6.1 模擬集成電路中的直流偏置技術(shù).ppt_第1頁(yè)
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1、,6.1 模擬集成電路中的直流偏置技術(shù),6.1.1 BJT電流源電路,6.1.2 FET電流源,1. 鏡像電流源,2. 微電流源,3. 高輸出阻抗電流源,4. 組合電流源,1. MOSFET鏡像電流源,2. MOSFET多路電流源,3. JFET電流源,6.1.1 BJT電流源電路,1. 鏡像電流源,T1、T2的參數(shù)全同,即12，ICEO1ICEO2,當(dāng)BJT的較大時(shí)，基極電流IB可以忽略,IoIC2IREF,代表符號(hào),6.1.1 BJT電流源電路,1. 鏡像電流源,動(dòng)態(tài)電阻,一般ro在幾百千歐以上,6.1.1 BJT電流源電路,2. 微電流源,所以IC2也很小。,rorce2（1 ）,（參考

2、射極偏置共射放大電路的輸出電阻 ）,A1和A3分別是T1和T3的相對(duì)結(jié)面積,動(dòng)態(tài)輸出電阻ro遠(yuǎn)比微電流源的動(dòng)態(tài)輸出電阻為高,6.1.1 BJT電流源電路,3. 高輸出阻抗電流源,6.1.1 BJT電流源電路,4. 組合電流源,T1、R1 和T4支路產(chǎn)生基準(zhǔn)電流IREF,T1和T2、T4和T5構(gòu)成鏡像電流源,T1和T3，T4和T6構(gòu)成了微電流源,6.1.2 FET電流源,1. MOSFET鏡像電流源,當(dāng)器件具有不同的寬長(zhǎng)比時(shí),（=0）,ro= rds2,MOSFET基本鏡像電路流,6.1.2 FET電流源,1. MOSFET鏡像電流源,用T3代替R，T1T3特性相同，且工作在放大區(qū)，當(dāng)=0時(shí)，輸出電流為,常用的鏡像電流源,6.1.2 FET電流源,2. MOSFET多路電流源,6.1.2 FET電

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