1、X射線(xiàn)基本學(xué)問(wèn)：.產(chǎn)生條件：3點(diǎn).射線(xiàn)管構(gòu)造：陽(yáng)極靶陰極燈絲聚光管. X射線(xiàn)的本質(zhì)：電磁波，波粒二象性?xún)蓚€(gè)式子. X射線(xiàn)譜：1）連續(xù)X：影響因素：管電壓，管電流，陽(yáng)極原子序數(shù)短波限的解釋2）特征X：產(chǎn)生緣由；莫塞來(lái)定理；KaK6意義.相互作用1）散射相干散射：概念非相干散射：概念，為什么不相干2）透射與汲?。壕€(xiàn)汲取系數(shù)，意義質(zhì)量汲取系數(shù)，意義，與波長(zhǎng)、原子序數(shù)的關(guān)系汲取限，汲取譜3）光電效應(yīng)：對(duì)汲取限的解釋熒光X射線(xiàn)概念4）俄歇效應(yīng)X射線(xiàn)衍射方向：.勞埃方程的缺點(diǎn)：繁瑣.布拉格方程：推導(dǎo)是必要條件，不是充分條件，由于還有系統(tǒng)消光爭(zhēng)論。，x, d： XX肯定，另兩個(gè)的變化，說(shuō)明什么問(wèn)題. X射線(xiàn)

2、衍射法：3種，留意區(qū)分：?jiǎn)尉?多晶，。變/不變，人變/不變.倒易空間：倒易矢量方向和長(zhǎng)度會(huì)畫(huà)倒易點(diǎn)陣：Fcc/Bcc留意消光.愛(ài)瓦爾德球X射線(xiàn)衍射強(qiáng)度.知道有幾個(gè)因子，都叫什么，與什么有關(guān).基本思路：一個(gè)電子散射（極化因子）今一個(gè)原子（原子散射因子）分一個(gè)晶胞（結(jié)構(gòu) 因子）.多重性因子：100等同晶面有多少種？四方品系的多重性因子.角因素：包括極化因子和洛倫茲因素洛倫茲因素：衍射的積分強(qiáng)度（半高寬，最高峰）參與衍射的晶粒數(shù)目單位弧長(zhǎng)的衍射強(qiáng)度.汲取因子.溫度因子圓柱試樣（德拜法）的5.6因子抵消重點(diǎn)把握結(jié)構(gòu)因子，多重性因子和角因子的物理意義，什么叫溫度因子、汲取因子德拜謝樂(lè)照相法.底片安裝方法

3、：3種，偏裝法最好.選材陽(yáng)極靶：要求不激發(fā)二次X射線(xiàn)今Z陽(yáng)WZ樣+1濾波片：要求濾過(guò)除Ka的X射線(xiàn)（汲取限與特征X射線(xiàn)波長(zhǎng)關(guān)系） 玲Z樣40,Z陽(yáng)=2樣-1；Z 樣40,Z 陽(yáng)=2 樣-2管電壓：3-5倍K系臨界激發(fā)電壓分特征譜線(xiàn)與連續(xù)譜線(xiàn)比值最大 曝光時(shí)間.誤差來(lái)源與修正試樣汲取誤差底片收縮誤差.立方晶系德拜像的標(biāo)定過(guò)程XRD構(gòu)造.測(cè)角儀：光源與計(jì)數(shù)管保持角度1:2聯(lián)動(dòng).狹縫有哪些，作用是什么X射線(xiàn)物相分析1.定性分析為什么能夠?qū)崿F(xiàn)定性分析？?jī)牲c(diǎn).每種結(jié)晶物質(zhì)都有其特定的結(jié)構(gòu)參數(shù)。每種物質(zhì)的多晶體衍射線(xiàn)條數(shù)目、位置以及強(qiáng)度是該種物質(zhì)的特征，因而可以成為鑒別物相的標(biāo)志。.多相物質(zhì)的衍射花樣互不

4、干擾，相互獨(dú)立，只是機(jī)械地疊加。索引：兩種方法：數(shù)字，字母分析過(guò)程：譜今2 0sin O f sin 0平方Tsin 0平方比值今確定結(jié)構(gòu)（sc, bcc, fee留意前兩者的區(qū)分:第一峰是最強(qiáng)鋒那么為bcc,其次峰為最強(qiáng)鋒那么為sc）sin 0 今d, hkl-a.定量分析：4種方法：外標(biāo)，內(nèi)標(biāo)，參比，直接比照.點(diǎn)陣參數(shù)的測(cè)定：3種方法：圖解外推，最小二乘（最準(zhǔn)），標(biāo)樣比照宏觀應(yīng)力測(cè)定.三種宏觀應(yīng)力，是什么，如何影響X譜線(xiàn).宏觀應(yīng)力測(cè)定的原理和過(guò)程電子顯微學(xué).像差：3種，成因，球差不能被消退.區(qū)分率：2方面打算，與孔徑半角關(guān)系衍射效應(yīng)球差.景深和焦長(zhǎng)概念TEM.結(jié)構(gòu)：3局部其中電子光學(xué)系統(tǒng)，

5、3局部（從上到下位置）3種電磁透鏡，各自作用.樣品臺(tái)、電子槍、消像散器、偏轉(zhuǎn)線(xiàn)圈. 3種光闌：位置、作用（聚光鏡光闌3個(gè)作用，物鏡光闌3個(gè)作用，選取光闌一個(gè)作用）.點(diǎn)區(qū)分率，晶格區(qū)分率，放大倍數(shù)電子衍射.電子衍射和x射線(xiàn)衍射的區(qū)分：4點(diǎn).倒易點(diǎn)陣擴(kuò)展：2/t.基本公式：rd=入L=K.選區(qū)電子衍射步驟：3步.衍射圖樣標(biāo)定：測(cè)R9R平方fR平方相除今確定結(jié)構(gòu)-hkl今任意hkl留意自治今求晶帶軸測(cè) R-d+hkla衍射襯度成像.質(zhì)厚襯度：與厚度t和原子序數(shù)Z有關(guān).衍射襯度概念.薄膜樣品制樣過(guò)程：3步.明場(chǎng)暗場(chǎng)中心暗場(chǎng)成像操作.消光距離概念.衍射運(yùn)動(dòng)學(xué)兩個(gè)基本假設(shè)兩個(gè)途徑兩個(gè)近似方法等厚條紋，隨t轉(zhuǎn)變；等傾條紋，隨s轉(zhuǎn)變.應(yīng)變場(chǎng)襯度（位錯(cuò)）SEM.電子與物體的幾種作用產(chǎn)生的信號(hào)，產(chǎn)生緣由，強(qiáng)度取決于，應(yīng)用5種電子：背散射（區(qū)分率小于二次），二次（不能用于成分分析），汲取，透射，俄歇 特征X. SEM結(jié)構(gòu)：3局部其中電子光學(xué)系統(tǒng)：3局部其中電磁透鏡作用不是放大成像，而是聚焦.區(qū)分率的影響因素3個(gè)，測(cè)量方法.放大倍數(shù).二次電子成像原理：形貌