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文檔簡介

1、,1、N型硅的雜質(zhì)電離能D=0.045ev(摻磷),求: (1)它吸收的長波限? (最大響應(yīng)波長) (2)若半導(dǎo)體的長波限為14m,求雜質(zhì)的電離能?,2、0.5 lm的光均勻照射到面積為4cm2的光敏面上,問光敏面的照度為多少?,3、一只波長為632.8nm的He-Ne激光器(該波長視見函數(shù)為V()=0.265)所發(fā)射 通量為e()=5mW,若投射到屏幕上的光斑直徑為0.1m,求光照度是多少?,4、硅的禁帶寬度Eg = 1.1ev,當(dāng)摻入少量雜質(zhì)磷( D=0.045ev )后,產(chǎn)生一 雜質(zhì)能級。分別求出該雜質(zhì)半導(dǎo)體的本征吸收與雜質(zhì)吸收的長波限。,5、若光電探測器件在10-6W/m2的輻射照度下

2、,其輸出端的信噪比S/N=10,若其 光敏面積為2mm2,試求其噪聲等效功率NEP。,6、有一硅光電二極管,其光敏面積為2mm2,在室溫下測得輸出光電流為15A (一般硅光電二極管的靈敏度SI=0.5 A/ W),其散粒噪聲與熱噪聲的總噪聲 電流為3nA。若測量系統(tǒng)的帶寬f = 1Hz時,試求探測率D與比探測率D* ?,7、某光電探測器件的光敏面直徑為0.5cm,比探測率D* = 1011cmHz1/2/W,將它 用于f = 5KHz的光電儀器系統(tǒng)中,問它能探測的最小輻射功率為多少?,8、某光電倍增管PMT的陽極靈敏度Sa = 100A/lm,其陽極輸出電流要求限制在 100A內(nèi)。問其陰極面上最大允許的光通 量為多少?,9、若PMT的陽極靈敏度Sa = 10A/lm ,陰極靈敏度Sk = 20A/lm ,其倍增極為 11級。若各極由同一材料制成,其電子收集效率為1,問各倍增極的二次電子 發(fā)射系數(shù)為多少?,10、已知某PMT的光陰極面積為2cm2,陰極靈敏度Sk = 20A/lm ,放大倍數(shù)M= 105,陽極額定電流為Ia 200A,試求允許的最大光照度Em = ?,11、某光敏電阻的暗電阻為600K

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