高考物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專(zhuān)題復(fù)習(xí)題匯編引言：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的高考定位在高考化學(xué)選考模塊中，“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”（選修3）以微觀(guān)粒子結(jié)構(gòu)與相互作用為核心，聚焦原子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)三大維度，考查“宏觀(guān)辨識(shí)與微觀(guān)探析”“證據(jù)推理與模型認(rèn)知”等學(xué)科核心素養(yǎng)。該模塊分值穩(wěn)定（約15分），題型以綜合填空為主，涵蓋概念辨析、原理解釋、計(jì)算推導(dǎo)，是區(qū)分度較高的板塊。一、原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)1：核外電子排布規(guī)律與表示考情分析：電子排布式（含簡(jiǎn)化式）、軌道表示式為高頻考點(diǎn)，常結(jié)合元素推斷考查。需注意洪特規(guī)則特例（如Cr、Cu的電子排布）、全滿(mǎn)/半滿(mǎn)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。典型例題1（2023·全國(guó)甲卷改編）：基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子排布式為_(kāi)_____；基態(tài)Cu2?的價(jià)層電子排布圖中，未成對(duì)電子數(shù)為_(kāi)_____。解析：Fe的原子序數(shù)為26，核外電子排布為[Ar]3d?4s2，價(jià)層電子為3d?4s2；Cu的基態(tài)電子排布為[Ar]3d1?4s1，失去2個(gè)電子后Cu2?為[Ar]3d?，軌道表示式中3d軌道有1個(gè)未成對(duì)電子。答案：3d?4s2；1變式訓(xùn)練1：基態(tài)As原子的電子排布式為_(kāi)_____（簡(jiǎn)化形式）；N、O、F的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_____，原因是______?？键c(diǎn)2：電離能與電負(fù)性的應(yīng)用考情分析：電離能的突變用于判斷化合價(jià)，電負(fù)性用于比較化學(xué)鍵極性/元素金屬性，常結(jié)合周期律綜合考查。典型例題2（2021·河北卷）：第二電離能I?(Li)>I?(Na)，原因是______。解析：Li?的電子排布為1s2（全滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)），失去第二個(gè)電子需破壞穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，難度大；Na?的電子排布為2s22p?（全滿(mǎn)），但Na的原子半徑更大，第二電離能（失去2s電子）小于Li（失去1s電子）。答案：Li?為1s2全滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，失去第二個(gè)電子需破壞穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，難度大；Na?為2s22p?全滿(mǎn)結(jié)構(gòu)，失去第二個(gè)電子（2s電子）相對(duì)容易。變式訓(xùn)練2：已知電負(fù)性：C<N<O，判斷H?O、NH?、CH?的鍵角由大到小的順序?yàn)開(kāi)_____，并結(jié)合電負(fù)性解釋?zhuān)篲_____。二、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)3：化學(xué)鍵與分子構(gòu)型考情分析：σ鍵、π鍵的判斷，配位鍵的形成條件，價(jià)層電子對(duì)互斥理論（VSEPR）判斷分子構(gòu)型，常結(jié)合新物質(zhì)（如配合物）考查。典型例題3（2023·湖南卷）：配合物[Cu(NH?)?]SO?中，中心離子的配位數(shù)為_(kāi)_____；NH?的空間構(gòu)型為_(kāi)_____，雜化方式為_(kāi)_____。解析：配體為NH?，共4個(gè)，故配位數(shù)為4；NH?的中心N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3（成鍵）+1（孤電子對(duì)）=4，VSEPR模型為四面體形，空間構(gòu)型為三角錐形，雜化方式為sp3。答案：4；三角錐形；sp3變式訓(xùn)練3：H?O?的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_____，其中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_(kāi)_____；H?O?中O的雜化方式為_(kāi)_____。考點(diǎn)4：分子間作用力與氫鍵考情分析：氫鍵的形成條件（X—H…Y，X、Y為F、O、N）、對(duì)熔沸點(diǎn)/溶解性的影響，分子極性的判斷（結(jié)合構(gòu)型與鍵的極性）。典型例題4（2022·全國(guó)乙卷）：下列物質(zhì)中，存在分子間氫鍵的是（）A.CH?B.H?SC.NH?D.SiH?解析：氫鍵形成需要分子含N—H、O—H或F—H鍵，且另一分子有孤電子對(duì)的F、O、N。NH?分子中N—H鍵的H與另一NH?的N形成氫鍵，故選C。答案：C變式訓(xùn)練4：比較H?O和H?S的沸點(diǎn)：______，原因是______；H?O是______（極性/非極性）分子，空間構(gòu)型為_(kāi)_____。三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)5：晶體類(lèi)型與性質(zhì)判斷考情分析：離子晶體、分子晶體、原子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（如原子晶體的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)）、熔沸點(diǎn)比較（離子晶體看晶格能，原子晶體看共價(jià)鍵鍵能，分子晶體看分子間作用力）。典型例題5（2021·廣東卷）：晶體熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)開(kāi)_____（填序號(hào)）：①SiC②CO?③KCl④Cu解析：SiC（原子晶體，鍵能大）>Cu（金屬晶體，金屬鍵強(qiáng)）>KCl（離子晶體，晶格能較大）>CO?（分子晶體，分子間作用力弱）。答案：①>④>③>②變式訓(xùn)練5：判斷晶體類(lèi)型：干冰______，金剛石______，CaF?______；比較熔點(diǎn)：NaCl______MgO（填“>”“<”或“=”），原因是______?？键c(diǎn)6：晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算考情分析：晶胞中粒子數(shù)的計(jì)算（均攤法）、晶體密度/邊長(zhǎng)的計(jì)算（結(jié)合阿伏伽德羅常數(shù)），常以立方晶胞（簡(jiǎn)單立方、面心立方、體心立方）為載體。典型例題6（2023·全國(guó)新課標(biāo)卷）：某金屬晶體為面心立方最密堆積，晶胞參數(shù)為apm，摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏伽德羅常數(shù)為N?，則晶體密度ρ=______g/cm3（注意單位換算）。解析：面心立方晶胞粒子數(shù)n=8×1/8+6×1/2=4；晶胞體積V=(a×10?1?cm)3=a3×10?3?cm3；密度ρ=4M/(N?·a3×10?3?)=4M×103?/(N?·a3)。答案：(4M×103?)/(N?·a3)變式訓(xùn)練6：CaF?晶胞中，Ca2?位于面心和頂點(diǎn)，F(xiàn)?位于體內(nèi)。則一個(gè)晶胞中Ca2?的數(shù)目為_(kāi)_____，F(xiàn)?的數(shù)目為_(kāi)_____；若晶胞邊長(zhǎng)為bpm，密度ρ=______g/cm3（用含b、M、N?的式子表示）。四、復(fù)習(xí)策略與解題技巧1.概念體系化：梳理“結(jié)構(gòu)→性質(zhì)→應(yīng)用”的邏輯鏈（如電子排布→電離能/電負(fù)性→元素性質(zhì)），構(gòu)建知識(shí)網(wǎng)絡(luò)。2.模型遷移：掌握典型模型（如sp3雜化的四面體構(gòu)型、面心立方晶胞的粒子數(shù)），遷移到新情境（如陌生分子的雜化方式、復(fù)雜晶胞的均攤）。3.計(jì)算規(guī)范化：晶胞計(jì)算需注意單位換算（pm→cm，1pm=10?1?cm）、均攤規(guī)則（頂點(diǎn)1/8、面心1/2、體心1），密度公式ρ=（n×M）/（N?×V）。4.錯(cuò)題歸因：針對(duì)易錯(cuò)點(diǎn)（如洪特規(guī)則特例、氫鍵的形成條件、晶胞粒子數(shù)計(jì)算）整理錯(cuò)題，強(qiáng)化薄弱環(huán)節(jié)。五、綜合訓(xùn)練題（精選）綜合題1：短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X的基態(tài)原子電子排布式為[He]2s22p2，Y的電負(fù)性在同周期中最大，Z的第一電離能大于相鄰元素，W的價(jià)層電子排布為3d1?4s1。（1）X的元素符號(hào)為_(kāi)_____，其雜化方式為sp2的化合物是______（填化學(xué)式）。（2）Y的氫化物中存在分子間氫鍵的是______（填化學(xué)式），該氫化物的沸點(diǎn)______（填“高于”或“低于”）同主族其他元素的氫化物。（3）Z的單質(zhì)晶體類(lèi)型為_(kāi)_____，其熔點(diǎn)______（填“高于”或“低于”）Y的單質(zhì)，原因是______。（4）W的晶胞為面心立方結(jié)構(gòu)，若晶胞邊長(zhǎng)為acm，W的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，則晶體密度為_(kāi)_____g/cm3（用含a、M、N?的式子表示）。解析與答案：（1）X為C，雜化sp2的化合物如C?H?（乙烯）。（2）Y為F，氫化物為HF，沸點(diǎn)高于同主族（HCl、HBr、HI）。（3）Z為Mg（第一電離能大于相鄰），單質(zhì)為金屬晶體，熔點(diǎn)高于F?（分子晶體），原因：Mg通過(guò)金屬鍵結(jié)合，F(xiàn)?通過(guò)范德華力結(jié)合，金屬鍵強(qiáng)于范德華力。（4）W為Cu，面心