表格目錄表1：2025Q3電子行業(yè)基金持倉總市值前15名 5表2：2025Q3電子行業(yè)基金持股市值/流通A股占比前10名 6表3：2026年存儲(chǔ)新增產(chǎn)能有限 13表4：?jiǎn)闻_(tái)服務(wù)器磁元件價(jià)值 222025年12月5日A股電子板塊上漲44.67%，2025Q3基金持倉集中于數(shù)字芯片方向年初至2025年12月5日，電子行業(yè)指數(shù)（跑贏滬深300指數(shù)。DeepSeek引AIAIAI2H252025年初至2025年125中信上漲深300指數(shù)上漲20.00%，創(chuàng)業(yè)板指數(shù)上漲50.9%。圖1：截至2025年12月5日收盤，電子行業(yè)指數(shù)（中信）上漲44.67%，跑贏創(chuàng)業(yè)板指數(shù)電子指數(shù) 滬深300 創(chuàng)業(yè)板指14,000.000012,000.000010,000.00002025年初至2025年12月5日，電子板塊指數(shù)漲幅在全行業(yè)指數(shù)（中信）中居前。圖2：截至2025年12月5日收盤，電子行業(yè)指數(shù)在中信行業(yè)中表現(xiàn)居前漲跌幅有色金屬指數(shù)機(jī)械指數(shù)計(jì)電力及公用事業(yè)指數(shù)

44.7%-10.0% 0.0% 10.0% 20.0% 30.0% 40.0% 50.0% 60.0% 70.0% 80.0% 90.0%20255.07%。20252025Q3基9370.88A5.07%AI圖3：電子行業(yè)2025Q3基金持倉市值為9370.87億，占流通A股比例的5.07%基金持倉市值（億元） 基金持倉/流通市值0

2020Q1 2020Q3 2021Q1 2021Q3 2022Q1 2022Q3 2023Q1 2023Q3 2024Q1 2024Q3 2025Q1

9.00%8.00%7.00%6.00%5.00%4.00%3.00%2.00%1.00%0.00%2025Q340%。表1：2025Q3電子行業(yè)基金持倉總市值前15名股票代碼股票簡(jiǎn)稱數(shù)持股總量（萬股）持股總市值（萬元）基金持股市值流通A股()基金持股市值流通股比例變動(dòng)()688256.SH寒武紀(jì)931 8,184,351.4314.76-6.58688981.SH中芯國際605 6,391,576.0322.81-11.04002475.SZ立訊精密944 5,881,331.2212.51-3.92688008.SH瀾起科技365 5,404,278.6230.49-7.32688041.SH海光信息575 5,251,021.268.95-31.77601138.SH工業(yè)富聯(lián)670 4,259,852.283.250.45688012.SH中微公司385 4,150,423.8622.18-8.45002371.SZ北方華創(chuàng)476 3,276,721.8610.01-6.27603986.SH兆易創(chuàng)新522 3,126,885.4521.97-10.30002463.SZ滬電股份367 2,896,355.7920.50-6.23股票代碼股票簡(jiǎn)稱持股機(jī)構(gòu)數(shù)持股總量（萬股）持股總市值（萬元）基金持股市值流通A股()基金持股市值流通股比例變動(dòng)()300476.SZ勝宏科技4549,751.96812,756,588.6111.40-9.59002916.SZ深南電路1677,937.62551,719,607.1911.940.18603501.SH豪威集團(tuán)15411,313.63711,710,282.529.38-5.86688521.SH芯原股份2738,937.30571,623,796.5817.84-8.90002384.SZ東山精密22821,799.09181,558,635.0615.72-4.312025年Q3電子板塊基金持倉市值/流通市值占比前十的公司分別為：茂萊光學(xué)、瀾起科技、源杰科技、中科飛測(cè)、晶晨股份、中芯國際、中微公司、兆易創(chuàng)新、芯源微、思特威。這些公司持續(xù)深耕于半導(dǎo)體核心賽道，AI創(chuàng)新周期與自主開發(fā)產(chǎn)業(yè)周期共振，機(jī)構(gòu)持倉占比較高。表2：2025Q3電子行業(yè)基金持股市值/流通A股占比前10名股票代碼股票簡(jiǎn)稱持股機(jī)構(gòu)數(shù)持股總量（萬股）持股總市值（萬基金持股市值/元）流通A股()688502.SH茂萊光學(xué)42565.3526248,189.7933.65688008.SH瀾起科技36534,911.36065,404,278.6230.49688498.SH源杰科技1641,586.1210680,445.9126.37688361.SH中科飛測(cè)1326,403.7736743,029.8525.79688099.SH晶晨股份12610,038.82891,116,117.0023.84688981.SH中芯國際60545,611.76076,391,576.0322.81688012.SH中微公司38513,888.18714,150,423.8622.18603986.SH兆易創(chuàng)新52214,659.56613,126,885.4521.97688037.SH芯源微1264,372.3390651,478.5121.69688213.SH思特威1316,662.7329793,804.9020.62同時(shí)，電子板塊基金持倉在申萬一級(jí)行業(yè)中排名第二。根據(jù)基金2025年三季報(bào)數(shù)據(jù)，2025Q3基金持倉電子行業(yè)總市值為9370.88億元，持倉占比為5.07%，在申萬一級(jí)行業(yè)中排名第二。圖4：電子行業(yè)2025Q3基金持倉市值在基金持倉中行業(yè)占比為5.07%，在所有行業(yè)中排名第2占流通A股比例(%)有色金屬計(jì)算機(jī)汽車0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.002026年度投資展望：掘金創(chuàng)新周期目前，我們看到AI邏輯正在不斷強(qiáng)化：①算力需求快速增長(zhǎng)，在生成式人工智能蓬勃發(fā)展的推動(dòng)下，算力行業(yè)維持高景氣。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，20251,037.3EFLOPS（秒）202320282,781.9EFLOPS，2023-202846.2%AI統(tǒng)的PFLOPS（秒）EFLOPS級(jí)別。②AI芯片崛起，端側(cè)領(lǐng)域百花齊放。AIAI依然是AI和FPGA2029AI20241,425.3713,367.922025年至202953.7%。同時(shí)，從手機(jī)到穿戴設(shè)備，再到家居產(chǎn)品，近期在AI2029年，全球AI32191.2240%。③傳統(tǒng)的54V（KW）-scale機(jī)架設(shè)計(jì)，無法支持即將進(jìn)入現(xiàn)代AI工廠的兆瓦（MW）-scale機(jī)架。從2027年開800VHVDC1IT機(jī)架。我們建議沿著AI存儲(chǔ)行業(yè)迎來上行周期，服務(wù)器存儲(chǔ)需求爆發(fā)有望刺激產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)一步上漲AI高景氣帶領(lǐng)市場(chǎng)加速，存儲(chǔ)迎來新上行周期。AI浪潮正加速存儲(chǔ)行業(yè)供需失衡，行業(yè)或?qū)⒂瓉沓掷m(xù)數(shù)年的超級(jí)周期，預(yù)計(jì)到2027年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將逼近3000億美元。存儲(chǔ)芯片作為周期性最強(qiáng)的半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域，過去13年已歷經(jīng)三輪周期，目前正步入第四輪新回周顧期前。三輪：2012-2015年由智能機(jī)換2016-20193DNANDDDR4PC/50%。2024AIHBMDDR5、HBMSSD圖5：存儲(chǔ)周期復(fù)盤受三大原廠產(chǎn)能分配和NANDDRAMDRAMNANDPCDRAMNAND漲幅20%40%mobile、PCNAND、DRAMDRAM、NAND圖6：DRAM和NAND平均價(jià)格指數(shù)根據(jù)TrendForce年第四季整體DRAM很有可能再度上修。同時(shí)預(yù)估NANDFlash5-10%。圖7：DRAM和NAND有望持續(xù)上漲rendforce需求端：AI成為核心驅(qū)動(dòng)力AI預(yù)測(cè)，受生成式AI100ZBAIDRAM8NAND32025AI40%等大模型廠商的訂單已占據(jù)全球高端DRAM226AD圖8：全球數(shù)據(jù)量變化趨勢(shì)部數(shù)冷數(shù)據(jù)變溫趨勢(shì)明晰,AI推理增加冷數(shù)據(jù)和溫?cái)?shù)據(jù)需求。隨著大模型訓(xùn)練與推理對(duì)數(shù)據(jù)訪問需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，大量曾被視為冷數(shù)據(jù)的資源正被重新激活。這些數(shù)據(jù)因頻繁參與模型迭代與實(shí)時(shí)推理，逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)闇財(cái)?shù)據(jù)，甚至因持續(xù)調(diào)用而成為熱數(shù)據(jù)。根據(jù)華為《智能世界2035》預(yù)測(cè)，到2035年，溫?cái)?shù)據(jù)的占比有望超過70%，傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)三層結(jié)構(gòu)將逐漸演變?yōu)闊釡?溫冷兩層結(jié)構(gòu)，比例趨于3:7。這一轉(zhuǎn)變不僅顯著提升數(shù)據(jù)利用效率，更意味著企業(yè)和社會(huì)能夠從歷史數(shù)據(jù)中挖掘出前所未有的價(jià)值，推動(dòng)數(shù)據(jù)資源從被動(dòng)存儲(chǔ)走向主動(dòng)賦能。HDD(GB)(ColdData)SSD(HotData)Data)。圖9：數(shù)據(jù)生命周期變化能世界2035受限于D供給限制，SDP為這波HDD缺口嚴(yán)峻，CSP開始考慮于冷數(shù)據(jù)采用SSD。QLCSSD憑借其高密度、低成本及大容量?jī)?yōu)勢(shì)，正加速替代傳統(tǒng)HDD，成為數(shù)據(jù)中心和AI場(chǎng)景的核心存儲(chǔ)解決方案。TrendForce預(yù)計(jì)，QLC技術(shù)正以前所未有的速度被應(yīng)用于AI的溫/冷數(shù)據(jù)儲(chǔ)存層。圖10：NearlineHDD與QLCSSD重點(diǎn)比較rendForce供給端：資本聚焦高端，產(chǎn)能增長(zhǎng)受限D(zhuǎn)RAM和NANDFlash以及HBMDRAM20255372026年61314%NANDFlash20252225%。在DRAM2026年資本1351gammaTSVSK205M15x的HBM4預(yù)200HBM1C制程滲透及小幅增加P4L圖11：DRAM與NANDFlash的資本支出rendForceDRAM2026DRAMAIHBM2027SKhynixID12027202620274.5萬片。表3：2026年存儲(chǔ)新增產(chǎn)能有限公司 新晶圓廠地區(qū) 現(xiàn)狀三星P4L韓國三星在韓國新的P4L廠的潔凈室是來自其NANDFlash產(chǎn)線，并計(jì)劃在2025年完成DRAM潔凈室的建026 海力士M15X韓國M15X位于M15旁邊，后者放置了部分硅通孔（TSV）設(shè)備，這一布局將更有利于高帶寬內(nèi)存（HBM）的生產(chǎn)。該晶圓廠計(jì)劃于2025年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Yongin韓國第一階段計(jì)劃于2025年啟動(dòng)建設(shè)，隨后預(yù)計(jì)在2027年第二季度完工，且有望在2027年底前部分助力產(chǎn)能提升。美光A5中國臺(tái)灣目前正計(jì)劃舉行奠基儀式，原因是2025年臺(tái)灣晶圓廠對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）所需設(shè)備的增加，以及對(duì)提升HBM堆疊產(chǎn)能的重點(diǎn)投入，導(dǎo)致現(xiàn)有空間受限。ID1美國這座新晶圓廠位于美國愛達(dá)荷州博伊西市，毗鄰美光公司的研發(fā)中心。其奠基儀式于2024年舉行，新晶圓廠預(yù)計(jì)將在2027年第一季度啟動(dòng)晶圓生產(chǎn)ID2美國第二階段晶圓廠將在第一階段晶圓廠完工后啟動(dòng)建設(shè)，且量產(chǎn)時(shí)間將早于紐約晶圓廠。N.Y.Fab美國該場(chǎng)地目前仍處于籌備階段，奠基流程計(jì)劃于2025年底啟動(dòng)，晶圓廠預(yù)計(jì)將在2030年前進(jìn)入量產(chǎn)階段。roshiFab日本該建設(shè)工程計(jì)劃于2026年啟動(dòng)，這座晶圓廠將用于高帶寬內(nèi)存（HBM）相關(guān)的生產(chǎn)。南亞科技5A中國臺(tái)灣2026年完工，預(yù)計(jì)將于2027年量產(chǎn)。整個(gè)工廠的產(chǎn)能計(jì)劃為4.5萬片。智訊、TrendForceAIGDDR）相比，HBMAIMordorIntelligenceAI海量算力需求催生了對(duì)芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬的更高要求，預(yù)計(jì)到2029年，HBM市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至79.5億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為25.86%。圖12：GDDR5和HBM產(chǎn)品性能指標(biāo)對(duì)比EMDRAMHBM與企業(yè)級(jí)SSD存儲(chǔ)模組：香農(nóng)芯創(chuàng)、江波龍、佰維存儲(chǔ)、德明利等；（2）半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)：受益于芯片國產(chǎn)化，測(cè)試設(shè)備有望迎來放量測(cè)試機(jī)主要應(yīng)用于設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓測(cè)試（CP）和成品測(cè)試（FT）CPFT圖13：測(cè)試機(jī)貫穿集成電路三大生產(chǎn)過程智達(dá)招股測(cè)試機(jī)目前正圍繞系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）和存儲(chǔ)器兩大主流方向發(fā)展。SEMI60%21%圖14：2024年半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域分類占比其他其他,33%存儲(chǔ)器件測(cè)試機(jī),21%SoC（系級(jí)芯片）,60%EMAI202641.9%一是AIAIAI圖15：HPC/AI芯片集成多個(gè)處理器、I/O以及HBM 圖16：AI相關(guān)芯片晶體管數(shù)量高于傳統(tǒng)芯片 德 德3nm架構(gòu)的普及以及Chiplet3Chiplet異SoC圖17：3納米GAA技術(shù)帶來更小工藝節(jié)點(diǎn)與更優(yōu)工藝性能FlashQLC/PLC3DSSD如PCIe5.032GT/s），圖18：HBM堆疊結(jié)構(gòu)C測(cè)試根據(jù)SEMI202523.2%，達(dá)932026年繼續(xù)攀升至97.7（HBM）半導(dǎo)體對(duì)高性能的強(qiáng)勁需求推動(dòng)，這圖19：全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望在2026年達(dá)到97.7億美元EM2024年進(jìn)一步提升至了58%AISOCAI圖20：愛德萬等國際巨頭占據(jù)了市場(chǎng)的主要份額德萬官當(dāng)前，以華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、精智達(dá)為代表的國產(chǎn)廠商，正在共同引領(lǐng)國內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)。長(zhǎng)川科技作為國內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的平臺(tái)型龍頭，公司憑借深厚的技術(shù)積累，其數(shù)字測(cè)試機(jī)D9000已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，性能對(duì)齊外資主流SoC測(cè)試機(jī)。華峰測(cè)控是模擬與功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的隱形冠軍，專注于模擬、數(shù)模混合及功率器件（GaN、SiC、IGBT）賽道。公司于2023年成功推出了面向SoC及高端數(shù)字芯片測(cè)試的全新一代平臺(tái)STS8600，該系統(tǒng)在測(cè)試通道數(shù)、頻率及并行處理能力上實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵性突破。精智達(dá)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件檢測(cè)領(lǐng)域技術(shù)積累深厚，實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)器后道測(cè)試工藝的全覆蓋產(chǎn)品布局，能夠提供系統(tǒng)化解決方案。公司首臺(tái)高速測(cè)試機(jī)成功交付；算力芯片測(cè)試業(yè)務(wù)中，公司已具備SoC測(cè)試機(jī)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略技術(shù)儲(chǔ)備。圖21：長(zhǎng)川科技D9000SoC測(cè)試機(jī)可適應(yīng)用于芯片CP測(cè)試和FT測(cè)試川科技官投資建議：AIC直接推動(dòng)了測(cè)試機(jī)市場(chǎng)的量?jī)r(jià)齊升。具備高精度測(cè)量、高效并行測(cè)試能力及專用芯片等核心技術(shù)壁壘的國產(chǎn)廠商，正加速突破高端測(cè)試領(lǐng)域，推薦精智達(dá)，受益標(biāo)的：長(zhǎng)川科技、華峰測(cè)控等。擁抱能源革命：從英偉達(dá)800V架構(gòu)到磁性元件AIAICPU/GPU5年CPU功耗從130WAI100kWUPS挑戰(zhàn)：能源效率挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)UPS交流供電需經(jīng)過交流-直流-交流至少兩級(jí)變換，每級(jí)變換都會(huì)產(chǎn)生能量損耗，讓電網(wǎng)輸送的電力在最后一公里大幅折損。圖22：功耗提升帶來用電提升據(jù)中心大會(huì)暨展覽圖23：2027年數(shù)據(jù)中心運(yùn)行新增AI優(yōu)化服務(wù)器所需的用電量將達(dá)到2023年的2.6倍artne800VHVDC供電架構(gòu)。UPS→HVDC→巴拿SST800VHVDCSST13.8kV800VSST度、高轉(zhuǎn)換效率（超98.5%）和空間優(yōu)化的核心支撐，也是英偉達(dá)規(guī)劃的2027年全面落地的終極供電方案的核心器件。SST（固態(tài)變壓器）匹配智算中心供電需求。傳統(tǒng)硅鋼變壓器存在體積大、損耗高、響應(yīng)慢三大痛點(diǎn)，已無法適配算力中心高密度、低PUE的需求，固態(tài)變壓器采用電力電子變換+高頻磁元件架構(gòu)，效率提升至98%，較傳統(tǒng)方案高出4-6個(gè)百分點(diǎn)，并能有效縮小體積，實(shí)現(xiàn)毫秒級(jí)功率調(diào)節(jié)，匹配智算中心高效、緊湊、靈活的供電需求。圖24：英偉達(dá)800VHVDC架構(gòu)子發(fā)燒友、英偉圖25：SST等解決方案不斷涌現(xiàn)電電力電子、搜磁性元件是實(shí)現(xiàn)電能和磁能相互轉(zhuǎn)換的電子元器件，有望跟隨SST方案落地迎來放量。磁性元件是指以法拉第電磁感應(yīng)定律為原理，由磁芯、導(dǎo)線、基座等組件構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)電能和磁能相互轉(zhuǎn)換的電子元器件，固態(tài)變壓器采用電力電子變換+高頻磁元件架構(gòu)，其中磁性元件的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法（如磁芯選型、繞組設(shè)計(jì)）是提升SST性能的關(guān)鍵。據(jù)國際能源署與行業(yè)機(jī)構(gòu)測(cè)算，2025年固態(tài)變壓器出貨量約1GW，其中磁元件成本占比約15%-20%。作為能大幅提升電能轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵設(shè)備，固態(tài)變壓器正成為算力中心等場(chǎng)景的優(yōu)選方案，2026年更將迎來規(guī)?；l(fā)展的元年，未來五年有望實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)，進(jìn)一步拉動(dòng)算力領(lǐng)域磁元件需求擴(kuò)容。圖26：服務(wù)器用磁性元件ig-Bit電子變壓器器與電除固態(tài)變壓器配套需求外，算力網(wǎng)拉動(dòng)磁元件規(guī)模增長(zhǎng)，高效算力倒逼磁元件高端化。AI服務(wù)器自身的高功率、高頻化需求推動(dòng)傳統(tǒng)磁元件技術(shù)持續(xù)升級(jí)。算力高效供給要求服務(wù)器向高功率、高密度轉(zhuǎn)型，倒逼磁元件從通用型向定制化高端型升級(jí)。2024年全球人工智能服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模為1251億美元，2025年將增至1587億美元，2028年有望達(dá)到2227億美元。其中，生成式人工智能服務(wù)器占比將從2025年的29.6%提升至2028年的37.7%。服務(wù)器的性能升級(jí)與數(shù)量擴(kuò)張，直接推動(dòng)磁元件用量翻倍。表4：?jiǎn)闻_(tái)服務(wù)器磁元件價(jià)值服務(wù)器類型電感價(jià)值(元/臺(tái))變壓器價(jià)值(元/臺(tái))單臺(tái)磁元件總價(jià)值(元)AI服務(wù)器1000-2000700-8001700-2800普通服務(wù)器50-100200-250250-350ig-Bit電子變壓器器與電磁性元件市場(chǎng)規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大。800V電壓71.931