1、第十四章 半導體器件,微博：易水兩岸燈火闌珊,14.1 半導體的導電特性 本征半導體：完全純凈的，晶格完整的半導體 半導體的導電特性：1，光敏性和熱敏性；2，摻雜特性 自由電子（價電子掙脫原子核的束縛，成為自由電子） 空穴（自由電子掙脫束縛之后，共價鍵的中就留下了一個空穴） 載流子：自由電子和空穴，統(tǒng)稱載流子,14.1.2 N型半導體和P型半導體 N型半導體：硅或鍺中摻入磷（或其他正五價元素） 多數載流子（多子）：自由電子 少數載流子（少子）：空穴 P型半導體：硅或鍺中摻入硼（或其他正三價元素 多數載流子（多子）：空穴 少數載流子（少子）；自由電子 不論是N型半導體還是P型半導體，雖然他們都有

2、一種載流子占多數， 但是整個晶體仍然是不帶電的,14.2 PN 結及其單向導電性,PN結加正向電壓（或稱正向偏置） 就是P接高電位，N接低電位，PN結處于導通狀態(tài) 反接的時候，PN結呈現(xiàn)高電阻，處于截止狀態(tài),PN結具有單向導電性,14.3 二極管,P,N,基本結構,二極管的伏安特性,正向電壓很小的時候，正向電流也 很小，幾乎為零。 正向電壓超過了一定的數值之后， 電流增加很快。 這個一定數值的正向電壓，稱為 死區(qū)電壓。 二極管正向導通的時候，正向壓降 不是0。 導通時的正向壓降， 硅管是0.6-0.8V， 鍺管是0.2-0.3V。,反向電壓過高的時候，反向電流會突然增大，二極管失去單向導電性，

3、這種現(xiàn)象稱為 擊穿。,例：輸入端A 的電位是VA=+3V，B的電位是VB=0V，求輸出端Y 的電位VY。 電阻R接負電源-12V。,多個二極管共陰或共陽，陰陽極之間電位差大越大， 越先導通。,先當他是理想二極管（正向壓降位0） A優(yōu)先導通，V=3V 二極管正向壓降為0.3V， A優(yōu)先導通，VY=2.7V,14.4 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)， 有穩(wěn)壓管，必須有限流電阻。,1.穩(wěn)定電壓UZ 注意，穩(wěn)壓值是一個范圍，有一定的分散性 例如，2CW59穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓是10-11.8v. 拿一個穩(wěn)壓管，它可能穩(wěn)壓在10.5V，再取一個 ，可能穩(wěn)壓在11.8V。 2.動態(tài)電阻rZ 動態(tài)電

4、阻俞小，穩(wěn)壓性能愈好。 穩(wěn)壓管接正向電壓的時候就是普通二極管,14.5 雙晶型二極管（三極管） NPN和PNP兩種類型 三個區(qū)：基區(qū)，發(fā)射區(qū)，集電區(qū) 三個極：基極B，發(fā)射極E，集電極C 兩個結（兩個PN 結）：發(fā)射結，集電結,IC= IB,14.5.3 特性曲線 輸入特性曲線,正常工作情況下， NPN型硅管的發(fā)射結電壓UBE=（0.6-0.7）V NPN型鍺管的發(fā)射結電壓UBE=（0.2-0.3）V PNP型鍺管的發(fā)射結電壓UBE=（-0.2- -0.3）V PNP型硅管的發(fā)射結電壓UBE=（-0.6- -0.7）V,輸出特性曲線,1.放大區(qū) IC= IB， 晶體管處于放大狀態(tài)的時候， 發(fā)射結

5、正偏，集電結反偏,+,+,NPN型三極管,VCVBVE,PNP型三極管,+,+,VCVBVE,輸出特性曲線,2.截止區(qū) 發(fā)射結和集電結均反偏 UCEUCC 3.飽和區(qū) 發(fā)射結和集電結均正偏 UCE0,UCE=0,IC= IB,1.對半導體而言，其正確的說法是（c） a.P型半導體中由于多數載流子為空穴，所以他帶正電 b.N型半導體中由于多數載流子為自由電子，所以他帶負電 c.P型半導體和N型半導體本身都不帶電,14.5.1 在放大電路中，若測得晶體管三個極的電位分別為9V，2.5V，3.2V， 則這三個極分別為（2） 1.C，B，E 2.C，E，B 3.E，C，B,硅管,14.5.2 在放大電路中，若測得某晶體管三個極的電位分別為-9V，-6.2V，-6V， 則-6.2V的那個極為（基極）,電位相差不到1V的兩極分別為B和E 且電位位于中