電容知識(shí)學(xué)習(xí)概述針對(duì)目前電容方面資料比較少，不能滿足工作需求的現(xiàn)狀，對(duì)電容知識(shí)進(jìn)行學(xué)習(xí)和總結(jié)，并結(jié)合工作實(shí)際用到的電容和電路，講述電容的參數(shù)、模型、特性及選擇方法。1、電容的概念定義：電容是表征電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量。把電容器兩極板間的電勢(shì)差增加1V所需的電量叫做電容器的容量構(gòu)成：它是由兩片靠得較近的金屬片和中間的絕緣介質(zhì)組成；C=εS/d=εS/4πkd電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)、極板的正對(duì)面積成正比，與極板的間距成反比；符號(hào)：C

（Capacitance

）；單位：法拉，簡(jiǎn)稱法，符號(hào)為F；1F=103mF=106uF=109nF=1012pF1、電容的概念電容的基本功能：充電和放電；電容的充放電也使得電容兩端沒(méi)有電壓突變。Xc=1/（ω×C）=1/（2×π×f×C）理想條件下，當(dāng)ω=0，因?yàn)閄c=1/ωC，則Xc趨向無(wú)窮大，這說(shuō)明直流電將無(wú)法通過(guò)電容，所以電容器的作用是“通交，隔直”；對(duì)于同一個(gè)f，C越大，Xc越??；對(duì)于同一個(gè)C，f越高，Xc越??；電容的基本特性是：通交流，隔直流；通高頻，阻低頻；2、電容的主要特征參數(shù)額定電壓（RatedVoltage）容差（Capacitance

Tolerance）損耗（DissipationFactor）等效串聯(lián)電阻（ESR）溫度系數(shù)（TemperatureCharacteristics）工作溫度范圍（OperatingTemperatureRange）漏電流（LeakageCurrent）絕緣電阻（InsulationResistance）2、電容的主要特征參數(shù)額定電壓（RatedVoltage）在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值；符號(hào)：UR一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過(guò)電容器的耐壓，電容器可能被擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞；一般無(wú)極性電容的額定電壓較高，極性電容的額定電壓較低；工作電壓為±15V，那么，鉭電容額定電壓選擇40V，其它選25V。標(biāo)稱容值（RatedCapacitance

）電容器產(chǎn)品標(biāo)出的電容容量值；符號(hào)：CR容值的大小跟介質(zhì)的介電常數(shù)有很大關(guān)系；一般情況，云母電容和陶瓷電容容量較低，薄膜電容居中，電解電容容量較大。2、電容的主要特征參數(shù)2、電容的主要特征參數(shù)容差（Capacitance

Tolerance）實(shí)際電容與標(biāo)稱容值的允許誤差范圍；電容的容差與標(biāo)準(zhǔn)代號(hào)的對(duì)應(yīng)表如下：字母LPWBCDF誤差等級(jí)%±0.01±0.02±0.05±0.1±1±2±5字母GJKMNQS誤差等級(jí)%±2±5±10±20±30+30–10+50–20類別溫度范圍電容器設(shè)計(jì)所確定的能連續(xù)工作的環(huán)境溫度范圍；分為極限低溫和極限高溫；例如，X7R，X表示極限低溫、7表示極限高溫；根據(jù)類別不同，分為85°、125°、150°、175°和200°等；對(duì)于井下儀器選擇電容而言，極限高溫非常重要。2、電容的主要特征參數(shù)2、電容的主要特征參數(shù)絕緣電阻（InsulationResistance）直流電壓加在電容上并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻；絕緣電阻越大越好；鋁電解電容的絕緣電阻較小，相對(duì)而言鉭電容的絕緣電阻較大。2、電容的主要特征參數(shù)溫度系數(shù)（TemperatureCharacteristics）在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對(duì)變化值。溫度系數(shù)越小，電容容量隨溫度的變化越?。蝗莶詈蜏囟认禂?shù)都是影響容值的參數(shù)；測(cè)井儀器比較關(guān)注此參數(shù)；陶瓷Ⅰ類陶瓷電容最低，幾乎為零；C0G電容在溫度范圍內(nèi)是30ppm。

2、電容的主要特征參數(shù)損耗（DissipationFactor）電容在電場(chǎng)作用下，單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗；在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無(wú)功功率為損耗角正切，單位是%；

tanδ=ESR/Xc=2πf×C×ESR電容的損耗主要由介質(zhì)損耗、電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的；對(duì)于高頻信號(hào)，這是參數(shù)較為重要。2、電容的主要特征參數(shù)等效串聯(lián)電阻（ESR）電容器電極到引出端的電阻；ESR=tanδ/(2πf×C)損耗較大產(chǎn)品的ESR較大；隨著容量的增大，產(chǎn)品的ESR將變??；鉭電容的ESR特別小。2、電容的主要特征參數(shù)漏電流（LeakageCurrent）電容器在特定溫度和額定電壓下存在的直流漏導(dǎo)電流；漏電流越大，電容發(fā)熱的程度較大；I=K×C×V電容量越大，漏電流越大；電壓越高，漏電流越大；lowleakagecurrent-LL系列為低漏電流系列，價(jià)格高昂。3、電容的等效模型ESR：等效串聯(lián)電阻ESL：等效串聯(lián)電感CBleak：并聯(lián)泄露電阻電容由于受封裝和材料的影響，實(shí)際電容除具備電容特性外還具備電感和電阻的特性，等效模型如右圖。

3、電容的等效模型等效串聯(lián)電阻ESR

電容器的等效串聯(lián)電阻是由電容器的引腳電阻與電容器兩個(gè)極板的等效電阻相串聯(lián)構(gòu)成的，其大小取決于電容的工作溫度、工作頻率以及電容本身的導(dǎo)線電阻等；理想的電容不吸收和損耗能量，當(dāng)有大的交流電流通過(guò)電容器，ESR的存在使得電容器消耗能量(從而產(chǎn)生損耗)。因此，ESR這部分主要影響電容的損耗指標(biāo)和電容的阻值，即ESR越大，其損耗越大，電容阻抗越大。3、電容的等效模型等效串聯(lián)電感ESL電容的等效串聯(lián)電感是由電容器的引腳電感與電容器兩個(gè)極板的等效電感串聯(lián)構(gòu)成的；在低頻信號(hào)輸入時(shí)，ESL的作用很?。辉诟哳l信號(hào)輸入時(shí)，ESL的作用將不可忽視；

ESL的大小主要取決于封裝尺寸。封裝尺寸020104020603080512060612ESL（pH）4005507008001250633、電容的等效模型等效并聯(lián)泄露電阻Bleak就是我們通常所說(shuō)的電容器泄漏電阻；其大小取決于電容器件本身的特性；3、電容的等效模型

等效模型中的C、ESR、ESL使得電容的阻抗頻率特性分為三部分。容性部分，電容器表現(xiàn)電容特性，容抗隨頻率的上升而下降，符合Xc=1/2πfC諧振部分，當(dāng)感抗等于容抗時(shí)相互抵消，電容進(jìn)入諧振狀態(tài)，僅剩ESR；容抗部分和諧振部分為電容有效部分；感性部分，隨著頻率的進(jìn)一步上升，感抗開(kāi)始大于容抗，電容器開(kāi)始表現(xiàn)為電感特性；諧振頻率f=(ESL*C)-1/23、電容的等效模型

電容阻抗頻率圖左半?yún)^(qū)為電容有效工作區(qū)，在左半?yún)^(qū)電容呈容性；諧振點(diǎn)對(duì)應(yīng)阻抗值為ESR的值；ESR越小，電容對(duì)頻率的阻抗越小，濾波效果就越好；同一種封裝、同一種電容，小容值電容曲線包含于大容值電容曲線內(nèi)；容值越大，左半?yún)^(qū)越大；選擇電容標(biāo)準(zhǔn)：ESR越小越好，諧振頻率越高越好；3、電容的等效模型

濾波電容的目的是為高頻噪聲提供一個(gè)低阻抗通道，這樣噪聲通過(guò)這個(gè)通道過(guò)濾掉，而這個(gè)通道對(duì)于有用信號(hào)的阻抗很高；單個(gè)電容的諧振部分只是一個(gè)點(diǎn)，通過(guò)兩個(gè)容值差較大（兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上）的兩個(gè)電容并聯(lián)就可以構(gòu)成一個(gè)低阻抗頻帶。它的構(gòu)建為高頻噪聲提供一個(gè)瀉放的低阻通道帶，加強(qiáng)了濾波效果；通常用一個(gè)22uF的鉭電解電容和0.1uF的陶瓷電容并聯(lián)構(gòu)成一個(gè)低阻抗通道用來(lái)電源濾波。4、電容的型號(hào)命名依據(jù)(GB2470-81)，國(guó)產(chǎn)電容的型號(hào)命名一般由四部分組成，依次分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別用字母表示。第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示。4、電容的型號(hào)命名和標(biāo)示方法第二部分材料字母表示如下：A-鉭電解 I-玻璃釉B-聚苯乙烯等非極性薄膜 J-金屬化紙C-高頻陶瓷 L-滌綸等極性有機(jī)薄膜D-鋁電解 N-鈮電解E-其它電解材料 O-玻璃膜G-合金電解 Q-漆膜H-復(fù)合介質(zhì) T-低頻陶瓷V-云母紙 Y-云母Z-紙介4、電容的型號(hào)命名和標(biāo)示方法國(guó)產(chǎn)電容的標(biāo)示方法直接標(biāo)示法：R表示小數(shù)點(diǎn)，R47uF表示0.47uF；數(shù)字標(biāo)示法：只表數(shù)字不表單位，單位僅限于uF和pF；數(shù)字字母標(biāo)示法：把小數(shù)點(diǎn)后的數(shù)字表示在字母后面，1p2=1.2pF；數(shù)碼標(biāo)示法：前兩個(gè)數(shù)字為有效值大小，第三個(gè)數(shù)字為冪指數(shù)；標(biāo)示法：前兩個(gè)數(shù)字表示容值整數(shù)的有效數(shù)字，第三位標(biāo)示“0的個(gè)數(shù)”，第四位標(biāo)示容值的誤差范圍；J標(biāo)示5%，K標(biāo)示10%，M標(biāo)示20%，222K=2200pF，容值誤差為10%

。4、電容的型號(hào)命名和標(biāo)示方法電容誤差等級(jí)與字母對(duì)照表字母LPWBCDF誤差等級(jí)%±0.01±0.02±0.05±0.1±1±2±5字母GJKMNQS誤差等級(jí)%±2±5±10±20±30+30–10+50–204、電容的型號(hào)命名和標(biāo)示方法國(guó)外每個(gè)廠家有各自的命名規(guī)則，比如，KEMET（基美）的T449的貼片鉭電容的型號(hào)命名方法如下：4、電容的型號(hào)命名和標(biāo)示方法AVX公司一種C0G電容的標(biāo)示方法4、電容的型號(hào)命名和標(biāo)示方法VISHAY公司一種電容的標(biāo)示方法4、電容的型號(hào)命名和標(biāo)示方法TechCap公司一種貼片電容的標(biāo)示方法5、電容的分類按照不同分類標(biāo)準(zhǔn)，電容有著不同的分類：按結(jié)構(gòu)可分為：固定電容，可變電容，微調(diào)電容；按極性分為：有極性電容和無(wú)極性電容；按介質(zhì)材料可以分為：薄膜電容、陶瓷電容和電解電容等；按用途分為：旁路電容、去耦電容、濾波電容、儲(chǔ)能電容；按安裝方式分：插件電容和貼片電容。5.1、薄膜電容薄膜電容是以金屬箔作為電極，和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，卷繞成圓筒狀而構(gòu)成的電容器。通過(guò)這種方式，可以增大極板的正對(duì)面積，從而達(dá)到增加電容器容量的目的，容量一般在1000pF到幾十微法；根據(jù)絕緣介質(zhì)薄膜電容分為紙介質(zhì)電容和有機(jī)介質(zhì)電容，有機(jī)介質(zhì)分為聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯和聚酯等，根據(jù)電極形成方式薄膜電容分為箔式薄膜電容和金屬化電容；優(yōu)點(diǎn)：無(wú)極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很??；在音響等器材中應(yīng)用很廣泛。5.1、薄膜電容紙介薄膜電容（paperdielectriccapacitor）是以電容紙為介質(zhì)（ε=2.2）、鋁箔作為電極的卷繞式電容，具有電容量和工作電壓比較寬、工藝簡(jiǎn)單、成本低、易金屬化的特點(diǎn)。這種電容的穩(wěn)定性和耐熱性都較差；聚苯乙烯電容（polystyrenecapacitor）是以非極性的聚苯乙烯為介質(zhì)制成的電容，具有低損耗、低介質(zhì)吸收、高絕緣電阻和電容量精度高的特點(diǎn)，適用于高頻和對(duì)電容量要求比較高的電路；聚丙烯電容（polypropylenecapacitor）是以非極性的聚丙烯薄膜為介質(zhì)制成的，特點(diǎn)與聚苯乙烯相似，絕緣強(qiáng)度比聚苯乙烯強(qiáng)、電容量溫度穩(wěn)定型稍差、耐熱性好，適用于振蕩器、濾波器、采樣保持電路、脈沖形成電路等。5.2、陶瓷電容陶瓷電容（ceramiccapacitor）是以陶瓷為介質(zhì)的電容器的統(tǒng)稱，又稱為陶瓷介質(zhì)電容和瓷介電容。這種電容結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、電容量較寬（一般在幾皮法到上百微法）；陶瓷電容的種類繁多，外形尺寸相差很大；按照結(jié)構(gòu)形狀分為圓片形、管形、筒形、板形、疊片、獨(dú)石等；按材料介質(zhì)主要分為Ⅰ類陶瓷電容和Ⅱ類陶瓷電容；不同材料的陶瓷介質(zhì)，其溫度特性有極大的差異；優(yōu)點(diǎn)：耐高壓、絕緣性好、性能穩(wěn)定；缺點(diǎn)：容量??；應(yīng)用：陶瓷介質(zhì)不同，應(yīng)用也不同。5.2.1、Ⅰ類陶瓷電容Ⅰ類陶瓷電容（classⅠceramiccapacitor）使用超穩(wěn)定級(jí)介質(zhì)材料的一種陶瓷電容。這種介質(zhì)及其穩(wěn)定、溫度系數(shù)低且不會(huì)出現(xiàn)老化、損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時(shí)間的影響，比較適用于高頻和對(duì)電容量、穩(wěn)定性要求比較高的電路；Ⅰ類陶瓷電容的容量和損耗因數(shù)比較穩(wěn)定，但容量比較小。以C0G電容的1206SMD封裝為例，其電容量為0.5pF~0.01uF；Ⅰ類陶瓷電容指的是指美國(guó)電工協(xié)會(huì)（EIA）標(biāo)準(zhǔn)為C0G或NP0等電容以及我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)為CC系列型號(hào)的電容；5.2.1、Ⅰ類陶瓷電容按照美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)EIA-198-D對(duì)Ⅰ類陶瓷電容，用字母或數(shù)字表示陶瓷電容的溫度性質(zhì)。符號(hào)由三部分組成，第一部分為溫度系數(shù)的有效數(shù)字，用字母表示，第二部分為有效數(shù)字的倍乘，用數(shù)字表示，第三部分為隨溫度變化的容差，用字母表示。比如C0G；EIA-198-D對(duì)Ⅰ類陶瓷電容的規(guī)定溫度系數(shù)的有效數(shù)字有效數(shù)字的倍乘隨溫度變化的容差C=0.0M=1.0P=1.6R=2.2S=3.3T=4.7U=7.50=-11=-102=-1003=-10005=+16=+107=+1008=+1000G=±30H=±60J=±120K=±250L=±500M=±1000N=±25005.2.1.1、C0G電容C0G電容，又稱溫度補(bǔ)償性NP0電容，它的介質(zhì)中加入了銣、釤等稀有金屬，是一種屬Ⅰ類陶瓷介質(zhì)的貼片電容。其電氣性能特別穩(wěn)定，適用于高頻、超高頻的電路和對(duì)電容量、穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求的定時(shí)、振蕩電路等；參數(shù)如下：電容范圍1pF～0.1uF(1±0.2Vrms1MHz)環(huán)境溫度：-55℃～+125℃,200℃溫度特性：0±30ppm/℃損耗角正切值：15x10-4絕緣電阻：≥10GΩ抗電強(qiáng)度：2.5倍額定電壓5秒5.2.1.1、C0G陶瓷電容5.2.1.1、C0G陶瓷電容5.2.1.1、C0G陶瓷電容5.2.1.1、C0G陶瓷電容5.2.2、Ⅱ類陶瓷電容Ⅱ類陶瓷電容（classⅡceramiccapacitor）使用穩(wěn)定級(jí)或可用級(jí)介質(zhì)材料的一種陶瓷電容。這種介質(zhì)容差隨溫度變化較大且非線性。電氣特性不如Ⅰ類陶瓷電容。與類陶瓷電容相比，Ⅱ類陶瓷電容具有以下特點(diǎn)：Ⅱ類陶瓷電容的容量隨溫度變化比較大；Ⅱ類陶瓷電容的損耗因數(shù)比較大；Ⅱ類陶瓷電容的ESR隨頻率的增大而變大；Ⅱ類陶瓷電容的容量比較大。5.2.2、Ⅱ類陶瓷電容按照美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)EIA-198-D對(duì)Ⅱ類陶瓷電容的規(guī)定，用字母或數(shù)字表示陶瓷電容的溫度性質(zhì)。符號(hào)由三部分組成，第一部分為最低工作溫度，第二部分為最高工作溫度，第三部分為隨溫度變化的容差。比如X7R，X表示最低溫度是-55℃，7表示最高溫度為+125℃，R表示隨溫度變化的容差為±15%，即±30ppm/℃；又如Z5U，Z表示最低溫度是+10°，5表示最高溫度為+85°，U表示隨溫度變化的容差為±22%、-56%。最低溫度最高溫度隨溫度變化的容差Z=+10Y=-30X=-554=+655=+856=+1057=+1258=+150A=±1.0B=±1.5C=±2.2D=±3.3E=±4.7F=±7.5P=±10R=±15S=±22T=+22/-33U=+22/-56V=+22/-825.2.2.1、X7R電容高介電常數(shù)型X7R電容，其介質(zhì)使用穩(wěn)定級(jí)陶瓷介質(zhì)，是一種屬Ⅱ類陶瓷介質(zhì)的貼片電容。X7R電容的容量比較大，但是電氣性能略差。參數(shù)如下：電容范圍300pF～3.3uF(1.0±0.2Vrms1KHz)環(huán)境溫度：-55℃～+125℃溫度特性：±15%損耗角正切值：50Volts:2.5%max;25Volts:3.0%max;16Volts:3.5%max;10Volts:5.0%max絕緣電阻：≥4GΩ或≥100S/C(單位：MΩ)抗電強(qiáng)度：2.5倍額定電壓5秒5.2.2.1、X7R電容5.2.2.1、X7R電容5.2.2.1、X7R電容5.2.2.1、X7R電容5.2.2.1、X7R電容由圖中給出C0G電容與X7R電容參數(shù)的對(duì)比可以看出：C0G電容容值受溫度和頻率變化的變化量是很小的，因此，它常用于高頻和超高頻電路，以及對(duì)容值受溫度變化要求比較高的電路，如我們電路中的帶通濾波器電容用的就是C0G電容，C0G電容在175°高溫和常溫下的容值基本相同，差異很??；X7R電容相比之下，就顯得遜色不少，它的容值受溫度變化呈現(xiàn)非線性變化，并且其容值在175°高溫下和常溫下的容值相差很大，不適用于帶通濾波器，常用于電源濾波等對(duì)容值要求不是很高的電路中；X7R電容的優(yōu)點(diǎn)是容值比較大，0805封裝的X7R電容可以達(dá)到10uF；而0805封裝的C0G電容的容值最大才能達(dá)到4700pF。5.2.2.2、

Y5V電容通用型Y5V電容，其介質(zhì)使用可用級(jí)陶瓷介質(zhì)，是一種屬Ⅱ類陶瓷介質(zhì)的貼片電容。Y5V電容的容量比較大，但是電氣性能較X7R更差一些。參數(shù)如下：電容范圍1000pF～22uF(0.3V1KHz)環(huán)境溫度：-30℃～+85℃溫度特性：±22%～-82%損耗角正切值：50Volts:3.5%;25Volts:5.0%;絕緣電阻：≥4GΩ或≥100S/C(單位：MΩ)抗電強(qiáng)度：2.5倍額定電壓5秒

5.2.2.2、

Y5V電容5.3、電解電容電解電容是一種用閥金屬通過(guò)陽(yáng)極氧化形成良好絕緣的致密氧化膜作為介質(zhì)的電容。閥金屬有鋁、鉭、鈮、鈦。因此，電解電容分為鋁電解電容、鉭電解電容等。鋁電解電容的特點(diǎn)：容量大、體積大；頻率特性差，在高頻率下等效容量很小；漏電流比較大；ESL大、ESR大；在極高溫和極低溫下，性能極不穩(wěn)定；應(yīng)用于電源濾波、低頻旁路和信號(hào)耦合；5.3.1、鉭電容定義：用金屬鉭經(jīng)過(guò)陽(yáng)極氧化的氧化物作為介質(zhì)的一種電解電容；分類：液鉭電容和固鉭電容；直插式鉭電容和貼片鉭電容；特點(diǎn)：溫度性能好；ESL小，幾乎為零；體積?。籈SR比同額定電壓的鋁電解電容?。粌r(jià)格高；耐電壓能力差，高溫降額使用；耐電流能力差；應(yīng)用于電源濾波、低頻旁路和信號(hào)耦合。5.3.1、鉭電容鉭電容與鋁電容的對(duì)比：項(xiàng)目鋁電容鉭電容額定電壓高較低容值大小工作溫度范圍小大漏電流大小穩(wěn)定性低高高頻特性差好承受浪涌能力好差溫度特性差好頻率特性差好價(jià)格低高鉭電容的額定電壓和容量都較鋁電容??；40V和50V的價(jià)格差很多；鉭電容溫度特性和高頻特性好；鉭電容受浪涌能力差，抗浪涌電壓一般為額定電壓的1.3倍，因此在設(shè)計(jì)時(shí)，鉭電容要降額設(shè)計(jì)，降額50%以上以保證電容的抗浪涌電壓能力。5.3.1、鉭電容固體鉭電容與液體鉭電容的對(duì)比：項(xiàng)目固體鉭電容液體鉭電容同體積下電容量較小較大使用頻率10kHz以下1kHz以下漏液?jiǎn)栴}無(wú)有爆炸問(wèn)題無(wú)有振動(dòng)失效無(wú)有工作電壓63V以下125V以下內(nèi)部填充物PbSn合金H2SO4+耐反向電壓1V以下0.1V以下統(tǒng)計(jì)平均失效率低高液體鉭電容存在漏液、爆炸等安全隱患，但其使用頻率較高，工作電壓較高；固體鉭電容較為安全，但是工作電壓較低；另外，固體鉭電容存在“不斷擊穿”又“不斷自愈”問(wèn)題產(chǎn)生失效、“熱失效”和“場(chǎng)失效”問(wèn)題。5.4、云母電容云母電容是使用天然無(wú)機(jī)絕緣材料云母作為介質(zhì)的一種電容器。它具有以下特點(diǎn)：介電強(qiáng)度高，介電常數(shù)大；損耗??；穩(wěn)定性高；絕緣電阻大；頻率特性好；溫度系數(shù)??；應(yīng)用于高頻振蕩、脈沖等要求較高的電路。5.5、貼片電容貼片電容(SMDcapacitor)

，也稱為片容。種類很多，有貼片鉭電容和貼片陶瓷電容等；封裝形式有0201、0402、0603、0805、1206等；封裝(L)長(zhǎng)度

公制(毫米)/英制(英寸)(W)寬度

公制(毫米)/英制(英寸)(t)端點(diǎn)

公制(毫米)/英制(英寸)02010.60±0.03/(0.024±0.001)0.30±0.03/(0.011±0.001)0.15±0.05/(0.006±0.002)04021.00±0.10/(0.040±0.004)0.50±0.10/(0.020±0.004)0.25±0.15/(0.010±0.006)06031.60±0.15/(0.063±0.006)0.81±0.15/(0.032±0.006)0.35±0.15/(0.014±0.006)08052.01±0.20/(0.079±0.008)1.25±0.20/(0.049±0.008)0.50±0.25/(0.020±0.010)12063.20±0.20/(0.126±0.008)1.60±0.20/(0.063±0.008)0.50±0.25/(0.020±0.010)12103.20±0.20/(0.126±0.008)2.50±0.20/(0.098±0.008)0.50±0.25/(0.020±0.010)18124.50±0.30/(0.177±0.012)3.20±0.20/(0.126±0.008)0.61±0.36/(0.024±0.014)18254.50±0.30/(0.177±0.012)6.40±0.40/(0.252±0.016)0.61±0.36/(0.024±0.014)22255.72±0.25/(0.225±0.010)6.40±0.40/(0.252±0.016)0.64±0.39/(0.025±0.015)6、專業(yè)名詞耦合、去耦、旁路耦合是指兩個(gè)或兩個(gè)以上的電路元件或點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)，在輸入與輸出之間存在緊密配合和相互影響，并通過(guò)相互作用從一側(cè)向另一側(cè)傳輸能量的現(xiàn)象。把輸出信號(hào)上的干擾作為濾除對(duì)象的稱為去耦（decoupling）；把輸入信號(hào)上的干擾作為濾除對(duì)象的稱為旁路（bypass）；去耦、旁路和濾波本質(zhì)上是一樣的，都是為高頻干擾提供一個(gè)低阻抗頻帶；去耦電容在電路電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是為本集成電路的蓄能電容；另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。7、電路設(shè)計(jì)與電容的選擇1、根據(jù)用途選擇電容的種類和容值；

常見(jiàn)的濾波電路有以下幾個(gè)：電源板的電源濾波；信號(hào)板的電源濾波；帶通濾波器的濾波；諧振回路的濾波；7、電路設(shè)計(jì)與電容的選擇電源板的電源濾波電源板在整流橋后常用到一個(gè)大容值進(jìn)行濾波，電容如何選擇？經(jīng)過(guò)整流橋后的輸出為脈動(dòng)直流，波動(dòng)范圍很大。后面一般用容值一大一小兩個(gè)電容，大容值電容穩(wěn)定輸出，小容值電容用來(lái)濾除高頻干擾；大容值電容容值越大，吸收電流能力越強(qiáng)，越能穩(wěn)定輸出，因此，這個(gè)電容一般選擇電解電容，鉭電容最佳；實(shí)際電路后面接一穩(wěn)壓塊，穩(wěn)壓塊內(nèi)部有小濾波電容，因此，實(shí)際電路省去小電容。7、電路設(shè)計(jì)與電容的選擇信號(hào)板和測(cè)量板的電源濾波去耦旁路電容的電容配置為：每個(gè)IC的VCC與AG之間跨接一個(gè)0.01uF~0.1uF的陶瓷電容，每4~10個(gè)IC配置一個(gè)10uF~22uF的鉭電容；0.01uF~0.1uF的陶瓷電容在PCB上盡可能地接近IC的電源端；10uF~22uF的鉭電容盡可能接近PCB板的電源引入端；7、電路設(shè)計(jì)與電容的選擇帶通濾波器電路對(duì)電容的要求帶通濾波器需要選擇電容精度高、溫度系數(shù)小的電容；如C0G電容；精度低的電容會(huì)使帶通濾波器的中心頻率出現(xiàn)設(shè)計(jì)偏差，而溫度系數(shù)大的電容會(huì)使電路在高溫下性能下降；根據(jù)帶通濾波器的中心頻率、增益、Q值和階數(shù)要求，通過(guò)