1、斷棱的原因及采取的措施,斷棱的原因及采取的措施,斷棱的原因： A：極限真空、漏氣率達(dá)不到要求 B：設(shè)備故障 C：縮頸位錯(cuò)排除不干凈 D：吃渣 E：操作不當(dāng) F：熱場梯度不合適,極限真空、漏氣率達(dá)不到要求,原因： 1.存在僥幸心理。 采取措施：嚴(yán)格執(zhí)行工藝條件 2.密封清理不干凈 采取措施：重新清理密封 3.泵油沒及時(shí)更換；過濾網(wǎng)沒有清掃 采取措施：更換泵油 4.其它原因，請(qǐng)維修部檢修,設(shè)備故障,機(jī)械故障 液面震動(dòng)；堝升不合適等。 電器故障 拉速不穩(wěn)；晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)不穩(wěn)；歐陸有自動(dòng)升降溫現(xiàn)象等。 采取措施：找維修人員維修,縮頸位錯(cuò)排除不干凈,引晶的目的：引入一定向晶核，對(duì)于我公司的產(chǎn)品型號(hào)是P型，晶

2、向是 縮頸的目的：引出的單晶存在著大量的位錯(cuò)，通過縮細(xì)頸可有效地排除位錯(cuò)，保證無位錯(cuò)單晶的生長。,如何引晶、縮細(xì)頸,引晶 1.保證籽晶無氧化、表面干凈 2.熔硅時(shí)使籽晶遠(yuǎn)離高溫區(qū)，避免籽晶污染和新的位錯(cuò)產(chǎn)生。 3.多晶硅熔完后，籽晶下降到離液面1020毫米，烘510分鐘，使籽晶溫度接近熔硅溫度。 4.調(diào)整液面溫度，待溫度合適時(shí)，籽晶點(diǎn)入熔體5毫米左右，停留穩(wěn)定至少10分鐘，讓其充分熔接。,如何引晶、縮細(xì)頸,縮細(xì)頸 待溫度合適時(shí)，逐漸上提拉速引出一段晶體，確認(rèn)是要求的晶向，并且是單晶開始縮頸。 縮頸的要求： 1.拉速2.54.0毫米/分最好 2.細(xì)頸的直徑2.54.5毫米 3.細(xì)頸的長度100毫

3、米以上 4.縮頸時(shí)位錯(cuò)排除不徹底，放肩時(shí)到轉(zhuǎn)肩200毫米時(shí)會(huì)斷棱，因?yàn)槲诲e(cuò)會(huì)擴(kuò)張長大。 5.熔硅溫度的起伏和縮頸速率的起伏，均會(huì)產(chǎn)生新的位錯(cuò),吃渣,當(dāng)晶體在生長過程中遇到外來的渣點(diǎn)原來生長的單晶的晶格將被破壞，使原來的單晶變?yōu)槎嗑?，?duì)于晶向即所謂的斷棱。 渣點(diǎn)的來源 1.原料內(nèi)存在的石英、石墨及多晶料殘留的水痕、酸痕。 2.爐室清掃的不干凈，殘留的渣點(diǎn)落入液面造成斷棱。 3.導(dǎo)流筒內(nèi)外表面清掃的不干凈，殘留的渣點(diǎn)落入液面造成斷棱。 4.氬氣不純、漏氣、漏水生成的SiO 5.抽氣速率低生成的揮發(fā)物排除的不及時(shí)。,避免吃渣采取的措施,1.裝料時(shí)要認(rèn)真檢查原料是否有石英、石墨，盡量避免熔硅時(shí)的搭橋、掛邊，檢查原料是否清洗干凈。 2.爐室及導(dǎo)流筒的內(nèi)、外表面必須清掃干凈，必要時(shí)要用沙紙把表面過多的揮發(fā)物要進(jìn)行清理。 3.嚴(yán)格按操作工藝要求操作，認(rèn)真檢查爐臺(tái)各部分的密封，并按工藝要求進(jìn)行清理。 4.對(duì)于抽氣率、漏氣率要嚴(yán)格按工藝要求執(zhí)行。 5.認(rèn)真觀察拉晶過程中爐內(nèi)的運(yùn)行情況，并做好記錄，存在的問題要及時(shí)處理。 6.必要時(shí)要掉出一部分料沾出一些渣點(diǎn)，高溫?fù)]發(fā)一段時(shí)間,操作不當(dāng),1.引晶、縮頸位錯(cuò)排除的不徹底 2.放肩速度不合適，溫度、拉速控制不當(dāng) 3.轉(zhuǎn)肩沒有掌握要領(lǐng) 4.裝爐檢查不仔