1、太陽電池生產(chǎn)的蝕刻PSG、目錄、蝕刻功能和方法蝕刻工藝設(shè)備、操作工藝和常用化學(xué)物質(zhì)的主要測(cè)試項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)常見問題和解決方法操作規(guī)范，一、蝕刻功能和方法：太陽能電池生產(chǎn)工藝：硅生產(chǎn)線電池生產(chǎn)線組裝生產(chǎn)線蝕刻是太陽電池生產(chǎn)中n型第三工藝，主要作用是擴(kuò)散后消除硅片周圍的n型硅并泄漏psy去除顧名思義，就是去除擴(kuò)散孔p堿玻璃。反射方程式如下：擴(kuò)散后硅p的分布SiO2 6HF=H2SiF6 2H2O，硅晶片，天鵝絨，擴(kuò)散，蝕刻，PSG，PECVD，印刷，燒結(jié)，電池，2、死亡層的存在可以大大增加發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，減少shaozi壽命，降低Voc和Isc。(b)蝕刻方法：目前，晶體硅太陽能電池通常使用干法和濕

2、蝕刻方法。1、干蝕刻法原理干蝕刻是高頻輝光放電反應(yīng)，像擴(kuò)散到需要蝕刻的部分的原子或自由基一樣，將反應(yīng)氣體激活為活性粒子，與蝕刻的物質(zhì)反應(yīng)，形成揮發(fā)性產(chǎn)物并將其去除?？焖倏涛g速度具有同時(shí)獲得優(yōu)秀物理形態(tài)(各向同性反應(yīng))的優(yōu)點(diǎn)。2、濕蝕刻原理是通過化學(xué)反應(yīng)，由輥的搬運(yùn)液體通過硅晶片非韋德蝕刻，一次通過硅180的旋轉(zhuǎn)形成壓印，在位置上刻PN結(jié)以達(dá)到前、后絕緣的目的，可選蝕刻是通過將深PN結(jié)擴(kuò)散到一定深度的淺PN結(jié)，最終通過HF酸槽消除擴(kuò)散過程而產(chǎn)生的硅玻璃層。常見腐蝕機(jī)制為HNO3氧化生成SiO2、HF除灰SiO2?；瘜W(xué)反應(yīng)式： (水通過張力吸附在硅表面上)3si 4h NO3 18 HF 3h 2

3、 si F6 4no 8 H2O 3si 4 HNO 33 SiO 2 4no 2 H2O SiO 2 4 HFS if 4 HFS if 4 H2O si F4 2 HF H2 SIF 6，第二，蝕刻工藝設(shè)備(2)濕蝕刻工藝和常用化學(xué)藥品罐的布置和工藝：上座工作方向帶速度1.58m/min，(3)設(shè)備工作和工藝原理M1:硅片先通過1#模塊的流動(dòng)，進(jìn)入2#模塊，防止水絨面腐蝕； M2:通過化學(xué)反應(yīng)，滾筒的輸送液體經(jīng)過硅片非韋德蝕刻一次硅片180旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行邊緣壓印，切斷現(xiàn)場(chǎng)的PN結(jié)，達(dá)到前后絕緣的目的；M3:清潔；M4:用科赫溶液去除硅表面的多孔硅，去除蝕刻模塊中攜帶的干凈的未沖洗酸。M5:清潔

4、；M601:使用HF去除硅前部的磷硅玻璃層。M602:拋光硅片底面，以與鋁背板形成良好的歐姆接觸。M7:清潔；M8:干燥通過兩個(gè)空氣壓縮泵，通過兩個(gè)過濾(粗過濾，微濾)，最終送去兩個(gè)風(fēng)刀干燥硅，空氣的最終溫度可以達(dá)到40度，作為氣體分子間距離小到發(fā)熱的過程，作為物理變化過程；M9:芯片檢測(cè)，(4)常用化學(xué)品的物理化學(xué)性質(zhì)，(5)影響工藝和調(diào)試方法的因素，3，主要測(cè)試項(xiàng)目和標(biāo)準(zhǔn)1，新藥液必須等到罐溫度達(dá)到設(shè)置，如液體溫度、M8干燥溫度、液體水平高度、電導(dǎo)率等2、投入批量生產(chǎn)前，應(yīng)投入試板，查看實(shí)際腐蝕深度。工序穩(wěn)定后，每2小時(shí)進(jìn)行腐蝕量測(cè)試，這是用電子秤測(cè)量腐蝕前重量，填寫在工程腐蝕深度記錄表上，記錄日期、班次、計(jì)量時(shí)間、傳輸速度，然后投入腐蝕槽執(zhí)行工序。蝕刻后，去除此稱量片，腐蝕后稱量硅片的重量，并填充表格，利用電子表格中的公式直接求出腐蝕深度值。注：電子秤前后兩次計(jì)量前，應(yīng)放在0上，并關(guān)閉天平兩側(cè)的小門。硅片單面腐蝕深度的平均值為2.10.2m，超出范圍時(shí)，立即通知相應(yīng)工人調(diào)整。3、SCHMID維護(hù)周期為5臺(tái)設(shè)備150萬件，濕蝕刻機(jī)器維護(hù)更換藥液后，腐蝕深度記錄表中應(yīng)認(rèn)真填寫更換時(shí)間和更換組。4、硅表面為生產(chǎn)和下降，沒有看不見的臟水、水印、指紋、崩塌、角度不足等缺陷。4，常見問題和解決方法，(a)