DDR2布線指導(dǎo),在現(xiàn)代高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)過程中，工程師總是不可避免的會(huì)與DDR或者DDR2打交道。DDR2的工作頻率很高，因此，DDR的Layout也就成為了一個(gè)十分關(guān)鍵的問題，很多時(shí)候，DDR2的布線直接影響著信號(hào)完整性。下面本文針對(duì)DDR2的Layout 問題進(jìn)行討論。,1、DDR2的信號(hào)及分組,以上數(shù)據(jù)取自于Zentel的A3R1GE4CFF,1、DDR2的信號(hào)及分組,2、印制電路板疊層,2、印制電路板疊層,4層板疊層示意圖,2、印制電路板疊層,3、端接技術(shù),為滿足信號(hào)完整性要求，信號(hào)線往往需要進(jìn)行端接處理，端接方式分為以下三種,3、端接技術(shù),SSTL_18電平標(biāo)準(zhǔn)端接示意圖,3、端接技術(shù),差分端接示意圖,4、布線順序,導(dǎo)線長度要求,5、導(dǎo)線寬度和間距,導(dǎo)線間距要求,5、導(dǎo)線寬度和間距,VREF及VTT布線要求,5、導(dǎo)線寬度和間距,6、導(dǎo)線寬度與可承載的電流,目前由于成本的原因，PCB 面積越來越小化，這給工程師帶來很大的挑戰(zhàn)，除了考慮電路精簡、合理布局、改變元件封裝等外，也要考慮走線的寬度， 主板上有多組電源，占用不少的面積，如何使電源的走線占用更少面積呢就成為我們一個(gè)關(guān)注的問題。,6、導(dǎo)線寬度與可承載的電流,6、導(dǎo)線寬度與可承載的電流,通流能力的計(jì)算公式如下：,式中,Imax最大通流，單位為安培 K降額參數(shù)，一般取0.024 T通流路徑上的最大容許的溫度，單位是度 A路徑的橫截面積，單位是平方米爾(mil2),6、導(dǎo)線寬度與可承載的電流,導(dǎo)線寬度100mil,厚度1oz，容許溫升5度，它能通過的電流為多大？,根據(jù)上面的公式，K=0.024，T=5， A=100mil*1.4mil=144mil2 因此I=0.024*2.03*36.71=1.78A 需要注意的是： 1.公式只能用于參考，必須充分降額使用 2.謹(jǐn)慎地對(duì)各項(xiàng)參數(shù)取值，尤其是容許溫升的值。,6、導(dǎo)線寬度與可承載的電流,銅皮厚度,走線寬度和電流的經(jīng)驗(yàn)關(guān)系表,6、導(dǎo)線寬度與可承載的電流,對(duì)于過孔來說，也可以用此公式來計(jì)算通過電流的能力，需要注意的是其中過孔面積的計(jì)算。,7、VTT電源芯片的選擇,當(dāng)負(fù)載較大的時(shí)候，DDR2拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中必須加入并聯(lián)終結(jié)電阻及VTT電源，這就涉及到VTT電源芯片的選擇。我們將從功耗的角度來考慮VTT電源芯片的選取。,7、VTT電源芯片的選擇,假設(shè)Rs=20ohm,Rt=25ohm,DDR2源端內(nèi)串聯(lián)電阻為10ohm,則 DDR2輸出高電平時(shí)，VTT吸收電流為： (VDDQ-VTT)/(Rs+Rt+Rin)=(1.8-0.9)/(25+20+10)=16.4mA DDR2輸出低電平時(shí)，VTT驅(qū)動(dòng)電流為： VTT/(RS+Rt+Rin)=0.9/(25+20+10)=16.4mA,7、VTT電源芯片的選擇,對(duì)于DDR2來講，因?yàn)橛蠴DT功能，數(shù)據(jù)線無需VTT，只有地址線及控制線需要終結(jié)于VTT。對(duì)于DDR2來講，舉例來講，BA信號(hào)3根，ADD