1、功率半導體IDM老牌廠商華微電子專題報告（報告出品方/作者：中泰證券，張欣）一、老牌功率半導體 IDM 廠商，業(yè)績開始加速1.1 老牌功率半導體 IDM 廠商，產品品類豐富基本業(yè)務介紹：華微電子前身為吉林市半導體廠,成立于 1965 年,是我國 首批建成的半導體專業(yè)生產廠家,2001 年公司上交所上市，公司致力于 功率半導體器件的制造和銷售方面,通過和飛利浦、仙童、Vishay 等公 司合作不斷提升自己綜合技術，目前已建立從高端二極管、單雙向可控 硅、MOS 系列產品到第六代 IGBT、SiC 等形成國內比較齊全、具備綜合 競爭力的功率半導體器件產品體系和整體解決方案供應商。芯片規(guī)模能力突出，

2、技術、服務、產能等優(yōu)勢突出。華微電子主要為 IDM 生產模式，經(jīng)過 50 多年的積累，公司形成自己的全產品系列、產能保障、 技術實力、服務保障等優(yōu)勢：產品系列優(yōu)勢：公司產品種類基本覆蓋了功率半導體器件的全部范圍， 核心產品分為四大主類，以 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET(場效 應晶體管)、BJT(雙極晶體管)為主的全控型功率器件；以 Thyristor（晶 體閘流管）為主的半控型功率器件；以 Schottky（肖特基二極管）、FRD （快恢復二極管）為主的不可控型產能優(yōu)勢：根據(jù)公司公告，公司擁有強大的芯片生產規(guī)模及交付能力， 公司目前形成 4-8 英寸產線年產量 400 萬片/年、

3、封裝資源為 24 億只/ 年，IPM 模塊封裝能力為 1800 萬塊/年，處于國內同行業(yè)的領先地位； 功率二極管器件；以及 IPM（功率模塊）、PM（功率模塊）。1.2 管理層豐富經(jīng)驗，研發(fā)投入大幅增加管理層技術研發(fā)經(jīng)驗豐富。公司管理層深耕行業(yè)多年，在董事長夏增文 先生為首的多數(shù)核心技術人員擁有在芯片設計和電子信息技術等半導體 產業(yè)鏈中豐厚的技術實力和數(shù)十年研發(fā)經(jīng)驗，如董事長曾任吉林市半導 體廠廠長，具有豐富的業(yè)內經(jīng)驗和地區(qū)人脈，同時堅持生產、研發(fā)、儲 備相結合的技術開發(fā)戰(zhàn)略，不斷向功率半導體器件的中高壓 MOS、IGBT、 IPM、SiC 等中高端技術及應用領域拓展。2021 年 H1 研發(fā)

4、費用同比增長 128%，推進新一代產品平臺建設。公司積 極投入研發(fā)，截至 2020 年末公司研發(fā)人員為 616 人，占比為 30%，研發(fā) 費用約 6620 萬元，營收占比 3.85%，根據(jù)公司半年報，2021 年上半年研 發(fā)費用為 4408 萬元，同比增加 128%，公司持續(xù)加大研發(fā)力度，推進科 學化的技術研發(fā)管理，加快各級工藝技術平臺的技術創(chuàng)新和迭代，形成 以公司級、部門級和系列化產品研發(fā)的管理平臺，突出重點研發(fā)項目。全力推進新一代 IGBT 及模塊、中低壓 CCT MOS、超結 MOS、超高壓 FRD、 平面可控硅、TVS 及齊納二極管等產品系列平臺建設，產品性能、質量 及供貨能力持續(xù)提升

5、。1.3 受益行業(yè)需求，營收和凈利潤開始加速受益行業(yè)需求，營收迎來經(jīng)營拐點。復盤公司營收從 2016 年的 13.9 億 到 2020 年的 17.2 億，營收復合增速為 5.3%，其中，2019 年受中美貿易 沖擊及市場競爭等因素影響，公司業(yè)務出現(xiàn)了一定衰減，營收下降 3.09%，而 2020 年及 2021 年年初受益功率半導體供不應求以及公司產 品結構不斷提高，公司扭轉了營收下跌的頹勢，根據(jù)公司公告 2021 年 H1 營收 9.92 億，同比增長高達 23%。受益行業(yè)需求疊加管理改善業(yè)績增速開始高于營收。復盤公司歸母凈利 潤從 2016 年的 0.41 億降至 2020 年 0.34

6、億，呈現(xiàn)一定的下降，主要原 因是自 2017 年后，公司研發(fā)投入大額增加，同時財務費用、管理費用 大增。另外根據(jù)公司最新季報公司 2021 年上半年歸母凈利潤為 0.27 億， 同比增加 43.6%，高于營收增長主要是管理及費用率控制，同時展望 2021 年下半年，公司將繼續(xù)穩(wěn)步開拓國內外市場，通過新產品，新領域 的市場拓展，有效提升產能利用率，進一步降低產品成本。毛利率保持穩(wěn)定，凈利率有望觸底回升：2018-2020 年，公司的綜合毛 利率分別為 23.23%/20.60%/19.71%，公司毛利率總體保持穩(wěn)定， 2018-2020 年，公司凈利率分別為 6.26%/3.65%/1.98%，

7、逐年減少。這主 要是公司在管理、研發(fā)、財務方面加大投入導致的，而 2021 年 H1，公 司的銷售費用同比增加 49%，管理成本同比上升 30%，研發(fā)投入增加 128%， 這些方面的投入增加導致了凈利率仍然保持 2.68%，但環(huán)比提高 0.42 個 百分點。二、功率半導體市場寬廣，國產替代帶來成長機遇2.1 功率半導體分立器件種類較多，應用廣泛分立器件種類較多，產品多層次衍生。分立器件主要包括功率二極管、 功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 等半導體功率器件；其中，MOSFET 和 IGBT 屬于電壓控制型開關器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控 制型開關器件，具有易于驅動、開關速度

8、快、損耗低等特點。分立器件 經(jīng)過 50 多年的發(fā)展迭代中，行業(yè)不斷往 MOSFET、IGBT 以及 SiC、GaN 等寬禁帶半導體分立器件為代表的多層次產品結構發(fā)展，每種產品也在 應用中不斷突破原有技術瓶頸，派生出眾多規(guī)格和型號。功率半導體的 發(fā)展趨勢是高功率高頻率領域。功率半導體器件（PowerSemiconductorDevice）又稱為電力電子器件， 是電力電子裝置實現(xiàn)電能轉換、電路控制的核心器件。主要用途包括變 頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等，同時具有節(jié)能功效。功率半 導體器件廣泛應用于移動通訊、消費電子、新能源交通、軌道交通、工 業(yè)控制、發(fā)電與配電等電力、電子領域，涵蓋低、中、

9、高各個功率層級。 功率半導體器件種類眾多。功率半導體根據(jù)載流子類型可分為雙極型與 單極型功率半導體。雙極型功率半導體包括功率二極管、雙極結型晶體 管 （ Bipolar Junction Transistor ， BJT ）、 電 力 晶 體 管 （ Giant Transistor，GTR）、晶閘管、絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）等，單極型功率半導體包括功率 MOSFET、肖特基勢壘功率二極管等。按照材料類型可以分為傳統(tǒng)的硅基功率半導 體器件以及寬禁帶材料功率半導體器件。傳統(tǒng)功率半導體器件基于硅基 制造，而采用第三代半導體材

10、料（如 SiC、GaN）具有寬禁帶特性，是新 興的半導體材料。目前功率半導體器件可分為功率二極管，功率晶體管，以及功率晶閘管。 功率晶體管又可細分為 MOSFET，IGBT 和 BJT。其中，MOSFET 和 IGBT 屬 于電壓控制型開關器件，相比 于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關 器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點。根據(jù) WSTS，賽迪智 庫預測 2017 年全球功率器件的產品分類(按銷售額)其中，MOSFET 占比 在 31%左右，IGBT 占比 19%左右。（1）功率二極管：最傳統(tǒng)功率器件，應用于工業(yè)、電子等領域。功率二 極管是基礎性功率器件，廣泛應用于工業(yè)、電子等各個領

11、域。功率二極 管（Diode）是一種具有兩個電極裝置的電子元件，只允許電流由單一方 向流過，同時無法對導通電流進行控制，屬于不可控型器件。二極管主 要用于整流、開關、穩(wěn)壓、限幅、續(xù)流、檢波等。根據(jù)其不同用途，可 分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管、隔離二極管、 肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。（ 2 ） MOSFET ： 高 頻 化 器 件 ， 應 用 領 域 拓 展 至 4C 。 硅 基 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)簡稱金 氧半場效晶體管，高頻化運行，耐壓能力有限。

12、1960 年由貝爾實驗室 Bell Lab.的 D. Kahng 和 Martin Atalla 首次實作成功，制造成本低廉、整合度高、頻率可以達到上 MHz，廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路 的場效晶體管，具體有開關電源、鎮(zhèn)流器、通信電源等高頻領域，應用 領域由二極管的工業(yè)、電子等拓展到了四個新的領域，即 4C： Compute,Communication,Consumer,Car。（3）BJT：是雙極型二極管，它是一個“兩結三端”電流控制器件。從 所用半導體材料上看，有硅（Si）和鍺（Ge 管之分）；從原理結構上看， 可分為 NPN 和 PNP 兩種類型。BJT 有兩種驅動方式，一種是基極開關

13、， 一種是射極開關。射極開關的效率和開關速度都優(yōu)于基極開關，是 BJT 應用的潮流。（4）IGBT：融合 BJT 和 MOSFET，廣泛應用于新能源汽車、光伏、軌道 交通。IGBT 集 BJT 與 MOSFET 優(yōu)點于一身，1988 年以來已進展至第六代 產品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即絕緣柵雙極型晶 體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復 合全控型電壓驅動式功率半導體器件。IGBT 在開通過程中，大部分時間 作為 MOSFET 運行，在斷開期間，BJT 則增強 IGBT 的耐壓性。自從 1988

14、年第一代 IGBT 產品問世以來，目前已經(jīng)進展至第六代產品，性能方面有 顯著的提升，工藝線寬由 5 微米縮小至 0.3 微米，功率損耗則將為 1/3 左右，斷態(tài)電壓大幅提高近 10 倍。2.2 國內市場 2021 年約千億市場，國產替代帶來成長功率半導體國內全球占比 35%左右，2021 年國內市場規(guī)模約 159 億美金。根據(jù) IHS Markit 預測，2019 年全球功率器件市場規(guī)模約為 404 億美元，預計至 2021 年市場規(guī)模將增長至 441 億美元，2018 年至 2021 年的年化 增速為 4.09%。而目前，我國已經(jīng)成為全球最大的功率半導體器件消費 國，伴隨功率半導體行業(yè)的迅猛

15、發(fā)展，以及國產替代步伐的加快，2018 年市場需求規(guī)模達到 138 億美元，增速為 9.5%，占全球需求比例超過 35%。預計未來中國功率半導體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021 年市場 規(guī)模有望達到 159 億美元，2018 年-2021 年年化增速達 4.83%。（1）功率二極管：2021 年國內市場規(guī)模約 8672 萬美元屬于傳統(tǒng)功率器件，但應用范圍廣泛。功率二極管種類眾多，包括碳化 硅二極管、快恢復二極管、肖特基二極管、標準功率二極管等。主要應 用領域包含消費電子、新能源及汽車、工業(yè)電源等。華微電子在肖特基 二極管、快恢復二極管上具有穩(wěn)定的營收，并在大力研發(fā)、推廣碳化硅 二極管產品。20

16、21 年國內功率二極管市場規(guī)模約為 8672 萬美元。根據(jù) IHS、中商產 業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2017-2020 年，全球功率二極管的市場份額分別為 4297 萬美元、4905 萬美元、4326 萬美元、3938 萬美元。而中國功率二極管 的市場份額則為 1444 萬美元、1617 萬美元、1439 萬美元、1307 萬美元。 市場規(guī)模的下跌主要原因是受疫情影響，全球半導體市場需求下降，2021 年疫情開始恢復，產能也開始上升。根據(jù) IHS 預測，2021 年全球功率二 極管市場份額約為 4047 萬美元，增長 2.7%，中國市場份額約為 1344 萬 美元，增長 2.8%。（2）MOSFET：2

17、021 年國內 MOSFET 市場規(guī)模約為 277 億元高頻領域應用，按功率劃分層次。MOS 管最顯著的特性是開關特性好， 如導通電阻小，損耗低，驅動電路簡單，熱阻特性好等優(yōu)點，特別適合 用于電腦、手機、移動電源、車載導航、電動交通工具、UPS 電源等電 源控制領域。不同的工藝會使得 MOSFET 耐壓和工作頻率及功率不同，進 而影響其適用的工作領域，但根據(jù)下游場景所需電壓，一般認為應用電 壓低于 100V 的 MOSFET 為中低壓 MOSFET,一般用于消費級應用；高于 500V 為高壓 MOSFET，一般用于汽車、航空應用。另外根據(jù)不同功率 MOSFET 的行業(yè)特性以及與上下游關系將功率

18、 MOSFET 分為了低端、中端和高端三 個層次。MOSFET：2021 年國內市場規(guī)模約 43 億美元，行業(yè)增速 10%左右。功率 半導體行業(yè)是一個需求驅動型的行業(yè)，其中 MOSFET 由于輸入阻抗高、控 制功率小、開關速度快、開關損耗小，主要用于 10KHz 以上以及輸出功 率 5KW 以下的應用，是功率分立器件占比最大份額品種，根據(jù) IHS Markit 統(tǒng)計，2018 年我國 MOSFET 市場規(guī)模約為 27.92 億美元，2016 年-2018 年增長率為 15.03%，高于功率半導體行業(yè)平均的增速，且隨著汽車電子 化比重提升以及手機快充、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）新應用的發(fā)展，MOSFET

19、用量 和增速大幅提高，我們保守假設由于基數(shù)原因復合增速放緩但仍保持約 10%，則預計 2021 年國內 MOSFET 市場規(guī)模約為 43 億美元約 277 億元。在汽車電子領域，MOSFET 在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電 制動等動力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領域均發(fā) 揮重要作用。在消費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C 接口的持 續(xù)滲透持續(xù)帶動 MOSFET 的市場需求。（4）IGBT：2025 年國內市場規(guī)?？蛇_ 522 億元IGBT 細分不同的品類。IGBT 是國際上公認的電力電子技術第三次革命具 代表性的產品，是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，IG

20、BT 的種類眾 多，綜合 IGBT 原理和作用，可將 IGBT 根據(jù)電壓等級劃分為低壓、中壓 和高壓 IGBT。IGBT 可分為單管、模塊和智能功率模塊（IPM,將 IGBT 芯 片、FRD 芯片、驅動電路、保護電路、檢測電路等集成在同一個模塊內） 三類產品，根據(jù)華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，2018 年 IGBT 模塊、IGBT 單管和 IPM 市 場規(guī)模占比分別約 52%、21%和 27%，三者生產制造技術和下游應用場景 均有所差異單管主要應用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功 率變頻器，標準模塊主要應用于大功率工業(yè)變頻器、電焊機、 新能源汽 車（電機控制器、車載空調、充電樁）等領域，IPM 模塊

21、主要應用于變 頻空調、變頻洗衣機等白色家電。市場規(guī)模上升，國產化趨勢明顯。長期以來，IGBT 市場一直被英飛凌、 三菱、富士電機、安森美等少數(shù)供應商所壟斷，缺貨漲價更是持續(xù)了較 長時間，業(yè)內甚至一度傳出 IGBT 供貨周期延長至 52 周。目前，政府對 半導體產業(yè)的支持力度非常大，在未來的 3-5 年內，國內 IGBT 產品設計 和工藝制造能力會得到大力提高。根據(jù)集邦咨詢預測，受益于新能源汽 車和工業(yè)領域的需求大幅增加，中國 IGBT 市場規(guī)模將持續(xù)增長，到 2025 年，中國 IGBT 市場規(guī)模將達到 522 億人民幣，2018-2025 年復合增長率 達 19.15%。2.3 短期受益供需

22、緊張帶來漲價，中長期受益國產替代短期趨勢：功率半導體供不應求，行業(yè)漲價有望持續(xù)超預期。2020年疫 情恢復以來，以車用、電動工具、光伏、LED等為代表的功率半導體市場 需求強勁，疊加全球晶圓制造8寸產能供應緊張，功率半導體市場供不應 求，缺貨漲價頻繁發(fā)生，根據(jù)SEMI發(fā)布的最新報告顯示，全球半導體制 造商有望從2020年到2024年將200mm晶圓廠的產能提高17，達到每 月660萬片晶圓的歷史新高，其中復合增速為4%，我們預計供需緊張將 維持1-2年。功率半導體龍頭公司紛紛宣布提價：5 月中旬，安森美宣布上 調部 分產品型號價格，定價周期于 7 月 10 日生效；比亞迪半導體宣布從 7 月

23、1 日起對 IPM、IGBT 單管產品進行價格調整，提漲幅度不低于 5%；聞泰科技并購的安世半導體也發(fā)布通知，宣布于 6 月 7 日提高 產品價格。中長期趨勢：國產廠家加強競爭，國產替代加快。半導體行業(yè)周期性的 特征，使得國內廠商在海外供應商無法供貨的情況下有供貨的機會，國 內廠商發(fā)展進程加快。芯片外采比例逐步降低，自研比例逐步提升，國 內本土企業(yè)提供從源頭設計定制的器件，為客戶進行客制化服務，使客 戶可以不選擇昂貴并且功能冗余的國外產品。產品國產替代的應用領域 從可靠性要求低，低電壓的變頻家電和傳統(tǒng)工業(yè)，逐步向可靠性要求高， 中高電壓的新能源變電、汽車領域升級。（1）MOS 市場格局：國內市

24、占率不到 15%Mos 國產市占率目前不到 15%，替代空間大。國內功率半導體近幾年隨 著光伏、消費電子等發(fā)展迅速，但產品主要集中在二極管、低壓 Mos 器 件、晶閘管等低端領域，生產工藝成熟且具有成本優(yōu)勢，但在新能源汽 車、航空、軌道交通等高端產品領域，國內僅有極少數(shù)廠商擁有生產能 力，目前高端產品市場主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠 商所壟斷，根據(jù) IHS 的數(shù)據(jù)，2018 年全球 MOSFET 市場中英飛凌與安森 美兩家占比 41%，而 2018 年國內 MOSFET 國內市場銷售份額中，英飛凌 與安森美兩家外資廠商占比達到 45.3%，國內廠商中僅華潤微位于前十 占有率到 8

25、.7%、新潔能市占率約 3.6%，疊加其他國內廠家我們預計國產 市占率不到 15%。隨著國內下游需求疊加外資廠商相繼退出中低壓 MOSFET 產品，MOSFET 迎國產替代黃金時期，我們認為短期內設計廠商相 較于 IDM 廠商更容易把握“進口替代”進程，取得快速發(fā)展。（2）IGBT 市場格局：國內市占率不到 20%IGBT 市場：根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，自 2015 年以來，我國 IGBT 自給率 超過 10%并逐漸增長，在 IGBT 模塊市場，2019 年全球市場份額前五 位的企業(yè)分別為英飛凌、三菱電機、富士電機、賽米控和日立功率， 合計占據(jù)了 69.8%的市場份額。而根據(jù)華經(jīng)情報網(wǎng)，國內市場 I

26、GBT 模塊市占率不到 20%，主要企業(yè)包括采用 IDM 模式的中車時代、比亞迪、士蘭微、華微電子等企業(yè)，以及具備設計和模塊封測的企業(yè)， 比如斯達半導、宏微科技、臺基股份等。2018 年 IPM 市場國內占比僅 0.5%：國內僅華微電子占有 0.5%的市場份額。市場占 比前十的廠商中，有 4 家為日系企業(yè)，2 家為德系企業(yè)，2 家為美系 企業(yè)，1 家為瑞士企業(yè)，僅 1 家為國產企業(yè)。目前，國產廠商華微 電子、士蘭微等通過增加自研能力，優(yōu)化供應速度來爭奪國內市場。三、華微電子：老牌 IDM，MOS 和 IGBT 升級帶來成長3.1 老牌廠商技術扎實，客戶群體穩(wěn)定老牌廠商多年深耕功率半導體，技術扎

27、實。作為國內第一家上市的功率 半導體公司，公司經(jīng)過五十多年的不斷積累、完善提升，已成為國內技 術領先、產品種類齊全的功率半導體器件 IDM 公司，公司同時擁有多項 功率器件領域的核心專利，涵蓋產品設計、工藝制造、封裝和 IPM 模塊， 被評為國家、省級技術創(chuàng)新型企業(yè)。先進、成熟的工藝技術平臺、高品 質的產品、迅捷專業(yè)的服務，為企業(yè)贏得了良好的市場口碑。公司在功 率半導體的多個領域內具有深厚的技術積累。超結 MOSFET：完成 8 寸超級 MOSFET 平臺建設及系列化，拓展公司 在電源領域的產品市場份額。IGBT：拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS 和新能源領域 IGBT 產品的份 額；開發(fā)新一代

28、 TrenchFS IGBT 產品和逆導型 IGBT 產品平臺；豐富 PM 和 IPM 模塊產品，并積極推進在工業(yè)和家電內的市場應用。CCT MOS：建立 80V、100V、150V CCT MOS 的 8 寸工藝平臺，進一步 降低產品導通電阻，拓展電源領域和電池保護（BMS 領域）的應用。超高壓 FRD：建立 3300V、4500V 超高反壓快恢復二極管，推動超高 壓 FRD 模塊的市場推廣,為 FRD 和 IGBT 產品進入軌道交通、電網(wǎng)等 領域奠定基礎?？煽毓璁a品：進行平面可控硅產品的系列化及在白色家電和漏電保 護領域的產品推廣。TVS 和齊納二極管：開發(fā) TVS 和齊納二極管類產品工藝

29、平臺，提升 公司產品配套能力。第三代半導體：開發(fā) SiC SBD 產品和 650V GaN 器件，實現(xiàn)在工業(yè)電 源和快充領域的應用。客戶覆蓋國內知名客戶。公司利用信息技術和互聯(lián)網(wǎng)技術實現(xiàn)了對客戶 的整合營銷，基于對客戶的價值管理原則，通過一對一營銷方式，滿足 不同客戶的需求，達到了客戶結構調整和產品結構調整的目的。公司已 具備成熟的計劃體系和生產系統(tǒng)以保證訂單及時交付率及客戶滿意度。 公司與供應商、客戶建立的長期友好合作關系有利于提高生產效率，優(yōu) 化生產周期，提升運營質量。多年來，華微電子為眾多國內外知名企業(yè) 長期提供功率半導體器件，合作伙伴遍布海內外。3.2 IGBT、IPM、MOS 三大產

30、品升級帶來持續(xù)拉動（1） IGBT 模塊在研第五代 GenTrench-FS 產品華微電子于 2008 年開始研制第一代 IGBT 芯片，是國內率先量產 IGBT 產品的企業(yè)之一，迄今為止已研發(fā)出四代 IGBT 芯片。第四代 IGBT 芯片 采用國際先進的 Trench FS 技術，相應的 IGBT 產品在各領域廣泛應用， 擁有良好的口碑。根據(jù)公司公告，公司正在開發(fā)新一代 Trench FS IGBT 產品和逆導型 IGBT 產品平臺，且加大拓展在白色家電、工業(yè)變頻、UPS 和新能源領域 IGBT 產品的份額。IGBT 部分領域領先，未來往汽車等高階領域拓展。目前公司 IGBT 主要應用在變頻

31、家電、工業(yè)變頻、光伏領域、電磁爐、電焊機、電動汽車等 領域，其中部分領域如高端電焊機領域公司的 600V、1200V 變頻 IGBT 分立器件具備低功耗以及更安全的并聯(lián)操作和更高的魯棒性和可靠性， 未來的成長一方面是繼續(xù)拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS 和新能源領域 IGBT 產品的份額；另外部分是開發(fā)新一代 Trench FS IGBT 產品和逆導 型 IGBT 產品平臺有望進入汽車電力機車、動車組等高端領域。（2）IPM 模塊：立足先發(fā)優(yōu)勢，不斷加大家電等客戶導入傳統(tǒng) IGBT 等分立功率半導體器件向 IPM 升級。與分立方案相比，智能 功率模塊（IPM）在減少占板空間、提升系統(tǒng)可靠性、簡化

32、設計和加速產 品上市等方面都具有無可比擬的優(yōu)勢。IPM 作為先進的混合集成功率器 件，使用 IPM 可以使生產廠家降低在設計、開發(fā)和制造上的成本。與普 通 IGBT 相比，在系統(tǒng)性能和可靠性上有進一步的提升。由于 IPM 集成了 驅動和保護電路，使得用戶的產品設計變的相對容易，并能縮短開發(fā)周 期；由于 IPM 通態(tài)損耗和開關損耗都比較低，使得散熱器減小，因而系 統(tǒng)尺寸也減?。凰械?IPM 均采用同樣的標準化與邏輯電平控制電路相 聯(lián)的控制接口，在產品系列擴充時無需另行設計電路。IPM 在故障情況 下的自保護能力，也減少了器件在開發(fā)和使用中過載情況下的損壞機會。布局 IPM 多年，打開中長期市場空間。華微電子智能功率板塊是 2013 年建立，主要由華微電子控股子公司吉林華微斯帕克來主導。華微斯帕 克以建立國內最大的智能功率模塊研發(fā)、制造及銷售公司為目標，吸引 了一批從三洋、IR 等出來的擁有十幾年工作經(jīng)驗的專業(yè)團隊加盟。工廠 建筑面積 3500 平方米，現(xiàn)有員工 60 人，公司的 IPM 封裝平臺，已經(jīng)完 成全系列產品開發(fā)，在白色家電、工 業(yè)領域已形成品牌口碑和規(guī)模優(yōu)勢。公司目前在白色家電、工業(yè)領域已形成品牌口碑和規(guī)模優(yōu)勢；近年來， 國產 I