今天與您分享什么？一、巨磁電阻（GMR）效應(yīng)來源及磁電子學(xué)的提出二、GMR技術(shù)的核心技術(shù)三、GMR技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域及GMR磁傳感器的應(yīng)用四、庫萬軍博士海外留學(xué)的主要成果五、項(xiàng)目提出的背景六、立項(xiàng)的動(dòng)機(jī)及意義七、項(xiàng)目的主要?dú)v程及進(jìn)展八、GMR傳感器應(yīng)用的市場(chǎng)前景九、愿與您攜手共創(chuàng)未來十、致謝今天與您分享什么？一、巨磁電阻（GMR）效應(yīng)來源及磁電子學(xué)的1GMR效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)及磁電子學(xué)的確立1988年，法國巴黎大學(xué)，在納米結(jié)構(gòu)的層間反鐵磁偶合的Fe(2nm)/Cr(0.9nm)多層膜中，發(fā)現(xiàn)電阻隨外磁場(chǎng)而發(fā)生巨大變化的現(xiàn)象，此現(xiàn)象定義為巨磁電阻（GMR）效應(yīng)。其物理機(jī)制是與傳導(dǎo)電子自旋有關(guān)散射。1995年，基于GMR研究而發(fā)展成為一門新型的學(xué)科---磁電子學(xué)。超導(dǎo)材料(CMR)和絕緣材料(TMR)。

GMR效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)及1988年，法國巴黎大學(xué)，在納米結(jié)構(gòu)的層間2GMR效應(yīng)的來源GMR效應(yīng)的來源3層間偶合多層膜GMR效應(yīng)特性曲線層間偶合多層膜GMR效應(yīng)特性曲線4自旋閥（spin-valve)多層膜GMR效應(yīng)特性曲線自旋閥（spin-valve)多層膜GMR5優(yōu)越的GMR磁性薄膜先進(jìn)的集成電路設(shè)計(jì)合理的半導(dǎo)體集成工藝GMR技術(shù)的核心優(yōu)越的GMR磁性薄膜GMR技術(shù)的核心6GMR技術(shù)的應(yīng)用

A.計(jì)算機(jī)領(lǐng)域(硬盤驅(qū)動(dòng)器作為讀出磁頭)

1998年，IBM.2000年,磁頭市場(chǎng)占有率95%,10億美元/季度

B.磁隨機(jī)存儲(chǔ)器

2001年，摩托羅拉及IBM公司.1000億美元/每年的市場(chǎng)容量

C.磁場(chǎng)傳感器

1994年，NVE.測(cè)量磁場(chǎng)電流位移及角速度。電子電力及自動(dòng)化控制

D.全金屬計(jì)算機(jī)及邏輯元件

正在研制GMR技術(shù)的應(yīng)用 A.計(jì)算機(jī)領(lǐng)域(硬盤驅(qū)動(dòng)器作為讀出磁頭)7GMR磁傳感器應(yīng)用領(lǐng)域A.電機(jī)（2000年，深圳3億只），無刷電機(jī)轉(zhuǎn)子磁極位置，定子電樞電流轉(zhuǎn)向器，轉(zhuǎn)速檢測(cè)，過載保護(hù)器B.電子電力技術(shù)開關(guān)電源（1999年，DC-DC轉(zhuǎn)換器，30億美元）電流傳感器—檢測(cè)，控制及保護(hù)。2010年，0.3V—120A變頻器過流保護(hù)器等C.能源管理電度表，電網(wǎng)的自動(dòng)檢測(cè)Ｄ.磁信息讀寫磁性編碼器，讀出磁頭，驗(yàn)鈔機(jī)及高級(jí)羅盤等Ｅ.汽車工業(yè)ＡBS剎車系統(tǒng)，里程表，點(diǎn)火系統(tǒng)。高級(jí)轎車需60只Ｆ.工業(yè)自動(dòng)控制，機(jī)器人，辦公自動(dòng)化，家電及安全GMR磁傳感器應(yīng)用領(lǐng)域A.電機(jī)（2000年，深圳3億只8GMR硬盤驅(qū)動(dòng)器磁頭結(jié)構(gòu)GMR硬盤驅(qū)動(dòng)器磁頭結(jié)構(gòu)9⊙×WordlineInsulatorSenselineInsulatorSenseCurrent××0State1StateRWordcurrentRWordcurrent*Non-volatility,Lowtimeconstants(lessthan1ns)GMR磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的原理⊙×Wordline××0State1StateRWo10GMRRAM和半導(dǎo)體RAM的比較技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（DRAM）

GMR存儲(chǔ)器（MRAM）結(jié)構(gòu)及密度10-20集成掩膜板2-3集成掩膜板單元大小25F2/bit2F2/bit寫入時(shí)間10ns<10ns取數(shù)時(shí)間10ns2ns非易失性10年永久美國國防部2000年報(bào)GMRRAM和半導(dǎo)體RAM的比較技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（DRA11R1R1R2R2VinputVoutputVoutput=Vinput(R1-R2)/(R1+R2)無外磁場(chǎng)外磁場(chǎng)R2R1+BIAS-BIASR2R1GMR惠斯登電橋磁傳感器原理R1R1R2R2VinputVoutputVoutpu12層間偶合多層膜GMR磁傳感器層間偶合多層膜GMR磁傳感器13

GMR傳感器優(yōu)越的性能價(jià)格比

GMR傳感器優(yōu)越的性能價(jià)格比14國內(nèi)外對(duì)GMR磁場(chǎng)傳感器研究及應(yīng)用國外的研究及產(chǎn)業(yè)化

美國：IBM，HONEYWELL，NVE，Seagate，Read-write，Motorola

歐洲：PHILIPS，SIMENS，BOSCH

日本：日立制作所，TDK，松下，SONY，東芝等在進(jìn)行研究 僅有NVE公司生產(chǎn)和銷售。國外的研究及產(chǎn)業(yè)化國內(nèi)的研究

九十年代初開始，中科院物理所，北京大學(xué)，南京大學(xué)，蘭州大學(xué)，山東大學(xué)，電子科技大學(xué)，華中理工大學(xué)，上海交通大學(xué)等。國內(nèi)僅僅局限于科學(xué)研究及材料制備，最近中科院物理所和中科半導(dǎo)體聯(lián)合進(jìn)行磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）的研究和開發(fā)。國內(nèi)外對(duì)GMR磁場(chǎng)傳感器研究及應(yīng)用國外的研究及產(chǎn)業(yè)化 國外的15GMR磁傳感器在車輛監(jiān)控方面應(yīng)用GMR磁傳感器在車輛監(jiān)控方面應(yīng)用16GMR磁傳感器在航運(yùn)方面應(yīng)用GMR磁傳感器在航運(yùn)方面應(yīng)用17GMR位移傳感器的原理GMR位移傳感器的原理18GMR位移傳感器的具體應(yīng)用GMR位移傳感器的具體應(yīng)用19GMR二維位移磁傳感器GMR二維位移磁傳感器20檢測(cè)距離(mm)價(jià)格溫度使用范圍（°C）霍爾元件

5-----840不大于100

20300GMR元件

50----200

可調(diào)20可到300磁接近開關(guān)性能價(jià)格的比較檢測(cè)距離(mm)價(jià)格溫度使用范圍霍爾元件5----21GMR角度磁傳感器GMR角度磁傳感器22GMR角度磁傳感器的輸出特性GMR角度磁傳感器的輸出特性23GMR磁傳感器在驗(yàn)鈔機(jī)方面應(yīng)用GMR磁傳感器在驗(yàn)鈔機(jī)方面應(yīng)用24GMR生物傳感器GMR生物傳感器25GMR磁傳感器在檢測(cè)電流方面應(yīng)用GMR磁傳感器在檢測(cè)電流方面應(yīng)用26SPIN-VALVE型磁傳感器特性SPIN-VALVE型磁傳感器特性27GMR磁傳感器在開關(guān)電源方面的應(yīng)用GMR磁傳感器在開關(guān)電源方面的應(yīng)用28幾種電流傳感器的性能及價(jià)格比較電流種類可測(cè)范圍耐壓范圍線性度價(jià)格互感線圈交流(100KHz)0—40A高，超高壓0.05%15元/只HALL元件（國產(chǎn)）交，直流(100KHz)0.01---35000A低壓（1KV）0.1-1%180-15000元/只HALL元件（BELL）交，直流(150KHz)5---3000A低壓（1KV）0.1-0.2%15-280美元/只GMR元件交，直流

(1MHz)0.001---10000A高，超高壓0.05-0.001%10元/只互感線圈用量無法估計(jì)，三相電度表年用量600萬只。用HALL測(cè)電流的年需求量1億元左右。另外，電流互感器主要用在電源及變頻器。幾種電流傳感器的性能及價(jià)格比較電流種類可測(cè)范圍耐壓線性度價(jià)29

靈敏度(mV/V*Oe)線性范圍(Oe)結(jié)構(gòu)及材料偏磁技術(shù)INESC(庫萬軍)0.21±135NiFe/CoFe/Cu多層膜CoFe/CoPt雙層膜INESC(庫萬軍)0.17±200NiFe/CoFe/Cu多層膜CoPt膜(兩矯頑力)INESC(庫萬軍)1.3±20SPIN-VALVE兩次沉積INESC(庫萬軍)探測(cè)磁場(chǎng)X-Y分量的集成元件INESC(庫萬軍)數(shù)字、脈沖型庫萬軍博士海外留學(xué)的主要成果

靈敏度線性范圍結(jié)構(gòu)及材料偏磁技術(shù)INESC0.21±1353021世紀(jì)人類跨入信息時(shí)代世界信息電子產(chǎn)品將到18000億美元美國制定“為了21世紀(jì)的信息技術(shù)”（IT2）及納米計(jì)劃等信息技術(shù)三大支柱傳感器技術(shù)通信技術(shù)計(jì)算機(jī)技術(shù)國家“十五”規(guī)劃：實(shí)現(xiàn)“中國芯”到2005年，國內(nèi)信息電子產(chǎn)品將到20000億元傳感器技術(shù)列為國家鼓勵(lì)重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目提出背景21世紀(jì)人類跨入信息時(shí)代項(xiàng)目提出背景31GMR傳感器市場(chǎng)前景世界：2000年電子信息產(chǎn)品市場(chǎng)13000億美元到2005年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到18000億美元，其中計(jì)算機(jī)類產(chǎn)品為5200億美元，通信類產(chǎn)品為1800億美元，消費(fèi)類電子產(chǎn)品為1600億美元，元器件類產(chǎn)品為5000億美元。日本：1998年磁傳感器年產(chǎn)量達(dá)17.18億只，占傳感器產(chǎn)量的39.1%，數(shù)量在各類傳感器中居首位；年產(chǎn)值1268億日元，占總份額的25.2%，位居第二位。磁傳感器在信息領(lǐng)域里產(chǎn)量占63.8%，產(chǎn)值占75.7%，產(chǎn)量產(chǎn)值均居第一位；在家電領(lǐng)域里產(chǎn)量占38.4%，居第一位；在醫(yī)療領(lǐng)域產(chǎn)量占56.7%，居第一位我國：1990年傳感器產(chǎn)量已達(dá)1億只，產(chǎn)值5.8億元，利稅1.7億元；1999年，我國傳感器的產(chǎn)量達(dá)8.7億只，產(chǎn)值52億元，2000年產(chǎn)量達(dá)10億只，產(chǎn)量達(dá)60億元GMR傳感器市場(chǎng)前景世界：2000年電子信息產(chǎn)品市場(chǎng)130032國內(nèi)磁場(chǎng)傳感器市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)產(chǎn)品類別主要應(yīng)用領(lǐng)域1998年產(chǎn)量（萬只）2000年需求2005年需求2010年需求其它傳感器類（壓溫濕氣）主要用于工業(yè)自動(dòng)控制系統(tǒng)，自動(dòng)化儀表，汽車，倉儲(chǔ)，交通，航天航空，環(huán)保，科研及醫(yī)療144230489690磁敏傳感器2000300045006000計(jì)數(shù)器類自動(dòng)化儀器儀表，汽車，摩托車，自動(dòng)控制系統(tǒng)，電工儀表及商業(yè)674084301060012870中國機(jī)電日?qǐng)?bào)2001年3月14日國內(nèi)磁場(chǎng)傳感器市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域1998年233GMR傳感器立項(xiàng)的動(dòng)機(jī)磁性薄膜半導(dǎo)體集成在國內(nèi)發(fā)展僅僅是一個(gè)遲早問題，“國產(chǎn)化”責(zé)無旁貸。GMR磁場(chǎng)傳感器為磁性芯片國產(chǎn)化找到了突破點(diǎn)。建立一個(gè)平臺(tái)，聚集海內(nèi)外人才，共同發(fā)展民族工業(yè)經(jīng)濟(jì)利益可觀優(yōu)越的性能價(jià)格比巨大市場(chǎng)容量GMR技術(shù)是磁性行業(yè)發(fā)展的前沿科技GMR傳感器立項(xiàng)的動(dòng)機(jī)磁性薄膜半導(dǎo)體集成在國內(nèi)發(fā)展僅僅是一個(gè)34GMR傳感器立項(xiàng)的意義意味著“中國磁性芯片”這一新型產(chǎn)業(yè)的確立GMR磁場(chǎng)傳感器=磁性薄膜+納米技術(shù)+半導(dǎo)體集成“磁電子學(xué)”方興未艾奠定我國磁電子學(xué)的應(yīng)用基礎(chǔ)為GMR磁頭，隨機(jī)存儲(chǔ)器，薄膜電感，薄膜變壓器的國產(chǎn)化奠定基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件與磁性器件集成在一起，成為可能GMR磁場(chǎng)傳感器已列入國家的重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目科技部“香山科技會(huì)議”和國家計(jì)委“中國納米計(jì)劃”GMR傳感器立項(xiàng)的意義意味著“中國磁性芯片”這一新型產(chǎn)業(yè)的確352000年12月11日，成立深圳市華夏磁電子技術(shù)開發(fā)有限公司，注冊(cè)資金100萬人民幣。留學(xué)博士兩名，中科院研究員一名，高級(jí)工程師多名。2001年6月，融資2000萬人民幣，增資擴(kuò)股到3030萬人民幣。建立國內(nèi)首條巨磁電阻（GMR）磁場(chǎng)傳感器芯片生產(chǎn)線，將實(shí)現(xiàn)磁性芯片的國產(chǎn)化。項(xiàng)目實(shí)施主要?dú)v程2000年12月11日，成立深圳市華夏磁電子技術(shù)開發(fā)有限公司36項(xiàng)目進(jìn)展情況（一）獲得證書2000年11月24日，獲得深圳市科技局成果處科技成果鑒定2000年12月27日，獲得深圳市民營高科技企業(yè)證書2001年1月16日，“GMR電流傳感器及次級(jí)產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目”獲得“深圳市高新技術(shù)項(xiàng)目認(rèn)定證書”2001年5月，“巨磁電阻（GMR）傳感器芯片在深圳市計(jì)劃局及鹽田區(qū)立項(xiàng)。項(xiàng)目進(jìn)展情況（一）獲得證書37（二）項(xiàng)目申報(bào)2001年2月12日，申報(bào)深圳市科技計(jì)劃支持項(xiàng)目，已得到市科技三項(xiàng)經(jīng)費(fèi)50萬的無償資助。2001年2月20日，深圳市科技局推薦申報(bào)“國家科技成果重點(diǎn)推廣計(jì)劃”。2001年5月，“巨磁電阻（GMR）傳感器芯片”申報(bào)國家計(jì)委立項(xiàng)。項(xiàng)目進(jìn)展情況華夏公司情況（二）項(xiàng)目申報(bào)項(xiàng)目進(jìn)展情況華夏公司情況38（三）次級(jí)產(chǎn)品開發(fā)GMR電流傳感器——專利申請(qǐng)中/客戶使用GMR電流過載保護(hù)器——專利申請(qǐng)GMR位移傳感器——客戶使用GMR磁敏接近開關(guān)——客戶使用/定單數(shù)字脈沖傳感器——新型/遠(yuǎn)程抄表項(xiàng)目進(jìn)展情況（三）次級(jí)產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目進(jìn)展情況39華夏磁電子全體同仁愿與您攜手共創(chuàng)未來華夏磁電子全體同仁愿與您攜手共創(chuàng)未來40致謝！致謝！41今天與您分享什么？一、巨磁電阻（GMR）效應(yīng)來源及磁電子學(xué)的提出二、GMR技術(shù)的核心技術(shù)三、GMR技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域及GMR磁傳感器的應(yīng)用四、庫萬軍博士海外留學(xué)的主要成果五、項(xiàng)目提出的背景六、立項(xiàng)的動(dòng)機(jī)及意義七、項(xiàng)目的主要?dú)v程及進(jìn)展八、GMR傳感器應(yīng)用的市場(chǎng)前景九、愿與您攜手共創(chuàng)未來十、致謝今天與您分享什么？一、巨磁電阻（GMR）效應(yīng)來源及磁電子學(xué)的42GMR效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)及磁電子學(xué)的確立1988年，法國巴黎大學(xué)，在納米結(jié)構(gòu)的層間反鐵磁偶合的Fe(2nm)/Cr(0.9nm)多層膜中，發(fā)現(xiàn)電阻隨外磁場(chǎng)而發(fā)生巨大變化的現(xiàn)象，此現(xiàn)象定義為巨磁電阻（GMR）效應(yīng)。其物理機(jī)制是與傳導(dǎo)電子自旋有關(guān)散射。1995年，基于GMR研究而發(fā)展成為一門新型的學(xué)科---磁電子學(xué)。超導(dǎo)材料(CMR)和絕緣材料(TMR)。

GMR效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)及1988年，法國巴黎大學(xué)，在納米結(jié)構(gòu)的層間43GMR效應(yīng)的來源GMR效應(yīng)的來源44層間偶合多層膜GMR效應(yīng)特性曲線層間偶合多層膜GMR效應(yīng)特性曲線45自旋閥（spin-valve)多層膜GMR效應(yīng)特性曲線自旋閥（spin-valve)多層膜GMR46優(yōu)越的GMR磁性薄膜先進(jìn)的集成電路設(shè)計(jì)合理的半導(dǎo)體集成工藝GMR技術(shù)的核心優(yōu)越的GMR磁性薄膜GMR技術(shù)的核心47GMR技術(shù)的應(yīng)用

A.計(jì)算機(jī)領(lǐng)域(硬盤驅(qū)動(dòng)器作為讀出磁頭)

1998年，IBM.2000年,磁頭市場(chǎng)占有率95%,10億美元/季度

B.磁隨機(jī)存儲(chǔ)器

2001年，摩托羅拉及IBM公司.1000億美元/每年的市場(chǎng)容量

C.磁場(chǎng)傳感器

1994年，NVE.測(cè)量磁場(chǎng)電流位移及角速度。電子電力及自動(dòng)化控制

D.全金屬計(jì)算機(jī)及邏輯元件

正在研制GMR技術(shù)的應(yīng)用 A.計(jì)算機(jī)領(lǐng)域(硬盤驅(qū)動(dòng)器作為讀出磁頭)48GMR磁傳感器應(yīng)用領(lǐng)域A.電機(jī)（2000年，深圳3億只），無刷電機(jī)轉(zhuǎn)子磁極位置，定子電樞電流轉(zhuǎn)向器，轉(zhuǎn)速檢測(cè)，過載保護(hù)器B.電子電力技術(shù)開關(guān)電源（1999年，DC-DC轉(zhuǎn)換器，30億美元）電流傳感器—檢測(cè)，控制及保護(hù)。2010年，0.3V—120A變頻器過流保護(hù)器等C.能源管理電度表，電網(wǎng)的自動(dòng)檢測(cè)Ｄ.磁信息讀寫磁性編碼器，讀出磁頭，驗(yàn)鈔機(jī)及高級(jí)羅盤等Ｅ.汽車工業(yè)ＡBS剎車系統(tǒng)，里程表，點(diǎn)火系統(tǒng)。高級(jí)轎車需60只Ｆ.工業(yè)自動(dòng)控制，機(jī)器人，辦公自動(dòng)化，家電及安全GMR磁傳感器應(yīng)用領(lǐng)域A.電機(jī)（2000年，深圳3億只49GMR硬盤驅(qū)動(dòng)器磁頭結(jié)構(gòu)GMR硬盤驅(qū)動(dòng)器磁頭結(jié)構(gòu)50⊙×WordlineInsulatorSenselineInsulatorSenseCurrent××0State1StateRWordcurrentRWordcurrent*Non-volatility,Lowtimeconstants(lessthan1ns)GMR磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的原理⊙×Wordline××0State1StateRWo51GMRRAM和半導(dǎo)體RAM的比較技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（DRAM）

GMR存儲(chǔ)器（MRAM）結(jié)構(gòu)及密度10-20集成掩膜板2-3集成掩膜板單元大小25F2/bit2F2/bit寫入時(shí)間10ns<10ns取數(shù)時(shí)間10ns2ns非易失性10年永久美國國防部2000年報(bào)GMRRAM和半導(dǎo)體RAM的比較技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（DRA52R1R1R2R2VinputVoutputVoutput=Vinput(R1-R2)/(R1+R2)無外磁場(chǎng)外磁場(chǎng)R2R1+BIAS-BIASR2R1GMR惠斯登電橋磁傳感器原理R1R1R2R2VinputVoutputVoutpu53層間偶合多層膜GMR磁傳感器層間偶合多層膜GMR磁傳感器54

GMR傳感器優(yōu)越的性能價(jià)格比

GMR傳感器優(yōu)越的性能價(jià)格比55國內(nèi)外對(duì)GMR磁場(chǎng)傳感器研究及應(yīng)用國外的研究及產(chǎn)業(yè)化

美國：IBM，HONEYWELL，NVE，Seagate，Read-write，Motorola

歐洲：PHILIPS，SIMENS，BOSCH

日本：日立制作所，TDK，松下，SONY，東芝等在進(jìn)行研究 僅有NVE公司生產(chǎn)和銷售。國外的研究及產(chǎn)業(yè)化國內(nèi)的研究

九十年代初開始，中科院物理所，北京大學(xué)，南京大學(xué)，蘭州大學(xué)，山東大學(xué)，電子科技大學(xué)，華中理工大學(xué)，上海交通大學(xué)等。國內(nèi)僅僅局限于科學(xué)研究及材料制備，最近中科院物理所和中科半導(dǎo)體聯(lián)合進(jìn)行磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）的研究和開發(fā)。國內(nèi)外對(duì)GMR磁場(chǎng)傳感器研究及應(yīng)用國外的研究及產(chǎn)業(yè)化 國外的56GMR磁傳感器在車輛監(jiān)控方面應(yīng)用GMR磁傳感器在車輛監(jiān)控方面應(yīng)用57GMR磁傳感器在航運(yùn)方面應(yīng)用GMR磁傳感器在航運(yùn)方面應(yīng)用58GMR位移傳感器的原理GMR位移傳感器的原理59GMR位移傳感器的具體應(yīng)用GMR位移傳感器的具體應(yīng)用60GMR二維位移磁傳感器GMR二維位移磁傳感器61檢測(cè)距離(mm)價(jià)格溫度使用范圍（°C）霍爾元件

5-----840不大于100

20300GMR元件

50----200

可調(diào)20可到300磁接近開關(guān)性能價(jià)格的比較檢測(cè)距離(mm)價(jià)格溫度使用范圍霍爾元件5----62GMR角度磁傳感器GMR角度磁傳感器63GMR角度磁傳感器的輸出特性GMR角度磁傳感器的輸出特性64GMR磁傳感器在驗(yàn)鈔機(jī)方面應(yīng)用GMR磁傳感器在驗(yàn)鈔機(jī)方面應(yīng)用65GMR生物傳感器GMR生物傳感器66GMR磁傳感器在檢測(cè)電流方面應(yīng)用GMR磁傳感器在檢測(cè)電流方面應(yīng)用67SPIN-VALVE型磁傳感器特性SPIN-VALVE型磁傳感器特性68GMR磁傳感器在開關(guān)電源方面的應(yīng)用GMR磁傳感器在開關(guān)電源方面的應(yīng)用69幾種電流傳感器的性能及價(jià)格比較電流種類可測(cè)范圍耐壓范圍線性度價(jià)格互感線圈交流(100KHz)0—40A高，超高壓0.05%15元/只HALL元件（國產(chǎn)）交，直流(100KHz)0.01---35000A低壓（1KV）0.1-1%180-15000元/只HALL元件（BELL）交，直流(150KHz)5---3000A低壓（1KV）0.1-0.2%15-280美元/只GMR元件交，直流

(1MHz)0.001---10000A高，超高壓0.05-0.001%10元/只互感線圈用量無法估計(jì)，三相電度表年用量600萬只。用HALL測(cè)電流的年需求量1億元左右。另外，電流互感器主要用在電源及變頻器。幾種電流傳感器的性能及價(jià)格比較電流種類可測(cè)范圍耐壓線性度價(jià)70

靈敏度(mV/V*Oe)線性范圍(Oe)結(jié)構(gòu)及材料偏磁技術(shù)INESC(庫萬軍)0.21±135NiFe/CoFe/Cu多層膜CoFe/CoPt雙層膜INESC(庫萬軍)0.17±200NiFe/CoFe/Cu多層膜CoPt膜(兩矯頑力)INESC(庫萬軍)1.3±20SPIN-VALVE兩次沉積INESC(庫萬軍)探測(cè)磁場(chǎng)X-Y分量的集成元件INESC(庫萬軍)數(shù)字、脈沖型庫萬軍博士海外留學(xué)的主要成果

靈敏度線性范圍結(jié)構(gòu)及材料偏磁技術(shù)INESC0.21±1357121世紀(jì)人類跨入信息時(shí)代世界信息電子產(chǎn)品將到18000億美元美國制定“為了21世紀(jì)的信息技術(shù)”（IT2）及納米計(jì)劃等信息技術(shù)三大支柱傳感器技術(shù)通信技術(shù)計(jì)算機(jī)技術(shù)國家“十五”規(guī)劃：實(shí)現(xiàn)“中國芯”到2005年，國內(nèi)信息電子產(chǎn)品將到20000億元傳感器技術(shù)列為國家鼓勵(lì)重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目提出背景21世紀(jì)人類跨入信息時(shí)代項(xiàng)目提出背景72GMR傳感器市場(chǎng)前景世界：2000年電子信息產(chǎn)品市場(chǎng)13000億美元到2005年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到18000億美元，其中計(jì)算機(jī)類產(chǎn)品為5200億美元，通信類產(chǎn)品為1800億美元，消費(fèi)類電子產(chǎn)品為1600億美元，元器件類產(chǎn)品為5000億美元。日本：1998年磁傳感器年產(chǎn)量達(dá)17.18億只，占傳感器產(chǎn)量的39.1%，數(shù)量在各類傳感器中居首位；年產(chǎn)值1268億日元，占總份額的25.2%，位居第二位。磁傳感器在信息領(lǐng)域里產(chǎn)量占63.8%，產(chǎn)值占75.7%，產(chǎn)量產(chǎn)值均居第一位；在家電領(lǐng)域里產(chǎn)量占38.4%，居第一位；在醫(yī)療領(lǐng)域產(chǎn)量占56.7%，居第一位我國：1990年傳感器產(chǎn)量已達(dá)1億只，產(chǎn)值5.8億元，利稅1.7億元；1999年，我國傳感器的產(chǎn)量達(dá)8.7億只，產(chǎn)值52億元，2000年產(chǎn)量達(dá)10億只，產(chǎn)量達(dá)60億元GMR傳感器市場(chǎng)前景世界：2000年電子信息產(chǎn)品市場(chǎng)130073國內(nèi)磁場(chǎng)傳感器市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)產(chǎn)品類別主要應(yīng)用領(lǐng)域1998年產(chǎn)量（萬只）2000年需求2005年需求2010年需求其它傳感器類（壓溫濕氣）主要用于工業(yè)自動(dòng)控制系統(tǒng)，自動(dòng)化儀表，汽車，倉儲(chǔ)，交通，航天航空，環(huán)保，科研及醫(yī)療144230489690磁敏傳感器2000300045006000計(jì)數(shù)器類自動(dòng)化儀器儀表，汽車，摩托車，自動(dòng)控制系統(tǒng)，電工儀表及商業(yè)674084301060012870中國機(jī)電日?qǐng)?bào)2001年3月14日國內(nèi)磁場(chǎng)傳感器市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域1998年274GMR傳感器立項(xiàng)的動(dòng)機(jī)磁性薄膜半導(dǎo)體集成在國內(nèi)發(fā)展僅僅是一個(gè)遲早問題，“國產(chǎn)化”責(zé)無旁貸。GMR磁場(chǎng)傳感器為磁性芯