1、第2章 半導(dǎo)體三極管及其基本放大電路一、填空題 21 BJT用來放大時(shí)，應(yīng)使發(fā)射結(jié)處于 偏置，集電結(jié)處于 偏置；而工作在飽和區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)處于 偏置，集電結(jié)處于 偏置。 22 溫度升高時(shí)，BJT的電流放大系數(shù) ，反向飽和電流 ，發(fā)射結(jié)電壓 。 23用兩個(gè)放大電路A和B分別對(duì)同一個(gè)電壓信號(hào)進(jìn)行放大，當(dāng)輸出端開路時(shí)，；都接人負(fù)載電阻時(shí)，測得，由此說明，電路A的輸出電阻比電路B的輸出電阻 。 24對(duì)于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路，若希望電壓放大倍數(shù)大，可選用 組態(tài)；若希望帶負(fù)載能力強(qiáng)，應(yīng)選用 組態(tài)；若希望從信號(hào)源索取電流小，應(yīng)選用 組態(tài)；若希望高頻性能好，應(yīng)選用 組態(tài)。 25 FET是通過改變

2、 來改變漏極電流(輸出電流)的，所以它是一個(gè) 器件。 26 FET工作在可變電阻區(qū)時(shí)，與基本上是 關(guān)系，所以在這個(gè)區(qū)域中，F(xiàn)ET的d、s極間可以看成一個(gè)由控制的 。27 FET的自偏壓電路只適用于 構(gòu)成的放大電路；分壓式自偏壓電路中的柵極電阻一般阻值很大，這是為了 。二、選擇正確答案填寫(只需選填英文字母) 28 BJT能起放大作用的內(nèi)部條件通常是：(1)發(fā)射區(qū)摻雜濃度 (a1高，b1低，c1一般)；(2)基區(qū)雜質(zhì)濃度比發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度 (a2高，b2低，c2相同)，基區(qū)寬度 (a3高，b3窄，c3一般)；集電結(jié)面積比發(fā)射結(jié)面積 (a4大，b4小，c4相等)。 29 測得BJT IB=30A時(shí)，

3、IC=2.4 mA；IB=40A時(shí)，IC=3 mA，則該管的交流電流放大系數(shù)為 (a80，b60，c75)。 210用萬用表判別放大電路中處于正常工作的某個(gè)BJT的類型(指NPN型還是PNP型)與三個(gè)電極時(shí)，以測出 最為方便(a各極間電阻，b各極對(duì)地電位，c各極電流)。211 既能放大電壓，也能放大電流的是 組態(tài)放大電路；可以放大電壓，但不能放大電流的是 組態(tài)放大電路；只能放大電流，但不能放大電壓的是 組態(tài)放大電路(a共射， b共集，c共基)。212 某FET的IDSS為6 mA，而IDQ自漏極流出，大小為8 mA，則該管是 (aP溝道JFET， bN溝道JFET，cP溝道耗盡型IGFET，d

4、N溝道耗盡型IGFET，eP溝道增強(qiáng)型IGFET，fN溝道增強(qiáng)型IGFET)。 213 P溝道增強(qiáng)型IGFET的開啟電壓為 (a1正值，b1負(fù)值，c1零值)，P溝道耗盡型IGFET的夾斷電壓為 (a2正值，b2負(fù)值，c2零值)。三、判斷下列說法是否正確(用、或×號(hào)表示) 214通常的BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí)，仍有較大的電流放大作用。( ) 215 有兩個(gè)BJT，其中第一個(gè)管子的=150，ICEO1=200 A，第二個(gè)管子的=50，ICEO2=10A，其他參數(shù)一樣。由于>，因此第一個(gè)管子的性能優(yōu)于第二個(gè)管子的性能。( ) 216 BJT的輸入電阻。可以用萬用表的“”擋測出

5、。( ) 217 當(dāng)輸入電壓為正弦波時(shí)，如果PNP管共發(fā)射極放大電路發(fā)生飽和失真，則基極電流iB的波形將正半波削波；( )集電極電流iC波形將負(fù)半波削波；( )輸出電壓uO的波形將正半波削波。( ) 218 由于JFET與耗盡型MOSFET同屬于耗盡型，因此在正常放大時(shí)，加于它們柵、源極間的電壓uGS只允許一種極性。( ) 219 由于FET放大電路的輸入回路可視為開路，因此FET放大電路輸入端的耦合電容Cb一般可以比BJT放大電路中相應(yīng)的電容小得多。( )解答：2.1 正向 反向 正向 正向2.2 增大 增大 減小2.3 大2.4 共射 共基 共集 共基2.5 輸入信號(hào)電壓 電壓型控制2.6

6、 線性增加 可變電阻2.7 耗盡型FET（含JFET） 減小Rg1、Rg2的分流作用 增大放大電路的輸入電阻2.8 (a1) (b2) (b3) (a4)2.9 (b)2.10 (b)2.11 (a) (c) (b)2.12 (c)2.13 (b1) (a2)2.14 (×)2.15 (×)2.16 (×)2.17 (×) (×) ()2.18 (×)2.19 ()220測得放大電路中兩個(gè)BJT中的兩個(gè)電極的電流如圖題220所示。 (1)求另一電極電流的大小，并標(biāo)出其實(shí)際極性； (2)判斷是NPN管還是PNP管； (3)標(biāo)出e、b、c

7、電極； (4)估算值。2.20解答：（1）、（2）、（3）見圖題解2.20（4）（a）b =IC/IB=1.8 mA/0.03 mA=60 （b）b =IC/IB=2 mA/0.02 mA=100 （a） （b）圖題解2.202.21用直流電壓表測得放大電路中的幾個(gè)BJT的三個(gè)電極電位如表題221所示，試判斷它們是NPN型還是PNP型，是硅管還是鍺管，并確定每個(gè)管子的e、b、c極。2.21解答：解答見下頁表中黑體字U1/V2.8 b2.9 b8.5 c8.8 bU2/V2.1 e2.6 e8.8 b5.5 cU3/V2.7 c7.5 c8.7 e8.3 e管型NPN硅管NPN鍺管PNP硅管PN

8、P鍺管2.22某BJT的極限參數(shù)，ICM=100 mA，PCM：150 mW，U(BR)CEO=30 V，若它的工作電壓UCE=10 V，則工作電流IC不得超過多大?若工作電流Ic=1 mA，則工作電壓的極限值應(yīng)為多少?2.22解答：若UCE=10 V，則IC£PCM/UCE=150 mW/10 V=15 mA；若IC=1 mA，則UCE=PCM/IC=150 mW/1 mA=150 V，此電壓大于U(BR)CEO=30 V，故工作電壓的極限值應(yīng)為30 V。223對(duì)于圖題223所示固定偏流式放大電路，已知IC=15 mA，VCC =12 V， =20，若要求Au=80，求該電路的Rb

9、和Rc。設(shè)電路中的BJT為硅管。2.23解答：IB=IC/b=1.5 mA/20=0.075 mARb=(120.7) V/0.075 mA=151 kWrbe=300 W+(1+20)×26 mV/1.5 mA=664 WRc=Aurbe/b=80×0.664 kW/20=2.66 kW2.24圖題224所示放大電路中BJT為硅管，=50，今用直流電壓表測出了8組不同的UB、UE、UC值，如表題224所示，試分析各組電路的工作是否正常，若不正常，指出其可能出現(xiàn)的問題(如元件短路或斷路)2.24解答：圖題2.24所示電路在正常放大時(shí)IB=(50.7) V/200+(50+1

10、)×0.1 kW=0.021 mAIEIC=50×0.021 mA=1.05 mAUB=0.7 V+1.05 mA×0.1 kW=0.81 VUE=1.05 mA×0.1 kW0.11 VUC=5 V1.05 mA×2 kW=2.9 V將以上數(shù)據(jù)與表題2.24中的數(shù)據(jù)比較分析，得出結(jié)論列入表中：UB/V00.810.710.7050.91指針微動(dòng)UE/V00.11指針微動(dòng)0000.21指針微動(dòng)UC/V02.8652.85550.915結(jié)論電源未接入不能正常工作處于正常放大工作狀態(tài)三極管內(nèi)部集電結(jié)斷路不能正常工作Re短路電路能正常放大Rb斷路電路

11、不能正常工作三極管內(nèi)部發(fā)射結(jié)斷路或Re斷路不能正常工作三極管內(nèi)部集電結(jié)短路或外部b、c極之間短路不能正常工作三極管內(nèi)部發(fā)射結(jié)短路或外部b、e極之間短路不能正常工作225 用直流電壓表測得幾個(gè)BJT的UBE和UCE如表題225所示，試問它們各處于何種工作狀態(tài)?它們是NPN管還是PNP管?2.25解答：解答見下表UBE/V20.70.70.30.32UCE/V50.3540.14工作狀態(tài)截止飽和放大放大飽和截止管型NPNNPNNPNPNPPNPPNP226設(shè)圖題226所示電路中BJT為硅管，=50，當(dāng)開關(guān)S分別與A、B、C三點(diǎn)連接時(shí)，試分析BJT各處于什么工作狀態(tài)，并估算出集電極電流IC。2.26

12、解答：當(dāng)S與A點(diǎn)連接時(shí)，設(shè)三極管工作在放大區(qū)，則IB=(VCCUBE)/R1=(120.7) V/40 k0.283 mAIC=50×0.283 mA=14.2 mA此時(shí)ICRc=14.2 mA×1 k=14.2 V>VCC，不可能出現(xiàn)，三極管工作在飽和區(qū)，此時(shí)飽和管壓降UCES0.3 V，則當(dāng)S與B點(diǎn)連接時(shí)，設(shè)三極管工作在放大區(qū)，則故知 可見 說明三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，處于放大工作狀態(tài)。當(dāng)S與C點(diǎn)連接時(shí)，UB= 2 V，發(fā)射結(jié)反偏，三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)，則227 由示波器測得由PNP管組成的共射基本放大電路的輸出波形如圖題227(a)、(b)、(c)所示。

13、(1)試分析這些波形屬于何種失真?(2)應(yīng)如何調(diào)整電路參數(shù)以消除失真?2.27解答：（1）圖題2.27(a)為飽和失真，(b)為截止失真，(c)為兩種失真均有；（2）為消除失真(a)增大Rb，(b)減小Rb，(c)減小輸入信號(hào)。228已知圖題228所示電路BJT為硅管，=100，負(fù)載電阻RL=2 k，試用小信號(hào)模型法求解下列問題： (1)不接負(fù)載電阻時(shí)的電壓放大倍數(shù)； (2)接負(fù)載電阻RL=2 k時(shí)的電壓放大倍數(shù)； (3)電路的輸入電阻和輸出電阻； (4)信號(hào)源內(nèi)阻RS=500 時(shí)的源電壓放大倍數(shù)。2.28解答：（1） （2） （3） （4）229 已知固定偏流放大電路中BJT為硅管，輸出特性

14、及交、直流負(fù)載線如圖題229所示，試求：(1)電源電壓Vcc；(2)靜態(tài)工作點(diǎn)；(3)電阻Rb、RC的值；(4)要使該電路能不失真地放大，基極電流交流分量的最大幅值Ibm為多少?2.29解答：（1）圖題解2.29中直線為直流負(fù)載線，讀得電源電壓VCC=6 V（2）在圖題解2.29中，由Q點(diǎn)分別向橫、縱軸作垂線，得而 （3） 圖題解2.29（4）圖題解2.29中直線為交流負(fù)載線，由圖可見信號(hào)的負(fù)半周易出現(xiàn)截止失真，輸出電壓負(fù)半周在3 V至4.6 V范圍內(nèi)變化不會(huì)產(chǎn)生失真，故輸出電壓的最大不失真幅度為1.6 V，可作圖求得基極電流交流分量不失真的最大幅度230已知圖題230所示電路中BJT為硅管，

15、=50，試求：(1)靜態(tài)工作點(diǎn)；(2)電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻；(3)電容Ce脫焊時(shí)的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻；(4)若換上一只=100的管子，放大電路能否工作在正常狀態(tài)?2.30解答：（1） （2） （3）  （4）換上一只的管子，其IC和UCE不變，放大電路能正常工作。231已知圖題231所示電路中BJT為硅管，=50，試求：(1)未接負(fù)載RL和接上負(fù)載后的電壓放大倍數(shù)；(2)接上負(fù)載后的輸入電阻和輸出電阻。2.31解答：（1）   未接負(fù)載時(shí)   接負(fù)載時(shí) （2）       

16、60;       (2)輸入電阻Ri和輸出電阻Ro1、Ro2；(3)電路正常工作為放大狀態(tài)，但出現(xiàn)故障后用直流電壓表測得：UCE=16 V；UCE =0.3 V；試分析故障產(chǎn)生的原因有哪幾種可能?2.32解答：（1）  （2） （3） 當(dāng)測得UCE=16 V時(shí)，三極管為截止?fàn)顟B(tài)，可能由以下幾種原因產(chǎn)生：Rb過大或Rb斷路或三極管發(fā)射結(jié)斷路或Re斷路等。 當(dāng)測得UCE=0.3 V時(shí)，三極管為飽和狀態(tài)，可能由以下幾種原因產(chǎn)生：Rb過小或Rb短路或三極管集電結(jié)被擊穿短路或外部b、c極之間短路等。233圖題233所示電路中BJT為

17、硅管，=100。 (1)該電路是哪種組態(tài)? (2)求電壓放大倍數(shù)； (3)求輸入電阻和輸出電阻。2.33解答：（1）是共基組態(tài)（2） （3） 234四個(gè)FET的輸出特性如圖題234所示(其中漏極電流的參考方向與實(shí)際方向一致)，試問它們是哪種類型的FET?若是耗盡型的，指出其夾斷電壓UGS(off)和飽和電流IDSS的大小；若是增強(qiáng)型的，指出其開啟電壓UGS(th)的大小。2.34解答：（a）耗盡型NMOS管，UGS(off)= 4 V, IDSS=2 mA（b）結(jié)型P溝道，UGS(off)=4 V, IDSS=4 mA（c）增強(qiáng)型PMOS管，UGS(th)= 2 V（d）增強(qiáng)型NMOS管，UG

18、S(th)=2 V235 四個(gè)FET的轉(zhuǎn)移特性如圖題235所示，試判別它們分別屬于哪種類型的FET，對(duì)于耗盡型的，指出其夾斷電壓UGS(off)和飽和電流IDSS的大??；對(duì)于增強(qiáng)型的，指出其開啟電壓UGS(th)的大小。2.35解答：（a）結(jié)型N溝道，UGS(off)= 4 V, IDSS=4 mA（b）耗盡型NMOS管，UGS(off)= 4 V, IDSS=2 mA（c）增強(qiáng)型PMOS管，UGS(th)= 2 V（d）耗盡型PMOS管，UGS(off)=2 V, IDSS=2 mA236 已知圖題236所示電路中FET的IDSS =5 mA，已知gm=134 mS，試求：(1)電壓放大倍數(shù)；(2)輸人電阻和輸出電阻。2.36解答：（1） （2）       237 已知圖題237所示電路中FET