1、1一、一、 TFT的基本構造二、 ARRAY工藝介紹三、 4Mask與5Mask工藝對比 四、 Array現(xiàn)場氣液安全2TFT-LCD Module電路部件電路部件偏光板偏光板3偏光板偏光板TFT基板基板TFT背光源背光源偏光板偏光板液晶液晶單像素（旋轉）TFT部位側視像素TNGATEG-SiNxa-Sin+ a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素電極GLASS接觸孔實際結構4GATEG-SiNxa-Sin+ a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素電極GLASS接觸孔G工程I 工程D工程C工程PI工程5PR曝光工程成膜工程刻蝕工程剝離G層Sputter (AL-Nb

2、, Mo-Nd)G-Mask PR曝光G層濕刻剝離工藝詳細流程工藝詳細流程G G工程工程6PR曝光工程曝光工程成膜工程成膜工程剝離工程剝離工程D層 Sputter (Cr)D-Mask PR曝光D層濕刻2剝離PCVD （SiNx）Island干刻D層濕刻1刻蝕工程刻蝕工程成膜工程成膜工程PCVD （3層CVD）成膜工程成膜工程Channel干刻7PR曝光工程曝光工程成膜工程成膜工程刻蝕工程刻蝕工程剝離剝離PCVD (SiNx)C-Mask PR曝光Contact Hole干刻剝離8PR曝光工程成膜工程刻蝕工程Sputter （ITO）PI-Mask PR曝光ITO濕刻剝離剝離工藝名稱 工藝目的

3、1洗凈清潔基板表面，防止成膜不良2濺射（SPUTTER)成Gate膜、D/S膜和Pixel膜3P-CVD成a-Si膜和SiNx膜4PR/曝光形成與MASK圖案相一致的光刻膠圖案5濕刻（WE)刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的金屬膜6干刻（DE)刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的非金屬膜7剝離去掉殘余的光刻膠8退火修復晶體損傷，改善晶體性質(zhì)9檢查修復監(jiān)控產(chǎn)品不良，修復不良910藥液刷子高圧2流體排水排水純水洗凈 功能洗凈對象作 用藥液刷洗高 壓 噴射2流體氧化分解溶解機械剝離機械剝離機械剝離有機物(浸潤性改善)有機物微粒子(大徑)微粒子(中徑) 微粒子(小徑)/溶解接觸壓水壓 加速度cavitation11洗浄対象洗浄

4、対象目的目的1 1、 、洗浄洗浄有機物汚染有機物汚染密著力向上密著力向上UVUV 濡性向上濡性向上2 2、 、洗浄洗浄無機物無機物微小傷微小傷有機物有機物除去除去微小傷除去微小傷除去超音波超音波高圧高圧純水純水 流體流體洗剤洗剤濺射( Sputter )是指利用電場加速的氣體離子對靶材的轟擊，使成膜材料從靶材轉移到基板的物理成膜方法。Sputter在工藝流程中的位置12洗 凈Sputter成膜Inline PRWet Etching剝 離Sputter工藝在生產(chǎn)工藝流程中的位置TFT中Sputter薄膜的種類和作用類型類型名稱名稱作用作用G配線Al傳遞掃描信號D配線Cr傳遞數(shù)據(jù)信號像素電極IT

5、O存儲數(shù)據(jù)信號13D - CrPI - ITOG1 - AlG2 - Mo整體圖（SMD-1200） 基板搬入（加熱）/搬出（冷卻）室（L1、L2） 搬送室(Tr) 成膜室（X1、X3） 14UpperSlot-LoadUpperSlot-Load(Heating)(Heating)UnderSlot-UnloadUnderSlot-Unload(Cooling)(Cooling)SputterSputterX1TypeX1Type(1Target)(1Target)S3X11sheetS4X3Type1sheetMax3sheetcassette120sheetcassette220shee

6、tcassette320sheetcassette420sheetVacRobVacRob2sheet2sheetAtmRobAtmRob2sheet2sheetTargetTargetL1-11sheetL1-21sheetL2-11sheetL2-21sheettargettargetSputterSputterX3TypeX3Type(13Target)(13Target)CassetteCassetteLoaderLoaderGlass Size 11001300(mm)S1枚葉SputterULVAC SMD-1200膜膜 層層材材 料料作作 用用G-絕緣膜SiNx絕緣a-Si非晶硅

7、導電溝道n+a-SiN摻雜非晶硅歐姆接觸PA-SiNxSiNx保護15G- SiNxa- Sin+ a - SiP- SiNxGLASSI 工程G- SiNxa- Sin+ a - SiP- SiNxGLASSI 工程163-2、PCVD除害裝置除害裝置（ （scrubber） ）汽缸汽缸cabinet氣體氣體BOX氣體吹出電極氣體吹出電極（ （陰極陰極） ）等離子體等離子體 控制控制電源電源下部下部電極電極（ （陽極陽極） ）壓力計壓力計節(jié)流閥節(jié)流閥干泵干泵氣體供給氣體供給流量流量控制控制power壓力控制壓力控制真空排氣真空排氣特氣對應特氣對應工藝腔體工藝腔體（ （電極電極部）部）由洗凈、

8、涂覆、曝光、顯影四大部分組成。由洗凈、涂覆、曝光、顯影四大部分組成。洗凈：洗凈： Excimer UV RBAAJet直水直水SprayA/k涂覆：涂覆： 除水干燥除水干燥 Slit涂覆涂覆 Spin 涂覆涂覆減壓干燥減壓干燥端面清洗端面清洗前烘前烘曝光曝光顯影：顯影顯影：顯影11顯影顯影22循環(huán)純水循環(huán)純水Spray直水直水SprayA/K 后烘后烘17184-2、InlinePR涂布前洗凈涂布前洗凈EBR處理處理預烘預烘基板端面基板端面的光刻膠的光刻膠除去除去N 洗浄液洗浄液排排氣氣 光刻膠光刻膠中中的溶劑除去的溶劑除去 決定光刻膠感光速度決定光刻膠感光速度加熱盤加熱盤非接觸方式非接觸方式

9、改善改善靜電靜電、 、背背面污染面污染、 、熱應力等方面熱應力等方面非接觸式栓非接觸式栓刷子刷子2流體流體19橫倍率臺形凸面凹面非線形基板光源円弧狀弓補正204-4、顯影顯影液回收清洗槽風刀干燥顯影液顯影槽基板傾斜，顯像液流下基板全面噴純水回收顯影液純水濕刻的目的 濕刻是通過對象材料（一般為金屬導電膜）與刻蝕液之間的化學反應，對對象材料進行刻蝕的過程。 在TFT-LCD工藝中，主要是對Gate層（Mo/Al）、Drain層（Cr）及像素層（ITO）進行刻蝕。 21成膜工程工藝（涂敷,曝光,顯影）工程濕刻裝置的構成部位作 用Etching槽對基板進行刻蝕處理水洗槽通過純水將刻蝕液沖洗干燥槽用A/

10、K干燥基板2223成膜工程（）工程（涂布、曝光、顯像）刻蝕工程（ ）剝離刻蝕目的：形成TFT基板的各種pattern。DE刻蝕的主要對象為非金屬膜。反應氣體在高頻電場作用下發(fā)生等離子體（Plasma）放電。等離子體與基板發(fā)生作用將沒有被光刻膠掩蔽的薄膜刻蝕掉。24ETCHING GASPLASMA25大氣壓大氣壓真空真空真空plasmaP/C (Process Chamber)T/C (Transfer Chamber)L/L (Load Lock)大氣Robot從Cassette和L/L之間的搬送大氣壓和真空兩種狀態(tài)之間的切換L/L和P/C之間的搬送。防止不純物進入P/C，P/C內(nèi)的特氣外泄

11、真空中進行Plasma的物理、化學反應，進行刻蝕1.剝離簡介：刻蝕（干刻、濕刻）完 成后除去光刻膠的過程。26成膜工程PR工程（涂覆，曝光，顯影）刻蝕工程剝離工程：刻蝕后除去光刻膠3 .各部分作用27部位部位作用作用剝離槽剝離槽利用剝離液溶解并剝離光刻膠利用剝離液溶解并剝離光刻膠IPA槽槽利用利用IPA置換剝離液。（防止置換剝離液。（防止Al腐蝕）腐蝕）水洗槽水洗槽用純水洗凈處理液用純水洗凈處理液干燥槽干燥槽利用利用A/K干燥基板干燥基板2 .剝離裝置示意圖 28 熱退火簡介： 經(jīng)過適當時間的熱處理，修 復晶體損傷，改善晶體性質(zhì)。淀積，刻蝕等基本加工完成。熱退火處理損傷分解，缺陷復合，再結晶，

12、摻雜物質(zhì)再分布。薄膜晶體（主要是ITO和N+）性質(zhì)得到提高。項目Layer缺陷修復D 檢 查GateGate短路激光切斷Gate斷路不可修復圖形不良根據(jù)缺陷判斷是否修復IslandSi殘留根據(jù)缺陷判斷是否修復DrainDrain短路激光切斷Drain斷路激光CVD圖形不良根據(jù)缺陷判斷是否修復最終檢查Short畫素短路激光切斷G-G 短路激光切斷D-D 短路激光切斷others點缺陷等根據(jù)缺陷判斷是否修復299、檢查與修復30 GPR DPR CPR PIPR31顯影后接觸孔邊緣形狀不規(guī)則光刻膠Pinhole D斷線PR/曝光使待刻蝕膜層上的光刻膠形成掩模圖形的過程32PhotoresistEt

13、ching剝離膜基板Photolithography工程工程 塗布 露光 現(xiàn)像33工程名所需時間工程名所需時間lot構成lot構成受入洗凈20受入洗凈20G-Sputter36G-Sputter36G-PR70G-PR70G-WE28G-WE28PR剝離24PR剝離24成膜前洗凈20成膜前洗凈201stSiNx-CVD251stSiNx-CVD25成膜前洗凈20成膜前洗凈203層-CVD503層-CVD50成膜前洗凈20I-PR70D-Sputter40I-DE120D/I-PR70I-剝離24DI-WE40成膜前洗凈20I/PR-DE120D-Sputter40D2-WE30D-PR70CH

14、-DE120D-WE40PR剝離24PR剝離24成膜前洗凈20CH-DE120PA-CVD30成膜前洗凈20C-PR70PA-CVD30C-DE210C-PR70PR剝離24C-DE210成膜前洗凈20PR剝離24PI-Sputter31成膜前洗凈20PI-PR70PI-Sputter31PI-WE32PI-PR70PR剝離24PI-WE32退火前洗凈20PR剝離24退火90退火前洗凈20退火90總計：1398總計：1462GD/IC4Mask178329314354PI5MaskG287178579354287ICDPI成膜CVDSputter膜LithographyGlass（a) (b) (c) (d)曝光MaskArray工程顯像Etching(e)剝離反復344 Mask D/I 工程I-工藝I-DED-工藝D-WEDI-工藝D1-WEI-DEPR-DED2-WE曝光曝光曝光5 Mask D工程和I 工程CH-DECH-DE35三、4Mask與5Mask工藝對比檢查與修復Cell工程G工程ID工程C工程PI工程D D檢查檢查最終最終檢查檢查自自動動外外觀