第1題在熱平衡條件下,PN結(jié)的P型中性區(qū)的電勢比N型中性區(qū)的電勢高qVbi。第2題熱平衡條件下,PN結(jié)電子的費(fèi)米能級與空穴的費(fèi)米能級相等,可用統(tǒng)一EF來表示,在能帶圖中可用一條直線。()第3題熱平衡條件下,PN結(jié)的電子電流密度Jn和空穴電流密度Jp的大小相等,方向相反,且都不等于0。()第4題對于硅材料而言,P型硅的功函數(shù)小于N型硅的功函數(shù)。()第5題半導(dǎo)體材料的功函數(shù)是指費(fèi)米能級與真空能級的能量差。()第6題PN結(jié)中電子電流密度的計(jì)算公式有()ABCD正確答案：ABCD第7題PN結(jié)二極管的內(nèi)建電勢的計(jì)算公式為()ABCD正確答案：ABCD第8題下面對半導(dǎo)體功函數(shù)描述正確的是()A功函數(shù)的大小與半導(dǎo)體的摻雜濃度有關(guān)B功函數(shù)的大小與摻雜的類型無關(guān)C功函數(shù)是導(dǎo)帶底與真空電子能級的能量差D功函數(shù)是指一個(gè)電子從半導(dǎo)體內(nèi)部移到外部真空能級所需要的最小能量。正確答案：AD第9題下面對于P+N單邊突變結(jié)描述正確的是()AP區(qū)和N區(qū)的雜質(zhì)均勻分布B雜質(zhì)濃度在PN結(jié)結(jié)面處發(fā)生突變CN區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于P區(qū)的摻雜濃度DP區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)的摻雜濃度正確答案：ABD第10題下面關(guān)于內(nèi)建電勢說法正確的是()。A摻雜濃度越高,內(nèi)建電勢越低B溫度越高,內(nèi)建電勢越大C相同摻雜濃度下,材料的禁帶寬度越寬,內(nèi)建電勢越小D以上說法都不正確第1題對于單邊突變結(jié),1/C2-V曲線圖在外加正向偏壓時(shí)是一條直線,通過該直線的斜率可以給出輕摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度,且該直線的截距是內(nèi)建電勢。()第2題耗盡層電容是外加電壓的變化引起耗盡層電離雜質(zhì)電荷變化。()第3題當(dāng)外加正向電壓時(shí),由于外加電場與內(nèi)建電場的方向相反,耗盡區(qū)的電場減小,耗盡區(qū)寬度減小。()第4題在求解泊松方程時(shí),除考慮雜質(zhì)濃度外,還將多數(shù)載流子的貢獻(xiàn)計(jì)入,得到的熱平衡條件下的耗盡區(qū)寬度與采用耗盡近似得到的寬度區(qū)別僅在于用(bi-2kT/q)代替bi。()第5題在熱平衡條件下,P型一側(cè)的單位面積總的負(fù)電荷等于N型區(qū)一側(cè)單位面積總的正電荷。()第6題下面關(guān)于PN結(jié)耗盡區(qū)寬度描述正確的有()。A摻雜濃度越重,耗盡區(qū)寬度越寬B外加電壓增加,耗盡區(qū)的寬度減小C外加電壓減小,耗盡區(qū)寬度減小D對于單邊突變結(jié),耗盡區(qū)主要在輕摻雜一側(cè)進(jìn)行擴(kuò)展正確答案：BD第7題熱平衡條件下PN結(jié)各區(qū)的泊松方程正確的是()AP型耗盡區(qū)的泊松方程BP型耗盡區(qū)的泊松方程CN型耗盡區(qū)的泊松方程DN型耗盡區(qū)的泊松方程第8題以下關(guān)于耗盡近似說法不正確的是()。A耗盡區(qū)內(nèi)載流子濃度等于0B耗盡區(qū)內(nèi)電荷濃度等于0CP型耗盡區(qū)內(nèi)的電荷密度為NA,N型耗盡區(qū)內(nèi)的電荷密度為NDD耗盡區(qū)的電荷具有盒型分布。1.1.3課后練習(xí)第1題對于變?nèi)萜鞫?變?nèi)萜鞯撵`敏度s越大越好。()第2題任意摻雜分布的耗盡層電容的大小都與耗盡層的寬度成反比。()第3題下面對于線性緩變結(jié)描述正確的是()。AP型耗盡區(qū)的寬度等于N型耗盡區(qū)的寬度B耗盡區(qū)的寬度隨外加反向偏壓絕對值的增加而增加C濃度梯度越大,耗盡區(qū)的寬度越小,耗盡層電容越大D對于同樣的濃度梯度,禁帶寬度越寬,內(nèi)建電勢越大正確答案：ABCD第4題關(guān)于耗盡層電容說法正確的有()。A對于突變結(jié),摻雜濃度越輕,耗盡層電容越小B外加電壓越大,耗盡層電容越大C對于單邊突變結(jié),耗盡層電容由重?fù)诫s一側(cè)的雜質(zhì)濃度決定D對于線性緩變結(jié),濃度梯度越大,耗盡層電容約大正確答案：ABD第5題設(shè)通用的摻雜分布為(假設(shè)一側(cè)為重?fù)诫s)N=Bxm,以下哪種情況下的摻雜分布最適合制作變?nèi)萜鳌?)Am=1Bm=2Cm=-1Dm=01.2.1課后練習(xí)第1題外加反向偏壓下，與熱平衡時(shí)相比，PN結(jié)二極管描述正確的是（

）。A耗盡區(qū)內(nèi)電場減小B耗盡層的寬度增大C勢壘高度減小qVD空穴從N區(qū)流向P區(qū)，電子從P區(qū)流向N區(qū)正確答案：BD第2題外加偏壓時(shí),PN結(jié)二極管的總電流等于耗盡區(qū)邊界上少子擴(kuò)散電流之和。()第3題載流子濃度梯度的方向是從低濃度指向高濃度。()第4題N型半導(dǎo)體材料中,電子是少數(shù)載流子,空穴是多數(shù)載流子。()第5題對于PN結(jié)二極管,外加偏壓的參考極性是以P型區(qū)為正,N型區(qū)為負(fù)。()第6題載流子的遷移率大小與散射機(jī)制有關(guān),主要的散射機(jī)制有晶格散射和電離雜質(zhì)散射。()第7題半導(dǎo)體器件內(nèi)的載流子在外電場作用下的運(yùn)動規(guī)律可以用一套基本方程來加以描述,這套基本方程是分析一切半導(dǎo)體器件的基本數(shù)學(xué)工具。()第8題下面的哪些圖是PN結(jié)二極管在外加反向偏壓時(shí)中性區(qū)中的少子濃度分布圖。()ABCD正確答案：BD第9題下面關(guān)于載流子在外加偏壓條件下的運(yùn)動,說法正確的是()。A當(dāng)外加正向偏壓,電子在耗盡區(qū)內(nèi)通過擴(kuò)散運(yùn)動從N區(qū)向P區(qū)運(yùn)動。B當(dāng)反加正向偏壓,空穴在耗盡區(qū)內(nèi)通過漂移運(yùn)動從N區(qū)向P區(qū)運(yùn)動。C當(dāng)外加正向偏壓,電子在P型耗盡區(qū)邊界處積累,然后在P型中性區(qū)中做擴(kuò)散運(yùn)動。D當(dāng)外加反向偏壓,空穴在P型中性區(qū)中做漂移運(yùn)動。正確答案：ABCD第10題下面電流密度方程正確的是()。AJn=qμnnE+qDndndxBJn=qμnnE?qDndndxCJp=qμppE+qDpdpdxDJp=qμppE?qDpdpdx正確答案：AD第11題外加正向偏壓下,與熱平衡時(shí)相比,PN結(jié)二極管描述正確的是()。A耗盡區(qū)內(nèi)電場減小B耗盡區(qū)內(nèi)電場減小C耗盡層的寬度增大D耗盡層的寬度增大E勢壘高度減小qVF勢壘高度減小qVG電子從N區(qū)流向P區(qū),空穴從P區(qū)流向N區(qū)6外加反向偏壓下,與熱平衡時(shí)相比,PN結(jié)二極管描述正確的是(BD)。H空穴從N區(qū)流向P區(qū),電子從P區(qū)流向N區(qū)正確答案：BFH第12題下面關(guān)于遷移率正確的說法有()。A溫度一定的條件下,摻雜濃度越高,電離雜質(zhì)散射越厲害,遷移率越低B溫度越高,晶格散射越嚴(yán)重,遷移率越低C載流子的有效質(zhì)量越低,遷移率越大D相同的條件下,電子遷移率大于空穴遷移率正確答案：ACD第13題漂移運(yùn)動與哪些因素有關(guān)。()A載流子濃度分布B載流子濃度梯度分布C電場D遷移率正確答案：ACD第14題擴(kuò)散運(yùn)動與哪些因素相關(guān)。()A載流子的濃度分布B載流子的濃度梯度C電場D擴(kuò)散系數(shù)正確答案：BD第15題半導(dǎo)體材料中,載流子的運(yùn)動有哪些方式。()A擴(kuò)散運(yùn)動B漂移運(yùn)動C熱電子發(fā)射D隧穿正確答案：ABCD1.2.2課后練習(xí)第1題推導(dǎo)理想電流電壓特性的假設(shè)為()。A載流子符合玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)分布B突變耗盡層近似,即有突變邊界的偶極層承受內(nèi)建電勢和外電壓,在耗盡層外,半導(dǎo)體呈電中性C小注入假設(shè)D在耗盡層內(nèi)不存在產(chǎn)生-復(fù)合電流,并且在整個(gè)耗盡區(qū)內(nèi)電子電流和空穴電流恒定正確答案：ABCD第2題對于PN結(jié)二極管理想情況下肖克萊方程的推導(dǎo)思路,下面說法正確的是()。APN結(jié)二極管的總電流等于耗盡區(qū)邊界上少子擴(kuò)散電流之和B假設(shè)流進(jìn)和流出耗盡區(qū)的載流子電流密度不變C少子在中性區(qū)中只做漂移運(yùn)動D少子在中性區(qū)中只做擴(kuò)散運(yùn)動正確答案：ABD第3題當(dāng)外加偏壓時(shí),耗盡區(qū)中準(zhǔn)費(fèi)米能級之差等于外加偏壓V。()第4題關(guān)于PN結(jié)二極管溫度特性描述正確的是()。A溫度度高,反向飽和電流越大B溫度度高,正向電流越大C溫度度高,正向?qū)妷涸酱驞溫度度高,雪崩擊穿電壓越大正確答案：ABD第5題下面關(guān)于反向飽和電流描述正確的是()。A反向飽和電流的大小主要由輕摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度所決定B摻雜濃度越重,反向飽和電流越小C溫度度高,反向飽和電流越小D禁帶寬度越寬,反向飽和電流越大。正確答案：AB第6題下面關(guān)于肖克萊方程的描述正確的是()。A該方程描述的是理想情況下PN結(jié)二極管的電流-電壓關(guān)系B正向偏置時(shí),電流與電壓成指數(shù)關(guān)系C在300K時(shí),電流每改變一個(gè)數(shù)量級,電壓變化59.5mV(=2.3kT/q)D在反向偏置時(shí),電流密度在–J0處飽和正確答案：ABCD第7題非簡并半導(dǎo)體中,載流子濃度分布可以表示為()。An=niexp(EF?EikT)Bp=niexp(EF?EikT)Cn=Nvexp(EF?EvkT)Dp=Nvexp(EF?EvkT)正確答案：AD第8題當(dāng)外加偏壓時(shí),耗盡區(qū)內(nèi)的準(zhǔn)費(fèi)米能級保持不變的原因是()。A耗盡區(qū)內(nèi)的載流子濃度相對于中性區(qū)的少子濃度高得多B由于耗盡區(qū)中電流保持相當(dāng)恒定,準(zhǔn)費(fèi)米能級的梯度很小。C耗盡寬度通常比擴(kuò)散長度短得多,因此耗盡寬度內(nèi)的準(zhǔn)費(fèi)米能級的總下降并不顯著D耗盡寬度通常比擴(kuò)散長度長得多,因此耗盡寬度內(nèi)的準(zhǔn)費(fèi)米能級的總下降并不顯著正確答案：ABC第9題外加偏壓下(小注入條件下),關(guān)于少子濃度描述正確的是()。AN型耗盡區(qū)邊界上的電子濃度為平衡時(shí)的exp(qV/kT)倍BN型耗盡區(qū)邊界上的空穴濃度為平衡時(shí)的exp(qV/kT)倍C外加反向偏壓時(shí),耗盡區(qū)邊界上的載流子濃度近似等于0D外加反向偏壓時(shí),耗盡區(qū)邊界上的少子濃度高于中性區(qū)中的少子濃度1.2.3課后練習(xí)第1題下面的哪個(gè)圖是PN結(jié)發(fā)生大注入時(shí)的能帶和載流子分布圖。（

）ABC正確答案：BC第2題半導(dǎo)體材料的禁帶寬度隨溫度的升高而降低。()第3題突變PN結(jié)二極管的耗盡層電容與電壓成冪函數(shù)關(guān)系,擴(kuò)散電容與電壓成指數(shù)關(guān)系。()第4題PN結(jié)二極管的中性區(qū)中的少數(shù)載流子分布可以瞬間改變。()第5題擴(kuò)散電容是值中性區(qū)中非平衡載流子隨外加電壓的變化。()第6題采用P+-N--N+結(jié)構(gòu)的二極管結(jié)構(gòu)可以減小串聯(lián)寄生電阻效應(yīng)。()第7題對于PN結(jié)二極管而言,當(dāng)外加偏壓較大時(shí)發(fā)生大注入效應(yīng),此時(shí)的理想因子等于2。()第8題對于正偏PN結(jié),當(dāng)正向電壓增加到使注入某區(qū)邊界附近的非平衡少子濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的平衡多子濃度時(shí),就發(fā)生了大注入。()第9題PN結(jié)的耗盡區(qū)內(nèi)有最大的復(fù)合率,即電子濃度等于空穴濃度。()第10題在正向偏置的狀態(tài)下,耗盡區(qū)中的載流子濃度增加,載流子在耗盡區(qū)中以復(fù)合過程為主。()第11題擴(kuò)散電容在()條件下才重要。A高頻時(shí)B低頻時(shí)C反向偏壓D正向偏壓正確答案：BC第12題室溫下,硅PN結(jié)二極管外加反向偏壓,其實(shí)測lnI-V特性曲線與理論曲線之間有如下的區(qū)別()。A實(shí)測電流大于理論電流,因?yàn)榇藭r(shí)的電流以耗盡區(qū)產(chǎn)生電流為主B實(shí)測電流大于理論電流,因?yàn)榇藭r(shí)的電流以擴(kuò)散電流為主C實(shí)測電流隨反向偏壓絕對值的增加,電流逐漸增大,因?yàn)楹谋M區(qū)產(chǎn)生電流與耗盡區(qū)寬度成正比D實(shí)測電流隨反向偏壓絕對值的增加,電流逐漸增大,因?yàn)楹谋M區(qū)產(chǎn)生電流與耗盡區(qū)寬度成反比正確答案：AC第13題室溫下,硅PN結(jié)二極管正向偏置時(shí),其實(shí)測lnI-V特性曲線與理論曲線之間有如下的區(qū)別()。A電壓較小時(shí),電流比理論值大,且斜率為q/2kT,其原因是此時(shí)的電流以耗盡區(qū)產(chǎn)生電流為主B電壓較小時(shí),電流比理論值大,且斜率為q/2kT,其原因是此時(shí)的電流以耗盡區(qū)復(fù)合電流為主C電壓較大時(shí),曲線的斜率變?yōu)閝/2kT,其原因是此時(shí)發(fā)生了大注入效應(yīng)D發(fā)生大注入后,電壓繼續(xù)增加,曲線的斜率大于q/2kT,其原因是因?yàn)榇?lián)寄生電阻效應(yīng)正確答案：BCD第14題下面關(guān)于大注入描述正確的是()。A發(fā)生大注入的一側(cè)存在內(nèi)建電場,該電場抑制多子原有的擴(kuò)散運(yùn)動,增強(qiáng)少子的擴(kuò)散運(yùn)動B發(fā)生大注入一側(cè)的載流子同時(shí)做擴(kuò)散和漂移兩種運(yùn)動C大注入發(fā)生在輕摻雜一側(cè)D大注入發(fā)生時(shí),該區(qū)的多子和少子濃度在耗盡區(qū)附近相等正確答案：ABCD第15題下面關(guān)于PN結(jié)反向電流描述正確的有()。A對于硅PN結(jié),室溫下反向電流以擴(kuò)散電流為主,B對于硅PN結(jié),高溫下反向電流以擴(kuò)散電流為主C對于鍺PN結(jié),室溫下反向電流隨外加反向偏壓絕對值的增加而略微增加D對于鍺PN結(jié),室溫下反向電流隨外加反向偏壓幾乎不變化正確答案：BD第16題關(guān)于非理想情況下PN結(jié)二極管電流描述正確的是()。A正向偏壓較小時(shí),電流以耗盡區(qū)的產(chǎn)生電流為主B正向偏壓增大,PN結(jié)發(fā)生大注入,電流與電壓的指數(shù)關(guān)系從exp(qV/kT)變?yōu)閑xp(qV/2kT)C當(dāng)正向電流大時(shí),PN結(jié)二極管的寄生電阻效應(yīng)不能忽略D溫度很高的情況下,外加反向偏壓的電流以擴(kuò)散電流為主正確答案：ABCD第17題少數(shù)載流子分布變化的特征時(shí)間與()有關(guān)。A多數(shù)載流子弛豫時(shí)間B少數(shù)載流子弛豫時(shí)間C多數(shù)載流子壽命D少數(shù)載流子壽命第18題對于一個(gè)PN+單邊突變結(jié),當(dāng)外加正向偏壓較大時(shí)發(fā)生大注入效應(yīng),下面的描述正確的有()。AP區(qū)發(fā)生大注入,且該區(qū)內(nèi)自建電場的方向?yàn)镻區(qū)指向N區(qū)BN區(qū)發(fā)生大注入,且該區(qū)內(nèi)自建電場的方向?yàn)镻區(qū)指向N區(qū)CP區(qū)發(fā)生大注入,且該區(qū)內(nèi)自建電場的方向?yàn)镹區(qū)指向P區(qū)DN區(qū)發(fā)生大注入,且該區(qū)內(nèi)自建電場的方向?yàn)镹區(qū)指向P區(qū)第19題下面關(guān)于正偏時(shí)PN結(jié)理想因子描述正確的是()。A復(fù)合電流占主導(dǎo)時(shí),理想因子等于1B擴(kuò)散電流占主導(dǎo)時(shí),理想因子等于2C兩種電流可比擬時(shí),其值在1-2之間D以上說法都不正確1.3.1課后練習(xí)第1題PN結(jié)二極管發(fā)生雪崩擊穿的條件就是一個(gè)載流子在耗盡區(qū)內(nèi)至少通過碰撞電離可以產(chǎn)生一對電子空穴對即可。()第2題雪崩倍增因子是指包括雪崩倍增作用在內(nèi)的流出勢壘區(qū)的總電流與流入勢壘區(qū)的原始載流子電流之比。()第3題為了定性地描述碰撞電離現(xiàn)象,把自由電子(或空穴)在單位距離內(nèi)通過碰撞電離而產(chǎn)生的新的電子空穴對的數(shù)目,稱為電子(或空穴)的碰撞電離率。()第4題當(dāng)載流子在電場中運(yùn)動獲得能量,當(dāng)積累的能量大于材料的禁帶寬度后與晶格價(jià)鍵電子碰撞,有可能后者獲得足夠能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,形成一對新的電子空穴,這就是碰撞電離。()第5題對于擴(kuò)散結(jié)擊穿電壓說法正確的是()。A濃度梯度較大時(shí),擊穿電壓與襯底摻雜濃度無關(guān)B濃度梯度較大時(shí),擊穿電壓隨襯底摻雜濃度增加而減小C濃度梯度較小時(shí),擊穿電壓與襯底摻雜濃度無關(guān)D濃度梯度較小時(shí),擊穿電壓隨襯底摻雜濃度增加而減小正確答案：BC第6題碰撞電離率與以下哪些因素有關(guān)。()A材料的種類B電場的大小C溫度D光照正確答案：ABC第7題對于PN結(jié)二極管來講,反向偏壓時(shí)發(fā)生結(jié)擊穿有以下幾種機(jī)理。()A雪崩倍增B隧道效應(yīng)C熱擊穿D穿通正確答案：ABCD第8題提高PN結(jié)二極管擊穿電壓的方法()。A增加摻雜濃度B增大PN結(jié)結(jié)深C增加濃度梯度D減小輕摻雜區(qū)的厚度第9題對于穿通二極管,下面說法正確的是()。A對于單邊突變結(jié),輕摻雜區(qū)的厚度足夠低時(shí),容易發(fā)生二極管穿通B對于相同的輕摻雜區(qū)濃度,隨著該區(qū)寬度的增加,擊穿電壓可以無限增加C對于相同的輕摻雜區(qū)的寬度,該區(qū)摻雜濃度越低,擊穿電壓越高D以上都不正確第10題下面關(guān)于PN結(jié)雪崩擊穿條件說法正確的是()。A摻雜濃度輕,容易發(fā)生雪崩擊穿B禁帶寬度大,容易發(fā)生雪崩擊穿C溫度越高,越容易發(fā)生雪崩擊穿D濃度梯度大,容易發(fā)生雪崩擊穿1.3.2課后練習(xí)第1題利用PN結(jié)二極管的擊穿特性可以制作具有穩(wěn)壓功能的器件。()第2題當(dāng)反向電壓增加到隧道長度小到了一個(gè)臨界值,這時(shí)大量的P區(qū)價(jià)帶電子通過隧道效應(yīng)流入N區(qū)導(dǎo)帶,使隧道電流急劇增加。這種現(xiàn)象稱為齊納擊穿或“隧道”擊穿。()第3題根據(jù)量子理論,電子具有波動性,可以有一定的幾率穿過位能比電子動能高的勢壘區(qū),這種現(xiàn)象稱為隧道效應(yīng)。()第4題關(guān)于PN結(jié)二極管溫度特性的方法有()。A使用限流電阻B采用導(dǎo)熱率高的材料C采用禁帶寬度大的材料D硅二極管的溫度特性比氮化鎵二極管的好正確答案：ABC第5題下面關(guān)于PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿條件說法正確的是()。A摻雜濃度輕,容易發(fā)生齊納擊穿B禁帶寬度大,容易發(fā)生齊納擊穿C溫度越高,越容易發(fā)生齊納擊穿D濃度梯度大,容易發(fā)生齊納擊穿正確答案：CD第6題下面關(guān)于PN結(jié)熱擊穿說法正確的是()。A發(fā)生在反向偏壓時(shí)B發(fā)生在正向偏壓時(shí)C反偏發(fā)生熱擊穿時(shí)I-V特性曲線會出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)D熱擊穿是不可逆的正確答案：ABCD1.4.1課后練習(xí)第1題對于P+N單邊突變結(jié),正偏時(shí)儲存在N型中性區(qū)內(nèi)的非平衡空穴電荷量為Ifp。()第2題在開關(guān)過程中,PN結(jié)從反向到正向的響應(yīng)相當(dāng)快,從正向到反向的響應(yīng)時(shí)間受到少數(shù)載流子電荷存儲的限制。()第3題減小PN結(jié)二極管關(guān)斷時(shí)間的方法有()。A引入有效的復(fù)合中心B減小反向電流C增大正向電流D采用薄基區(qū)二極管結(jié)構(gòu)正確答案：AD第4題PN結(jié)二極管關(guān)斷過程中,少子存儲電荷下降的途徑有()A少子的熱激發(fā)B少子自身的復(fù)合C反向電流的抽取D反向電流的灌入正確答案：BC第5題在PN結(jié)二極管關(guān)斷過程中存在兩個(gè)階段,分別是()。A存儲時(shí)間B上升時(shí)間C下降時(shí)間D延遲時(shí)間正確答案：AC第6題對于P+N單邊突變結(jié),正向偏置時(shí)存儲在()區(qū)的少子電荷量是產(chǎn)生較長關(guān)斷過程的原因。AP型中性區(qū)BP型耗盡區(qū)CN型中性區(qū)DN型耗盡區(qū)1.4.2課后練習(xí)第1題噪聲是由半導(dǎo)體器件內(nèi)部大量載流子的無規(guī)則運(yùn)動引起的。()第2題下面關(guān)于1/f噪聲描述正確的是()A當(dāng)頻率在約1200Hz以下時(shí),噪聲將隨頻率的降低而增大,并與頻率成1/f的關(guān)系B與器件表面的界面態(tài)有關(guān)C與晶格缺陷有關(guān)D只在低頻時(shí)有較大影響,高頻時(shí)可不予考慮正確答案：ABCD第3題下面關(guān)于閃粒噪聲描述正確的是()。A由形成電流的載流子的分散性造成B在大多數(shù)半導(dǎo)體器件中,它是主要的噪聲來源C在低頻和中頻下,散粒噪聲與頻率無關(guān),是白噪聲D高頻時(shí)與頻率有關(guān)。正確答案：ABCD第4題下面關(guān)于熱噪聲描述正確的是()。A由載流子的無規(guī)則熱運(yùn)動引起的電流起伏B溫度越高,載流子的熱運(yùn)動就越劇烈,熱噪聲越大C熱噪聲是白噪聲D噪聲功率正比于頻寬f正確答案：ABCD第5題PN結(jié)的噪聲源有()。A熱噪聲B閃粒噪聲C1/f噪聲正確答案：ABC2.1.1課后練習(xí)第1題對于n型阻擋層,當(dāng)遷移率較低,勢壘的寬度比電子的平均自由程大得多時(shí),電子通過勢壘區(qū)要發(fā)生多次碰撞,這樣的阻擋層適用于擴(kuò)散理論正,必須同時(shí)考慮漂移和擴(kuò)散運(yùn)動。()第2題在金半接觸中,不同偏置下從金屬進(jìn)入半導(dǎo)體的電子的勢壘高度保持相同。從金屬流入半導(dǎo)體的電流不受外加電壓的影響,等于熱平衡時(shí)從半導(dǎo)體流到金的電流。()第3題肖特基勢壘的反向飽和電流比pn結(jié)反向電流小。()第4題肖特基勢壘的勢壘高度隨溫度升高而降低。()第5題金半接觸的阻擋層具相有與PN結(jié)類似的的I-V特性,具有整流作用。但相較于PN結(jié),金半接觸的不同之處在于()。A正向壓降低B響應(yīng)速度慢C反向電流小D擊穿電壓低正確答案：AD第6題

肖特基二極管與pn結(jié)二極管的區(qū)別包括()A肖特基管由多數(shù)載流子導(dǎo)電B肖特基管導(dǎo)通電壓更低Cpn結(jié)存在少子存儲效應(yīng)D肖特基管反向擊穿電壓更高正確答案：ABC第7題

影響肖特基勢壘高度的因素有()A金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)B半導(dǎo)體表面態(tài)密度C摻雜濃度D外加電場正確答案：AB第8題

形成歐姆接觸的方法包括()A高濃度摻雜半導(dǎo)體表面B選擇金屬功函數(shù)與半導(dǎo)體接近C在接觸層引入界面態(tài)D制作尖峰勢壘正確答案：AB第9題

以下屬于肖特基勢壘特性的是()A整流特性B勢壘高度與摻雜濃度無關(guān)(理想情況)C單向?qū)щ娦訢適用于高頻器件正確答案：ABCD第10題

金屬-半導(dǎo)體接觸中,熱電子發(fā)射理論適用于()A厚勢壘(勢壘寬度>>載流子平均自由程)B薄勢壘(勢壘寬度<<載流子平均自由程)C中等寬度勢壘D所有情況第11題

肖特基勢壘的勢壘寬度隨半導(dǎo)體摻雜濃度的增加而()A變寬B變窄C不變D先寬后窄第12題

對于p型半導(dǎo)體與金屬接觸,形成肖特基勢壘的條件是()A金屬功函數(shù)>半導(dǎo)體功函數(shù)B金屬功函數(shù)<半導(dǎo)體功函數(shù)C兩者功函數(shù)相等D與摻雜類型無關(guān)第13題

肖特基二極管的導(dǎo)通方向是()A從金屬到n型半導(dǎo)體B從n型半導(dǎo)體到金屬C雙向?qū)―無法導(dǎo)通第14題

對于n型半導(dǎo)體與金屬接觸,若金屬功函數(shù)小于半導(dǎo)體功函數(shù),會形成()A肖特基勢壘(阻擋層)B歐姆接觸(反阻擋層)C絕緣層Dpn結(jié)第15題

理想情況下,金屬與半導(dǎo)體接觸形成肖特基勢壘的關(guān)鍵因素是()A金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)差異B半導(dǎo)體的摻雜濃度C接觸面積大小D環(huán)境溫度2.1.2課后練習(xí)第1題

通過高溫退火可完全消除半導(dǎo)體自由表面的表面態(tài)。()第2題

表面態(tài)會導(dǎo)致半導(dǎo)體表面電導(dǎo)增加,形成表面溝道。()第3題

表面態(tài)僅存在于n型半導(dǎo)體表面,p型半導(dǎo)體無表面態(tài)。()第4題

界面態(tài)的存在會增加MOS器件的柵極漏電流。()第5題界面態(tài)只能通過半導(dǎo)體表面清潔工藝消除,退火處理無效。()第6題

表面態(tài)的存在會使肖特基勢壘高度對金屬功函數(shù)的依賴性減弱。()第7題

金屬與n型半導(dǎo)體接觸一定形成肖特基勢壘。()第8題關(guān)于說法正確的是()。A半導(dǎo)體表面Ev以上有附加能級q0,被稱為中性能級。Bq0以上的狀態(tài)為受主型,即能級空時(shí)為電中性,填充電子后帶負(fù)電Cq0以下的狀態(tài)為施主型,即有電子填充時(shí)為電中性,空時(shí)帶正電Dq0中性能級約在價(jià)帶頂以上三分之一帶隙處正確答案：ABD第9題界面態(tài)對MOSFET器件性能的主要影響是()A閾值電壓漂移B載流子散射,降低遷移率C產(chǎn)生復(fù)合中心,增加漏電流和噪聲D影響器件穩(wěn)定性正確答案：ABCD第10題半導(dǎo)體界面態(tài)是指存在于半導(dǎo)體與其他材料(如絕緣體、金屬或另一種半導(dǎo)體)界面處的能級狀態(tài),通常源于界面處的()A原子排列失配B懸掛鍵C缺陷D雜質(zhì)正確答案：ABCD第11題

以下關(guān)于鏡像力和隧道效應(yīng)的說法正確的是()A鏡像力在強(qiáng)電場下顯著B隧道效應(yīng)在高摻雜時(shí)顯著C鏡像力會增加勢壘高度D隧道效應(yīng)會導(dǎo)致電流急劇增大正確答案：ABD第12題

當(dāng)半導(dǎo)體表面存在高密度表面態(tài)時(shí),費(fèi)米能級會()A釘扎在禁帶中某一位置B移動至導(dǎo)帶底C移動至價(jià)帶頂D不受影響第13題

在理想半導(dǎo)體表面(無表面態(tài)),表面處的能帶會()A向上彎曲(n型)B向下彎曲(p型)C保持水平D隨機(jī)彎曲第14題

硅()半導(dǎo)體表面態(tài)的主要成因是():A表面原子懸掛鍵B氧化物層中的雜質(zhì)C體內(nèi)摻雜原子D界面應(yīng)力第15題半導(dǎo)體表面態(tài)的定義是()A存在于半導(dǎo)體與絕緣體界面的能級B半導(dǎo)體自由表面(與真空接觸)的局域能級C半導(dǎo)體體內(nèi)的缺陷能級D金屬與半導(dǎo)體界面的電荷態(tài)第16題歐姆接觸在半導(dǎo)體器件中的主要作用是()A抑制載流子注入B提供低阻導(dǎo)電通道C形成整流結(jié)D隔離不同區(qū)域第17題

歐姆接觸的特性是()A具有整流特性B接觸電阻隨電壓增大而增大C電流-電壓呈線性關(guān)系D僅適用于n型半導(dǎo)體第18題

鏡像力效應(yīng)會導(dǎo)致肖特基勢壘高度()A升高B降低C不變D周期性振蕩2.2.1課后練習(xí)第1題對于n型阻擋層，當(dāng)遷移率較低，勢壘的寬度比電子的平均自由程大得多時(shí)，電子通過勢壘區(qū)要發(fā)生多次碰撞，這樣的阻擋層適用于擴(kuò)散理論正，必須同時(shí)考慮漂移和擴(kuò)散運(yùn)動。第2題在金半接觸中,不同偏置下從金屬進(jìn)入半導(dǎo)體的電子的勢壘高度保持相同。從金屬流入半導(dǎo)體的電流不受外加電壓的影響,等于熱平衡時(shí)從半導(dǎo)體流到金的電流。()4對于n型阻擋層,當(dāng)遷移率較低,勢壘的寬度比電子的平均自由程大得多時(shí),電子通過勢壘區(qū)要發(fā)生多次碰撞,這樣的阻擋層適用于擴(kuò)散理論正,必須同時(shí)考慮漂移和擴(kuò)散運(yùn)動。()第3題

在肖特基接觸中,熱電子發(fā)射理論適用于描述低電場下的電流輸運(yùn)。()第4題熱電子發(fā)射電流隨溫度升高呈線性增長。()第5題在室溫下,(以下哪些)半導(dǎo)體材料的肖特基勢壘中的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)主要是多數(shù)載流子的熱電子發(fā)射。()A氧化亞銅B砷化鎵C硅D鍺正確答案：BCD第6題下列哪項(xiàng)因素不會影響熱電子發(fā)射電流()A材料功函數(shù)B環(huán)境溫度C材料體積D表面清潔度第7題熱電子發(fā)射的本質(zhì)是()A電子通過隧道效應(yīng)穿透勢壘B電子因熱能克服表面勢壘逸出C電子在外加電場作用下被拉出D光激發(fā)電子逸出表面2.2.2課后練習(xí)第1題

歐姆接觸的接觸電阻與半導(dǎo)體摻雜濃度成反比。()第2題在金半接觸結(jié)構(gòu)中,為了減小少數(shù)載流子的注入比,可采取的措施()A低電阻率材料B低的電勢高度C大的禁帶寬度D較小的正偏電壓正確答案：ABCD第3題歐姆接觸的應(yīng)用場景包括()A二極管的陽極和陰極引線B晶體管的源極、漏極和基極電極C太陽能電池的電極接觸D肖特基二極管的金屬-半導(dǎo)體結(jié)正確答案：ABC第4題形成歐姆接觸的常用方法包括()A在半導(dǎo)體表面制作高摻雜層(如n?/p?)B選擇金屬功函數(shù)與半導(dǎo)體接近C在接觸界面引入絕緣層D高溫退火形成合金接觸正確答案：ABD3.1.1課后練習(xí)第1題放大狀態(tài)下,NPN管發(fā)射極電流有()。AJNEBJPECJREDJNC正確答案：ABC第2題俄歇復(fù)合的過程為電子-空穴復(fù)合時(shí),能量傳遞給第三個(gè)載流子(電子或空穴),使其躍遷至高能態(tài),隨后通過聲子散射釋放能量回到平衡態(tài)。()第3題中性基區(qū)內(nèi)單位面積得摻雜總量,稱為Gummel數(shù),其典型值為102~103cm-2。()第4題對于NPN管,InE/InC是基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)。()第5題下面關(guān)于俄歇復(fù)合說法正確的是()。A當(dāng)發(fā)射區(qū)中摻雜很高時(shí),俄歇復(fù)合變成主要復(fù)合機(jī)制B俄歇復(fù)合增強(qiáng),使發(fā)射結(jié)耗盡區(qū)復(fù)合電流IrE增加,發(fā)射效率降低。C俄歇復(fù)合增強(qiáng),發(fā)射區(qū)的少子擴(kuò)散長度小于發(fā)射區(qū)寬度,發(fā)射區(qū)空穴擴(kuò)散電流IpE增大D俄歇復(fù)合增強(qiáng),基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)增大正確答案：ABC第6題半導(dǎo)體材料的復(fù)合機(jī)制有()。A陷阱輔助復(fù)合B俄歇復(fù)合C輻射復(fù)合D表面復(fù)合正確答案：ABCD第7題基區(qū)雜質(zhì)分布產(chǎn)生的內(nèi)建電場的作用是()。A增加INCB增加INEC提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)D提高注入效率正確答案：AC第8題對于NPN管,基區(qū)摻雜濃度分布不均勻會在基區(qū)引入內(nèi)建電場,下面對內(nèi)建電場說法正確的是()。A電場方向與放大狀態(tài)下基區(qū)少子的擴(kuò)散方向一致時(shí),該電場為加速場B電場方向與放大狀態(tài)下基區(qū)多子的擴(kuò)散方向一致時(shí),該電場為加速場C加速場的引入,將增大基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)D加速場的引入,將增大注入效率正確答案：AC第9題根據(jù)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏壓,雙極性晶體管有四種工作狀態(tài),下面描述正確的是()。A發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,晶體管處于放大狀態(tài),用于模擬電路做放大用B發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏,晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),用于數(shù)字電路表示關(guān)態(tài)C發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏,晶體管處于飽和狀態(tài),用于數(shù)字電路表示開態(tài)D發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏,晶體管處于倒向放大狀態(tài)正確答案：ABCD第10題放大狀態(tài)下,NPN管集電極電流有()。AJRBBJNCCJREDJCO正確答案：BD第11題放大狀態(tài)下,NPN管基極電流有()。AJRBBJPECJREDJCO正確答案：ABCD第12題下面對于雙極性晶體管基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)說法正確的是()。A基區(qū)寬度越小,基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)越大B同樣的結(jié)構(gòu)下,NPN管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)小于PNP管C發(fā)射區(qū)摻雜濃越重,基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)越大D基區(qū)摻雜濃度越重,基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)越大第13題對于雙極性晶體管,基區(qū)寬度為()時(shí),發(fā)射結(jié)和集電結(jié)之間沒有任何聯(lián)系,晶體管作用消失。A1mB0.1mC2mD3.1.2課后練習(xí)第1題電流ICO是指發(fā)射結(jié)零偏,集電結(jié)反偏時(shí)的集電極電流。()第2題下面關(guān)于雙極型晶體管跨導(dǎo)描述正確的是()。A發(fā)射結(jié)電壓對集電極電流的控制能力B跨導(dǎo)正比于集電極電流C大的跨導(dǎo)要求低的寄生發(fā)射極電阻D溫度增加,跨到下降正確答案：ABC第3題在大電流時(shí),NPN管的共發(fā)射極靜態(tài)增益隨集電極電流增大而減小,原因是()。A大注入效應(yīng)B寄生串聯(lián)電阻效應(yīng)C基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)D表面泄漏電流正確答案：AC第4題在小電流時(shí),NPN管的共發(fā)射極靜態(tài)增益隨集電極電流減小而減小,原因是()。A發(fā)射結(jié)耗盡區(qū)的復(fù)合電流B基區(qū)復(fù)合電流C集電結(jié)耗盡區(qū)的復(fù)合電流D表面泄漏電流正確答案：AD第5題對于同一雙極型晶體管,若集電極電流從1mA增大到10mA,其跨導(dǎo)會()。A增大10倍B減小到1/10C增大但不到10倍D基本不變第6題增大雙極型晶體管注入效率的方法有()。A增大基區(qū)禁帶寬度B增加發(fā)射區(qū)的寬度C增大發(fā)射區(qū)摻雜濃度D增大基區(qū)摻雜濃度第7題共發(fā)射極支流增益可表示為()。AInE/IEBInC/InECIC/IEDIC/IB3.1.3輸出特性第1題Early效應(yīng)產(chǎn)生的原因是在基極電流IB集不變的條件下,VCE不變,VCB增加,集電結(jié)耗盡區(qū)展寬,中性基區(qū)寬度縮小,基區(qū)少子濃度梯度增加,集電極電流增大。()第2題在實(shí)測時(shí),NPN管的共發(fā)射極靜態(tài)增益隨集電極電流不變化。()第3題對于給定的發(fā)射區(qū)摻雜濃度,共發(fā)射極靜態(tài)增益反比于Gummel系數(shù)。()第4題對于NPN管而言,注入效率是指InE/IE。()第5題電流ICEO是指基極開路,集電結(jié)反偏時(shí)的集電極電流。()第6題電流ICBO是指發(fā)射極開路,集電結(jié)反偏時(shí)的集電極電流。()第7題抑制厄爾利效應(yīng)的措施有()。A增加基區(qū)摻雜濃度B增加集電區(qū)摻雜濃度C減小基區(qū)寬度D增加基區(qū)寬度正確答案：AD第8題在實(shí)際測量中,共基極接法的NPN管輸出特性曲線,當(dāng)輸入電流IE是等差變化時(shí),放大區(qū)輸出電流之間的差是()。A不變B隨IE增大而增大C隨IE增大而減小D隨IE增大先增大后減小第9題Early效應(yīng)會導(dǎo)致共射極接法NPN管的輸出特性曲線()。A水平平移B向下凹陷C向上傾斜D變?yōu)榇怪本€第10題關(guān)于雙極型晶體管,共射極接法的輸出特性曲線描述的是()。A基極電流IB與集射極電壓VCE的關(guān)系B集電極電流IC與基極電流IB的關(guān)系C集電極電流IC與集射極電壓VCE的關(guān)系D發(fā)射極電流IE與VCE的關(guān)系3.1.4課后練習(xí)第1題對于NPN管,共基極接法的雪崩擊穿條件是()。ABCD第2題對于NPN管,共射極接法的雪崩擊穿條件是()。ABCD第3題對于NPN管,共基極接法的雪崩擊穿電壓記為VBCEO,共射極接法的雪崩擊穿電壓記為VBCBO。()第4題下面關(guān)于VBCEO和VBCBO說法正確的是()。AVBCEO大于VBCBO,這是由于雙極增益的正反饋造成的。BVBCEO小于VBCBO,這是由于雙極增益的正反饋造成的。CD正確答案：BC3.1.5課后練習(xí)第1題在雙極型晶體管中，kirk效應(yīng)可以增加器件的電流增益。第2題在大電流狀態(tài)下，具有輕摻雜外延集電區(qū)的雙極性晶體管，其集電區(qū)內(nèi)的凈電荷發(fā)生顯著變化，高場區(qū)從集電結(jié)移位到集電區(qū)n+襯底。有效基區(qū)從WB增加到(WB+WC)，這種高場移位現(xiàn)象稱為Kirk效應(yīng)。第3題雙極晶體管基區(qū)重?fù)诫s會導(dǎo)致禁帶變窄，從而降低電流增益。第4題

下列措施中,能抑制電流集邊效應(yīng)的是()A增大發(fā)射極寬度B增加基極摻雜濃度C采用叉指型發(fā)射極結(jié)構(gòu)D減小工作電流正確答案：BCD第5題在NPN管中,為了獲得高的注入效率,發(fā)射區(qū)要求重?fù)诫s。下面關(guān)于發(fā)射區(qū)重?fù)诫s的描述正確的是()。A發(fā)射區(qū)禁帶寬度變窄,IpE增加,電流增益減小B俄歇復(fù)合增強(qiáng),IrE增加,電流增益減小C少子壽命減小,擴(kuò)散長度小于發(fā)射區(qū)寬度,IpE增大,電流增益減小D發(fā)射區(qū)的摻雜濃度不超過1019cm-3正確答案：ABCD第6題

在功率晶體管中,電流集邊效應(yīng)與哪種失效模式密切相關(guān)?()A雪崩擊穿B熱擊穿C齊納擊穿D穿通擊穿第7題

電流集邊效應(yīng)會導(dǎo)致晶體管()。A電流均勻分布B發(fā)射極邊緣熱耗散集中C電流增益β增大D反向擊穿電壓升高第8題

電流集邊效應(yīng)最顯著的場景是()。A發(fā)射極寬度較窄(如窄條結(jié)構(gòu))B基極摻雜濃度極高C大電流密度工作時(shí)D低溫環(huán)境下第9題雙極型晶體管電流集邊效應(yīng)的主要成因是()。A發(fā)射極電阻過大B基極電阻造成的橫向電壓降C集電極電容耦合D溫度梯度引起的載流子遷移第10題禁帶寬度變窄會導(dǎo)致半導(dǎo)體的()A載流子濃度降低B電導(dǎo)率下降C本征載流子濃度增大D擊穿電壓升高第11題下列哪項(xiàng)是禁帶變窄的主要物理機(jī)制?()A載流子擴(kuò)散B庫侖作用與泡利不相容原理C晶格振動D雪崩擊穿第12題禁帶寬度變窄效應(yīng)主要發(fā)生在()。A本征半導(dǎo)體中B輕摻雜半導(dǎo)體中C重?fù)诫s(簡并)半導(dǎo)體中D所有半導(dǎo)體中3.2.1課后練習(xí)第1題對于給定的材料系統(tǒng)，建議截止頻率與擊穿電壓VBCEO之積保持常數(shù)。第2題電容CSC代表由發(fā)射結(jié)電壓決定的電流注入到集電區(qū)引起的耗盡層中空間電荷的變化，而CDC代表由于耗盡區(qū)寬度的變化引起空間電荷的變化。第3題在高頻應(yīng)用中，為了得到較高的fT，在不發(fā)生不良的大電流效應(yīng)的條件下，雙極性晶體管的工作電流要盡可能的大。第4題下面關(guān)于特征頻率fT與集電極電流之間關(guān)系正確的是()。A在小電流時(shí),fT隨著電流的減小而減小B隨著電流的增大,fT達(dá)到最大值,然后迅速減小。C最大fT所對應(yīng)的集電極電流應(yīng)小于發(fā)生Kirk效應(yīng)的電流值D隨著VCB的增加,最大fT所對應(yīng)集電極電流的數(shù)值增加。正確答案：ABCD第5題對于雙極型晶體管,特征頻率fT的定義是()A共射極電流增益下降到1時(shí)的頻率B功率增益下降到1時(shí)的頻率C晶體管失去電流放大能力的最低頻率D晶體管失去放大能力的最低頻率正確答案：AC第6題

對于NPN晶體管,特征頻率高于PNP晶體管的主要原因是()。A電子電荷量更大B電子遷移率高于空穴遷移率C基區(qū)更厚D集電結(jié)反向偏壓更高第7題下列哪項(xiàng)措施不能提高晶體管的特征頻率fT?()A減小基區(qū)寬度WBB提高基區(qū)摻雜濃度C增大發(fā)射結(jié)面積D采用高遷移率材料3.2.2課后練習(xí)第1題雙極型晶體管的開關(guān)過程中,存儲時(shí)間的物理本質(zhì)是()A基區(qū)少子的復(fù)合時(shí)間B集電區(qū)區(qū)少子的復(fù)合時(shí)間C發(fā)射極電流上升時(shí)間D晶格熱振動正確答案：AB第2題提高雙極型晶體管開關(guān)速度的方法有()。A減少超量電荷的存儲B縮短基區(qū)少子壽命C選擇負(fù)載和偏置以使開態(tài)時(shí)不工作在飽和區(qū)D工作在深飽和區(qū)正確答案：ABC第3題以飽和區(qū)作為導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)稱為飽和開關(guān),它很接近于理想開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。飽和開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)是()。A導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的壓降很小B靜態(tài)功耗很小C抗干擾性好D開關(guān)速度快正確答案：ABC第4題雙極型晶體管作為開關(guān)使用時(shí),在開態(tài)選擇工作在哪個(gè)工作狀態(tài)好?()A放大B截止C飽和D反向放大4.1.1課后練習(xí)第1題對于P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)而言，強(qiáng)反型是指表面的電子濃度等于體內(nèi)平衡多子濃度。第2題MIS電容的閾電壓是指半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)所加的柵電壓。第3題對于MIS電容而言，當(dāng)金屬上施加偏壓，電場穿過絕緣層進(jìn)入半導(dǎo)體層，電壓分別降落在氧化層和半導(dǎo)體上。第4題

MIS電容的非理想因素包括()A界面態(tài)密度B氧化層漏電流C半導(dǎo)體表面復(fù)合D金屬電導(dǎo)率正確答案：ABCD第5題

影響MIS電容閾值電壓的因素包括()A氧化層中的固定電荷B半導(dǎo)體類型(N型/P型)C金屬電極材料D絕緣體介電常數(shù)正確答案：ABCD第6題

MIS電容的偏置狀態(tài)包括()A積累B耗盡C反型D擊穿正確答案：ABC第7題

MIS電容的閾值電壓是指使半導(dǎo)體表面發(fā)生強(qiáng)反型所需的電壓,其主要影響因素包括:()A金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差B氧化層厚度C半導(dǎo)體摻雜濃度D界面電荷正確答案：ABCD第8題

MIS電容的基本結(jié)構(gòu)由哪三層組成?()A金屬-半導(dǎo)體-絕緣體B絕緣體-金屬-半導(dǎo)體C金屬-絕緣體-半導(dǎo)體D半導(dǎo)體-金屬-絕緣體4.1.2課后練習(xí)第1題對于MIS電容，剛剛發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)，由于反型層電荷的濃度等于耗盡層電荷濃度，而反型層厚度遠(yuǎn)小于耗盡層厚度，半導(dǎo)體一側(cè)的電荷可以忽略反型層電荷。第2題對于N型半導(dǎo)體,當(dāng)發(fā)生強(qiáng)反型時(shí),半導(dǎo)體一側(cè)的電荷由()構(gòu)成。A電子B空穴C施主電離雜質(zhì)D受主電離雜質(zhì)正確答案：BC第3題下面關(guān)于P型半導(dǎo)體MIS電容強(qiáng)反型后的狀態(tài)描述正確的是()。A電壓繼續(xù)增加,表面電勢保持不變B電壓繼續(xù)增加,耗盡層厚度保持不變C電壓繼續(xù)增加,耗盡層總電荷量保持不變D電壓繼續(xù)增加,反型層總電荷量保持不變正確答案：ABC第4題下面關(guān)于MIS電容在高頻反型狀態(tài)時(shí)的描述正確的是()。A柵上電荷的變化由反型層電荷平衡B電荷變化在氧化層和最大耗盡層的兩側(cè)C電容保持最小電容不變D電容大小與柵上的偏置條件無關(guān)正確答案：ABCD第5題下面關(guān)于MIS電容在耗盡狀態(tài)時(shí)的描述正確的是()。A柵上電荷的變化由電離雜質(zhì)電荷平衡B電荷變化在氧化層和耗盡層的兩側(cè)C電容等于柵氧化層電容和硅耗盡層電容串聯(lián)而成D電容大小與柵上的偏置條件無關(guān)正確答案：ABC第6題下面關(guān)于MIS電容在低頻反型狀態(tài)時(shí)的描述正確的是()。A柵上電荷的變化由反型層電荷平衡B在氧化層的兩側(cè)有平行電荷層C電容等于柵氧化層電容D電容大小與柵上的偏置條件無關(guān)正確答案：ABCD第7題下面關(guān)于MIS電容在多子積累狀態(tài)時(shí)的描述正確的是()。A柵上電荷的變化由積累層內(nèi)的多子平衡B在氧化層的兩側(cè)有平行電荷層C電容等于柵氧化層電容,D電容大小與柵上的偏置條件無關(guān)正確答案：ABCD第8題對于MIS電容中反型層電荷描述正確的是()。A反型層中的載流子由熱激發(fā)產(chǎn)生;B反型層中的載流子產(chǎn)生過程較慢C反型時(shí)半導(dǎo)體一側(cè)的電荷由反型層電荷和耗盡層電荷共同構(gòu)成D高頻時(shí)反型層載流子不能跟隨信號的變化正確答案：ABCD第9題

當(dāng)MIS電容處于積累狀態(tài)時(shí),半導(dǎo)體表面的載流子類型為()。A少子B多子C電子-空穴對D無載流子第10題下面關(guān)于MIS電容在深耗盡狀態(tài)時(shí)的描述正確的是()。A柵上電荷的變化由反型層電荷平衡B電荷變化在氧化層和最大耗盡層的兩側(cè)C電容等于柵氧化層電容和硅耗盡層電容串聯(lián)而成D電容大小與柵上的直流偏置條件無關(guān)第11題下面是MIS電容在4中不同狀態(tài)時(shí)的電荷分布示意圖,其中,對應(yīng)深耗盡狀態(tài)下電荷分布的是圖()。AB.BD.第12題下面MIS結(jié)構(gòu)的能帶圖中,耗盡狀態(tài)對應(yīng)的是圖()。ABCD第13題

在P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)中,施加負(fù)偏電壓(金屬接負(fù))可能導(dǎo)致()。A空穴積累B電子反型C空穴耗盡D電子耗盡第14題

當(dāng)采用低頻信號測量MIS電容,得到的C-V曲線的在反型區(qū)的特點(diǎn)是()。A電容隨電壓增大而增大B電容隨電壓增大而減小C電容趨于恒定最小值D電容趨于恒定最大值第15題

在MIS結(jié)構(gòu)中,若金屬功函數(shù)小于半導(dǎo)體功函數(shù),則平帶電壓為()。A正值B負(fù)值C零D無法確定第16題

當(dāng)MIS電容處于耗盡狀態(tài)時(shí),半導(dǎo)體表面的空間電荷區(qū)主要由()組成。A多子B少子C電離雜質(zhì)離子D自由載流子第17題

在N型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)中,施加正偏電壓(金屬接正)時(shí),可能出現(xiàn)的狀態(tài)是()。A電子積累B空穴反型C電子耗盡D空穴積累第18題

MIS電容的C-V特性曲線中,平帶電壓對應(yīng)的條件是()。A半導(dǎo)體表面無電荷B金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)差為零C絕緣體中無電荷D半導(dǎo)體表面勢為零4.1.3課后練習(xí)第1題P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)在反型后耗盡區(qū)寬度達(dá)到最大值的原因是()。A反型層電子濃度隨表面電勢指數(shù)式增加B反型層電子濃度隨表面電勢冪函數(shù)式增加C耗盡層電離雜質(zhì)電荷隨表面電勢指數(shù)增加正確答案：A第2題在MIS電容中,襯底費(fèi)米勢與()有關(guān)。A襯底摻雜濃度B材料的種類C溫度D摻雜的類型正確答案：ABCD4.2.1課后練習(xí)第1題熱氧化生成的二氧化硅，其界面區(qū)的化學(xué)組分依次為單晶硅、單層SiOx、薄的SiO?應(yīng)變區(qū)和無應(yīng)變的無定形SiO?。第2題MOS電容的界面陷阱主要存在于()。A柵極金屬層內(nèi)部B二氧化硅絕緣層中C硅-二氧化硅界面處D半導(dǎo)體襯底體內(nèi)第3題對于P型硅MOS電容,存在高密度界面陷阱時(shí),其閾值電壓會()。A增大B減小C不變第4題對于N型硅MOS電容,存在高密度界面陷阱時(shí),其閾值電壓會()。A增大B減小C不變第5題

在MOS電容可靠性測試中,界面陷阱密度的增加會導(dǎo)致()。A柵極漏電流降低B器件抗輻射能力增強(qiáng)C閾值電壓漂移加劇D載流子遷移率提高第6題

界面陷阱捕獲電子后,對MOSFET亞閾值擺幅()的影響是()。A亞閾值擺幅減小,器件性能改善B亞閾值擺幅增大,器件性能惡化C亞閾值擺幅不變D僅在高溫下影響亞閾值擺幅第7題

界面陷阱對MOS電容C-V曲線的影響是()。A曲線出現(xiàn)拉伸現(xiàn)象B曲線整體向正電壓偏移C最大電容值顯著減小D曲線完全失去線性特性第8題界面陷阱的特征是()。A固定不動B能捕獲和釋放載流子,響應(yīng)速度與頻率相關(guān)C僅影響MOS電容的直流特性D密度與半導(dǎo)體摻雜濃度無關(guān)第9題MOS電容中,關(guān)于界面陷阱描述正確的是()。A施主界面陷阱能級靠近導(dǎo)帶底B施主界面陷釋放電子后帶正電。C受主界面陷俘獲電子后帶負(fù)電D施主界面陷阱能級靠近價(jià)帶頂正確答案：ABCD第10題

下列工藝中,能有效降低界面陷阱密度的是().A使用(100)晶面材料B引入鈉離子污染C采用低溫淀積氧化物D界面處進(jìn)行氫鈍化處理正確答案：AD第11題

導(dǎo)致界面陷阱密度增加的工藝因素是()A高溫氫氣退火B(yǎng)氧化工藝中嚴(yán)格控制雜質(zhì)C溝道熱載流子效應(yīng)DX射線照射正確答案：CD第12題在MIS電容中,氧化物電荷有()。A界面陷阱電荷B可動離子電荷C固定氧化物電荷D氧化陷阱物電荷正確答案：ABCD4.2.2課后練習(xí)第1題對于MIS電容，最大電容值等于柵氧化層電容，這意味著電極兩側(cè)的電荷緊靠著絕緣層的兩個(gè)界面。這種假設(shè)對于絕緣層特別薄時(shí)誤差特別大。第2題在理想的MIS電容中，假定絕緣層電導(dǎo)為零。當(dāng)電場或溫度足夠高時(shí),實(shí)際的絕緣層的可能現(xiàn)出一定程度的載流子導(dǎo)電現(xiàn)象。第3題下面關(guān)于MOS電容中氧化物陷阱電荷描述正確的是()。A正電荷B溝道熱載流子效應(yīng)產(chǎn)生CX射線照射產(chǎn)生D隨機(jī)分布在氧化層中正確答案：BCD第4題下面關(guān)于MOS電容中可動離子電荷描述正確的是()。A正電荷B隨機(jī)分布在氧化層中,并能在電場的影響下進(jìn)行漂移C會造成C-V曲線的滯后現(xiàn)象D可采用抗可動離子滲透的保護(hù)膜抑制生成正確答案：ABCD第5題下面關(guān)于MOS電容中固定氧化層電荷描述正確的是()。A正電荷B距Si-SiO?界面非常近C氧化反應(yīng)不完全引起的結(jié)構(gòu)缺陷D密度隨氧化溫度的降低而增加正確答案：ABCD第6題

當(dāng)MOSFET從鋁柵(Φm≈4.2eV)改為多晶硅柵(Φm≈4.1eV,n型摻雜),對于n-Si襯底,其閾值電壓會()。A略微升高B略微降低C不變D反向偏置第7題

在硅基MOSFET中,若采用高功函數(shù)金屬(如W、Ni)作為n-MOS柵極,其閾值電壓會()。A顯著降低,接近零伏B顯著升高,難以反型C不變,僅影響載流子遷移率D隨機(jī)波動第8題

若希望降低n-MOSFET的閾值電壓,可采取的措施是()。A選擇功函數(shù)更大的金屬柵極B選擇功函數(shù)更小的金屬柵極C增加氧化層厚度D降低半導(dǎo)體摻雜濃度第9題在p型半導(dǎo)體襯底的MOSFET中,若功函數(shù)差為負(fù)值,則閾值電壓會()。A向正方向偏移B向負(fù)方向偏移C變?yōu)榱鉊僅在高頻下變化第10題對于N型半導(dǎo)體襯底的MOSFET,若金屬功函數(shù)>半導(dǎo)體功函數(shù),則功函數(shù)差對閾值電壓Vth的影響是()。A使Vth升高(向正方向偏移)B使Vth降低(向負(fù)方向偏移)C無影響D僅影響漏電流第11題

MOS電容的閾值電壓公式中,金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差的定義是:()。A半導(dǎo)體功函數(shù)減金屬功函數(shù)B金屬功函數(shù)減半導(dǎo)體功函數(shù)C金屬功函數(shù)加半導(dǎo)體功函數(shù)D僅與半導(dǎo)體摻雜濃度有關(guān)4.2.3課后練習(xí)第1題TBD和QBD均為衡量介質(zhì)擊穿可靠性的關(guān)鍵參數(shù)，其中QBD更適用于評估電荷注入型絕緣失效。第2題在MIS結(jié)構(gòu)中，滲透理論是指在高能載流子運(yùn)動的路徑上隨機(jī)地產(chǎn)生缺陷，當(dāng)缺陷足夠密集形成了一個(gè)連續(xù)的鏈條，使柵和半導(dǎo)體連接后，就形成了一個(gè)導(dǎo)電通道，發(fā)生毀壞性擊穿。第3題

在相同電場下,介質(zhì)的TBD值越大,表明其擊穿可靠性越低。()第4題隨著工藝的發(fā)展,柵氧化層的厚度越來越小,但是柵電容的大小不能跟隨氧化層厚度減小而減小,原因是()。A不管是在積累狀態(tài)還是在強(qiáng)反型狀態(tài),半導(dǎo)體一側(cè)的電荷分布是由界面算起的距離的函數(shù)B在經(jīng)典模型中,盡管載流子濃度峰值在表面處,但它可延伸至若干納米距離外C在量子力學(xué)中,載流子的濃度峰值出現(xiàn)在距界面約為10?的位置。D即使多晶硅是簡并摻雜,耗盡層和積累層依然存在有限的厚度正確答案：ABCD第5題下面關(guān)于MIS電容載流子隧穿導(dǎo)電描述正確的有()。A強(qiáng)場下最通常的絕緣層導(dǎo)電機(jī)制B隧穿發(fā)射是電子波函數(shù)穿透勢壘的量子力學(xué)效應(yīng)的結(jié)果C與外加電壓有強(qiáng)烈的關(guān)系,與溫度沒有固有的關(guān)系D分為直接隧穿和載流子只通過部分勢壘寬度的Fowler-Nordheim隧穿正確答案：ABCD4.2.4課后練習(xí)第1題對于MIS電容,TBD(TimetoBreakdown)的物理意義是()A介質(zhì)承受擊穿所需的最短時(shí)間B介質(zhì)從加壓到發(fā)生擊穿的時(shí)間間隔C介質(zhì)擊穿時(shí)的時(shí)間常數(shù)D介質(zhì)擊穿后的持續(xù)時(shí)間第2題

在均勻電場中,介質(zhì)的TBD與施加電壓的關(guān)系通常為()。A電壓越高,TBD越長B電壓越高,TBD越短C無關(guān)D先增加后減少第3題

QBD主要用于表征介質(zhì)擊穿的哪種可靠性特征?()A與時(shí)間相關(guān)的累積損傷B與電荷累積相關(guān)的損傷閾值C與溫度相關(guān)的熱擊穿特性D與機(jī)械應(yīng)力相關(guān)的擊穿行為第4題關(guān)于MIS結(jié)構(gòu)中雪崩倍增機(jī)制的描述正確的是()。A在表面耗盡層中,由雪崩倍增產(chǎn)生的載流子,將會有足夠的能量越過界面能量壁壘,進(jìn)入氧化層B熱電子進(jìn)入氧化層時(shí),在氧化層中通常會產(chǎn)生固定電荷、體和界面陷阱CMIS電容的擊穿電壓比相同摻雜的PN結(jié)擊穿電壓高D可以應(yīng)用于非揮發(fā)半導(dǎo)體存儲器中正確答案：ABCD第5題MIS結(jié)構(gòu)從深耗盡的不平衡態(tài)恢復(fù)到平衡態(tài)可以采用的方法()。A光照B升溫C放慢電壓變化D停止電壓變化正確答案：ABCD第6題下面對于MIS結(jié)構(gòu)的深耗盡狀態(tài)描述正確的是()。A是一種非平衡狀態(tài)B該狀態(tài)下耗盡層寬度比平衡態(tài)時(shí)的最大值還大C產(chǎn)生的原因是熱產(chǎn)生率跟不上所需的少數(shù)載流子數(shù)目D半導(dǎo)體上存在強(qiáng)電場正確答案：ABCD5.1.3課后練習(xí)第1題彈道輸運(yùn)時(shí)，MOSFET器件的電流和跨導(dǎo)要比速度飽和時(shí)的高。第2題溝道長度與平均自由程同量級或小于平均自由程時(shí)，溝道載流子不會遭受散射。它們不會因?yàn)樯⑸涠碾妶霁@得的能量，因而其速度可以比飽和速度高的多。這種效應(yīng)稱為彈道輸運(yùn)，也稱為速度過沖。第3題

電子遷移率越高,在相同電場下電子的漂移速度就越快。()第4題

溫度升高時(shí),由于載流子遷移率下降,MOSFET的跨導(dǎo)會降低。()第5題

MOSFET工作在線性區(qū)時(shí)的跨導(dǎo)比飽和區(qū)的跨導(dǎo)更大。()第6題MOSFET的跨導(dǎo)定義為漏極電流變化量與漏源電壓變化量的比值。()第7題當(dāng)半導(dǎo)體處于強(qiáng)電場中發(fā)生速度飽和時(shí),電子遷移率會隨著電場強(qiáng)度增加而持續(xù)增大。()第8題

短溝道MOSFET中,由于短溝道效應(yīng),實(shí)際跨導(dǎo)比長溝道理論值()。A更高B更低C相等D不確定第9題

若其他參數(shù)不變,增大MOSFET的溝道寬度W,其跨導(dǎo)會()。A增大B減小C不變D先增后減第10題MOSFET的跨導(dǎo)定義為()。A漏極電流變化量與柵源電壓變化量的比值B漏極電流變化量與漏源電壓變化量的比值C柵源電壓變化量與漏極電流變化量的比值D漏源電壓變化量與柵源電壓變化量的比值第11題

當(dāng)MOSFET的柵源電壓VGS固定時(shí),若溝道長度減小,漏源飽和電壓VDS()會因短溝道效應(yīng)而()。A增大B減小C不變D先增后減第12題

以下關(guān)于MOSFET漏源飽和電壓的描述,正確的是?()AVDS(sat)是器件從線性區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)的臨界電壓B減小閾值電壓可降低VDS(sat)C飽和區(qū)中,VDS(sat)保持恒定不隨漏極電流變化D溫度升高時(shí),VDS(sat)會因載流子遷移率下降而增大第13題MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)時(shí),漏源飽和電壓與下列哪個(gè)參數(shù)直接相關(guān)?()A柵極氧化層厚度B襯底摻雜濃度C柵源電壓與閾值電壓的差值D漏極電流溫度系數(shù)第14題

單選題:若兩種半導(dǎo)體材料A和B的電子遷移率分別為μA和μB(μA>μB),在相同電場作用下,材料A中電子的漂移速度()材料B。A大于B小于C等于D無法確定第15題在半導(dǎo)體中,電子遷移率定義為電子的漂移速度與()的比值。A載流子濃度B外加電場強(qiáng)度C溫度D半導(dǎo)體禁帶寬度第16題

在MOSFET等半導(dǎo)體器件中,載流子速度飽和會導(dǎo)致器件的()A跨導(dǎo)增大B輸出電阻增大C最大電流受限D(zhuǎn)閾值電壓降低第17題半導(dǎo)體材料中載流子發(fā)生速度飽和現(xiàn)象的本質(zhì)原因是()A晶格散射加劇B外加電場消失C載流子濃度下降D能帶結(jié)構(gòu)改變第18題在MOSFET緩變溝道近似中,假設(shè)溝道內(nèi)電場沿()方向的變化遠(yuǎn)小于沿垂直于溝道方向的變化。A柵極長度B溝道寬度C溝道長度D襯底厚度第19題

當(dāng)MOSFET作為開關(guān)使用時(shí),理想狀態(tài)是工作在()。A截止區(qū)和飽和區(qū)B截止區(qū)和線性區(qū)C線性區(qū)和飽和區(qū)D僅飽和區(qū)第20題

PMOS管的輸出特性曲線與NMOS管的主要區(qū)別是()。A電壓和電流方向相反B飽和區(qū)條件不同C線性區(qū)電阻更大D無截止區(qū)第21題

當(dāng)MOSFET工作在截止區(qū)時(shí),其狀態(tài)為()。AVGS<VT,溝道未形成,ID=0BVGS>VT,溝道夾斷,ID恒定CVGS=VT,溝道剛形成DVDS=0,ID=0第22題

在MOSFET輸出特性的線性區(qū),器件可等效為()A恒流源B壓控電阻C電容D二極管第23題

NMOS增強(qiáng)型管工作在飽和區(qū)的條件是()。AVGS<VT且VDS>VGS-VTBVGS>VT且VDS<VGS-VTCVGS>VT且VDS>VGS-VTDVGS<VT且VDS<VGS-VT第24題MOSFET的輸出特性曲線是指:()AID隨VGS變化的曲線(固定VDS)BID隨VDS變化的曲線(固定VGS)CVGS隨VDS變化的曲線(固定ID)DID隨溫度變化的曲線第25題

在MOSFET中,提高跨導(dǎo)的方法包括()A減小柵極氧化層厚度B增大溝道長度C提高載流子遷移率D增加?xùn)旁措妷号c閾值電壓的差值正確答案：ACD第26題

以下哪些因素會影響MOSFET的跨導(dǎo)大小?()A柵極氧化層厚度B溝道寬度與長度之比(W/L)C襯底摻雜濃度D工作溫度正確答案：ABCD第27題

以下哪些因素會直接影響半導(dǎo)體中電子遷移率的大小?()A晶格散射強(qiáng)度B電子有效質(zhì)量C雜質(zhì)濃度D外加磁場強(qiáng)度正確答案：ABC第28題

為抑制半導(dǎo)體器件中的載流子速度飽和效應(yīng),可采用的技術(shù)手段包括()A減小器件尺寸B采用高遷移率材料C優(yōu)化襯底摻雜分布D降低工作溫度正確答案：BCD第29題

以下哪些因素會影響半導(dǎo)體載流子達(dá)到速度飽和的臨界電場強(qiáng)度?()A材料禁帶寬度B晶格溫度C雜質(zhì)濃度D晶體取向正確答案：ABCD第30題MOSFET緩變溝道近似成立的條件包括?()A溝道長度較長B柵源電壓足夠大C漏源電壓較小D襯底摻雜濃度均勻正確答案：AC第31題

關(guān)于MOSFET飽和區(qū)的應(yīng)用,正確的說法是()。A適用于放大電路(如共源放大器)B需滿足VDS>VGS-VTC理想情況下,ID僅由VGS決定,與VDS無關(guān)D可等效為電流源正確答案：ABCD第32題

以下因素會影響MOSFET輸出特性的有()。A柵極電壓B溝道長度和寬度C襯底偏置電壓D環(huán)境溫度正確答案：ABCD第33題

以下關(guān)于MOSFET跨導(dǎo)的說法,正確的是()A跨導(dǎo)越大,器件的放大能力越強(qiáng)B飽和區(qū)跨導(dǎo)與漏極電流的平方根成正比C線性區(qū)跨導(dǎo)與漏源電壓近似成線性關(guān)系D減小閾值電壓可提升跨導(dǎo)正確答案：ABCD5.1.4課后練習(xí)第1題亞閾值區(qū)的漏極電流完全不受漏極電壓的影響。第2題理想情況下，室溫（300K）下MOSFET的亞閾值擺幅最小可達(dá)60mV/decade。第3題MOSFET的閾值電壓僅與半導(dǎo)體材料特性有關(guān),與器件結(jié)構(gòu)無關(guān)。()第4題MOSFET器件的閾值電壓可以根據(jù)輸出特性曲線進(jìn)行提取。()第5題在PMOS器件中,襯底偏置效應(yīng)會導(dǎo)致閾值電壓絕對值減小。()第6題當(dāng)P型襯底的NMOS管源襯電壓VSB>0時(shí),閾值電壓會增大。()第7題

已知某NMOS的閾值電壓溫度系數(shù)為-1.5mV/K,室溫(25℃)下Vth=0.8V,則在125℃時(shí),其閾值電壓約為()。A0.65VB0.75VC0.85VD0.95V第8題

P型MOSFET()的閾值電壓溫度系數(shù)為()。A正值B負(fù)值C零D不確定,取決于襯底材料第9題

在閾值電壓表達(dá)式中,與溫度強(qiáng)相關(guān)的項(xiàng)是()。A平帶電壓B襯底費(fèi)米勢C氧化層電容D襯底摻雜濃度第10題

閾值電壓溫度系數(shù)的物理根源主要與以下哪個(gè)參數(shù)相關(guān)?()A氧化層厚度B半導(dǎo)體本征載流子濃度C溝道長度D漏極電壓第11題

對于N型MOSFET,閾值電壓隨溫度升高的變化趨勢是()。A增大(正溫度系數(shù))B減小(負(fù)溫度系數(shù))C先增大后減小D幾乎不變第12題

溫度升高時(shí),亞閾值擺幅SS的變化趨勢是()。A增大B減小C不變D先增大后減小第13題

亞閾值擺幅()的定義是()。A漏極電流變化10倍時(shí)所需的柵極電壓變化量(單位:mV/decade)B漏極電壓變化10倍時(shí)所需的柵極電壓變化量C柵極電壓變化10mV時(shí)漏極電流的變化倍數(shù)D亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)峰值第14題

亞閾值區(qū)漏極電流的主導(dǎo)傳輸機(jī)制是()。A漂移電流B擴(kuò)散電流C隧道電流D熱電子發(fā)射第15題

MOSFET亞閾值區(qū)的定義是()。AVG>Vth且VD較小的區(qū)域BVG<Vth但仍存在漏極電流的區(qū)域CVD=0時(shí)的截止區(qū)域D柵極氧化層擊穿后的區(qū)域第16題測量N型MOSFET閾值電壓時(shí),通常將漏極電壓設(shè)為()。A電源電壓的一半B接近0V(如0.1V)C遠(yuǎn)大于閾值電壓D-1V第17題短溝道MOSFET中,襯底偏置效應(yīng)的影響比長溝道器件更顯著,主要原因是()。A溝道電阻更小B耗盡層電荷與溝道電荷耦合更強(qiáng)C載流子速度飽和D