盛美上海研究報(bào)告：從國(guó)內(nèi)走向國(guó)際綜合半導(dǎo)體設(shè)備龍頭1.

盛美上海：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)龍頭1.1

乘風(fēng)破浪，公司領(lǐng)跑半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)自主研發(fā)核心技術(shù)，成就國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭。公司成立于

2005

年，主要產(chǎn)品包

括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。，2008

年公司

SAPS技術(shù)研發(fā)成功，2011

年

SAPS清洗設(shè)備首次獲得存儲(chǔ)器企業(yè)海力士正式訂單，

2013

年獲得海力士多臺(tái)重復(fù)訂單，2015

年及

2018

年公司先后研發(fā)出

TEBO技術(shù)及

Tahoe技術(shù)，豐富了公司在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品線。經(jīng)過(guò)了十多年的研發(fā)和技術(shù)積

累，公司產(chǎn)品已成功進(jìn)入了全球一線半導(dǎo)體制造企業(yè)的生產(chǎn)線，公司成為國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備龍

頭。公司股權(quán)結(jié)構(gòu)集中，實(shí)際控制人產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富。截至發(fā)行上市前，美國(guó)

ACMR持股比

例為

91.67%，為公司的控股股東，其余股東持股比例均不超過(guò)

1.5%，公司股權(quán)結(jié)構(gòu)高度

集中。公司董事長(zhǎng)

HUIWANG通過(guò)持股美國(guó)

ACMR成為公司實(shí)際控制人。HUIWANG為精密工學(xué)專(zhuān)業(yè)博士，上海市“浦江人才計(jì)劃”獲得者，曾任美國(guó)

QuesterTechnologyInc.

研發(fā)部經(jīng)理，擁有近三十年半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)及管理經(jīng)歷，產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富。1.2

產(chǎn)品線清晰豐富，技術(shù)優(yōu)勢(shì)打造良好口碑公司產(chǎn)品種類(lèi)豐富，涵蓋半導(dǎo)體清洗、電鍍、先進(jìn)封裝等品類(lèi)。公司立足集成電路行

業(yè)，經(jīng)過(guò)多年持續(xù)研發(fā)投入和技術(shù)積累，先后開(kāi)發(fā)了單片清洗、槽式清洗以及單片槽式組

合清洗等清洗設(shè)備，用于芯片制造的前道銅互連電鍍?cè)O(shè)備、后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備，以及

用于先進(jìn)封裝的濕法刻蝕設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備以及立

式爐管系列設(shè)備等，產(chǎn)品種類(lèi)豐富，能夠滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景需求。1.3

業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)迅速，半導(dǎo)體清洗設(shè)備為主要收入來(lái)源公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)迅速，2017-2020

年歸母凈利潤(rùn)

CAGR達(dá)

162.65%。營(yíng)收端：受益于

半導(dǎo)體行業(yè)景氣度以及公司產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的提升，公司近幾年?duì)I收快速增長(zhǎng)，2017-2020

年

營(yíng)收

CAGR達(dá)

58.38%，2021

年

Q1-3

公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收

10.88

億元/yoy+78.89%，前三季

度營(yíng)收超過(guò)

2020

年全年水平。利潤(rùn)端：伴隨收入規(guī)模增大公司凈利潤(rùn)率穩(wěn)步提升，利潤(rùn)增

速遠(yuǎn)超收入增速，2017-2020

年歸母凈利潤(rùn)

CAGR達(dá)

162.65%。半導(dǎo)體清洗設(shè)備營(yíng)收貢獻(xiàn)最大，產(chǎn)品毛利率最高。2020

年，公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備業(yè)務(wù)

收入占比

81.02%，其中，單片清洗設(shè)備業(yè)務(wù)收入在半導(dǎo)體清洗設(shè)備業(yè)務(wù)收入中占比

87.73%，

為公司的主要收入來(lái)源。另外，公司業(yè)務(wù)朝著多方位的方向發(fā)展，隨著半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備技

術(shù)逐漸成熟，公司

2019

年半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備營(yíng)收達(dá)到

7857.39

萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)同比

559%的快

速增長(zhǎng)，同年，公司推出了立式爐管設(shè)備，進(jìn)一步豐富了產(chǎn)品線。從產(chǎn)品各自的毛利率來(lái)

看，2019-2021

年

H1

公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備毛利率水平最高，約為

45%，保持在相對(duì)平穩(wěn)

的較高水平，主要原因在于公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備產(chǎn)品較為成熟、產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)。公司綜合毛利率穩(wěn)定在

45%左右，期間費(fèi)用管控良好。由于半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備定制化程

度較高，下游客戶(hù)對(duì)規(guī)格型號(hào)、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)參數(shù)等方面的要求較高，屬于典型的高、

精、尖高端裝備，行業(yè)具有較高的技術(shù)壁壘，故公司毛利率維持在較高水平。受益于期間

費(fèi)用管控良好，公司凈利率由

2017

年

4.28%快速躍升至

2020

年

19.53%，盈利能力大幅

提升。2.

半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間廣闊，國(guó)產(chǎn)替代正在加速2.1

半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)巨大，設(shè)備瓶頸造成國(guó)內(nèi)供需嚴(yán)重錯(cuò)配半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，設(shè)備主要用于晶圓制造與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體指常溫下

導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，是現(xiàn)代工業(yè)的“大腦”。半導(dǎo)體產(chǎn)品可細(xì)分為四

大類(lèi)：集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器，集成電路（也稱(chēng)“IC”或“芯片”）

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，占半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模的八成以上，包括邏輯芯片、存儲(chǔ)器、微處理

器和模擬芯片等，它們被廣泛應(yīng)用在

5G通信、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈涉及芯片設(shè)計(jì)、

晶圓制造以及封裝測(cè)試等制作流程，半導(dǎo)體設(shè)備主要用于晶圓制造和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。受益于下游新興應(yīng)用領(lǐng)域需求放量，全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。伴隨全球信

息化、網(wǎng)絡(luò)化和知識(shí)經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展，特別是在以物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車(chē)電子、智能手

機(jī)、智能穿戴、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域強(qiáng)勁需求的帶動(dòng)下，全

球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收入規(guī)模巨大。2019

年受全球宏觀經(jīng)濟(jì)低迷影響，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度有所下

降，市場(chǎng)規(guī)模下降至

4110

億美元，2021

年以來(lái)，半導(dǎo)體市場(chǎng)快速回暖，1-9

月全球半導(dǎo)

體銷(xiāo)售額達(dá)到

3915

億美元，同比增長(zhǎng)

23.14%，增速為

2010

年以來(lái)新高。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)供需嚴(yán)重錯(cuò)配，一方面需求在全球市場(chǎng)中最大，另一方面半導(dǎo)體

芯片自制嚴(yán)重不足，每年需要大量進(jìn)口。供給端：中國(guó)半導(dǎo)體芯片自制率不足

20%。值得注意的是，在

2020

年中國(guó)大陸生產(chǎn)的

227

億美元的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品當(dāng)中，總部

位于中國(guó)的企業(yè)所生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片僅

83

億美元，相當(dāng)于

2020

年的中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)中僅

5.8%由國(guó)內(nèi)生產(chǎn)。造成中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自制率提升緩慢的關(guān)鍵因素之一便是半導(dǎo)體設(shè)備。半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較低，成為制約我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要因素之一。中國(guó)半導(dǎo)

體專(zhuān)用設(shè)備企業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模不斷增長(zhǎng)，但整體國(guó)產(chǎn)率較低，目前仍主要依賴(lài)進(jìn)口。近年來(lái)，中國(guó)部分半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)經(jīng)

過(guò)十年以上的技術(shù)研發(fā)和積累，雖然在部分技術(shù)領(lǐng)域陸續(xù)取得了突破，但整體上仍難以形

成全產(chǎn)業(yè)鏈快速擴(kuò)張。2.2

產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移與自主可控，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備迎來(lái)重大機(jī)遇全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了由美國(guó)—日本—韓國(guó)、中國(guó)

臺(tái)灣地區(qū)—中國(guó)大陸的三輪產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，目前中國(guó)大陸正處于新一代智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人

工智能、5G通信等行業(yè)快速崛起的進(jìn)程中，已成為全球最重要的半導(dǎo)體應(yīng)用和消費(fèi)市場(chǎng)之

一。未來(lái)將是中國(guó)大陸半導(dǎo)體

產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展期。政策、資金、人才逐步完善，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境不斷優(yōu)化。為推動(dòng)我國(guó)以集成電路為主

的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，增強(qiáng)信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，近年來(lái)，國(guó)家相關(guān)部委及各

級(jí)政府出臺(tái)了一系列鼓勵(lì)扶持政策，從最初的政策優(yōu)惠到推動(dòng)資金投資企業(yè)，再到加快高

校人才培養(yǎng)，政府為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建立了優(yōu)良的政策環(huán)境。外部環(huán)境長(zhǎng)期不確定背景下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備替代進(jìn)程正在加快。2018

年以來(lái)，中美貿(mào)易摩

擦使得先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口遇到了障礙，嚴(yán)重制約了我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展。以光刻

機(jī)為例，2018

年，中芯國(guó)際向

ASML訂購(gòu)了一臺(tái)可以用于

7nm以下制程芯片生產(chǎn)的

EUV光刻機(jī)，但是由于美國(guó)方面的原因，荷蘭政府一直未向

ASML發(fā)放出口許可，導(dǎo)致這臺(tái)

EUV光刻機(jī)至今仍無(wú)法向中芯國(guó)際交付。在外部環(huán)境長(zhǎng)期不確定背景之下，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)主動(dòng)

試用國(guó)產(chǎn)設(shè)備的態(tài)度更加明確，這對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備制造商而言是重大機(jī)遇。2.3

三大細(xì)分領(lǐng)域：市場(chǎng)空間廣闊，國(guó)產(chǎn)廠商份額較低2.3.1

清洗設(shè)備：2022

年全球市場(chǎng)規(guī)模有望超過(guò)

43

億美元伴隨制程更加先進(jìn)，清洗工序數(shù)量和重要性隨之上升。隨著晶圓制造工藝不斷向精密

化方向發(fā)展，芯片結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度不斷提高，芯片對(duì)雜質(zhì)含量的敏感度也相應(yīng)提高，微小雜

質(zhì)將直接影響到芯片產(chǎn)品的良率。而在芯片制造的數(shù)百道工序中，不可避免地會(huì)產(chǎn)生或者

接觸到大量的微小污染物，為最大限度地減少雜質(zhì)對(duì)芯片良率的影響，當(dāng)前的芯片制造流

程在光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序后均設(shè)置了清洗工序，清洗步驟數(shù)量約占所有芯片制

造工序步驟的

30%以上，是所有芯片制造工藝步驟中占比最大的工序，而且隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)

的繼續(xù)進(jìn)步，清洗工序的數(shù)量和重要性將繼續(xù)隨之提升，在實(shí)現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況

下，對(duì)清洗設(shè)備的需求量也將相應(yīng)增加。濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的

90%以上。根據(jù)清洗介

質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法清洗是

針對(duì)不同的工藝需求，采用特定的化學(xué)藥液和去離子水，對(duì)晶圓表面進(jìn)行無(wú)損傷清洗，可

同時(shí)采用超聲波、加熱、真空等輔助技術(shù)手段；干法清洗是指不使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù)，

主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。干法清洗目前在

28nm及以下

技術(shù)節(jié)點(diǎn)的邏輯產(chǎn)品和存儲(chǔ)產(chǎn)品有應(yīng)用，可清洗污染物比較單一；晶圓制造產(chǎn)線上通常以

濕法清洗為主，少量特定步驟采用干濕結(jié)合清洗方法。短期內(nèi)濕法工藝和干法工藝無(wú)相互

替代的趨勢(shì)，未來(lái)將并存發(fā)展。單片清洗取代槽式清洗，設(shè)備市場(chǎng)份額占比最高。在濕法清洗工藝路線下，目前主流

的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗

設(shè)備等，其中，單片清洗能夠提高產(chǎn)品良率，槽式清洗出現(xiàn)交叉污染的影響大，降低晶圓

良率的同時(shí)會(huì)帶來(lái)高成本的芯片返工支出，單片槽式組合清洗可以綜合單片清洗和槽式清

洗的優(yōu)點(diǎn)，在提高清洗能力及效率的同時(shí)，減少硫酸的使用量，在幫助客戶(hù)降低成本的同

時(shí)，符合國(guó)家節(jié)能減排的政策要求。在集成電路制造的先進(jìn)工藝中，單片清洗已逐步取代

槽式清洗成為主流，單片清洗設(shè)備市場(chǎng)份額占比最高。2020

年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為

33.41

億美元，中國(guó)半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)

模為

74.56

億元。近年來(lái)，芯片工藝的不斷進(jìn)步，清洗工序的數(shù)量大幅提高，所需的清洗

設(shè)備數(shù)量也將持續(xù)增長(zhǎng)，給清洗設(shè)備帶來(lái)了巨大的新增市場(chǎng)需求；此外，芯片的

3D化對(duì)清

洗設(shè)備提出了更高的技術(shù)要求，在芯片工藝和芯片結(jié)構(gòu)的影響下，清洗設(shè)備的價(jià)值不斷提

升。2.3.2

電鍍?cè)O(shè)備：2024

年全球市場(chǎng)規(guī)模有望突破

5

億美元金屬銅沉積占據(jù)半導(dǎo)體電鍍主導(dǎo)地位。半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制造過(guò)程中，將電鍍液

中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。隨著芯片制造工藝越來(lái)越先進(jìn)，芯片內(nèi)的互

連線開(kāi)始從傳統(tǒng)的鋁材料轉(zhuǎn)向銅材料，半導(dǎo)體鍍銅設(shè)備便被廣泛采用。目前半導(dǎo)體電鍍已

經(jīng)不限于銅線的沉積，還有錫、錫銀合金、鎳、金等金屬，但是金屬銅的沉積依然占據(jù)主導(dǎo)地位。銅導(dǎo)線可以降低互聯(lián)阻抗，降低器件的功耗和成本，提高芯片的速度、集成度、

器件密度等。半導(dǎo)體電鍍隨著晶圓級(jí)封裝工藝的發(fā)展，在三維硅通孔、重布線、凸塊工藝中都需要

金屬化薄膜沉積工藝，使用電鍍工藝進(jìn)行金屬銅、鎳、錫、銀、金等金屬的沉積。受益于晶圓級(jí)封裝工藝的發(fā)展，預(yù)計(jì)

2024

年全球半導(dǎo)體電鍍市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)

5

億美元。

金屬化薄膜沉積工藝，即利用半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行金屬銅、鎳、錫、銀、金等金屬的沉積，

在銅互連線工藝中，需要用半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備在晶圓上沉積一層致密、無(wú)孔洞、無(wú)縫隙、分

布均勻的銅。隨著晶圓級(jí)封裝工藝的發(fā)展，三維硅通孔、重布線、凸塊工藝中都需要金屬

化薄膜沉積工藝，這將有利于擴(kuò)大半導(dǎo)體電鍍的市場(chǎng)空間。在前道晶圓制造的電鍍?cè)O(shè)備領(lǐng)域，目前全球市場(chǎng)主要被

LAM壟斷。除

LAM外，盛美

半導(dǎo)體是全球范圍內(nèi)少數(shù)幾家掌握芯片銅互連電鍍銅技術(shù)核心專(zhuān)利并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的公司之

一，其自主開(kāi)發(fā)了針對(duì)

20-14nm及更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片制造前道銅互連鍍銅技術(shù)（UltraECPmap），采用多陽(yáng)極局部電鍍技術(shù)的新型電流控制方法，實(shí)現(xiàn)不同陽(yáng)極之間毫秒級(jí)別

的快速切換，在超薄籽晶層上完成無(wú)空穴填充；同時(shí)通過(guò)對(duì)不同陽(yáng)極的電流調(diào)整，在無(wú)空

穴填充后實(shí)現(xiàn)更好的沉積銅膜厚的均勻性。目前，盛美半導(dǎo)體的半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備已經(jīng)持續(xù)

接到了客戶(hù)的訂單。在后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備領(lǐng)域，全球范圍內(nèi)的主要設(shè)備商包括美國(guó)的

AppliedMaterials和

LAM、日本

的

EBARACORPORATION和新加坡

的

ASMPacificTechnologyLimited等。在國(guó)內(nèi)企業(yè)中，盛美半導(dǎo)體針對(duì)先進(jìn)封裝工藝進(jìn)行差異化開(kāi)發(fā)，

解決了在更大電鍍液流量下實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題，通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的第二陽(yáng)極控制技術(shù)，可在工

藝配方層面上更好的實(shí)現(xiàn)晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制，提高了封裝環(huán)節(jié)的良率。2.3.3

封裝設(shè)備：2024

年全球市場(chǎng)規(guī)?；?qū)⒊?/p>

20

億美元半導(dǎo)體先進(jìn)封裝設(shè)備種類(lèi)眾多。半導(dǎo)體封裝是指將晶圓上的電路引腳用導(dǎo)線接引到外

部接頭處，以便于與其他器件連接，起到固定、密封、保護(hù)芯片以及增強(qiáng)電熱性能等方面

的作用，并且起到內(nèi)部芯片與外部電路的連接作用。先進(jìn)封裝是指較前沿的封裝形式和技

術(shù)，目前，帶有倒裝芯片（FC）結(jié)構(gòu)的封裝、晶圓級(jí)封裝（WLP）、2.5D封裝、3D封裝

和扇出型封裝等被認(rèn)為屬于先進(jìn)封裝的范疇。根據(jù)半導(dǎo)體封裝的流程，半導(dǎo)體先進(jìn)封裝設(shè)備主要包括濕法刻蝕設(shè)備、刷片設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、減薄設(shè)備、切割

設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備、切割成型設(shè)備等。1）濕法刻蝕設(shè)備。濕法刻蝕是半導(dǎo)體先進(jìn)封裝制造工藝中相當(dāng)重要的步驟，是與光刻

相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。濕法刻蝕主要是利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)

反應(yīng)來(lái)去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。濕法刻蝕設(shè)備是濕法刻蝕工序運(yùn)

用的主要設(shè)備。其工作原理如下：2）涂膠/顯影設(shè)備。在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝中，涂膠/顯影設(shè)備承擔(dān)光刻機(jī)的輸入（曝

光前光刻膠涂覆）和輸出（曝光后圖形的顯影）環(huán)節(jié)，主要通過(guò)機(jī)器人手臂使晶圓在各系

統(tǒng)之間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅(jiān)膜等工藝過(guò)程，影響到

光刻工序細(xì)微曝光圖案的形成。3.

創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，從集成電路裝備國(guó)內(nèi)五強(qiáng)向國(guó)際第一

梯隊(duì)邁進(jìn)3.1

全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)集中度高，公司國(guó)內(nèi)排名前五全球半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備市場(chǎng)中，國(guó)外廠商占主導(dǎo)地位，行業(yè)集中度較高。半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)

備行業(yè)具有較高的技術(shù)壁壘、市場(chǎng)壁壘和客戶(hù)認(rèn)知壁壘，以美國(guó)

AppliedMaterial、荷蘭

ASML、美國(guó)

LAM、日本

TEL和

DNS、美國(guó)

KLA等為代表的國(guó)際知名企業(yè)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)

展，占據(jù)了全球半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備市場(chǎng)的主要份額。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備市場(chǎng)中，公司是中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備制造五強(qiáng)企業(yè)。公司經(jīng)過(guò)多

年發(fā)展，立足半導(dǎo)體清洗設(shè)備，拓展半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備以及半導(dǎo)體先進(jìn)封裝設(shè)備等，不斷進(jìn)

行技術(shù)創(chuàng)新，公司的競(jìng)爭(zhēng)力與業(yè)內(nèi)知名度不斷提高，2019

年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收位列國(guó)內(nèi)第五。3.2

高研發(fā)投入保持技術(shù)領(lǐng)先，下游客戶(hù)粘性強(qiáng)公司研發(fā)投入保持高水平，技術(shù)研發(fā)人員占比四成以上。2018-2021

年

Q1-3，公司

研發(fā)投入分別為

7941.5

萬(wàn)元、9926.8

萬(wàn)元、14079.11

萬(wàn)元和

18401.33

萬(wàn)元，研發(fā)費(fèi)用

率分別為

14.43%、13.12%、13.97%、16.92%，公司持續(xù)加大研發(fā)投入并且保持在較高

水平。截至

2021

年

6

月

30

日，公司已經(jīng)擁有技術(shù)研發(fā)人員

295

人，占公司員工人數(shù)的

比例為

42.02%。公司核心技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)以

HUIWANG博士為核心，主要的核心技術(shù)人員

大多有海外求學(xué)或從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有國(guó)際化的視野和思維。公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)人員穩(wěn)定，并

且授予了核心技術(shù)人員股權(quán)激勵(lì)和期權(quán)激勵(lì)，以調(diào)動(dòng)其研發(fā)工作的積極性，從而有助于打

造公司核心產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。公司核心設(shè)備技術(shù)處于國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先水平。公司與

AppliedMaterials、LAM、TEL、DNS等同行業(yè)的國(guó)際巨頭公司相比，在市場(chǎng)占有率、知名度以及綜合實(shí)力等方面存在一定的差

距，但公司通過(guò)差異化的創(chuàng)新和競(jìng)爭(zhēng)，成功研發(fā)出全球首創(chuàng)的

SAPS/TEBO兆聲波清洗技

術(shù)和單片槽式組合清洗技術(shù)。目前，公司的半導(dǎo)體清洗設(shè)備主要應(yīng)用于

12

英寸的晶圓制造

領(lǐng)域的清洗工藝，在半導(dǎo)體清洗設(shè)備的適用尺寸方面與國(guó)際巨頭公司的類(lèi)似產(chǎn)品不存在競(jìng)

爭(zhēng)差距。在兆聲波單片清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備及銅互連電鍍工藝設(shè)備上，公司

核心產(chǎn)品處于國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先地位。下游客戶(hù)粘性強(qiáng)，市場(chǎng)開(kāi)拓穩(wěn)步推進(jìn)。受益于產(chǎn)品品類(lèi)豐富和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司獲得國(guó)

內(nèi)外客戶(hù)認(rèn)可，業(yè)內(nèi)口碑良好，用戶(hù)粘性較強(qiáng)。依據(jù)公司招股書(shū)公告，2019-2020

年，公

司前五大客戶(hù)均為長(zhǎng)江儲(chǔ)存、華虹集團(tuán)、海力士、長(zhǎng)電科技和中芯國(guó)際。同時(shí)，隨著公司

市場(chǎng)的不斷開(kāi)拓，大客戶(hù)依賴(lài)度也在降低，2018

年、2019

年及

2020