非接卡硬件設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)及調(diào)試方法_第1頁
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1、.不看卡片硬件設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)1、線圈設(shè)計(jì)、a、提案設(shè)計(jì)是方形的原因1 :卡片線圈為長(zhǎng)方形,零配件配置容易的原因2:reader的線圈為方形,結(jié)合面積最大化,提高能量傳遞效率。 b、提出設(shè)計(jì)匝數(shù)過多導(dǎo)致要不得、2.3匝數(shù)的原因:對(duì)于匝數(shù)過多導(dǎo)致線圈電感量量過多導(dǎo)致調(diào)試?yán)щy的云同步,由于讀卡器時(shí)的距離較近,讀卡器容易變得困難。非卡硬件設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)、1、線圈設(shè)計(jì)、c、線圈電感量量?jī)?yōu)選維持在1uH的原因:在這種情況下,匹配的容許值大,有寬范圍的調(diào)節(jié)馀地,這也是OBU非線圈設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)值。 d、線圈面積可以不太大的理由:因?yàn)镺BU的reader一般是近距離卡,所以即使結(jié)合面積不太大,也能滿足穩(wěn)定的讀卡機(jī)

2、的需要。在一般應(yīng)用中,線圈尺寸超過3cm x 3cm時(shí),以2cm的距離穩(wěn)定讀卡尺寸超過2.5cm x 2.5cm的話,可以在1.5cm的距離讀取穩(wěn)定的卡片。 注意:現(xiàn)在OBU線圈一般大于5.2cm x 2.5cm,但讀卡的距離一般在0.5cm以內(nèi),因此在之后設(shè)計(jì)OBU線圈時(shí)能夠縮小線圈面積。非卡硬件設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)1、線圈設(shè)計(jì)、e、線圈質(zhì)量因素設(shè)計(jì)是2030的理想原因:對(duì)于電感耦合式天線,其尺寸不變時(shí),質(zhì)量因素品質(zhì)因子越大,意味著天線線圈的電流強(qiáng)度越大,輸出越強(qiáng),讀寫距離越遠(yuǎn)。 同時(shí),天線的傳輸帶寬b與質(zhì)量因子q成反比。 質(zhì)量系數(shù)過高時(shí),帶寬縮小,并且讀取器-寫入器的調(diào)制邊頻帶信號(hào)寬度降低,使得讀

3、取器-寫入器不能與卡通訊。 當(dāng)環(huán)形天線與5.0負(fù)載相連時(shí),品質(zhì)因子優(yōu)選地小于或等于3.0。 為了優(yōu)化天線的性能。 讀寫器匹配電路的駐波比應(yīng)小于1:1.2。 因此,質(zhì)量因素通常被設(shè)計(jì)為2030,并能夠用向量網(wǎng)絡(luò)分析裝置來進(jìn)行測(cè)量。非卡硬件設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)、1、線圈設(shè)計(jì)、f、reader收發(fā)通訊端口為差分形式時(shí),證明線圈最好設(shè)計(jì)為對(duì)稱模式,非對(duì)稱式線圈和差分線圈沒有明顯的差異,雖然仍受電感量和阻抗的匹配限制,但為差分形式reader與線圈分離,芯片和芯片的周邊試圖放置在線圈天線外,不讀卡的芯片制造商還沒有試圖,但是在新的OBU設(shè)計(jì)時(shí)在這方面可以研究,應(yīng)該注意的是,采用這個(gè)方式、非讀卡器的硬件設(shè)計(jì)注意

4、事項(xiàng)、2、reader模塊的版結(jié)構(gòu)布線、a、reader模塊的周圍需要留下一定范圍的信號(hào)隔離區(qū)域,讀卡器的四口需要一定的空白區(qū)域,具體的空白空間有多少未知,空白空間多然而,干擾的其他信號(hào)的強(qiáng)度顯著降低,并且因?yàn)镺BU的小型化趨勢(shì)顯著,所以在reader模塊中浪費(fèi)掉的區(qū)域并不是大得多,只要盡可能地大就可以。 b、電源線和接地線的布線位置盡可能接近,即布線時(shí)盡可能縮小電源接地電路間的面積,采用并行行走的方式,可以有效地避免電源和接地之間來自線圈的耦合干擾。非卡硬件設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)、2、reader模塊的版結(jié)構(gòu)布線、c、注意結(jié)晶及其耦合電容位置的配置,由于芯片驅(qū)動(dòng)天線的頻率與結(jié)晶不同,輻射功率大,特別是

5、結(jié)晶及其耦合電容的版結(jié)構(gòu)位置和噪聲隔離,建議留心。 水晶匹配電容接近水晶,必須遠(yuǎn)離數(shù)字控制線、電源線等干擾源。 d、reader模塊在盡可能遠(yuǎn)離以其他頻率工作的外圍設(shè)備即布線的情況下,reader的周圍不包含其他的13.56M以外的時(shí)鐘線,例如ESAM的4.5M時(shí)鐘和SPI本身, 在布線過程中reader自身和MCU通訊的數(shù)據(jù)線也盡量遠(yuǎn)離線圈,與線圈平行行走的距離少,與線圈垂直的信號(hào)線(包括電源、南非蘭特)耦合的13.56M的射頻波成分要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于平行行走時(shí)耦合的能量。非讀卡器的硬件調(diào)試方法,1,非讀卡器的硬件組織形式,讀卡器的線圈并聯(lián)電容Cp是c07c08c12的3個(gè)電容并聯(lián)的等效電容值串聯(lián)

6、電容Cs=C306=C309接收電路反饋分壓電阻Rr包括R302和R304 2、非讀卡器的調(diào)試?yán)щy的理論根據(jù)a,接收方:卡的線圈不一致,能量結(jié)合不一致,不能喚醒卡,喚醒后卡恢復(fù)的能量超過reader的接收動(dòng)態(tài)范圍也是卡b、發(fā)送端: reader自身的輸出通訊端口阻抗不一定,隨著輸出電流的增加,輸出阻抗也增加,影響天線匹配結(jié)果,影響卡成功率,非卡的硬件調(diào)試方法,2、非卡調(diào)試主要需要知道線圈的電感量量Lcoil、天線設(shè)計(jì)的質(zhì)量因素q、匹配的并聯(lián)電容Cp、串聯(lián)電容Cs和接收串聯(lián)分壓電阻Rr,具體而言,需要知道以下的文檔SKY1301_天線匹配設(shè)計(jì). xls :非讀卡器的硬件調(diào)試方法,2,實(shí)際調(diào)試過程

7、的一些經(jīng)驗(yàn)和方法,影響1311/1301讀卡器的主要參數(shù):發(fā)射強(qiáng)度、接收電場(chǎng)強(qiáng)度、諧振頻率、讀卡器噪聲。 a、發(fā)射地點(diǎn):發(fā)射場(chǎng)強(qiáng)度越大,越容易實(shí)現(xiàn)高倍速卡片,但是電場(chǎng)強(qiáng)度過大,卡片讀取噪聲增大,毛刺和拖尾現(xiàn)象嚴(yán)重,卡片讀取容易發(fā)生重定徑套錯(cuò)誤。 調(diào)整方法:并聯(lián)電容Cp影響發(fā)射場(chǎng)強(qiáng)度,電容越大,發(fā)射場(chǎng)強(qiáng)度越大,但也有界限值,超過界限值,電場(chǎng)強(qiáng)度減少。 SKY1301_TX發(fā)送驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)一定振幅交流差分電壓輸出,輸出通訊端口為低阻抗設(shè)計(jì):在輸出電流80 mA的情況下為Rout 5 ohm。 隨著輸出電流的增大,輸出電阻的增大會(huì)影響天線匹配結(jié)果。非讀卡器的硬件調(diào)試方法、2、實(shí)際調(diào)試過程的一些經(jīng)驗(yàn)和方

8、法,以及1311/1301讀卡器的主要參數(shù):發(fā)射強(qiáng)度、接收電場(chǎng)強(qiáng)度、諧振頻率、影響讀卡器噪聲。 b、接收方:接收電場(chǎng)強(qiáng)度的大小因情況而異,過小,容易發(fā)出無法接收卡回復(fù)的信號(hào),如果過大,在讀文件時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤,需要提高卡和OBU的距離。 調(diào)試方法:接收電路反饋分壓電阻Rr影響接收電場(chǎng)強(qiáng)度,SKY1301_RX接收采用包絡(luò)檢測(cè)器結(jié)構(gòu)。 輸入信號(hào)是通過片外電阻Rr和片內(nèi)500ohm電阻對(duì)線圈交流電壓進(jìn)行分壓來實(shí)現(xiàn)的。 該值越大,接收電場(chǎng)強(qiáng)度越小。 總電阻對(duì)匹配品質(zhì)因子有影響。非讀卡器的硬件調(diào)試方法、2、實(shí)際調(diào)試過程的一些經(jīng)驗(yàn)和方法,以及1311/1301讀卡器的主要參數(shù):發(fā)射強(qiáng)度、接收電場(chǎng)強(qiáng)度、諧振頻率

9、、影響讀卡器噪聲。 c、共同的影響:共振頻率有無負(fù)載和無負(fù)載,調(diào)試時(shí)一般以無負(fù)載為例。 無負(fù)荷時(shí)將共振點(diǎn)向左移動(dòng),便于讀卡。 由于錄音帶載波時(shí)的TX耦合相位比石英晶體諧振器慢,所以在看卡時(shí)線圈上的耦合能量變?nèi)?,振幅降低,石英振?dòng)相位對(duì)其產(chǎn)生較大作用,頻率點(diǎn)和相位向右偏移,所以在無負(fù)載調(diào)整時(shí)需要使線圈載波頻率點(diǎn)和相位稍微向左偏移。 調(diào)試方法:串聯(lián)電容Cs影響頻率點(diǎn)和相位,當(dāng)串聯(lián)電容越大,頻率越大,相位越向左移動(dòng)超過一定值時(shí),相位向左移動(dòng),頻率減少。非讀卡器的硬件調(diào)試方法、2、實(shí)際調(diào)試過程的一些經(jīng)驗(yàn)和方法,以及1311/1301讀卡器的主要參數(shù):發(fā)射強(qiáng)度、接收電場(chǎng)強(qiáng)度、諧振頻率、影響讀卡器噪聲。 c、噪聲的影響:可以通過芯片上的MFOUT輸出波形進(jìn)行判定。如果解調(diào)后的波形中發(fā)生了很多噪聲,可以說明收發(fā)錯(cuò)誤,并通過減小發(fā)射場(chǎng)的強(qiáng)度和接收電場(chǎng)強(qiáng)度來進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)然也不會(huì)過低,以免驚醒卡。 調(diào)試方法:適當(dāng)減小并聯(lián)電容Cp,或者適當(dāng)增

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