1、introduction of ic assembly process ic封裝工藝簡介,艾,company logo,ic process flow,customer 客 戶,ic design ic設(shè)計,wafer fab 晶圓制造,wafer probe 晶圓測試,assembly 除了bga和csp外，其他package都會采用lead frame， bga采用的是substrate；,company logo,raw material in assembly(封裝原材料),【gold wire】焊接金線,實現(xiàn)芯片和外部引線框架的電性和物 理連接； 金線采用的是99.99%的高純度金；

2、 同時，出于成本考慮，目前有采用銅 線和鋁線工藝的。優(yōu)點是成本降低， 同時工藝難度加大，良率降低； 線徑?jīng)Q定可傳導(dǎo)的電流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；,company logo,raw material in assembly(封裝原材料),【mold compound】塑封料/環(huán)氧樹脂,主要成分為：環(huán)氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫 模劑，染色劑，阻燃劑等）； 主要功能為：在熔融狀態(tài)下將die和lead frame包裹起來， 提供物理和電氣保護，防止外界干擾； 存放條件：零下5保存，常溫下需回溫24小時；,company logo,ra

3、w material in assembly(封裝原材料),成分為環(huán)氧樹脂填充金屬粉末（ag）； 有三個作用：將die固定在die pad上； 散熱作用，導(dǎo)電作用； -50以下存放，使用之前回溫24小時；,【epoxy】銀漿,company logo,typical assembly process flow,fol/前段,eol/中段,plating/電鍍,eol/后段,final test/測試,company logo,fol front of line前段工藝,back grinding 磨片,wafer,wafer mount 晶圓安裝,wafer saw 晶圓切割,wafer wa

4、sh 晶圓清洗,die attach 芯片粘接,epoxy cure 銀漿固化,wire bond 引線焊接,2nd optical 第二道光檢,3rd optical 第三道光檢,eol,company logo,fol back grinding背面減薄,taping 粘膠帶,back grinding 磨片,de-taping 去膠帶,將從晶圓廠出來的wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到 封裝需要的厚度（8mils10mils）； 磨片時，需要在正面（active area）貼膠帶保護電路區(qū)域 同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；,company logo,fol wafer

5、saw晶圓切割,wafer mount 晶圓安裝,wafer saw 晶圓切割,wafer wash 清洗,將晶圓粘貼在藍膜（mylar）上，使得即使被切割開后，不會散落； 通過saw blade將整片wafer切割成一個個獨立的dice，方便后面的 die attach等工序； wafer wash主要清洗saw時候產(chǎn)生的各種粉塵，清潔wafer；,company logo,fol wafer saw晶圓切割,wafer saw machine,saw blade(切割刀片)： life time：9001500m； spindlier speed：3050k rpm：feed speed：

6、3050/s;,company logo,fol 2nd optical inspection二光檢查,主要是針對wafer saw之后在顯微鏡下進行wafer的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品。,chipping die 崩 邊,company logo,fol die attach 芯片粘接,write epoxy 點銀漿,die attach 芯片粘接,epoxy cure 銀漿固化,epoxy storage： 零下50度存放；,epoxy aging： 使用之前回溫，除去氣泡；,epoxy writing： 點銀漿于l/f的pad上，pattern可選；,company logo,fol d

7、ie attach 芯片粘接,芯片拾取過程： 1、ejector pin從wafer下方的mylar頂起芯片，使之便于 脫離藍膜； 2、collect/pick up head從上方吸起芯片，完成從wafer 到l/f的運輸過程； 3、collect以一定的力將芯片bond在點有銀漿的l/f 的pad上，具體位置可控； 4、bond head resolution： x-0.2um；y-0.5um；z-1.25um； 5、bond head speed：1.3m/s；,company logo,fol die attach 芯片粘接,epoxy write： coverage 75%;,die

8、 attach： placement99.95%的高純 度的錫（tin），為目前普遍采用的技術(shù)，符合 rohs的要求； tin-lead：鉛錫合金。tin占85%，lead占 15%，由于不符合rohs，目前基本被淘汰；,company logo,eol post annealing bake（電鍍退火）,目的： 讓無鉛電鍍后的產(chǎn)品在高溫下烘烤一段時間，目的在于 消除電鍍層潛在的晶須生長（whisker growth）的問題; 條件： 150+/-5c; 2hrs；,晶須,晶須，又叫whisker，是指錫在長時間的潮濕環(huán)境和溫度變化環(huán)境下生長出的一種須狀晶體，可能導(dǎo)致產(chǎn)品引腳的短路。,company logo,eol trim&form（切筋成型）,trim：將一條片的lead frame切割成單獨的unit（ic）的過程； form：對trim后的ic產(chǎn)品進行引腳成型，達到工藝需要求的形狀， 并放置進tube或者tray盤中；,company logo,eol trim&form（切筋成型）,cutting tool& forming punch,cutting die,stripper pad,forming die,1,2,3,4,company logo,eol final visual inspection（第四道光檢）,final visual inspecti