīng)從250V開(kāi)始，依次為±250V、±500V、±750V，不允許跳級(jí)測(cè)試，也可由供需雙方協(xié)商確定試驗(yàn)電壓，若250V的測(cè)試未通過(guò)則應(yīng)進(jìn)行125V的測(cè)試，若此時(shí)依然未通過(guò)125V的測(cè)試，則將該器件的CDMESD等級(jí)設(shè)為C0a級(jí)。每個(gè)引腳至少進(jìn)行3次正電壓和3次負(fù)電壓的試驗(yàn)，施加電壓的時(shí)間間隔不應(yīng)少于0.3s。每個(gè)電壓點(diǎn)至少使用3個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)，不同電壓可使用同一個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。器件ESD失效閾值等級(jí)見(jiàn)表A.22。特別的，若C2b(750V)失敗但C2(500V)通過(guò)，那么可對(duì)角引腳進(jìn)行750V測(cè)試，若測(cè)試通過(guò)CDMESD等級(jí)設(shè)為C2a級(jí)。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查，功能檢查應(yīng)在試驗(yàn)結(jié)束后96h內(nèi)進(jìn)行。表A.22帶電器件模型靜電放電試驗(yàn)條件電壓范圍UA.6.4閂鎖效應(yīng)試驗(yàn)進(jìn)行測(cè)試前應(yīng)將引腳進(jìn)行分類(lèi)，根據(jù)引腳特性分為電源引腳、信號(hào)引腳和特殊引腳，信號(hào)引腳又可分為輸入引腳和輸出引腳。使用1個(gè)批次的3個(gè)樣品進(jìn)行試驗(yàn)。本試驗(yàn)可采用電流試驗(yàn)或電壓試驗(yàn)，由于可以避免EOS失效干擾，推薦使用電壓試驗(yàn)。在表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行試驗(yàn)，同時(shí)設(shè)定最大電流避免EOS失效引起對(duì)閂鎖測(cè)試的誤判。對(duì)樣品施加產(chǎn)品規(guī)定的最大工作電壓，測(cè)量樣品電源引腳的電流初始值，按照表A.23與JESD78X中5.6與5.7節(jié)的要求對(duì)信號(hào)引腳與電源引腳按順序進(jìn)行連接與測(cè)試測(cè)試完成后測(cè)量施加電壓或電流后電源引腳的電流值是否滿(mǎn)足4.3.6.4中的要求。測(cè)量施加電壓或電流后電源引腳的電流值。芯片輸入的最大、最小值（或最?lèi)毫拥妮斎肭闆r）的條件下進(jìn)行閂鎖效應(yīng)試驗(yàn)。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照A.6.1的方法進(jìn)依次在室溫和表A.1規(guī)定的最高工作溫度下進(jìn)行功能/電氣參數(shù)檢查。表A.23閂鎖試驗(yàn)條件A.6.5電性參數(shù)分布從正常生產(chǎn)批次中隨機(jī)抽取樣品，若需跟蹤個(gè)體參數(shù)漂移，需對(duì)每個(gè)樣品編號(hào)。測(cè)量的電參數(shù)和通過(guò)準(zhǔn)則由供需雙方協(xié)商確定。關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)技術(shù)、工藝、設(shè)計(jì)和實(shí)際應(yīng)用等信息確定。在不同溫度（室溫、表A.1規(guī)定的最高環(huán)境工作溫度和最低環(huán)境工作溫度）、頻率和/或電壓的組合下的進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量數(shù)據(jù)宜包括參數(shù)、單位、平均值、標(biāo)準(zhǔn)差、最小值和最大值、最小和最大規(guī)格限值、Cpk/Ppk（如果適用，則可相應(yīng)的增加試驗(yàn)樣本量）。若某參數(shù)不符合器件規(guī)格要求或未達(dá)到用戶(hù)與供應(yīng)商約定的統(tǒng)計(jì)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)，供應(yīng)商應(yīng)提供資質(zhì)總結(jié)報(bào)告進(jìn)行說(shuō)明。A.6.6故障分級(jí)參考下列流程進(jìn)行故障分級(jí)：a)確定使用的設(shè)備仿真模型；b)參考下述故障模型和故障種類(lèi)進(jìn)行故障注入與仿真；c)故障檢測(cè)，若無(wú)故障模型與故障模型的邏輯輸出存在差異則表示故障被檢測(cè)到；d)故障列表記錄；e)明確模擬器/測(cè)試儀的差異；f)指定可以模塊化的設(shè)計(jì)。g)覆蓋率根據(jù)以下公式計(jì)算：覆蓋率(%)=檢測(cè)到的故障數(shù)/(所有可能故障數(shù)-不可檢測(cè)故障數(shù))×100% 其中所有可能故障數(shù)=2×(門(mén)電路輸入數(shù)+門(mén)電路輸出數(shù))……（2）h)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行驗(yàn)收。故障模型主要包括：a)隨機(jī)邏輯故障（邏輯翻轉(zhuǎn)故障、功能故障、偽邏輯翻轉(zhuǎn)故障、轉(zhuǎn)換和延遲故障）；b)存儲(chǔ)故障。T/CACCXXXX-XXXX故障種類(lèi)：c)無(wú)法檢測(cè)的故障：1)種類(lèi)1（冗余故障、并接故障、未使用的故障、阻塞故障）;2)種類(lèi)2（推挽配置、存儲(chǔ)配置、線接線配置、CMOS傳輸門(mén)故障）;d)通過(guò)間接方式檢測(cè)到的故障（隱含故障、控制線路故障、過(guò)渡活躍故障）;e)可檢測(cè)的故障：1)隨機(jī)邏輯故障（邏輯翻轉(zhuǎn)故障、功能故障、偽邏輯翻轉(zhuǎn)故障、轉(zhuǎn)換和延遲故障）;2)存儲(chǔ)故障。A.6.7電特性表征適用于新產(chǎn)品、新芯片布置或?qū)ΜF(xiàn)有產(chǎn)品變更、新單元結(jié)構(gòu)、新工藝方法或材料、新工作偏壓條件等情況。特性表征流程包括：對(duì)特性表征檢查清單評(píng)審，確定特性表征法，建立參數(shù)和條件，形成特性結(jié)論、仿真結(jié)果、器件薄弱點(diǎn)和可靠性分析）。A.7缺陷篩選試驗(yàn)A.7.1參數(shù)分布平均測(cè)試A.7.1.1一般規(guī)定A.7.1.2靜態(tài)零件平均測(cè)試從已通過(guò)產(chǎn)品規(guī)范規(guī)定的測(cè)試限值的至少六個(gè)批次中收集測(cè)試數(shù)據(jù)。從每個(gè)批次的至少30個(gè)產(chǎn)品中隨機(jī)選擇測(cè)試數(shù)據(jù)，確定每個(gè)測(cè)試的魯棒平均值和標(biāo)準(zhǔn)差。測(cè)試數(shù)據(jù)是晶圓級(jí)數(shù)據(jù)時(shí)，至少?gòu)?個(gè)位于晶片的不同區(qū)域裸片中選擇數(shù)據(jù)（每批至少30個(gè)裸片）。在生產(chǎn)的早期，當(dāng)不夠六個(gè)批次的數(shù)據(jù)時(shí)，可使用特性批次的數(shù)據(jù)。一旦生產(chǎn)批次的數(shù)據(jù)可用，應(yīng)立即更新數(shù)據(jù)。靜態(tài)零件平均測(cè)試限值＝魯棒平均值±6×魯棒標(biāo)準(zhǔn)差靜態(tài)零件平均測(cè)試限值應(yīng)在生產(chǎn)的前6個(gè)月或至少8個(gè)晶圓批次（以先發(fā)生的條件為準(zhǔn)）期間根據(jù)需要使用當(dāng)前數(shù)據(jù)進(jìn)行審查和更新，不應(yīng)使用較舊的數(shù)據(jù)。6個(gè)月后，應(yīng)每半年檢查一次靜態(tài)零件平均測(cè)試限值，并根據(jù)需要進(jìn)行更新。A.7.1.3動(dòng)態(tài)零件平均測(cè)試由于參考樣本與正在測(cè)試的零件相同，動(dòng)態(tài)零件平均測(cè)試限值通常優(yōu)于靜態(tài)零件平均測(cè)試限值。動(dòng)態(tài)零件平均測(cè)試可提供更嚴(yán)格的限值，避免正常零件誤剔除，因?yàn)樗恍枰紤]作為靜態(tài)零件平均測(cè)試限值批次間的變化。動(dòng)態(tài)零件平均測(cè)試限值以與靜態(tài)零件平均測(cè)試限值相同的方式確定，但當(dāng)新批次（或晶片）的零件數(shù)據(jù)已通過(guò)測(cè)試時(shí)，動(dòng)態(tài)零件平均測(cè)試限值應(yīng)使用新批次（或晶片）的零件數(shù)據(jù)重新計(jì)算。這些限值通過(guò)對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的進(jìn)一步統(tǒng)計(jì)分析定義，為特定批次（或晶片）建立了新的更嚴(yán)格的測(cè)試限值，并剔除其他的異常值。動(dòng)態(tài)零件平均測(cè)試限值＝魯棒平均值±6×魯棒標(biāo)準(zhǔn)差對(duì)于在最后階段無(wú)法保持可追溯性的零件，使用動(dòng)態(tài)零件平均測(cè)試應(yīng)對(duì)已通過(guò)的零件重新測(cè)試。A.7.2統(tǒng)計(jì)良率分析從至少六個(gè)批次收集統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。在零件生產(chǎn)的早期，當(dāng)不夠六個(gè)批次的數(shù)據(jù)時(shí)，可使用（晶圓）特性化/矩陣批次的數(shù)據(jù)（類(lèi)似于現(xiàn)有產(chǎn)品和設(shè)計(jì)仿真）設(shè)定初始限值。一旦當(dāng)前生產(chǎn)批次的數(shù)據(jù)可用，應(yīng)立即更新初始限值。應(yīng)在生產(chǎn)的前6個(gè)月使用當(dāng)前生產(chǎn)數(shù)據(jù)定期進(jìn)行檢查和更新。初始限值更新頻率應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品量產(chǎn)提升率的實(shí)際情況進(jìn)行，例如每2個(gè)擴(kuò)散批次后或每30天進(jìn)行。當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)應(yīng)包括最近一次更新后的數(shù)據(jù)或至少最近個(gè)8批次的數(shù)據(jù)，不應(yīng)使用舊數(shù)據(jù)。在生產(chǎn)開(kāi)始的6個(gè)月后，限值應(yīng)至少每年更新兩次，或按照供需雙方協(xié)商進(jìn)行更新。這些數(shù)據(jù)決定的統(tǒng)計(jì)良率限值和統(tǒng)計(jì)倉(cāng)限值（基于晶片、晶圓批次和封裝批次）如下：統(tǒng)計(jì)良率上、下限值＝平均值±3×標(biāo)準(zhǔn)差統(tǒng)計(jì)倉(cāng)上、下限值＝平均值±4×標(biāo)準(zhǔn)差如果統(tǒng)計(jì)結(jié)果符合正態(tài)分布，確定每批通過(guò)的零件百分比的平均值和標(biāo)準(zhǔn)差，以及每批次（指每個(gè)晶片、一個(gè)晶圓批次或一個(gè)封裝批次）失效裸片的百分比。如果統(tǒng)計(jì)結(jié)果不符合正態(tài)分布，可使用數(shù)學(xué)轉(zhuǎn)換等替代方法使正態(tài)分布適用，或?qū)?shù)據(jù)擬合到另一個(gè)合適的分布（威布爾分布、伽瑪分布、泊松分布等并建立統(tǒng)計(jì)良率限值，實(shí)現(xiàn)與正態(tài)分布在統(tǒng)計(jì)良率或統(tǒng)計(jì)倉(cāng)相同的風(fēng)險(xiǎn)概率。A.8腔體封裝完整性試驗(yàn)A.8.1機(jī)械沖擊試驗(yàn)A.8.1.1自由狀態(tài)測(cè)試半導(dǎo)體器件或子組件需在三個(gè)正交軸向上各進(jìn)行30次沖擊測(cè)試（5次/方向），測(cè)試等級(jí)分為A-H共8個(gè)服務(wù)條件，如表A.24所示。表A.24沖擊測(cè)試等級(jí)A.8.1.2裝配狀態(tài)測(cè)試子組件需模擬實(shí)際使用條件進(jìn)行12次沖擊測(cè)試（2次/方向），采用1-14級(jí)服務(wù)條件，典型參數(shù)包括：1）脈沖持續(xù)時(shí)間：5.0ms～8.0msT/CACCXXXX-XXXX2）速度變化：1.00m/s～5.44m/s3）推薦使用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)熱測(cè)試卡作為測(cè)試載體A.8.1.3關(guān)鍵設(shè)備要求沖擊測(cè)試裝置必須滿(mǎn)足以下技術(shù)指標(biāo)：1）峰值加速度：≤29000m/s22）加速度波形：半正弦波（偏差≤±10%）3）傳感器自然頻率：＞5倍沖擊脈沖頻率4）測(cè)試前需進(jìn)行設(shè)備校準(zhǔn)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)特別強(qiáng)調(diào)測(cè)試夾具的設(shè)計(jì)要求：自由狀態(tài)測(cè)試需剛性固定，裝配狀態(tài)測(cè)試需允許適度彎曲以模擬實(shí)際使用條件。A.8.1.4失效判據(jù)典型失效模式：1）密封性失效（適用氣密封裝器件）2）電氣參數(shù)超出規(guī)范限值3）功能性失效4）芯片開(kāi)裂、引腳斷裂等機(jī)械損傷5）焊點(diǎn)脫落或PCB連接失效（裝配狀態(tài)）A.8.1.5實(shí)施建議1）優(yōu)先采用實(shí)際應(yīng)用板卡而非標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板2）測(cè)試前應(yīng)施加預(yù)處理應(yīng)力（如回流焊、老化等）3）記錄組件最低共振頻率等動(dòng)態(tài)特性4）建立黃金樣品組用于設(shè)備校準(zhǔn)A.8.1.6標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用價(jià)值本文件為半導(dǎo)體器件制造商和終端用戶(hù)提供了統(tǒng)一的機(jī)械沖擊可靠性評(píng)估方法，特別適用于：1）汽車(chē)電子元件資格認(rèn)證2）工業(yè)設(shè)備抗沖擊設(shè)計(jì)驗(yàn)證3）運(yùn)輸包裝方案優(yōu)化A.8.1.7機(jī)械沖擊試驗(yàn)使用1個(gè)批次不少于15個(gè)樣品，將樣品安裝在夾具上，按照IEC60749-10的方法進(jìn)行試驗(yàn)。僅在Y1方向（芯片方向示意圖見(jiàn)圖A.9）進(jìn)行5次沖擊，加速度峰值為1500g，脈沖時(shí)間為0.5ms。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照附錄B的方法進(jìn)在室溫下進(jìn)行性能試驗(yàn)。圖A.9芯片方向示意圖A.8.2變頻振動(dòng)試驗(yàn)使用1個(gè)批次不少于15個(gè)樣品，將樣品安裝在夾具上，按照GB/T4937.12-2018的方法進(jìn)行試驗(yàn)。每個(gè)方向進(jìn)行4次掃頻振動(dòng)，每次掃頻時(shí)間不少于4min，振動(dòng)頻率為20Hz～2000Hz～20Hz（對(duì)數(shù)變化峰值加速度為50g。試驗(yàn)前后進(jìn)行外觀檢查，按照5.2的方法進(jìn)在室溫下進(jìn)行性能試驗(yàn)。A.8.2.1安裝組件設(shè)備外殼應(yīng)牢固地固定在振動(dòng)平臺(tái)上，導(dǎo)線應(yīng)充分固定，以避免過(guò)度的導(dǎo)線共振。部件的安裝方式應(yīng)使其能夠承受部件的全部規(guī)定振動(dòng)水平。A.8.2.2振動(dòng)應(yīng)用振動(dòng)將以模擬裝運(yùn)條件下預(yù)期振動(dòng)的方式施加于部件外殼或引線的外表面。裝置應(yīng)按照表表A.25所示的測(cè)試水平進(jìn)行簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)振動(dòng)。每個(gè)試驗(yàn)水平將包括連續(xù)掃頻的簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)，指示峰-峰位移低于交叉頻率，指示峰值加速度高于交叉頻率。允許正在進(jìn)行的測(cè)試的公差水平為±10%，無(wú)論是位移還是加速度，測(cè)試頻率范圍從指示的最小頻率到指示的最大測(cè)試頻率。應(yīng)以對(duì)數(shù)方式在4分鐘內(nèi)完成測(cè)試頻率范圍的完整掃描，從最小頻率到最大頻率并返回到最小頻率。掃描速率為10次/min。應(yīng)在X、Y和Z方向各進(jìn)行4次完整掃描(共12次)。如果在特定的頻率范圍內(nèi)(例如，在較低的頻率范圍內(nèi)，或在不可控的夾具共振區(qū)域內(nèi))，受測(cè)部件沒(méi)有顯著的應(yīng)力敏感性，那么可以從應(yīng)力應(yīng)用中刪除該部分頻率掃描，并完整記錄測(cè)試異常的原因和刪除的掃描測(cè)試部分的范圍。如果適用，應(yīng)進(jìn)行密封性測(cè)試、目視檢查和電氣測(cè)量(包括參數(shù)和功能測(cè)試)。如果無(wú)法證明密封性要求，或者超出參數(shù)限制，或者如果在適用采購(gòu)文件中規(guī)定的條件下無(wú)法證明功能性，則部件應(yīng)被定義為故障。表A.25測(cè)試水平情況1233415678T/CACCXXXX-XXXX（規(guī)范性）電性能試驗(yàn)方法測(cè)試被測(cè)器件正常工作的電源電壓范圍。B.1.2測(cè)試原理圖測(cè)試原理圖如圖B.1所示。圖B.1VBP的測(cè)試原理圖B.1.3測(cè)試條件芯片外觀有劃傷、裂、缺損時(shí)不能測(cè)試。測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度，包含推薦溫度和工作溫度等級(jí)要求的最高溫度、最低溫度；b)電源電壓，包含推薦工作電壓、最大工作電壓和最小工作電壓；c)控制信號(hào)電平。B.1.4測(cè)試程序測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：a)將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；b)接通電源，施加規(guī)定的控制信號(hào)，使器件正常工作；c)向下掃描電源電壓，直到器件開(kāi)始出現(xiàn)部分功能異常時(shí)結(jié)束掃描；向上掃描電源電壓，超過(guò)最高工作電壓后器件功能仍正常時(shí)結(jié)束掃描；d)記錄向上掃描和向下掃描時(shí)，使器件全部功能都正常的電壓范圍，即為VBP。B.2電源電流IBP電源電壓加電時(shí)，測(cè)試被測(cè)器件正常工作時(shí)的電源電流。B.2.2測(cè)試原理圖測(cè)試原理圖如圖B.2所示。圖B.2IBP的測(cè)試原理圖B.2.3測(cè)試條件芯片外觀有劃傷、裂、缺損時(shí)不能測(cè)試。測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：a)環(huán)境或參考點(diǎn)溫度，包含推薦溫度和工作溫度等級(jí)要求的最高溫度、最低溫度；b)電源電壓，包含推薦工作電壓、最大工作電壓和最小工作電壓；c)控制信號(hào)電平。B.2.4測(cè)試程序測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：a)將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；b)接通電源，施加規(guī)定的控制信號(hào)，使器件正常工作；c)測(cè)量VBP電源端流入的電流值，即為IBP。B.3電源過(guò)壓濾波時(shí)間TVBP_