1、由于器件里的耗盡層受到了電壓影響，電容Cgs和Cgd隨著所加電壓的變化而變化。然而相對于Cgd，Cgs受電壓的影響非常小，Cgd受電壓影響程度是Cgs的100倍以上。如圖10所示為一個(gè)從電路角度所看到的本征電容。受柵漏和柵源電容的影響，感應(yīng)到的dv/dt會(huì)導(dǎo)致功率管開啟。圖10.功率管的本征電容簡單的說，Cgd越小對由于dv/dt所導(dǎo)致的功率管開啟的影響越少。同樣Cgs和Cgd形成了電容分壓器，當(dāng)Cgs與Cgd比值大到某個(gè)值的時(shí)候可以消除dv/dt所帶來的影響，閾值電壓乘以這個(gè)比值就是可以消除dv/dt所導(dǎo)致功率管開啟的最佳因數(shù)，APT功率MOSFET在這方面領(lǐng)先這個(gè)行業(yè)。Ciss：輸入電容將

2、漏源短接，用交流信號(hào)測得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成，或者Ciss = Cgs +Cgd當(dāng)輸入電容充電致閾值電壓時(shí)器件才能開啟，放電致一定值時(shí)器件才可以關(guān)斷。因此驅(qū)動(dòng)電路和Ciss對器件的開啟和關(guān)斷延時(shí)有著直接的影響。Coss：輸出電容將柵源短接，用交流信號(hào)測得的漏極和源極之間的電容就是輸出電容。Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd并聯(lián)而成，或者Coss = Cds +Cgd對于軟開關(guān)的應(yīng)用，Coss非常重要，因?yàn)樗赡芤痣娐返闹C振Crss：反向傳輸電容在源極接地的情況下，測得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等

3、同于柵漏電容。Cres =?Cgd反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對于開關(guān)的上升和下降時(shí)間來說是其中一個(gè)重要的參數(shù)，他還影響這關(guān)斷延時(shí)時(shí)間。圖11是電容的典型值隨漏源電壓的變化曲線.圖11. APT50M75B2LL的電容VS電壓曲線電容隨著漏源電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。Qgs, Qgd,和Qg：柵電荷柵電荷值反應(yīng)存儲(chǔ)在端子間電容上的電荷，既然開關(guān)的瞬間，電容上的電荷隨電壓的變化而變化，所以設(shè)計(jì)柵驅(qū)動(dòng)電路時(shí)經(jīng)常要考慮柵電荷的影響。請看圖12，Qgs從0電荷開始到第一個(gè)拐點(diǎn)處，Qgd是從第一個(gè)拐點(diǎn)到第二個(gè)拐點(diǎn)之間部分（也叫做“米勒”電荷），Qg是從0點(diǎn)到vGS等于一個(gè)特定的驅(qū)動(dòng)電壓的部分。漏電流和漏源電壓的變化對柵電荷值影響比較小，而且柵電荷不隨溫度的變化。測試條件是規(guī)定好的。柵電荷的曲線圖體現(xiàn)在數(shù)據(jù)表中，包括固定漏電流和變化漏源電壓情況下所對應(yīng)的柵電荷變化曲線。在圖12中平臺(tái)電壓VGS(pl)隨著電流的增大增