1、第三章邏輯門(mén)電路，第一邏輯門(mén)電路2 TTL集成門(mén)電路3 MOS集成門(mén)電路，第一邏輯門(mén)電路，門(mén)：開(kāi)關(guān)。門(mén)電路：控制信號(hào)通過(guò)或不通過(guò)的電路。1，器件的開(kāi)關(guān)作用，2，半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性，開(kāi)關(guān)作用，D偏轉(zhuǎn)為UD 0.7V，硅管UD 0.3V，鍺管，D半偏轉(zhuǎn)截止UD大電路分離，注3360講座以無(wú)特殊指示的硅管為例。反壓力相加，形成更大的I2。之后，隨著接合電阻的增加，回流逐漸減少到泄漏電流Is。反向恢復(fù)進(jìn)程：反向恢復(fù)時(shí)間tre，說(shuō)明：切換時(shí)間：較大D的切換時(shí)間為tre。Vi的最大頻率值為10 tre。3、半導(dǎo)體三極管的開(kāi)關(guān)特性、開(kāi)關(guān)角色、拋光、飽和、放大、Vbe Vbc、逆偏轉(zhuǎn)、ibic 0、開(kāi)關(guān)分

2、離、正負(fù)偏置、IC IB、線性放大。正偏置、IB Ibs、交換機(jī)關(guān)閉。開(kāi)關(guān)(繼續(xù))，臨界飽和：飽和系數(shù)：b越大，飽和越深。相反，飽和是淺的。在Vbc0 V中，T處于臨界飽和。例如，1:計(jì)算電路的臨界飽和電流。=30 Vces=0.7V，動(dòng)態(tài)特性，T開(kāi)始：結(jié)束傳導(dǎo)，電荷設(shè)置時(shí)間ton傳導(dǎo)存儲(chǔ)電荷消亡時(shí)間toff，開(kāi)關(guān)時(shí)間：說(shuō)明：切換時(shí)間，4，基本門(mén)電路，對(duì)應(yīng)于三個(gè)茄子基本邏輯運(yùn)算，3，負(fù)邏輯，說(shuō)明：前面介紹的所有基本門(mén)電路都定義為正邏輯。相同的邏輯語(yǔ)句電路具有不同的邏輯定義實(shí)現(xiàn)的邏輯功能。在數(shù)字系統(tǒng)中，采用正邏輯或使用負(fù)邏輯，混合使用會(huì)渡邊杏。牙齒書(shū)采用正邏輯系統(tǒng)。低電位0，高功率1，門(mén)電路的輸

3、入，輸出電壓定義為：低電位1，高電位0，5，邏輯約定，正負(fù)邏輯轉(zhuǎn)換示例，1。奇數(shù)級(jí)別，前后顛倒，2。相互抵消，3 .門(mén)或門(mén)，2 TTL集成門(mén)電路(和非文字)，集成門(mén)電路按開(kāi)關(guān)元件分類(lèi)，集成：電晶體，電阻，1，電路，多個(gè)發(fā)射極輸入級(jí)別，中間反轉(zhuǎn)階段，推拉輸出級(jí)別，輸出級(jí)別：T3，T4其中T3、T4構(gòu)成復(fù)合管道，T5構(gòu)成推拉輸出結(jié)構(gòu)，1V，Vb1=0.3 0.7=1V，3.6，3.6，0.3，2，工作原理，T1深度飽和T2涂層T5涂層，1。輸入低級(jí)別(0.3V)時(shí)，1。低級(jí)別(3.6V)輸入時(shí)(繼續(xù))，T1深度飽和T2涂層T5涂層，T3未飽和T4放大，結(jié)論1:輸入低時(shí)輸出高，T1:反轉(zhuǎn)，VB1=T

4、1管道3360 ve1=3.6v vb1=2輸入時(shí)總高平面(3.6V)時(shí)(繼續(xù))，3.6V，t 13360反轉(zhuǎn)，t 23360飽和T53360工作原理摘要：輸入低水平(0.3V)時(shí)VF=3.6V，2。完全高標(biāo)準(zhǔn)(3.6V)輸入時(shí)VF=0.3V，T1:倒置T2:飽和T:放大T4:拋光T53330 3。輸入多發(fā)射極的作用，TTL集成門(mén)在輸入級(jí)使用電晶體多發(fā)射臺(tái)，其作用是： 1。參數(shù)一致性好。2.減少體積。3.縮短T2飽和到拋光的切換時(shí)間，加快轉(zhuǎn)換過(guò)程。(即，加速度輸入是從整個(gè)“1”輸入到“0”的轉(zhuǎn)換過(guò)程)，輸入多發(fā)射極的作用(繼續(xù))，5V，F(xiàn)，1V，集電極電流，1.4V，基本電荷迅速消失，T2閉合

5、，VCC，VA=，VB=，輸出級(jí)推拉電路不僅提供了較大的負(fù)載容量，在進(jìn)行水溶性負(fù)載的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，還可以生成相對(duì)較大的充電放電電流，產(chǎn)生陡峭的升降邊緣，提高整個(gè)電路的開(kāi)關(guān)速度。4 .推拉輸出電路的作用、T5深度飽和、集電極電流均可用于驅(qū)動(dòng)負(fù)荷。輸出電阻為T(mén)5的飽和C-E電阻，電阻小，負(fù)載能力強(qiáng)。輸出低平日時(shí)：有容量負(fù)荷時(shí)放電快，形成陡降。輸出高工作日時(shí)：T4位于放大區(qū)域，在古裝劇輸出狀態(tài)下工作，配置電壓跟蹤器，遵循VCC，輸出穩(wěn)定，負(fù)載能力強(qiáng)。電容負(fù)載時(shí)充電快，形成陡峭的上升線。TTL集成電路的外部特性：電壓傳輸特性VO=f(Vi)I/o特性，VOH輸出高電平，VOL輸出低電平，輸入伏安特性ii

6、=f(Vi)，輸入負(fù)載特性Vi=f(Ri)，擺動(dòng)電阻RRI Vb2上升VC2，AB段：截止區(qū)域，VI0.6V，Vb11.3V，T2，T5截止，輸出高平度VOH=3.6V，CD段：轉(zhuǎn)折，Vi=1.4V，T2，T2 ，DE部分：飽和區(qū)域，Vi1.4V VO0.3V，產(chǎn)品規(guī)格值：VOL0.4V典型值3360 VOL0.3V標(biāo)準(zhǔn)高： VOL=VSL=0.4V，1。VOH和VOL是特定門(mén)輸出的高低級(jí)電壓值的要求。2.高電平表示一種狀態(tài)，低電平表示另一種狀態(tài)，一種狀態(tài)對(duì)應(yīng)于特定電壓范圍，而不是固定值。，說(shuō)明：幾個(gè)茄子參數(shù)(繼續(xù))，VOFF語(yǔ)句水平：VON語(yǔ)句水平：VT語(yǔ)句脊水平：VT語(yǔ)句是輸出保證為高電平時(shí)允許的最大輸入低級(jí)值。VOFF0.8V和非文字是輸出保證為低電平時(shí)允許的最小輸入高電平值。VON2 V，牙齒時(shí)輸入低，牙齒時(shí)輸入全高，噪音容差，定義：高平時(shí)音容差VNH VSH VON 2.420.4V低水平噪聲容差VNL VOFF VSL 0.80.4V0.4V，高輸出保證，低水平特性，4，輸入/輸入/輸出容差、設(shè)定正向，輸入低，T2結(jié)束。輸入電壓電流特性(繼續(xù)2)，輸入泄漏電流輸入大電流(IIH)，IR1，Ii，-1.4mA，IC1，