電子行業(yè)FY26Q1跟蹤報告:業(yè)績及指引大超預(yù)期指引25-28年HBMCAGR達(dá)40%25_第1頁
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文檔簡介

圖1:美光分季度營收增速 圖2:美光分季度毛利及凈利率0

營業(yè)收入(億美元) YoY

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%

80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%

毛利率 凈利率F21Q1F21Q2F21Q3F21Q4F22Q1F22Q2F22Q3F22Q4F23Q1F23Q2F23Q3F23Q4F24Q1F24Q2F24Q3F24Q4F25Q1F25Q2F25Q3F25Q3F26Q1美光 美光F21Q1F21Q2F21Q3F21Q4F22Q1F22Q2F22Q3F22Q4F23Q1F23Q2F23Q3F23Q4F24Q1F24Q2F24Q3F24Q4F25Q1F25Q2F25Q3F25Q3F26Q1圖3:終端市場分析(數(shù)據(jù)中心)美光美光圖5:終端市場分析(數(shù)據(jù)中心-續(xù)圖)美光圖6:終端市場分析(PC)美光圖7:終端市場分析(手機(jī))美光圖8:終端市場分析(汽車)美光圖9:市場展望美光圖10:市場展望(續(xù))美光圖11:FY26Q1指引美光(后附FY2026Q1業(yè)績說明會紀(jì)要全文)附錄:美光FY2026Q1業(yè)績說明會紀(jì)要 時間:2025年12月18日出席:MarkMurphy–執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官SanjayMehrotra–董事長、總裁兼CEOSatyaKumar–公司副總裁、投資者關(guān)系與財務(wù)主管會議紀(jì)要根據(jù)公開信息整理如下:管理層介紹2026AI2026DRAMNANDHBMAIAIAI10AI30%AIHBM、1-GammaDRAMG9NANDAI技術(shù)與運營DRAMDRAMDRAM2026DRAM1-Delta1-Epsilon1-Gamma16GBDDR5產(chǎn)品已通過多家OEM的突破性1-Gamma16GBLPDDR6產(chǎn)品樣品已提供給領(lǐng)先OEM作伙伴,該產(chǎn)品將為邊緣AIAIPC50%1-GammaLP5X24GbOEM1-GammaLP5X16Gb產(chǎn)品。NAND技術(shù):在NAND領(lǐng)域,美光連續(xù)三個技術(shù)節(jié)點處于領(lǐng)先地位,且每個節(jié)點的良率提升速度不斷加快。目前正推進(jìn)G9節(jié)點的量產(chǎn),數(shù)據(jù)中心和客戶端SSDG9QLCQLCNAND2026G9NAND2026G9NANDHBM技術(shù):在美光的HBM產(chǎn)品表現(xiàn)突出,已完成2026日歷年全年HBM供應(yīng)的價格和數(shù)量協(xié)議,包括行業(yè)領(lǐng)先的HBM4產(chǎn)品。HBM4具備行業(yè)領(lǐng)先的每秒11Gb傳輸速度,計劃于2026日歷年第二季度實現(xiàn)高良率量產(chǎn),其在基礎(chǔ)邏輯芯片和DRAMCMOSHBMHBM4EHBM產(chǎn)品路線圖上持續(xù)取得良好進(jìn)展。預(yù)測截至2028HBM的CAGR40%2025350202810002028HBM2024DRAM制造情況更新為應(yīng)對持續(xù)緊張的供需局面,美光正加大全球制造布局投資,計劃將2026財年200180HBM20261-Gamma美國方面,愛達(dá)荷州第一座工廠提前投產(chǎn),預(yù)計2027日歷年中期實現(xiàn)首批晶圓20272026202820262030應(yīng)產(chǎn)品;弗吉尼亞州投資馬納薩斯工廠,以保障汽車和工業(yè)市場所需的LPDDR4X和DDR4METIDRAM新加坡HBM先進(jìn)封裝工廠預(yù)計將于2027日歷年為HBM供應(yīng)做出重要貢獻(xiàn),HBM納入新加坡制造布局后,預(yù)計NAND和DRAM生產(chǎn)將產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)。印度封裝測試工廠已啟動試生產(chǎn),將于2026年逐步量產(chǎn)。數(shù)據(jù)中心AGI2025teens10%20262026NAND10SSD了服務(wù)器內(nèi)存和存儲逐代提升的容量及性能要求。同時,美光是數(shù)據(jù)中心LPDRAMLPDRAM服務(wù)器模組功耗僅為DDRDRAM192GBLPSOCAMM250%LPDRAM50TB。PC領(lǐng)域PC需求持續(xù)受到ows10系統(tǒng)終止支持和AIPC2025PC2026PC1-Gamma16GbDDR5技術(shù)的PCIeGen4QLCSSDOEM智能手機(jī)領(lǐng)域2025AI202512GBDRAM59%DRAMOEM1-Gamma16GbLPDDR61-GammaLP5X24GbOEM1-GammaLP5X16Gb汽車、工業(yè)與嵌入式領(lǐng)域,L2+L3ASILLPDDR5XUFS4.1NAND市場展望AIHBMDDR53:1HBM這些供需因素導(dǎo)致DRAMNAND2025日歷年DRAMNAND2025年DRAM20%區(qū)間teens),NANDteens(teens)。2026日歷年DRAM和NAND20%DRAMNAND財務(wù)情況202613656.8%131.26412209.771514785%,167%。分產(chǎn)品:DRAM:10869%79%DRAM27長22%NAND分部門:云存儲業(yè)務(wù)部門:5339%16%,66%6202451%990個基營收創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)43311%,54%171714運營業(yè)績毛利率:56.8%131.2運營利潤:第一財季64億美元,運營利潤率47%,環(huán)比提升12個基點,同比上升20個百分點。稅費:第一財季所得稅費用9.77億美元,實際稅率15.1%。第一財季非GAAP4.78167%。現(xiàn)金流:2026財年第一季度運營現(xiàn)金流為84億美元,資本支出為45億美元,自由現(xiàn)金流達(dá)39億美元,創(chuàng)下季度紀(jì)錄,較2018財年第四季度的此前紀(jì)錄高出逾20%。庫存:第一季度期末庫存為82億美元,環(huán)比減少1.5億美元,庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為126天;DRAM庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)持續(xù)緊張,低于120天。現(xiàn)金及債務(wù)總額:120155CHIPSAct3股票;同時償還了27億美元債務(wù),包括10億美元定期貸款余額和17億美元優(yōu)先票據(jù)贖回。季度末債務(wù)總額為118億美元,凈現(xiàn)金余額超過2.5億美元。業(yè)績展望DRAMNAND2026202653綜合以上因素,對FY2026Q2第二季度的非公認(rèn)會計原則指引如下:187468%100運營支出:預(yù)計約為13.8億美元,上下浮動2000萬美元。EPS:基于約11.5億股的流通股數(shù),EPS預(yù)計將創(chuàng)下8.42美元的紀(jì)錄,上下浮動20美分。資本支出:預(yù)計2026財年約為200億美元,主要集中在財年下半年。自由現(xiàn)金流:預(yù)計第二季度將進(jìn)一步改善,且2026財年自由現(xiàn)金流將同比顯著增長。稅率:預(yù)計約為15.5%。當(dāng)前指引未包含任何潛在新關(guān)稅可能帶來的影響。結(jié)束語AIAIQ&AD5與HBMNAND閃存。能否介紹一下這些長期協(xié)議的具體情況?協(xié)議期限會延續(xù)到2026年、2027年還是2028年?A:公司正在與多家核心客戶洽談這些多年期合同,合同內(nèi)容涉及DRAM和NANDQ:關(guān)于資本支出,公司將資本支出上調(diào)至200億美元,但目前尚未給出2026全年營收指引,所以公司無法確定資本投入產(chǎn)出比。預(yù)估投入產(chǎn)出比在25%至30%之間,略低于通常參考的35%標(biāo)準(zhǔn)。這是否是因為工廠空間受限?這部分未釋放的資本支出是否會延續(xù)到2027財年,屆時投入產(chǎn)出比會接近35%的水平?A:公司目前沒有提供全年營收指引,2026財年資本支出的增加很大一部分用于DRAM業(yè)務(wù),特別是HBM和1-Gamma節(jié)點的產(chǎn)能爬坡。202520262027Q:公司的資本支出的增長幅度非常保守,而且并沒有大幅提前潔凈室的建設(shè)進(jìn)度。是否受限于潔凈室空間?能否談?wù)劚澈蟮目剂??財能?qū)動的HBM20261-Gamma202650%2026年全年DRAM和NAND從HBM3E向HBM4DRAM和NAND2026202720261-GammaDRAMG9NANDHBM3EHBM42026HBM4HBM3E2026年HBM3EHBM42026年ASICTPUTrainium等的ASICXPUHBM3EHBM4HBM3E的額外增長需求?A:2026HBM3EHBM4HBM2026HBMHBM3EHBM4。2026年HBMHBM的DRAM2028HBM1000HBMHBMHBM。Q:公司的企業(yè)級SSD25%SSDSSD是否更多與推理工作兩的增加相關(guān)?推理工作量的存儲是否高于訓(xùn)練工作負(fù)載?ASDMSSD公司將繼續(xù)通過強(qiáng)大的SSDSSDSSDSSD動企業(yè)級SSD225年的50M%。從營收角度來看,目前HBM占DRAMHBM3明年的競爭格局?是否會因為未來幾個月競爭對手的內(nèi)存產(chǎn)品獲得公開認(rèn)證而調(diào)整戰(zhàn)略決策?A:公司在競爭中非常有利。公司的HBM4/2026HBM3E2025HBMDRAMHBMHBMHBM與非HBM當(dāng)然,HBM業(yè)務(wù)正在快速增長,預(yù)計到2028年其總潛在市場將達(dá)到1000億美HBMHBM在內(nèi)的整個DRAM80月和2月季度HBMAHBM年公司的HBM再次強(qiáng)調(diào),公司的產(chǎn)品定位非常有利,這有助于公司更好地管理整體業(yè)務(wù)組合。Q:關(guān)于業(yè)務(wù)可持續(xù)性,2月季度之后,比如到5月季度,毛利率走勢是會繼續(xù)提升還是保持當(dāng)前水平?如何

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