1、,第二節(jié) 透射電子顯微分析方法（TEM）,Advanced Analysis ,變倍放大圖像獲得方法,電子槍,樣品,照明源,聚光鏡2,物鏡,中間鏡2,投影鏡,熒光屏或照相底片,選區(qū)光闌,聚光鏡1,中間鏡1,變倍放大圖像獲得技術：成像系統(tǒng)的操作,Advanced Analysis & Computation Center,Advanced Analysis & Computation Center,透射電鏡的電子衍射技術-晶體試樣,選區(qū)電子衍射SAD微米級微小區(qū)域結構特征,會聚束衍射CBED納米級微小區(qū)域結構特征,入射束,衍射束,透射束,（hkl）,d,Nhkl,晶體,2,2dhkl sin=n

2、,電子衍射基本原理（布拉格定律）,電子槍,樣品,照明源,聚光鏡2,物鏡,中間鏡2,投影鏡,熒光屏或照相底片,選區(qū)光闌,聚光鏡1,中間鏡1,電子衍射花樣獲得技術：中間鏡1的操作,C A O B,B O A C,樣品,物平面,物鏡,物鏡光闌,背焦面（衍射花樣）,選區(qū)光闌,像平面,000,hkl,2,（樣品像）,選區(qū)電子衍射獲得技術,1、晶體樣品形貌特征和微區(qū)晶體學性質得到同時反映； 2、電子衍射花樣直觀反映晶體的點陣結構和位向； 3、電子衍射花樣：多晶體不同半徑的同心圓環(huán)；單晶體排列整齊的斑點；,選區(qū)電子衍射分析技術特點,鐵/碳管，鐵/碳氮管的結構分析：低倍，衍射與高分辨,碳氮管+鐵,碳管+鐵,微

3、衍射定性分析碳管內部的金屬顆粒。,Advanced Analysis & Computation Center,圖1/|Sialon復相陶瓷TEM照片(a)及|Sialon,Sialon晶粒在001方向的選區(qū)電子衍射花樣(b,c)。為|Sialon，為|Sialon,入射束,樣品,物鏡,背焦面,光闌,像平面,hkl,000,IA0,IBIhkl,B A,中心暗場衍襯成像操作,1、顯示樣品內組成相的結構、位向和晶體缺陷； 2、圖像的襯度特征取決于用以成像的某一特定衍射束的強度； 3、圖像的獲得和解讀皆有賴于被觀察視域選區(qū)電子衍射花樣的正確辨認和分析；,明暗場圖像分析技術特點,Advanced A

4、nalysis & Computation Center,圖1是用分子束外延生長方法，在Al2O3襯底上生長MgO薄膜的異接材料中，MgO/Al2O3界面的高分辨像。圖中可得到有關界面的粗糙度、共格性和缺陷結構以及界面的原子結構等重要信息；,MgO,Al2O3,Advanced Analysis & Computation Center,48,BEI/SEI 檢測器 (微通道板)（選購件）,JEOL EDS 檢測器 （選購件）,樣品桿,選區(qū)光闌（中間鏡光闌）,CL aperture,硬X射線光闌 (用于EDS分析)(選購件）,物鏡光闌 (用于EDS分析時的高反差成像),磁棱鏡（選購件),5-軸馬達驅動測角臺,防污染液氮冷阱,馬達驅動后焦面物鏡光闌 (位于鏡筒后面)（選購件）,精煉的鏡筒設計,H-7650透射電鏡+EDS,黃瓜葉片細胞（鎘污染）,大豆葉片細胞（鉻污染）,環(huán)境污染導致銅、鋁、鉛、鎘等重金屬積累 污染土壤的生物修復是目前熱門課題,Advanced Analysis & Computation Center,Advanced Analysis & Computation Center,Adva