1、集成電路版圖基礎(chǔ)電容版圖設(shè)計(jì),光電工程學(xué)院王智鵬,一、電容概述,電容器，能夠存儲(chǔ)電荷的器件。 單位：法拉（F）,兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會(huì)形成電容,電容充電,二、MOS集成電路中的電容器,MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式： C = oox/toxWL =C0WL o、ox、tox由材料性質(zhì)以及絕緣層的厚度決定，絕緣層越薄單位電容越大。 式中W和L是平板電容器的寬度和長(zhǎng)度，二者的乘積即為電容器的面積。,1、基本電容版圖,下極板,上極板,引線孔,注意，集成電路中電容值的計(jì)算，應(yīng)計(jì)算有效極板面積。即上、下極板之間重疊的面積,2、MOS集成電路中常用的電容：,（

2、1）擴(kuò)散電容 單層多晶工藝使用的方法。淀積多晶硅前先摻雜下電極板區(qū)域，再生長(zhǎng)柵氧化層和淀積作上電極的多晶硅 多晶硅-擴(kuò)散區(qū)電容器；N阱電容,N阱電容的優(yōu)缺點(diǎn) 單位電容值大 電容值隨上極板（多晶硅柵）上的電壓改變而改變 N阱與P型襯底之間形成平行極板，產(chǎn)生寄生電容,由于擴(kuò)散電容的結(jié)構(gòu)與MOS管相似，可以將MOS管的柵源漏電極進(jìn)行適當(dāng)連接構(gòu)成有源電容，起擴(kuò)散電容的作用 MOS管的溝道面積即為電容面積,（2）同質(zhì)材料電容器 分別使用兩層金屬或兩層多晶硅作為電容器的上下極板，氧化層作為絕緣介質(zhì) 金屬電容；雙多晶硅電容 能夠有效減小寄生電容，但金屬電容器單位電容值較小，,（3）疊層電容器 利用metal1或第二層多晶硅覆蓋在第一層多晶硅之上形成第三層極板，增大電容值。 金屬-多晶硅-擴(kuò)散區(qū)電容,3、電容值誤差邊緣電容,理想平板電容器的電場(chǎng)線是直線，但實(shí)際情況下，在靠近邊緣地方的會(huì)發(fā)生彎曲，越靠近邊緣，彎曲越嚴(yán)重。稱為極板邊緣效應(yīng)。 極板邊緣處的電場(chǎng)分布不均勻，造成電容的邊緣效應(yīng)，這相當(dāng)于在電容里并聯(lián)了一個(gè)附加電容。,由于集成電路中電容器上下極板交錯(cuò)分布，面積不等，極板邊緣效應(yīng)更加明顯 為了減小邊緣電容的影響，版圖設(shè)計(jì)中盡量不拆分電容,關(guān)于實(shí)驗(yàn),一次版圖分析實(shí)驗(yàn)，三次版圖設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) 版圖分析實(shí)驗(yàn)報(bào)告應(yīng)有實(shí)驗(yàn)結(jié)果為分