正文目錄存儲市場規(guī)模大，望迎來以AI驅(qū)動的新一景氣周期 5儲片以DRAM和NANDFlash等產(chǎn)為主 5儲片業(yè)上為設(shè)及料下應(yīng)廣泛 6儲場模大有望以AI驅(qū)的輪景周期 7存儲需求持續(xù)容，給端調(diào)控與技術(shù)創(chuàng)共驅(qū)動增長 8廠資開加，服器儲求盛 8工能+消終速滲，側(cè)儲望續(xù)擴容 10HBMDDR5引端DRAM市，QLCNAND術(shù)步熟 12給調(diào)產(chǎn)致DDR4供應(yīng)，品攀升 15國產(chǎn)存儲技術(shù)新突，存儲產(chǎn)業(yè)鏈迎來展遇 17儲場中較，國存技突有提升貨量 17儲廠本支望擴，游導設(shè)有望益 21內(nèi)儲組商大備力，望益產(chǎn)品價氣期 22投資建議 22風險因素 23圖表1: 存儲片類 5圖表2: 2025年Q3儲片規(guī)模比 5圖表3: DRAMNANDFlash與NORFlash對比 6圖表4: 存儲片業(yè)鏈 7圖表5: 存儲片游下游業(yè)圖譜 7圖表6: 全球儲片售與應(yīng)的期 8圖表7: 2021-2026全八云商資支及測 9圖表8: 全球務(wù)出預測 9圖表9: NANDFlash應(yīng)用布 10圖表10: DRAM用布 10圖表英達H100AI服務(wù)置 10圖表12: 智能機NAND/DRAM均容變化 圖表13: 部分AIPC品件對比 圖表14: 部分牌AI/AR眼鏡參數(shù)比 12圖表15: AI運行段儲求 12圖表16: 2022-2026年DRAM與NANDFlash產(chǎn)業(yè)資支及預測 13圖表17: HBM術(shù)代 13圖表18: 主流AI加卡HBM配方案 14圖表19: 服器DRAM顆應(yīng)勢 14圖表20: 企級SSD中QLC應(yīng)趨勢 15圖表21: 存儲廠期產(chǎn)停動作 15圖表22:DRAM分格品平均走情（位美元） 16圖表23: NANDFlash部分格現(xiàn)貨均走情（位：元） 17圖表24: 2022-2026年DRAM與NANDFlash產(chǎn)業(yè)資支及預單億元）17圖表25: 2025Q3各廠DRAM收排名 18圖表26: 2025Q3各廠NANDFlash營排名 18圖表27: 長鑫儲DDR5品示 19圖表28: 長鑫儲LPDDR5X產(chǎn)展示 19圖表29: 長鑫儲能劃測 20圖表30: 長江儲代QLC3DNAND存意圖 20圖表31: A上部存芯業(yè)產(chǎn)布情況 21圖表32: 海外儲廠本支劃 21圖表33: 全球?qū)гO(shè)市規(guī)及構(gòu)變（位十美元） 22圖表34: A上部模廠利率況單：%） 22圖表35: A上部模廠貨情（位億） 22存儲市場規(guī)模較大，有望迎來以AI驅(qū)動的新一輪景氣周期存儲芯片以DRAM和NANDFlash等產(chǎn)品為主存儲芯片主要用于計算機系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲。存儲芯片，又稱半導體存儲器，是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的一種數(shù)字芯片，用于臨時或永久地存儲數(shù)據(jù)和指令，以便在需要時能夠快速訪問和處理。存儲芯片可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩種，RAM為易失性存儲器，ROM為非易失性存儲器。其中，易失性存儲芯片可隨時進行數(shù)據(jù)讀寫且速度較快，斷電后保存數(shù)據(jù)會丟失，通常用作操作系統(tǒng)或者其他運行中程序的臨時數(shù)據(jù)存儲，可分為靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器；而非易失性存儲芯片斷電后也能保存數(shù)據(jù)，但只能讀取事先所存數(shù)據(jù)的存儲，可分為OTPROM、FlashMemory等，其中FlashMemory包括NORFlash和NANDFlash。圖表1: 存儲片類類型 細分類型 細分型

靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）動態(tài)隨機存儲器（DRAM，包括DDR、LPDDR）動態(tài)隨機存儲器（DRAM，包括DDR、LPDDR）FLASHMEMORY（包括NORFLASH、NANDFLASH）OTPROMFLASHMEMORY（包括NORFLASH、NANDFLASH）商產(chǎn)業(yè)研究院

EPROMEEPROMDRAM和NANDFlash2025年Q3CFMDRAM24.7至400.37，NAND至184.22584.59元創(chuàng)季歷新其場比Flash占31.5二者NorFlash圖表2: 2025年Q3儲片規(guī)模比FM閃存市場DRAM、NANDFlash與NORFlash在技術(shù)與應(yīng)用場景中有所互補。當前半導體存儲市場的主流產(chǎn)品包括DRAM、NANDFlash與NORFlash三類，其中DRAM具備集成度高、價格較低、功耗較低的優(yōu)勢，但存取速度相對緩慢；Flash存儲器進一步分為NORFlash和NANDFlashNORFlashNANDFlash（DOC）Flash，NORFlash圖表3: DRAMNANDFlash與NORFlash對比類別DRAMNANDFLASHNORFLASH當前制程12-13nm（1β）15/14nm40/28nm揮發(fā)性易失性非易失性非易失性讀取速度慢中快寫入速度-2.4-8MB/s0.47MB/S擦除速度極快（無擦除）高速（4ms）低速（5s）尺寸-小，NOR的1/8大壽命無限百萬次十萬次功耗低中高容量低MB/GB高GB/TB中MB/GB成本高低中主要途 手機PC服商存模組經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院

主要存儲器，用于手機和SSD

適合存儲內(nèi)容較少的執(zhí)行代碼的應(yīng)用，系統(tǒng)啟動代碼存儲存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游為設(shè)備及材料，下游應(yīng)用廣泛IPEDACMP1）消費電子，主要搭載LPDRAN閃存DDRSDDR4/DDR5內(nèi)存（HBM）NANDAI算力釋放效率。3）工業(yè)控制與汽車電子，工業(yè)場景依賴MRAM、NORTB級NAND據(jù)。圖表4: 存儲片業(yè)鏈環(huán)節(jié) 項目環(huán)節(jié) 項目上游原料設(shè)） 設(shè)計具(IP核EDA等)半導體設(shè)備(光刻機、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、封裝測試設(shè)備等)半導體材料(半導體硅片、光刻膠、靶材、電子特氣、封裝材料、CMP拋光材料等)中游設(shè)、造封 存儲片計測）晶圓代工封裝測試存儲模組集成下游應(yīng)領(lǐng)） 消費子、人智、絡(luò)通、能載工控制物網(wǎng)等商產(chǎn)業(yè)研究院圖表5: 存儲片游下游業(yè)圖譜波龍招股說明書存儲市場規(guī)模較大，有望迎來以AI驅(qū)動的新一輪景氣周期年至202320251894.07近十年存儲行業(yè)經(jīng)歷三輪周期，前兩輪主要由產(chǎn)品迭代和下游消費終端需求驅(qū)動。2016DDR4202IAIAIAIHBM產(chǎn)品由DRAMHBM3EHBM4AI圖表6: 全球儲片售與應(yīng)的期世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織存儲需求持續(xù)擴容，供給端調(diào)控與技術(shù)創(chuàng)新共同驅(qū)動增長云廠商資本開支加速，服務(wù)器存儲需求旺盛GoogleMetaMicrosoft（度，02AGoogle2025910-930Meta700722Aao15雖未披露完整年度數(shù)據(jù)但預期2026財年支出將高于2025年。根據(jù)2025CSPs65，并預期20266000AIGPU/ASIC、存ODMAI圖表7: 2021-2026全八云商資支及測rendForce集邦咨詢AAIAICFM數(shù)據(jù)，20243.2至129011501402025134011602024年務(wù)臺則有達180萬、增長29。圖表8: 全球務(wù)出預測2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場服務(wù)器存儲占比有望進一步提升。大型云服務(wù)商積極投資AI基礎(chǔ)設(shè)施以部署存算力NANDeSSDeSSD32TBQLCeSSDNAND3020216020DRAMDR的處AIAIDDR5及HBM，22DR34（203222在64GBDDR5及HBM3e，20252024-2025PCeSSDDDR5及HBMNANDDRAM容量求計別長12和15。圖表9: NANDFlash應(yīng)用布 圖表10:DRAM用布2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場 場

2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市AI服務(wù)器單機存儲容量提升。AI服務(wù)器的單機存儲容量呈現(xiàn)提升的態(tài)勢，以英偉達H100AIHBM容量則32TB-132TBAIAI圖表11:H100AIMemory單位容量最大數(shù)量合計容量（GB）GPUHBM380GB8640GB系統(tǒng)CPUDDR564-128GB322048-4096GB內(nèi)部存儲eSSD4TB-16TB832-128TBOS存儲eSSD2TB24TB2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場人工智能消費終端加速滲透，端側(cè)存儲有望持續(xù)擴容AI手機加速滲透，智能手機存儲容量持續(xù)提升。AIAIAIAICFM20A202650202412GB16GB256GB向512GB1TBCFM2025NAND220GB，DRAM8GB。圖表12:智能手機NAND/DRAM平均容量變化2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場AIPC02CoplotPPCAIPCCFM2025AIPCPC，AIPCCPU+GPU+NPUNPUCopilot+PCPlus/XEliteAMDRyzenAI30040萬億NPU16GBDDR5或LPDDR5X256GBSSD或UFSAIAIPCMacBookPro14AppleM4YOGAAir14sAI元EliteBookUltra1432GBLPDDR5X、1TB圖表13:部分AIPC產(chǎn)品硬件參數(shù)對比產(chǎn)品名稱聯(lián)想YOGAAir14s驍龍AI元啟惠普EliteBookUltra14靈耀16Air宏碁Swift16AI蘋果MacBookPro14英寸CPU高通驍龍XPlus酷睿Ultra9288VAMDRyzenAI9HX370IntelCoreUltra9288VAppleM4芯片內(nèi)存類型32GBLPDDR5X8448MHz32GBLPDDR5X8533MHz32GBLPDDR5X7500MHz32GBLPDDR5X8533MHz最高32GB硬盤容量1TBPCIe4.0SSD1TBPCIe4.0SSD1TBPCIe4.0SSD2TBPCIe4.0SSD最高2TBSSD屏幕分辨率2944×18402880×18002880×18002880×18003024×1964顯卡類型AdrenoGPU顯卡英特爾銳炫140V核顯AMDRadeonGraphics核顯英特爾銳炫140V核顯Apple核顯網(wǎng)絡(luò)Wi-Fi7Wi-Fi7Wi-Fi7Wi-Fi7Wi-Fi6E厚度/重量12.9mm/1.29kg14.9mm/1.35kg11mm/1.49kg1.5kg（厚度未標注）22.12mm/1.55kg電池容量70Whr64Whr78Whr75Whr72.4Whr散熱系統(tǒng)雙風扇、雙熱管雙風扇、雙熱管雙風扇加均熱板//2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場AI在RayBanMetA眼鏡VUI（）TTSARGUI（）AIAR，AI/AR眼鏡AR1W5172022AR2，預計未來會有更多廠商選擇搭載；軟件系統(tǒng)除自研方案外（如StarVView內(nèi)置魅族FlymeR2.02年1AdrodXR、AR2GB+32GBePOPAI128GB/256GBePOP圖表14:部分品牌AI/AR眼鏡技術(shù)參數(shù)對比品牌CPU存儲重量售價交互模式Ray-BanMeta驍龍AR132GB48.6g299美元VUIRayNeoV3驍龍AR132GB39g1799元VUI閃極AI拍拍鏡紫光展銳W517/30g999元起VUIINMOAir3驍龍AR1//4999元GUIRokidGlasses驍龍AR132GB/2499元VUI+GUIStarView//74g2499元VUI+GUIXREALOne自研X1128GB/256GB82g3999元VUI+GUIRayNeoX3Pro////VUI+GUI2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場HBM、DDR5引領(lǐng)高端DRAM市場，QLCNAND技術(shù)逐步成熟AIAI訓練階段需要存儲系統(tǒng)具備高速讀寫能力與AICheckpoint（如G-15ChekpoBBCeckin，圖表15:AI運行階段存儲需求階段I/O特性存儲需求影響數(shù)據(jù)輸入海量順序?qū)懭敫唔樞驅(qū)懭胪掏铝績?yōu)化存儲意味著數(shù)據(jù)輸入過程更加快速數(shù)據(jù)準備隨機讀取數(shù)據(jù)；按小規(guī)模隨機讀取低延遲；高順優(yōu)化存儲意味著在模型訓練過程中能順序?qū)懭腩A處理項序?qū)懭胪掏铝刻峁└嗟臄?shù)據(jù)，使模型準確性提升模型訓練隨機數(shù)據(jù)讀取多任務(wù)性能和容量可擴展性；優(yōu)化存儲可以提升昂貴訓練資源優(yōu)化隨機讀??；適用于檢查點寫入的高順序?qū)懭胄阅埽℅PU,TPU,CPU）利用率模型部署混合隨機讀取和寫處理新的故障和修復能力；不端側(cè)需要高可用性、良好的服務(wù)能力斷組斷組擴的恢，果模 和可性型持續(xù)微調(diào)，則應(yīng)具備與訓練過程相同的特征入存檔 順序隨寫入 高寫性能 為了規(guī)審目，要更的據(jù)保留2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場AI驅(qū)動HBM需求高增，HBM市場規(guī)模持續(xù)增長。傳統(tǒng)馮諾依曼計算架構(gòu)下的存儲墻瓶頸已阻礙服務(wù)器性能提升，為此各大廠商推出了非易失性存儲、存算一體、CXL、GDDR等方案，HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）也是其中之一。HBM具備高帶寬、多I/O數(shù)量、低功耗等特性，隨著AI技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用對存力和算力的要求提升，HBM市場自2024年起進入爆發(fā)增長階段。據(jù)閃存市場數(shù)據(jù)，2024年全球HBM市場規(guī)占體DRAM場的16預計2025HBM市場億元占全DRAM市的28。圖表16:2022-2026DRAM與NANDFlash2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場HBM2013JEDECHBM4HBM44Hi、8Hi12Hi及16Hi的堆24Gb32Gb的DRAM6.4GT/s10GT/sHBM42.56TB/s2048圖表17:HBM技術(shù)迭代參數(shù)項HBMHBM2HBM2EHBM3HBM3EHBM4最多DRAM層數(shù)4-Hi8-Hi12-Hi12-Hi12-Hi16-Hi最大容量1GB8GB16GB24GB36GB64GBI/O數(shù)102410241024102410242048I/O傳輸速率1Gbps2.4Gbps3.6Gbps6.4Gbps9.2Gbps10Gbps帶寬128GBps256GBps480GBps819GBps1.2TBps2.56TBps制程技術(shù)3x2x1y/1z1z1a/1b1b/1c2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場主流AI加速卡多數(shù)采用HBAIGAS與PG路線雖仍存在博弈，但在高帶寬內(nèi)存的選擇上，HBM幾乎是各技術(shù)路線的一致選項。據(jù)CFM統(tǒng)計，HBM3/2E是目前主流AI芯片采用的型號。隨著英偉達GB300、AMDMI325X的相繼推出，再加上其他市場參與者的平臺迭代，HBM3E的市場份額有望得到提升。圖表18:主流AI加速卡HBM配置方案供應(yīng)商AI芯片應(yīng)用領(lǐng)域芯片名稱制程節(jié)點存儲搭配最大需求容量英偉達GPUAI訓練H1004nmHBM394GB英偉達GPUAI訓練H2004nmHBM3e141GB英偉達GPUAI訓練H8004nmHBM2e80GB英偉達GPUAI訓練A1007nmHBM2/2e80GB英偉達GPUAI訓練A8007nmHBM2/2e80GB英偉達GPU推理B3004NPHBM3e288GB英偉達GPU推理A307nmHBM2e24GBAMDGPUAI訓練MI2006nmHBM2e128GBAMDGPUAI訓練MI3005nm/6nmHBM3192/128GBAMDFPGA推理VirtexUltraScale+HBM16nmHBM216GBAMDFPGA推理VersalHBM系列7nmHBM2e32GB英特爾ASIC訓練/推理Gaudi系列7nmHBM2e128GB英特爾GPU訓練/推理MaxGPUIntel7HBM2e128GB英特爾FPGA訓練/推理Aterastratix14nmHBM216GB2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場DDR5據(jù)CFM2024年二DRAMDDR52025年末，80為die16GbDDR5與32GbDDR532GbDDR516GbDDR5dieTSV128GBDDR5DDR5DDR5圖表19:DRAM2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場NANDQLCNANDLCNANDAINANDFlashPlane包含多個BlockBlockBlockPagePageNAND（P/E到QLCQLX3-00QLCNANDP/ECycles可達4000TLC2024SSDSSD進入100TB，Solidigm推出122TBSSD16TB32TBQLCSSDQLCSSDQLCSSDHDDAIAI圖表20:SSD中QLC2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場供給端調(diào)控產(chǎn)能致DDR4等供不應(yīng)求，產(chǎn)品價格攀升HBMDRAM及NANDDRAMDDR4DRAMDRAM20254DDR4DDR4DDR5和HBMAIDDR4DDR4DDR5和HBMDDR4NANDSK238層和321層NAND圖表21:存儲大廠近期減產(chǎn)或停產(chǎn)動作廠商產(chǎn)品類型動作類型具體內(nèi)容時間節(jié)點美光NAND減產(chǎn)美光宣布NANDFlash晶圓將減產(chǎn)10%，以調(diào)控供給量。2024年12月DRAM停止服務(wù)美光停止為服務(wù)器提供傳統(tǒng)DDR4內(nèi)存模塊。2025年4月DRAM停產(chǎn)美光官方確認DDR4將停產(chǎn)，預計未來2~3個季度陸續(xù)停止出貨。美光將DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5和HBM市場，以滿足AI服務(wù)器和高性能計算的需求。2025年6月三星電子NAND減產(chǎn)削減其位于中國西安工廠的NANDFlash投片量，減少超過10%。此外，華城工廠12號和17號生產(chǎn)線的產(chǎn)量也將下調(diào)，進一步降低整體產(chǎn)能。2025年1月DRAM停產(chǎn)三星率先宣布將開始逐步停止生產(chǎn)DDR4內(nèi)存顆粒。2025年4月SK海力士DRAM減產(chǎn)計劃將DDR4DRAM產(chǎn)量削減至DRAM總產(chǎn)量的20%。2024-2025年NAND減產(chǎn)宣布將上半年NANDFlash產(chǎn)量削減10%，意味著每月將減少3萬片晶圓的產(chǎn)出。SK海力士正在進行技術(shù)遷移，以量產(chǎn)最新的238層和321層NAND產(chǎn)品。2025年1月鎧俠NAND減產(chǎn)隨著NAND閃存市況持續(xù)惡化，鎧俠預計在2024年12月開始實施減產(chǎn)，以阻止閃存市場價格進一步下跌。2024年12月西部數(shù)據(jù)

NAND 停產(chǎn) 西部據(jù)布正剝其NAND存務(wù)后將不生產(chǎn)NAND及SSD。T之家，科創(chuàng)板日報，TrendForce集邦咨詢

2025年3月DRAM原廠停供DDR4DDR5和HBM產(chǎn)品中，DRAM原廠自2024年第三季度以來相繼宣布減產(chǎn)/轉(zhuǎn)產(chǎn)年4DDR4LPDDR4XDDR4DDR591Gx8和DDR52Gx8圖表22:DRAM部分規(guī)格產(chǎn)品現(xiàn)貨平均價走勢情況（單位：美元）DRAMexchangeNANDFlashNANDFlashNANDMLCMLCNANDMLCNANDFlash256GbTLCNANDWafer圖表23:NANDFlash部分規(guī)格產(chǎn)品現(xiàn)貨平均價走勢情況（單位：美元）DRAMexchangeTrendForceDRAM與NANDFlash2025537202614。NANDFlash2025211億美元，20262225Flash產(chǎn)業(yè)的投資重心正從傳統(tǒng)的HBMCounterpointResearch2025年Q4續(xù)漲30并在明初上約20。圖表24:2022-2026年DRAM與NANDFlash產(chǎn)業(yè)資本支出及預測（單位：億美元）rendForce集邦咨詢國產(chǎn)存儲技術(shù)創(chuàng)新突破，存儲產(chǎn)業(yè)鏈迎來發(fā)展機遇存儲市場集中度較高，國產(chǎn)存儲技術(shù)突破有望提升出貨量存儲市場頭部集中度較高，競爭格局較為穩(wěn)定。1）DRAM市場方面，2025年Q3，三星憑借HBMDRAMDRAMDRAMDRAM海力士以137.912.434.4（2025年6-8億美，比增27.1市場額22.4，排第；南科三DRAM6.3美元環(huán)長21.5場額0.6Flash市場方面年Q35.62.72.1SK35.365.8三度售收達30.46億美，比增28.1以16.5市場份額位第部據(jù)23.08億元售入比增21.4市份額12.5，2025月-8NANDFlash22.524.512.2圖表25:2025Q3各廠DRAM收排名 圖表26:2025Q3各廠NANDFlash營排名RankCompany2025Q3SalesofDRAM($M)2025Q3MarketshareQoQRank Company 2025Q3 2025Q3 QoQSalesof MarketNAND share1Samsung13,94234.8%29.6%Flash($M)2SKhynix13,79034.4%12.4%1Samsung536629.1%20.7%3Micron898422.4%27.1%2SKhynix353619.2%5.8%4Nanya6301.6%83.7%3Kioxia304616.5%28.1%5Winbond2220.6%21.5%4Sandisk230812.5%21.4%Others24706.2%67.4%5Micron225212.2%4.5%Total40,037100.0%24.7%Others191410.4%23.9%Total18,422100.0%16.8%2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市場 場

2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，閃存市國產(chǎn)DRAMDDR5/LPDDR5X產(chǎn)DDR516Gb/24Gb，DDR4降低20DDR5DDR52）LPDDR5產(chǎn)品方面，12Gb和16GbLPDDR5LPDDR530圖表27:長鑫存儲DDR5產(chǎn)品展示鑫存儲官網(wǎng)圖表28:LPDDR5X鑫存儲官網(wǎng)國內(nèi)DRAMCounterpointDRAM出50DRAM6DDR5/LPDDR5到出貨量上，即DDR5/LPDDR5的市場份額有望從一季度的1左右分別提升到7和9。圖表29:長鑫存儲產(chǎn)能規(guī)劃預測T之家，Counterpoint國產(chǎn)NANDFlash龍頭廠商長江存儲已實現(xiàn)QLC、TLC等多款產(chǎn)品的技術(shù)突破。長江存儲目前已可提供基于晶棧?Xtacking?4.0技術(shù)的第五代QLC、TLC等多款閃存顆粒產(chǎn)品，具備行業(yè)優(yōu)異的存儲密度、I/O傳輸速度及更優(yōu)化的產(chǎn)品功耗，可廣泛應(yīng)用于企業(yè)級、消費級等存儲產(chǎn)品中，以滿足云計算、大數(shù)據(jù)、移動設(shè)備、個人消費終端等多場景下的存儲需求。2025年2月，據(jù)韓國媒體ZDNetKorea報道，三星電子近期已與長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NANDFlash所需的混合鍵合技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代NANDFlash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來進行制造，此為我國存儲業(yè)史上第一次對外許可專利技術(shù)。圖表30:長江存儲第五代QLC3DNAND閃存示意圖江存儲官網(wǎng)國內(nèi)存儲廠商有望充分受益于存儲景氣周期。隨著科研積累的不斷加深和研發(fā)團隊圖表31:A股