儲能變流器功率器件工程師崗位招聘考試試卷及答案填空題（每題1分，共10分）1.儲能變流器中常用的全控型功率器件除IGBT外，還有______2.IGBT的三個電極是集電極、發(fā)射極和______3.三相橋式逆變電路通常由______個IGBT模塊組成4.功率器件結溫過高會導致______5.儲能變流器有功功率調(diào)節(jié)的核心控制方式是______6.功率器件散熱方式中，風冷之外常用的是______7.變流器并網(wǎng)需滿足電壓幅值、頻率和______與電網(wǎng)一致8.IGBT開關損耗包括開通損耗和______9.儲能變流器與電池的連接方式含集中式、分布式和______10.功率器件反向恢復時間越短，______損耗越低單項選擇題（每題2分，共20分）1.適合高頻開關應用的功率器件是（）A.MOSFETB.IGBTC.GTOD.SCR2.IGBT過流保護常用方法是（）A.熔斷絲B.退飽和檢測C.過壓保護D.欠壓保護3.三相儲能變流器輸出頻率需（）A.固定50HzB.固定60HzC.與電網(wǎng)同步D.任意可調(diào)4.IGBT允許的最高結溫一般不超過（）A.100℃B.150℃C.200℃D.250℃5.儲能變流器效率主要取決于（）A.功率器件損耗B.電容損耗C.電感損耗D.芯片損耗6.大容量儲能適合的拓撲是（）A.單相全橋B.三相半橋C.多電平拓撲D.推挽拓撲7.IGBT柵極驅動電壓通常為（）A.0-5VB.15-20VC.24-30VD.50V以上8.不屬于孤島檢測的方法是（）A.主動移頻法B.電壓相位突變法C.頻率突變法D.過流保護法9.功率器件熱阻越小，說明（）A.散熱能力越強B.散熱能力越弱C.損耗越大D.損耗越小10.DC/DC變換器在電池側的核心作用是（）A.升壓B.降壓C.匹配電池與母線電壓D.濾波多項選擇題（每題2分，共20分）1.儲能變流器的主要組成部分包括（）A.功率變換單元B.控制單元C.濾波單元D.保護單元2.IGBT的關鍵參數(shù)有（）A.額定電壓B.額定電流C.開關頻率D.熱阻3.儲能系統(tǒng)應用場景含（）A.電網(wǎng)調(diào)峰B.新能源消納C.微電網(wǎng)D.應急電源4.功率器件冷卻方式包括（）A.風冷B.液冷C.熱管冷卻D.自然冷卻（高功率除外）5.儲能變流器控制功能含（）A.有功/無功調(diào)節(jié)B.電壓頻率控制C.孤島檢測D.故障保護6.全控型功率器件是（）A.IGBTB.MOSFETC.SCRD.GTO7.多電平變流器優(yōu)點（）A.諧波小B.開關損耗低C.成本低D.高壓大容量適用8.變流器保護類型含（）A.過壓保護B.過流保護C.過溫保護D.孤島保護9.影響功率器件壽命的因素（）A.結溫波動B.開關頻率C.封裝形式D.控制芯片10.儲能變流器運行模式含（）A.并網(wǎng)B.離網(wǎng)C.串聯(lián)D.并聯(lián)判斷題（每題2分，共20分）1.IGBT是MOSFET與GTR的復合器件（）2.變流器效率越高，功率器件損耗越?。ǎ?.液冷散熱比風冷功率密度更高（）4.開關頻率越高，IGBT開關損耗越?。ǎ?.離網(wǎng)運行無需與電網(wǎng)同步（）6.SCR可通過柵極關斷（）7.多電平輸出電壓等級比兩電平多（）8.過溫保護通過溫度傳感器檢測結溫（）9.DC/DC變換器只能升壓不能降壓（）10.孤島檢測是并網(wǎng)mandatory功能（）簡答題（每題5分，共20分）1.簡述IGBT工作原理答案：IGBT結合MOSFET（柵極控制）與GTR（雙極輸出）優(yōu)點：柵極加正向電壓時，MOSFET導通形成溝道，使GTR基極獲電流，IGBT導通；柵極加反向電壓時，MOSFET溝道夾斷，GTR基極電流消失，IGBT關斷。輸入阻抗高、驅動功率低，導通壓降小，適合中大功率開關。2.儲能變流器核心拓撲及適用場景答案：①兩電平拓撲：結構簡單，成本低，適用于中小功率；②三電平（NPC）拓撲：諧波小、損耗低，適用于中高壓大容量；③多電平拓撲（級聯(lián)H橋等）：高壓、大容量、低諧波要求場景；④DC/DC變換器（升降壓）：匹配電池與母線電壓，適配不同電池等級。3.散熱設計對變流器可靠性的影響答案：結溫過高會導致器件參數(shù)漂移、開關特性惡化甚至損壞。良好散熱可：①穩(wěn)定結溫，減少熱應力；②降低開關損耗（溫度越低損耗越?。?；③延長器件壽命。風冷適合中小功率，液冷適合高功率密度場景，熱管冷卻平衡兩者優(yōu)點。4.并網(wǎng)運行關鍵要求答案：①電壓同步：幅值、頻率、相位與電網(wǎng)偏差在允許范圍；②電能質(zhì)量：諧波THD<5%；③保護功能：孤島檢測、過壓/過流/過溫保護，故障快速切離；④功率調(diào)節(jié)：響應電網(wǎng)有功/無功需求；⑤響應速度：毫秒級動態(tài)響應。討論題（每題5分，共10分）1.如何降低IGBT開關損耗？答案：①優(yōu)化開關頻率：滿足輸出前提下降低頻率；②選低損耗器件：第四/五代IGBT；③優(yōu)化驅動：調(diào)整柵極電阻（平衡損耗與EMI）、驅動電壓；④軟開關技術：ZVS/ZCS消除電壓電流重疊；⑤散熱優(yōu)化：穩(wěn)定結溫，減少溫度對損耗的影響。2.儲能變流器在微電網(wǎng)中的作用及適配性提升答案：作用：①平抑新能源波動，維持功率平衡；②離網(wǎng)時穩(wěn)定電壓頻率；③應急供電；④改善電能質(zhì)量。適配性提升：①寬電壓DC/DC適配不同電池/新能源；②多模式控制（并網(wǎng)/離網(wǎng)/切換）；③增強通信協(xié)同；④提升故障穿越能力。答案填空題1.MOSFET2.柵極3.64.器件損壞/性能下降5.PWM控制6.液冷7.相位8.關斷損耗9.混合式10.開關單項選擇題1.A2.B3.C4.B5.A6.C7.B8.