1、73/73第三部分-附錄 每個用戶的硬盤中都存放著大量的有用數(shù)據(jù)，而硬盤又是一個易出毛病的部件。為了有效的保存硬盤中的數(shù)據(jù)，除了有效的保存硬盤中的數(shù)據(jù)，備份工作以外，還要學(xué)會在硬盤出現(xiàn)故障時如何救活硬盤，或者提取其中的有用數(shù)據(jù)，把損失降到最小程度。 1、系統(tǒng)不承認(rèn)硬盤 此類故障比較常見，即從硬盤無法啟動，從其它盤啟動也無法進(jìn)入C盤，使用CMOS中的自動監(jiān)測功能也無法發(fā)覺硬盤的存在。這種故障大都出現(xiàn)在連接電纜或IDE口端口上，硬盤本身的故障率專門少，可通過重新插拔硬盤電纜或者改換IDE口及電纜等進(jìn)行替換試驗(yàn)，可專門快發(fā)覺故障的所在。假如新接上的硬盤不承認(rèn)，關(guān)于IDE硬盤，還有一個常見的緣故確實(shí)是

2、硬盤上的主從條線，假如硬盤接在IDE的主盤位置，則硬盤必須跳為主盤狀，跳線錯誤一般無法檢測到硬盤。 2、CMOS引起的故障 CMOS的正確與否直接阻礙硬盤的正常使用，那個地點(diǎn)要緊指其中的硬盤類型。好在現(xiàn)在的機(jī)器都支持IDEautodetect的功能，可自動檢測硬盤的類型。當(dāng)連接新的硬盤或者更換新的硬盤后都要通過此功能重新進(jìn)行設(shè)置類型。因此，現(xiàn)在有的類型的主板可自動識不硬盤的類型。當(dāng)硬盤類型錯誤時，有時干脆無法啟動系統(tǒng)，有時能夠啟動，但會發(fā)生讀寫錯誤。比如CMOS中的硬盤類型小于實(shí)際的硬盤容量，則硬盤后面的扇區(qū)將無法讀寫，假如是多分區(qū)狀態(tài)則個不分區(qū)將丟失。還有一個重要的故障緣故，由于目前的IDE

3、都支持邏輯參數(shù)類型，硬盤可采納Normal、LBA、Large等。假如在一般的模式下安裝了數(shù)據(jù)，而又在CMOS中改為其他的模式，則會發(fā)生硬盤的讀寫錯誤故障，因?yàn)槠湮锢淼刭|(zhì)的映射關(guān)系差不多改變，將無法讀取原來的正確硬盤位置。 3、主引導(dǎo)程序引起的啟動故障 硬盤的主引導(dǎo)扇區(qū)是硬盤中的最為敏感的一個部件，其中的主引導(dǎo)程序是它的一部分，此段程序要緊用于檢測硬盤分區(qū)的正確性，并確定活動分區(qū)，負(fù)責(zé)把引導(dǎo)權(quán)移交給活動分區(qū)的DOS或其他操作系統(tǒng)。此段程序損壞將無法從硬盤引導(dǎo)，但從軟區(qū)或光區(qū)之后可對硬盤進(jìn)行讀寫。修復(fù)此故障的方法較為簡單，使用高版本DOS的fdisk最為方便，當(dāng)帶參數(shù)/mbr運(yùn)行時，將直接更換(

4、重寫)硬盤的主引導(dǎo)程序。實(shí)際上硬盤的主引導(dǎo)扇區(qū)正是此程序建立的，fdisk.exe之中包含有完整的硬盤主引導(dǎo)程序。盡管DOS版本不斷更新，但硬盤的主引導(dǎo)程序一直沒有變化，從DOS3.x到目前有winDOS95的DOS，因此只要找到一種DOS引導(dǎo)盤啟動系統(tǒng)并運(yùn)行此程序即可修復(fù)。 4、分區(qū)表錯誤引導(dǎo)的啟動故障 分區(qū)表錯誤是硬盤的嚴(yán)峻錯誤，不同錯誤的程度會造成不同的損失。假如是沒有活動分區(qū)標(biāo)志，則計(jì)算機(jī)無法啟動。但從軟驅(qū)或光驅(qū)引導(dǎo)系統(tǒng)后可對硬盤讀寫，可通過fdisk重置活動分區(qū)進(jìn)行修復(fù)。假如是某一分區(qū)類型錯誤，可造成某一分區(qū)的丟失。分區(qū)表的第四個字節(jié)為分區(qū)類型值，正常的可引導(dǎo)的大于32mb的差不多D

5、OS分區(qū)值為06，而擴(kuò)展的DOS分區(qū)值是05。假如把差不多DOS分區(qū)類型改為05則無法啟動系統(tǒng)，同時不能讀寫其中的數(shù)據(jù)。假如把06改為DOS不識不的類型如efh，則DOS認(rèn)為改分區(qū)不是DOS分區(qū)，因此無法讀寫。專門多人利用此類型值實(shí)現(xiàn)單個分區(qū)的加密技術(shù)，恢復(fù)原來的正確類型值即可使該分區(qū)恢復(fù)正常。分區(qū)表中還有其他數(shù)據(jù)用于紀(jì)錄分區(qū)的起始或終止地址。這些數(shù)據(jù)的損壞將造成該分區(qū)的混亂或丟失，一般無法進(jìn)行手工恢復(fù)，唯一的方法是用備份的分區(qū)表數(shù)據(jù)重新寫回，或者從其他的相同類型的同時分區(qū)狀況相同的硬盤上獵取分區(qū)表數(shù)據(jù)，否則將導(dǎo)致其他的數(shù)據(jù)永久的丟失。在對主引導(dǎo)扇區(qū)進(jìn)行操作時，可采納nu等工具軟件，操作特不的

6、方便，可直接對硬盤主引導(dǎo)扇區(qū)進(jìn)行讀寫或編輯。因此也可采納debug進(jìn)行操作，但操作繁瑣同時具有一定的風(fēng)險(xiǎn)。 5、分區(qū)有效標(biāo)志錯誤引起的硬盤故障 在硬盤主引導(dǎo)扇區(qū)中還存在一個重要的部分，那確實(shí)是其最后的兩個字節(jié):55aah，此字為扇區(qū)的有效標(biāo)志。當(dāng)從硬盤，軟盤或光區(qū)啟動時，將檢測這兩個字節(jié)，假如存在則認(rèn)為有硬盤存在，否則將不承認(rèn)硬盤。此標(biāo)志時從硬盤啟動將轉(zhuǎn)入rombasic或提示放入軟盤。從軟盤啟動時無法轉(zhuǎn)入硬盤。此處可用于整個硬盤的加密技術(shù)?？刹杉{debug方法進(jìn)行恢復(fù)處理。另外，DOS引導(dǎo)扇區(qū)仍有如此的標(biāo)志存在，當(dāng)DOS引導(dǎo)扇區(qū)無引導(dǎo)標(biāo)志時，系統(tǒng)啟動將顯示為:missingoperating

7、system。其修復(fù)的方法可采納的主引導(dǎo)扇區(qū)修復(fù)方法，只是地址不同，更方便的方法是使用下面的DOS系統(tǒng)通用的修復(fù)方法。 6、DOS引導(dǎo)系統(tǒng)引起的啟動故障 DOS引導(dǎo)系統(tǒng)要緊由DOS引導(dǎo)扇區(qū)和DOS系統(tǒng)文件組成。系統(tǒng)文件要緊包括io.sys、msdos.sys、，其中是DOS的外殼文件，可用其他的同類文件替換，但缺省狀態(tài)下是DOS啟動的必備文件。在Windows95攜帶的DOS系統(tǒng)中，msdos.sys是一個文本文件，是啟動windows必須的文件。但只啟動DOS時可不用此文件。但DOS引導(dǎo)出錯時，可從軟盤或光盤引導(dǎo)系統(tǒng)，之后使用sys c:傳送系統(tǒng)即可修復(fù)故障，包括引導(dǎo)扇區(qū)及系統(tǒng)文件都可自動修

8、復(fù)到正常狀態(tài)。 7、fat表引起的讀寫故障 fat表紀(jì)錄著硬盤數(shù)據(jù)的存儲地址，每一個文件都有一組連接的fat鏈指定其存放的簇地址。fat表的損壞意味著文件內(nèi)容的丟失。慶幸的是DOS系統(tǒng)本身提供了兩個fat表，假如目前使用的fat表損壞，可用第二個進(jìn)行覆蓋修復(fù)。但由于不同規(guī)格的磁盤其fat表的長度及第二個fat表的地址也是不固定的，因此修復(fù)時必須正確查找其正確位置，由一些工具軟件如nu等本身具有如此的修復(fù)功能，使用也特不的方便。采納debug也可實(shí)現(xiàn)這種操作，即采納其m命令把第二個fat表移到第一個表處即可。假如第二個fat表也損壞了，則也無法把硬盤恢復(fù)到原來的狀態(tài)，但文件的數(shù)據(jù)仍然存放在硬盤的

9、數(shù)據(jù)區(qū)中，可采納chkdsk或scandisk命令進(jìn)行修復(fù)，最終得到*.chk文件，這便是丟失fat鏈的扇區(qū)數(shù)據(jù)。假如是文本文件則可從中提取并可合并完整的文件，假如是二進(jìn)制的數(shù)據(jù)文件，則專門難恢復(fù)出完整的文件。 8、目錄表損壞引起的引導(dǎo)故障 目錄表紀(jì)錄著硬盤中文件的文件名等數(shù)據(jù)，其中最重要的一項(xiàng)是該文件的起始簇號，目錄表由于沒有自動備份功能，因此假如目錄損壞將丟失大量的文件。一種減少損失的方法也是采納上面的chkdsk或scandisk程序的方法，從硬盤中搜索出chk文件，由目錄表損壞時是首簇號丟失，在fat為損壞的情況下所形成的chk文件一般都比較完整的文件數(shù)據(jù)，每一個chk文件即是一個完整

10、的文件，把其改為原來的名字可恢復(fù)大多數(shù)文件。 9、誤刪除分區(qū)時數(shù)據(jù)的恢復(fù) 當(dāng)用fdisk刪除了硬盤分區(qū)之后，表面現(xiàn)象是硬盤中的數(shù)據(jù)差不多完全消逝，在未格式化時進(jìn)入硬盤會顯示無效驅(qū)動器。假如了解fdisk的工作原理，就會明白，fdisk只是重新改寫了硬盤的主引導(dǎo)扇區(qū)(0面0道1扇區(qū))中的內(nèi)容。具體講確實(shí)是刪除了硬盤分區(qū)表信息，而硬盤中的任何分區(qū)的數(shù)據(jù)均沒有改變，可仿造上述的分區(qū)表錯誤的修復(fù)方法，即想方法恢復(fù)分區(qū)表數(shù)據(jù)即可恢復(fù)原來的分區(qū)即數(shù)據(jù)，但這只限于除分區(qū)或重建分區(qū)之后。假如差不多對分區(qū)用format格式化，在先恢復(fù)分區(qū)后，在按下面的方法恢復(fù)分區(qū)數(shù)據(jù)。 10、誤格式化硬盤數(shù)據(jù)的恢復(fù) 在DOS高

11、版本狀態(tài)下，格式化操作format在缺省狀態(tài)下都建立了用于恢復(fù)格式化的磁盤信息，實(shí)際上是把磁盤的DOS引導(dǎo)扇區(qū)，fat分區(qū)表及目錄表的所有內(nèi)容復(fù)制到了磁盤的最后幾個扇區(qū)中(因?yàn)楹竺娴纳葏^(qū)專門少使用)，而數(shù)據(jù)區(qū)中的內(nèi)容全然沒有改變。如此通過運(yùn)行unformatc:即可恢復(fù)原來的文件分配表及目錄表，從而完成硬盤信息的恢復(fù)。另外DOS還提供了一個miror命令用于紀(jì)錄當(dāng)前的磁盤的信息，供格式化或刪除之后的恢復(fù)使用，此方法也比較有效。 附錄一 各類故障推斷思路（流程）（一）加電類故障推斷流程啟動與關(guān)閉類故障推斷流程（三）磁盤類故障推斷流程（四）顯示類故障推斷流程（五）安裝類故障推斷流程（六）局域網(wǎng)類故

12、障推斷流程（八）Internet類故障推斷流程（九）端口與外設(shè)類故障推斷流程（十）音視頻類故障推斷流程附錄二 部分部件、設(shè)備的技術(shù)規(guī)格內(nèi)存技術(shù)規(guī)格識不 從PC100標(biāo)準(zhǔn)開始內(nèi)存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當(dāng)開機(jī)時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設(shè)置內(nèi)存的存取時刻。我們能夠借助SiSoft Sandra2001（下載地址 HYPERLINK http:/www.sisoftware.co.uk/index.htm http

13、:/www.sisoftware.co.uk/index.htm）這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范。內(nèi)存技術(shù)規(guī)范統(tǒng)一的標(biāo)注格式，一般為PCx-xxx-xxx，然而不同的內(nèi)存規(guī)范，其格式也有所不同。 1、內(nèi)存的定義內(nèi)存指的確實(shí)是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，并對其存儲數(shù)據(jù)的部件。存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實(shí)質(zhì)確實(shí)是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路。2、內(nèi)存的分類1）內(nèi)存類型分類RAM (Random Access Memory)隨機(jī)讀寫存儲器ROM (Rea

14、d Only Memory)只讀存儲器SRAM (Static Random Access Memory)靜態(tài)隨機(jī)讀寫存儲器DRAM (Dynamic Random Access Memory) 動態(tài)隨機(jī)讀寫存儲器2）內(nèi)存芯片分類FPM (FastMode) DRAM 快速頁面模式的DRAMEDO (Extended Data Out) DRAM即擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM 速度比FPM DRAM快15%30%BEDO (Burst EDO) DRAM突發(fā)式EDO DRAM 性能提高40%左右SDRAM (Synchronous DRAM) 同步DRAM 與CPU的外部工作時鐘同步RDRAM (Ra

15、mbus DRAM ) DDR (Double Data Rate) DRAM 3）按內(nèi)存速度分PC66PC100PC133PC200PC2664）按內(nèi)存接口形式分SIMM(Single-In Line Memory Module)單邊接觸內(nèi)存條,分為30線和72線兩種。DIMM(Dual In-Line Memory Module)雙邊接觸內(nèi)存條，168（SDRAM）線，184(DDR1)線，240(DDR2)線等，目前廣泛使用DDR3內(nèi)存，工作電壓1.3。SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Module144線DIMM要緊用于筆記本型電腦RIM

16、M5）按是否有緩沖分UnbufferedRegistered6）按是否有校驗(yàn)分Non-ECCECC3、PC66/100 SDRAM內(nèi)存標(biāo)注格式 （1）1.01.2版本 這類版本內(nèi)存標(biāo)注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時刻），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時刻），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2；e表示最大的tAC（相關(guān)于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時

17、刻），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內(nèi)存條上都有EEPROM，用來記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合Intel PC100規(guī)范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內(nèi)存必須通過注冊。 （2）1.2b+版本 其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時刻），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鐘周期數(shù)表示；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時刻），用時鐘周

18、期數(shù)表示；ee代表相關(guān)于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時刻，表達(dá)時不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內(nèi)存必須通過注冊。 4、PC133 SDRAM（版本為2.0）內(nèi)存標(biāo)注格式 威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133 CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在133M

19、Hz時最好能達(dá)到CAS=2。 PC133 SDRAM標(biāo)注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；c表示最小的CL（即CAS的延遲時刻），用時鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時刻，用時鐘周期數(shù)表示；ff代表相關(guān)于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時刻，表達(dá)時不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。 5、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標(biāo)注格式其格式

20、為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；cc表示CAS延遲時刻，用時鐘周期數(shù)表示，表達(dá)時不帶小數(shù)點(diǎn)，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時刻，用時鐘周期數(shù)表示；ff代表相關(guān)于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時刻，表達(dá)時不帶小數(shù)點(diǎn)，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為

21、1.0。 6、RDRAM 內(nèi)存標(biāo)注格式其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內(nèi)存容量；b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量；c代表內(nèi)存支持ECC；d保留；e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s，對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為800*1/2=400MHZ。 7、各廠商內(nèi)存芯片編號（1）HYUNDAI（現(xiàn)代） 現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性特不行，支持DIMM的主板一般都能夠順利的使用它，其SDRAM芯片編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示

22、芯片類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分不代表4位、8位、16位和32位）；h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成（1、2、3分不代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系）；

23、I代表接口（0=LVTTLLow Voltage TTL接口）；j代表內(nèi)核版本（能夠?yàn)榭瞻谆駻、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=一般芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns143MHz，8=8ns125MHz，10p=10nsPC-100 CL2或3，10s=10nsPC-100 CL3，10=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=5ns66MHz）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY

24、表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refreshcycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-封裝，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz專門穩(wěn)定。一般來講，編號最后兩位是7K的代表該內(nèi)存外頻是PC100，75的是PC133的，但現(xiàn)代內(nèi)存目前尾號為7

25、5的早已停產(chǎn)，改換為T-H如此的尾號，可市場上PC133的現(xiàn)代內(nèi)存尾號為75的還有專門多，這可能是往常的屯貨，但可能性專門小，假貨的可能性較大，因此最好購買T-H尾號的PC133現(xiàn)代內(nèi)存。 （2）LGSLG Semicon LGs現(xiàn)在已被HY兼并，市面上LGs的內(nèi)存芯片也專門常見。 LGS SDRAM內(nèi)存芯片編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數(shù)據(jù)位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內(nèi)核版本，至少已排到

26、E；g代表功耗（L=低功耗，空白=一般）；T代表封裝（T=常見的TSOP封裝，I=BLP封裝）；hi代表速度（7.5=7.5ns133MHz，8=8ns125MHz，7K=10nsPC-100 CL2或3 ，7J=10ns100MHz，10K=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=15ns66MHz）。 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS編號后綴中，7.5是PC133內(nèi)存；8是真正的8ns PC 100內(nèi)存，速度快于7K/7J；7K和7J屬于PC 100的SDRAM，兩者

27、要緊區(qū)不是第三個反應(yīng)速度的參數(shù)上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩(wěn)定；10K屬于非PC100規(guī)格的，速度極慢，由于與7J/7K外型相似，許多奸商把它們冒充7J/7K的來賣。 （3）Kingmax(勝創(chuàng)) Kingmax的內(nèi)存采納先進(jìn)的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內(nèi)存都采納TSOP封裝。采納TinyBGA封裝的內(nèi)存，其大小是TSOP封裝內(nèi)存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝能夠?qū)⒋鎯θ萘刻岣呷?，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩(wěn)定性，只是Kingmax內(nèi)存與主板芯片組的兼容性不太好

28、，例如Kingmax PC150內(nèi)存在某些KT133主板上難道無法開機(jī)。 Kingmax SDRAM內(nèi)存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內(nèi)存(下圖)實(shí)際上是能上150外頻且能穩(wěn)定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內(nèi)存條，該類型內(nèi)存的REV1.2版本要緊解決了與VIA 694X芯片組主板兼容問題，因此要好于REV1.1版本。購買Kingmax內(nèi)存時，你要注意不買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內(nèi)存打磨成7ns的PC133或PC150內(nèi)存，因此你最好用SISOFT SANDRA2001等軟件測試一下內(nèi)存的速度，注意觀看內(nèi)存上字

29、跡是否清晰，是否有規(guī)則的刮痕，芯片表面是否發(fā)白等，看看芯片上的編號。 KINGMAX PC150內(nèi)存采納了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了專門大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內(nèi)存來的快；Kingmax的PC133內(nèi)存芯片是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內(nèi)存芯片有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區(qū)不在于：PC100的內(nèi)存有相當(dāng)一部分能夠超頻到133，但不是全部；而PC133的內(nèi)存卻能夠保證100%穩(wěn)定工作在

30、PC133外頻下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵風(fēng)金條) 金邦金條分為金、紅、綠、銀、藍(lán)五種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應(yīng)不同的主板。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條針對PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍(lán)A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍(lán)V色金條針對KX133主板；藍(lán)T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。 金邦內(nèi)存芯片編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄

31、型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產(chǎn)品；6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設(shè)備號碼（深度*寬度，內(nèi)存芯片容量 = 內(nèi)存基粒容量 * 基粒數(shù)目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內(nèi)存基粒容量；8 = 基粒數(shù)目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=

32、反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U= BGA）；-7是存取時刻（7=7ns（143MHz）；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）

33、；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1以1的倍數(shù)為單位、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256254 = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內(nèi)存。 三星SDRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x4、8 = x8、16

34、= x16）；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns143MHz、8 = 8ns125 MHz、10 = 10ns100 MHz、H = 100 MHz CAS值為2、L = 100 MHz CAS值為3 ）。三星的容量需要自己

35、計(jì)算一下，方法是用S后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第2代內(nèi)存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。 三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、

36、16=x16、32=x32）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM3.3V、L=DDR SDRAM2.5V）；4代表內(nèi)存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K 15.6s、1 = 32m/2K 15.6s、2 = 128m/8K15.6s、3 = 64m/8K7.8s、4 = 128m/16K7.8s）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(

37、3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時刻0 = 64m/4K (15.6s)，內(nèi)存

38、芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA 逆轉(zhuǎn)CSP、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps

39、）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。 （6）Micron（美光） Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存條），其SDRAM芯片編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j 其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M

40、=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)據(jù)位寬(4、8、16、32分不代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write RecoveryTwr(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U= BGA）；

41、j代表功耗（L=低耗，空白=一般）；hj代表速度，分成以下四類： （A）、DRAM -4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鐘率 CL3） -15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鐘率 CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz （B）、Rambus（時鐘率） -4D=40

42、0MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns +的含義 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支

43、持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz 其它還有如：黑金剛Kingbox 宇瞻Apacer 英飛凌Infineon 金士頓 經(jīng)歷科技 Ramaxel 星存StarRam 威剛 ADATA 金士泰Kingstek 要緊內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商：三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)茂矽(MOSEL)（7）其它內(nèi)

44、存芯片編號 NEC的內(nèi)存芯片編號例如PD4564841G5-A80-9JF表示：PD4代表NEC的產(chǎn)品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數(shù)據(jù)位寬（4、8、16、32分不代表4位、8位、16位、32位，當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數(shù)（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的芯片，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPII封裝；-A80代表速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設(shè)為2

45、（80=8ns125MHz CL 3，10=10nsPC100 CL 3，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規(guī)范，12=12ns，70=PC133，75=PC133）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。 HITACHI的內(nèi)存芯片編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產(chǎn)品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分不代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內(nèi)核（現(xiàn)在至少已排到

46、F了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=一般）；TT為TSOII封裝；B60代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，A60=10nsPC-100 CL2或3，B60=10nsPC-100 CL3即100MHZ時CL是3）。 SIEMENS（西門子）內(nèi)存芯片編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHzCL3，10=100MHzPC66規(guī)格）。 TOSHIBA的內(nèi)存芯片編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產(chǎn)品；

47、59代表SDRAM（其后的S=一般SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數(shù)據(jù)位寬（04、08、16、32分不代表4位、8位、16位和32位）；B表示內(nèi)核的版本；FT為TSOPII封裝（FT后如有字母L=低功耗，空白=一般）；80代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，10=10ns100MHz CL=3）。 IBM的內(nèi)存芯片編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產(chǎn)品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分不代表4、

48、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=一般）；D表示內(nèi)核的版本；10代表速度（68=6.8ns147MHz，75A=7.5NS133MHz，260或222=10nsPC100 CL2或3，360或322=10nsPC100 CL3，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時的標(biāo)定速度為：135MHZ，10=10NS100MHz。 硬盤的技術(shù)規(guī)格硬盤的分類按照結(jié)構(gòu)分為機(jī)械式硬盤（英文名：Hard Disc Drive，簡稱HDD，全名溫徹斯特式硬盤）和固態(tài)硬盤（SSD ：Solid State Disk，全名固態(tài)電子存儲芯片陣列）硬盤的技術(shù)規(guī)格 轉(zhuǎn)速：硬盤通常是按每分鐘轉(zhuǎn)速(RPM

49、，Revolutions Per Minute)計(jì)算：該指標(biāo)代表了硬盤主軸馬達(dá)（帶動磁盤）的轉(zhuǎn)速，比如5400 RPM就代表該硬盤中主軸轉(zhuǎn)速為每分鐘5400轉(zhuǎn)。目前主流筆記本硬盤轉(zhuǎn)速為5400RPM；臺式機(jī)硬盤則為7200RPM。但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，筆記本和臺式機(jī)均有萬轉(zhuǎn)產(chǎn)品問世，但多用用于企業(yè)用戶。單碟容量：單碟容量是硬盤相當(dāng)重要的參數(shù)之一。硬盤是由多個存儲碟片組合而成，而單碟容量確實(shí)是指一個存儲碟所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。目前在垂直記錄技術(shù)的關(guān)心下，單碟容量從之前80GB升級到500GB或者640GB，進(jìn)展速度相當(dāng)快。硬盤單碟容量提高不僅僅能夠帶來總?cè)萘刻嵘?，有利于降低生產(chǎn)成，提高工作穩(wěn)定性

50、；而且單碟容量越大其內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率就越快。平均尋道時刻：平均尋道時刻指硬盤在盤面上移動讀寫磁頭到指定磁道查找相應(yīng)目標(biāo)數(shù)據(jù)所用的時刻，單位為毫秒。當(dāng)單碟容量增大時，磁頭的尋道動作和移動距離減少，從而使平均尋道時刻減少，加快硬盤訪問速度。 緩存：緩存是硬盤與外部交換數(shù)據(jù)的臨時場所。硬盤讀/寫數(shù)據(jù)時，通過緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，就像一個中轉(zhuǎn)倉庫一樣。目前大多數(shù)硬盤緩存差不多達(dá)到32MB，而關(guān)于大容量產(chǎn)品則均為64MB容量。內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率：內(nèi)部傳輸率是指硬盤磁頭與緩存之間的數(shù)據(jù)傳輸率，簡單講確實(shí)是硬盤將數(shù)據(jù)從盤片上讀取出來，然后存儲在緩存上的速度。內(nèi)部傳輸率能夠明確表現(xiàn)出硬盤的讀寫速

51、度，它的高低才是評價(jià)一個硬盤整體性能的決定性因素。目前大多數(shù)桌面級硬盤差不多都在70-90MB/S之間，筆記本硬盤則在55MB/S左右。日立硬盤 例如: HDP725050GLA360 H = Hitachi（日立標(biāo)識）D = DeskstarP = P7K500系列（S代表Standard） 72 = 7200轉(zhuǎn)50 = 此系列產(chǎn)品的最大容量為500GB（10=1000GB） 50 = 此款硬盤容量為500GB（16=160GB，25=250GB，32=320GB, 50=500GB, 75=750GB，10=1000GB）G = 系列代號 L = 標(biāo)準(zhǔn)尺寸A3 = SATA 3.0Gb/s

52、 接口（AT=PATA 133接口）6 = 16MB緩存（8=8MB 緩存，6=16MB緩存，3=32MB緩存） 0 = 保留位希捷硬盤 例如: ST31000528ASST = Seagate（希捷）3 = 3.5英寸（1=3.5英寸全高硬盤，3=3.5英寸半高硬盤）1000 = 1TB容量（250=250GB，320=320GB，500=500GB，以此類推） 5 = 32MB緩存（8=8MB，6=16MB）2 = 兩張碟片（1=單碟，3=三碟，4=四碟）A = 保留位S = Serial ATA串行接口（A=PATA并行接口）西部數(shù)據(jù)硬盤 例如: WD2500JS-00SGB0WD =

53、Western Digital（西部數(shù)據(jù)）2500 = 250GB容量（1600=160GB，5000=500GB，以此類推）J = 7200rpm/8MB緩存（B=7200轉(zhuǎn)2MB，E=5400轉(zhuǎn)Protege系列，G=10000轉(zhuǎn)8MB） S = SATA 300MB/s接口（B=ATA接口，D=SATA 150MB/s接口）00 = 零售市場（非00則是面向OEM客戶）S = 單碟容量G = 代表同系列硬盤的版本B0 = 代表硬盤Firmware版本（我們常見的確實(shí)是A0和B0）液晶顯示器技術(shù)規(guī)格1、分辨率 LCD是通過液晶象素實(shí)現(xiàn)顯示的，但由于液晶象素的數(shù)目和位置差不多上固定不變的，因

54、此液晶只有在標(biāo)準(zhǔn)分辨率下才能實(shí)現(xiàn)最佳顯示效果，而在非標(biāo)準(zhǔn)的分辨率下則是由LCD內(nèi)部的ic通過插值算法計(jì)算而得，應(yīng)此畫面會變得模糊不清，然而LCD顯示器的真實(shí)分辨率依照LCD的面板尺寸定，15英寸的真實(shí)分辨率為1024768，17英寸為12801024。 2、LCD的點(diǎn)距 LCD顯示器的像素間距(pixel pitch)的意義類似于CRT的點(diǎn)距(dot pitch)。只是前者關(guān)于產(chǎn)品性能的重要性卻沒有后者那么高。CRT的點(diǎn)距會因?yàn)檎谡只蚬鈻诺脑O(shè)計(jì)、視頻卡的種類、垂直或水平掃描頻率的不同而有所改變。LCD顯示器的像素?cái)?shù)量則是固定的。因此，只要在尺寸與分辨率都相同的情況下，所有產(chǎn)品的像素間距都應(yīng)該是

55、相同的。例如，分辨率為1024768的15英寸LCD顯示器，其像素間距皆為0.297mm(亦有某些產(chǎn)品標(biāo)示為0.30mm)。 3、波浪 波浪(亦稱作水波浪Moire)，也是和相位一樣是看不出來的，水波浪會在畫面上顯示出像水波漣漪一般的呈相結(jié)果，在一般的情況下相當(dāng)難看得出來，然而您也能夠用全白的畫面來檢測，盡管不是專門容易察覺 ，然而站的略微和顯示器有一些距離，認(rèn)真瞧一瞧就能夠發(fā)覺，水波浪也是能夠調(diào)整的。 4、響應(yīng)時刻 響應(yīng)時刻是LCD顯示器的一個重要指標(biāo)，它是指各像素點(diǎn)對輸入訊號反應(yīng)的速度，即像素由暗轉(zhuǎn)亮或由亮轉(zhuǎn)暗的速度，其單位是毫秒(ms)，響應(yīng)時刻是越小越好，假如響應(yīng)時刻過長，在顯示動態(tài)影

56、像(特不是在看看DVD、玩游戲)時，就會產(chǎn)生較嚴(yán)峻的拖尾現(xiàn)象。目前大多數(shù)LCD顯示器的響應(yīng)速度都在25ms左右，如明基、三星等一些高端產(chǎn)品反應(yīng)速度以達(dá)到16ms甚至現(xiàn)在出現(xiàn)了12ms的液晶。 5、可視角度 可視角度也是LCD顯示器特不重要的一個參數(shù)。由于LCD顯示器必須在一定的觀賞角度范圍內(nèi)，才能夠獲得最佳的視覺效果，假如從其它角度看，則畫面的亮度會變暗(亮度減退)、顏色改變、甚至某些產(chǎn)品會由正像變?yōu)樨?fù)像。由此而產(chǎn)生的上下(垂直可視角度)或左右(水平可視角度)所夾的角度，確實(shí)是LCD的“可視角度”。由于提供LCD顯示器顯示的光源經(jīng)折射和反射后輸出時已有一定的方向性，在超出這一范圍觀看就會產(chǎn)生色

57、彩失真現(xiàn)象。 6、LCD顯示器的刷新率 由于設(shè)計(jì)上的不同，LCD顯示器實(shí)際上并可不能像CRT顯示器因?yàn)樗⑿侣实母叩投a(chǎn)生閃耀的狀況。關(guān)于CRT顯示器來講，刷新率關(guān)系到畫面更新的速度，速度愈快畫面愈不容易閃耀，刷新率一般在75Hz以上，如此使用 者比較可不能感到畫面閃耀(假如您有看過由攝影機(jī)所拍攝的顯示器畫面 ，會發(fā)覺有一條一條的黑影閃過，假如刷新率越高，那個黑影閃耀次數(shù) 就越低，對使用者的眼睛也越好)。 7、亮度，對比度 亮度是以每平方米燭光(cd/m2)為測量單位，通常在液晶顯示器規(guī)格中都會標(biāo)示亮度，而亮度的標(biāo)示確實(shí)是背光光源所能產(chǎn)生的最大亮度。一般LCD顯示器都有顯示200cd/m2的亮度

58、能力，更高的甚至達(dá)300cd/m2以上。亮度越高，適應(yīng)的使用環(huán)境也就越廣泛。 目前提高亮度的方法有兩種，一種是提高LCD面板的光通過率；另一種確實(shí)是增加背景燈光的亮度，即增加燈管數(shù)量。那個地點(diǎn)需要注意的是，較亮的產(chǎn)品不見得確實(shí)是較好的產(chǎn)品，亮度是否均勻才是關(guān)鍵，這在產(chǎn)品規(guī)格講明書里是找不到的。亮度均勻與否和光源及反光鏡的數(shù)量與配置方式息息相關(guān)，離光源遠(yuǎn)的地點(diǎn)，其亮度必定較暗。 8、信號輸入接口 LCD顯示器一般都使用了兩種信號輸入方式：傳統(tǒng)模擬VGA的15針狀D型接口(15 pin D-sub)和DVI輸入接口。為了適合主流的帶模擬接口的顯示卡，大多數(shù)的LCD顯示器均提供模擬接口，然后在顯示器

59、內(nèi)部今后自顯示卡的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。由于在信號進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換的過程中，會有若干信息損失，因而顯示出來的畫面字體可能有模糊、抖動、色偏等現(xiàn)象發(fā)生；現(xiàn)在擁有DVI和VGA接口的顯卡比比皆是，價(jià)格也不高，因此建議使用DVI接口。 9、LCD的壞點(diǎn) LCD顯示器最怕的確實(shí)是壞點(diǎn)，所謂的壞點(diǎn)，確實(shí)是不管顯示器所顯示出來的 圖像為何，LCD上的某一點(diǎn)永久是顯示同一種顏色(一般壞點(diǎn)以綠色及藍(lán)色為多)，檢查壞點(diǎn)的方式相當(dāng)?shù)暮唵?，只要將LCD顯示器的亮度及對比調(diào)到最大(讓顯示器成全白的畫面)，以及調(diào)成最小(讓顯示器成全黑的畫面)，就能夠輕易找出無法顯示顏色的壞點(diǎn)。附：LED背光技術(shù)作為目前被應(yīng)用得最廣泛的液

60、晶背光燈管，CCFL（clod cathode fluorescent lamps）的中文名為冷陰極熒光燈，這項(xiàng)技術(shù)事實(shí)上不僅被運(yùn)用在液晶顯示器上，還能夠在日常生活中使用的電燈管看到。CCFL的原理是利用電壓激活燈管里的水銀蒸汽，水銀被電離后就會發(fā)出短波紫外線，使燈管內(nèi)的磷質(zhì)發(fā)出可見光。而LED（light-emitting diode）中文名為發(fā)光二極管，原理是利用電流從二極管的陽極通過陰極，其間電子和空穴（失去一個電子的正離子）相遇時，就會融合在一起變成中性原子，同時釋放出光子（也確實(shí)是光線的差不多粒子）。CCFL燈管的形狀專門多，通常在LCD上使用的差不多上S形。由于水銀是制作CCFL不