《高純鈦磁控濺射環(huán)》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

編制說明（討論稿）《高純鈦磁控濺射環(huán)》標(biāo)準(zhǔn)起草小組2023年3月

—、i.i源根據(jù)工業(yè)和信息化部辦公房關(guān)于印發(fā)2022年第一批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂和外文版項(xiàng)目計(jì)劃的通知》（工信廳科函〔2022）94號）的要求，下達(dá)了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《高純鈦磁控濺射環(huán)》（標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目號為2022-0051T-YS）的制定任務(wù)，技術(shù)歸口單位為全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會，標(biāo)準(zhǔn)起草單位為有研億金新材料有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、寶雞鈦業(yè)股份有限公司，項(xiàng)目起止時間為2021年?2023年。1-2標(biāo)讎定曲螭性高純鈦?zhàn)鳛殡娮有畔㈩I(lǐng)域重要的功能蒲膜材料，近年來隨著我國集成電路、平面顯示、太陽能等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展需求量快速上升。磁控濺射技術(shù)（PVD）技術(shù)是制備蒲膜材料的關(guān)鍵技術(shù)之—,金屬Ti及TiN蒲膜通常采用磁控濺射高純鈦靶材與高純鈦磁控濺射環(huán)配套來制備，鈦環(huán)在配合鈦靶材使用時，可以在環(huán)件中心形成磁場，修正鈦原子的運(yùn)動軌跡，迫使其盡可能垂直到達(dá)襯底；同時，鈦環(huán)具有較好的黏著力，能及時有效地承接并吸附靶材濺射時邊緣掉落的較大鈦顆粒,避免落在襯底上影響鈦金屬層布線質(zhì)量。因此鈦濺射靶材及高純鈦磁控濺射環(huán)的性能直接影響到緩膜電阻率、蒲膜厚度均勻性、膜層擇優(yōu)職向等關(guān)鍵性能。因此，鈦靶材及高純鈦磁控濺射環(huán)的性能指標(biāo)是微電子緩膜行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。從市場需求上來看，隨著我國微電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，我國已逐漸成為電子蒲膜材料需求最大的國家，中國的高純鈦磁控濺射環(huán)市場也將隨之日益擴(kuò)大，高純鈦濺射靶材及高純鈦磁控濺射環(huán)更多地應(yīng)用在高端產(chǎn)線，包含8英寸及12英寸產(chǎn)線，大陸客戶群體如中芯國際（SMIC）、廈門士蘭集科、華潤上華、和艦科技等；高純鈦磁控濺射環(huán)在臺灣半導(dǎo)體市場需求量逐漸増加，如臺灣力積電（PSMC）；同時，國外市場也有大量應(yīng)用，如Microchip、Atmel等。通常高純鈦磁控濺射環(huán)由國外廠家供應(yīng)，近年來國內(nèi)研發(fā)和生產(chǎn)的高純鈦磁控濺射環(huán)質(zhì)量不斷提升，已經(jīng)可以替代國外進(jìn)口產(chǎn)品。在集成電路制備過程中，濺射靶材用于制備互聯(lián)線蒲膜和阻擋層蒲膜。目前集成電路制造用的最多的互聯(lián)線材料是A1及A1合金，相應(yīng)的阻擋層金屬是Ti或WTi。因此高純鈦磁控濺射環(huán)產(chǎn)品市場廣闊，全球年使用量達(dá)到2萬件/年，隨著我國高端集成電路生產(chǎn)線的大規(guī)模投入使用，我國高純鈦磁控濺射環(huán)市場將快速増加，預(yù)計(jì)年増速可達(dá)40%以上，經(jīng)濟(jì)效益和社會效益可觀。迄今為止，市場上已有多家企業(yè)可提供該類產(chǎn)品，但由于未對高純鈦磁控濺射環(huán)制定相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，也未檢索到相應(yīng)的國際標(biāo)準(zhǔn)或國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，因此嚴(yán)重制約了國內(nèi)外高純鈦磁控濺射環(huán)用戶對高純鈦磁控濺射環(huán)制造商的產(chǎn)品實(shí)力、技術(shù)成熟度的評判。因此需要建立我國高純鈦磁控濺射環(huán)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，促進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量的提高，確保產(chǎn)品生產(chǎn)、檢燈和驗(yàn)收的規(guī)范和統(tǒng)一。高純鈦磁控濺射環(huán)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的建立，將樹立我國自主知識產(chǎn)權(quán)的標(biāo)準(zhǔn)，補(bǔ)充我國在高純鈦磁控濺射環(huán)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)的缺失，填補(bǔ)國內(nèi)空白，建立符合我國的高純鈦供應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈，補(bǔ)齊我國在該領(lǐng)域的短板，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)高純鈦磁控濺射環(huán)的自主可控。1-3標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目的可行性R擬解決的問題高純鈦環(huán)主要應(yīng)用于金屬Ti及TiN蒲膜制備，屬于發(fā)展前景比較廣闊、市場需求較大的生產(chǎn)33研究領(lǐng)域。經(jīng)查詢相關(guān)國內(nèi)外文獻(xiàn)資料，未檢索到相關(guān)國際標(biāo)準(zhǔn)。隨著科技發(fā)展，對存儲芯片的功能要求及數(shù)量需求日益増加，其導(dǎo)電層的布線質(zhì)量要求越來越高。高純鈦環(huán)具有產(chǎn)生磁場，約束濺射鈦原子的運(yùn)動軌跡并吸附較大鈦顆粒，部分參與高純鈦靶材濺射，提高鈦導(dǎo)電層的鋪設(shè)質(zhì)量，滴足芯片的功能使用要求，具有較為廣闊的市場應(yīng)用前景。國內(nèi)以有研億金新材料有限公司為代表的靶材制造工廠，已逐漸突破了靶材及其配套使用部件制造的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，打破了國外壟斷局面（主要生產(chǎn)企業(yè)分布?xì)W洲、日本、美國），可以批量供應(yīng)各種制造用濺射靶材及配套環(huán)件，得到國內(nèi)外主流客戶的認(rèn)證，達(dá)到了國際先進(jìn)水平。但是,國內(nèi)高純鈦環(huán)的標(biāo)準(zhǔn)化工作還屬于空白，沒有相關(guān)國家及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。通過本標(biāo)準(zhǔn)文件的制定，能夠促進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量的統(tǒng)一與提高，確保高純鈦磁控濺射環(huán)的檢測規(guī)范統(tǒng)一，符合統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，滿足市場應(yīng)用需求。本標(biāo)準(zhǔn)文件規(guī)定了高純鈦磁控濺射環(huán)的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢燈規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存及隨行文件和訂貨單內(nèi)容。1.4項(xiàng)目編制組成員及其所作工作本項(xiàng)目的編制組由有研億金新材料有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司等單位組成。1.4.1編制單位的技術(shù)基礎(chǔ)牽頭起草單位有研億錢榭有限公司成立于2000年，現(xiàn)為有研新材料股份有限公司全資子公司。為國家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)、國家火炬計(jì)劃重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)、北京市高純金屬濺射靶材工程技術(shù)研究中心、北京市企業(yè)技術(shù)中心、中關(guān)村國家自主創(chuàng)新示范區(qū)“十百千工程”企業(yè)、上海黃金交易所綜合類會員。有研億金主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售微電子光電子用蒲膜新材料、貴金屬材料及制品，并開展稀有及貴金屬材料信息咨詢、技術(shù)服務(wù)和套期保值等業(yè)務(wù)。有研億金是國內(nèi)規(guī)模宏大、門類齊全、技術(shù)能力一流的高純金屬濺射靶材制造企業(yè)，也是國內(nèi)屈指可數(shù)具備從超高純原材料到濺射靶材、蒸發(fā)膜材垂直一體化研發(fā)和生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化平臺。產(chǎn)品涵蓋電子信息行業(yè)用的全系列高純金屬材料、濺射靶材和蒸發(fā)膜材。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、信息、化工等領(lǐng)域，是現(xiàn)代工業(yè)不可或缺的重要材料，在國民經(jīng)濟(jì)、國防建設(shè)及現(xiàn)代化信息化社會中起著極其重要的戰(zhàn)略意義，發(fā)展前景廣闊。公司現(xiàn)有職工280余人，匯聚了稀有和貴金屬領(lǐng)域內(nèi)眾多一流的科研生產(chǎn)精英，專業(yè)技術(shù)人才超過員工總數(shù)50%,高學(xué)歷、高職稱人才比例高達(dá)40%,同時擁有一支技術(shù)過硬經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)工人隊(duì)伍。有研億金歷年承擔(dān)國家級、省部級科技開發(fā)項(xiàng)目近百項(xiàng)，獲部級獎56項(xiàng)，國家專利81項(xiàng)，國家科技進(jìn)步獎3項(xiàng)，國家發(fā)明獎9項(xiàng)，全國科學(xué)大會獎2項(xiàng)，國家科技進(jìn)步獎特等獎子項(xiàng)獎1項(xiàng)?！笆晃濉?、“十二五”期間，公司承擔(dān)了國家02專項(xiàng)、國家國際重點(diǎn)合作項(xiàng)目、國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及國家科技支揮項(xiàng)目，863項(xiàng)目等36項(xiàng)國家重點(diǎn)項(xiàng)目，為我國新材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到巨大支揮作用。參與單位寧波江豐電子榭股份有限公司成立于2005年，是由國家海外高層次引才計(jì)劃專家姚力軍博士領(lǐng)導(dǎo)的海外高層次歸國留學(xué)人員組成的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)所創(chuàng)立的一家高科技企業(yè)，是A股創(chuàng)業(yè)板上市公司（股票代碼300666）,專業(yè)從事集成電路、平板顯示器和太陽能用超高純材料及濺射靶材研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司先后承擔(dān)了國家02重大專項(xiàng)、863計(jì)劃、稀土專項(xiàng)、彩電專項(xiàng)、工信部電子發(fā)展基金工業(yè)強(qiáng)基等國家級科研及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，連續(xù)參加了“十一五”、“十二五”、“十三五”國家科技創(chuàng)新成就展。江豐電子研發(fā)的超大規(guī)模集成電路用濺射靶材填補(bǔ)了我國的空白，結(jié)束了我國依賴進(jìn)口的歷史，產(chǎn)品在國內(nèi)中芯國際14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入量產(chǎn)，在國際先端的FinFET(FF+)5nm技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)應(yīng)用，達(dá)到國際先進(jìn)技術(shù)水平。公司團(tuán)隊(duì)中擁有國家“千人計(jì)劃”專家4人、國家“萬人計(jì)劃”專家1人、浙江省“千人計(jì)劃”專家4名，浙江省“萬人計(jì)劃”專家1名，美國和日本專家6人，擁有國家企業(yè)技術(shù)中心、博士后科研工作站、院士專家示范工作站，浙江省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、浙江省級企業(yè)研究院、浙江省高新技術(shù)企業(yè)研究開發(fā)中心等研發(fā)平臺，與中芯國際、浙江大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、重戻大學(xué)、京東方等多家單位形成產(chǎn)學(xué)研用聯(lián)盟，在國際市場中占有一席之地。江豐電子擁有覆蓋Al、Ti、Cu、Ta等多種金屬材料及靶材全工藝流程的完整自主知識產(chǎn)權(quán)，截止2021年9月，累計(jì)授權(quán)專利409項(xiàng)(其中發(fā)明268項(xiàng)，實(shí)用新型141項(xiàng))，填補(bǔ)了國內(nèi)的技術(shù)空白，被認(rèn)定為國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)。公司產(chǎn)品和技術(shù)先后榮獲“國家戰(zhàn)略性創(chuàng)新產(chǎn)品”、“國家技術(shù)發(fā)明二等獎”、“浙江省技術(shù)發(fā)明一等獎”、“浙江省標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新優(yōu)秀貢獻(xiàn)獎”、“中國有色金屬工業(yè)協(xié)會一等獎”、“中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎〃、“寧波市科技進(jìn)步一等獎〃等多項(xiàng)獎項(xiàng)。公司創(chuàng)始人姚力軍博士榮獲“國家科技重大專項(xiàng)突出貢獻(xiàn)獎”、“全國杰出專業(yè)技術(shù)人才〃、“浙江省科學(xué)技術(shù)重大貢獻(xiàn)獎”、“寧波市科技創(chuàng)新特別獎”等榮譽(yù)稱號。1.4.2編制單位起草人所作工作本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人及工作職責(zé)見表1。表1主要起草人及工作職責(zé)序號起草人姓名職責(zé)及分工1張曉娜負(fù)責(zé)高純鈦磁控殮射環(huán)標(biāo)準(zhǔn)方案制定、產(chǎn)品情況調(diào)研、資料搜集、數(shù)據(jù)釆集與匯總、主持標(biāo)準(zhǔn)條款編寫、標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容的理論指導(dǎo)和審核等。2張延賓、丁照崇參與方案制定、組織協(xié)調(diào)產(chǎn)品的調(diào)研、技術(shù)參數(shù)的確定、為項(xiàng)目提供保障等。3肖彤、曹曉萌協(xié)助收集本標(biāo)準(zhǔn)中產(chǎn)品情況調(diào)研、客戶使用情況等資料收集。4王紹帥、宋洋鵬協(xié)助本標(biāo)準(zhǔn)方案中技術(shù)資料討論，數(shù)據(jù)收集。1.5錘工作曜1.5.1預(yù)研階段2019年初，有研億金新材料有限公司作為主編單位對國內(nèi)做高純鈦磁控濺射環(huán)市場情況、生產(chǎn)情況及使用情況進(jìn)行了詳細(xì)的調(diào)研，主要工作有：了解國內(nèi)高純鈦磁控濺射環(huán)生產(chǎn)的技術(shù)水平、檢測及應(yīng)用情況，與企業(yè)技術(shù)人員深入討論技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的具體技術(shù)要求，參觀企業(yè)現(xiàn)場生產(chǎn)情況。高純鈦磁控濺射環(huán)可以在高純鈦靶濺射過程中用來調(diào)整修正鈦原子的運(yùn)動軌跡，同時又可以及時有效地承接并吸附靶材濺射時邊緣掉落的較大鈦顆粒，進(jìn)而保證了襯底上金屬Ti及TiN蒲膜層的布線質(zhì)量。通過與相關(guān)產(chǎn)品制造企業(yè)技術(shù)交流，同時也考慮了國內(nèi)生產(chǎn)、加工能力和分析水平等實(shí)際情況，由主編單位整理并編制形成了《高純鈦磁控濺射環(huán)》標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目建議書、標(biāo)準(zhǔn)草案及標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)說明等材料。根據(jù)此次調(diào)研情況，由主編單位整理并完善形成標(biāo)準(zhǔn)草案稿。1.5.2立項(xiàng)階段2021年04月，有研億金新材料有限公司向全體委員會議提交了《高純鈦磁控濺射環(huán)》標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目建議書、標(biāo)準(zhǔn)草案及標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)說明等材料，全體委員會議論證結(jié)論為同意行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)。2022年4月290,工業(yè)和信息化部辦公廳下達(dá)了制定《高純鈦磁控濺射環(huán)》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的任務(wù)，計(jì)劃編號為2022-0051T-YS完成年限為2023年，技術(shù)歸口單位為全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會。1.5.3起草階段有研億金新材料限公司在起草階段進(jìn)行了大量的數(shù)據(jù)收集，同時結(jié)合全國內(nèi)高純鈦磁控濺射環(huán)的生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)現(xiàn)狀及技術(shù)水平。2021年04月成立標(biāo)準(zhǔn)編制組，并明確了工作的職能和任務(wù)。2021年04月?2022年04月對高純鈦磁控濺射環(huán)的使用狀況進(jìn)行了相關(guān)資料的收集和總結(jié),并對相關(guān)的技術(shù)資料進(jìn)行了對比分析，核實(shí)相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)及要求，形成了《高純鈦磁控濺射環(huán)》的討論稿。二、 勵原則本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了本系列標(biāo)準(zhǔn)編制工作組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場需求及客戶要求等信息。初步確定了《高純鈦磁控濺射環(huán)》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：1） 查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和國內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求；2） 根據(jù)國內(nèi)外高純鈦磁控濺射環(huán)使用企業(yè)具體情況，力求做到標(biāo)準(zhǔn)的合理性與實(shí)用性；3） 廣泛適用，操作可行的原則；4） 有利于創(chuàng)新發(fā)展與國際接軌的原則。三、 標(biāo)準(zhǔn)參齒的依據(jù)本文件規(guī)定了高純鈦磁控濺射環(huán)的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存及隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于高純鈦磁控濺射環(huán)。引用了推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)5項(xiàng)，推薦性行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)。3.2技術(shù)要求3.2.1產(chǎn)品分類（1） 鈦環(huán)按照主成分含量不同分為：4N5-Ti與5N-Ti兩種牌號。（2） 產(chǎn)品按照尺寸規(guī)格分為兩種：a） 適用于200網(wǎng)硅片鍍膜的磁控濺射環(huán)。b） 適用于300網(wǎng)硅片鍍膜的磁控濺射環(huán)。（3） 產(chǎn)品按材料表面狀態(tài)分為：a） 表面滾花。b） 表面噴砂。

C）光滑表面。（4）鈦環(huán)按環(huán)體兩端開口形式:a） 直邊開口。b） S形邊開口。a）話用于200mm硅片的殮射環(huán) b）話用于300mm硅片的殮射環(huán)圖1濺射環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖3.2.2化學(xué)成分本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)配合使用的高純鈦靶材濺射緩膜要求不同，可以由供需雙方協(xié)商對合金中某些特殊元素進(jìn)行控制。參照國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)和客戶要求，對一些已知的存在危害的雜質(zhì)元素含量給出了明確控制要求，這些元素主要包括金屬元素Fe、Ni、Cr、Al、Co、Si等。金屬（Fe、Ni、Cr、Al、Co、Si等）離子會影響到靶材濺射后產(chǎn)生界面漏電及氧元素増加等等，因此須對環(huán)件原材料中該類元素進(jìn)行控制。結(jié)合目前市場上要求以及試驗(yàn)給證，明確了產(chǎn)品的純度要求，要求如表2:表2高純鈦磁控濺射環(huán)化學(xué)成分表牌號4N5-Ti5N-TiTi質(zhì)熨分?jǐn)?shù)必，不小于99.99599.999金屬雜質(zhì)質(zhì)里分?jǐn)?shù)xlO-4%,不大于Ag0.20.2Al5.02B0.10.1Ca2.01.0Co1.00.1Cr5.01.0Cu2.01.0Fe15.07.0K0.10.1Li0.10.1Mg1.00.1Mn1.00.3Mo4.00.5Na0.20.1Ni5.00.5Pb2.00.1Si5.02.0Sn2.01.0Th0.0010.001U0.0010.001V1.01.0w1.00.5Zn1.00.5Zr5.01.0氣體元素質(zhì)里分?jǐn)?shù)X10-4%，不大于C5040H1010N50500300250s1010注：鈦的質(zhì)里分?jǐn)?shù)為100%減去表中金屬雜質(zhì)實(shí)刪質(zhì)里分?jǐn)?shù)總和的余里（不包含c、N、0、S、H）3.2.3晶粒度在靶材濺射過程中，環(huán)件也有部分會參與到濺射中，因此環(huán)件晶粒尺寸對靶材濺射蒲膜的制備和性能存在一定的影響。多項(xiàng)試驗(yàn)研究表明，隨著環(huán)件晶粒尺寸的増加，蒲膜的均勻性變差。當(dāng)晶粒尺寸大小變化在合適的范圍內(nèi)時，參與到部分濺射的環(huán)件使用時等離子體阻抗較低，蒲膜的沉積速率高，并且均勻性較好。因此，為了提高環(huán)件的使用性能，其晶粒尺寸必須嚴(yán)格控制。結(jié)合調(diào)研資料，本標(biāo)準(zhǔn)對環(huán)件晶粒尺寸提出了明確要求。因環(huán)件為鈦靶配套使用，因此平均晶粒度一般不小于100皿，最大晶粒不超過800皿，若需方有特殊要求，經(jīng)雙方確認(rèn)后，方可生產(chǎn)。3.2.4焊接質(zhì)量根據(jù)安裝使用要求，部分高純鈦環(huán)需要在環(huán)體上焊接凸臺。凸臺的焊接質(zhì)量直接影響到環(huán)件安裝的穩(wěn)定性，若焊接質(zhì)量差，會導(dǎo)致環(huán)件安裝不穩(wěn)定，在較高溫度的機(jī)臺腔體中產(chǎn)生變形，環(huán)件功能失效，對生產(chǎn)造成重大損失。同時若焊接處存在缺陷，會導(dǎo)致使用過程中出現(xiàn)Arcing等異常。因此本標(biāo)準(zhǔn)對環(huán)件焊接質(zhì)量提出了明確要求結(jié)合環(huán)件實(shí)際加工與用戶反饋信息，對焊接質(zhì)量提出如下要求：焊接處無氣孔、孔洞、縫隙等缺陷。3.2.5外形尺寸及允許偏差環(huán)件的尺寸及偏差應(yīng)符合廠商的濺射機(jī)臺，否則環(huán)件不能安裝。本標(biāo)準(zhǔn)中環(huán)件尺寸偏差參照客戶所提供圖紙，并有國內(nèi)先進(jìn)設(shè)備保證加工精度，對尺寸偏差進(jìn)行加嚴(yán)控制。當(dāng)客戶有新的要求時，雙方須進(jìn)行協(xié)商確認(rèn)后，方可生產(chǎn)，環(huán)件幾何尺寸測量需選取合適工具。3.2.6表面粗糙度1010SS環(huán)件最重要的功能之一是能及時有效地承接并吸附靶材濺射時邊緣掉落的較大鈦顆粒，避免落在襯底上影響鈦金屬層布線質(zhì)量。環(huán)件表面合適的粗糙度會有更好的黏附性能。本標(biāo)準(zhǔn)文件根據(jù)鈦環(huán)表面滾花、噴砂和光滑表面三種狀態(tài)，要求產(chǎn)品表面粗糙度Ra值分別三20皿、三4皿、W0.8皿，若客戶有特殊要求時，需按照客戶要求生產(chǎn)。3.2.7外觀質(zhì)量本標(biāo)準(zhǔn)文件要求產(chǎn)品表面應(yīng)清潔光滑，無指痕、油污和銹蝕，無顆粒附加物和其他沾污，無凹坑、劃傷、裂紋:、凸起等影響使用的缺陷。3.2.8檢驗(yàn)規(guī)則與試驗(yàn)方法根據(jù)實(shí)際檢測需要和客戶要求，協(xié)商后進(jìn)行檢驗(yàn)。3.2.9包裝、運(yùn)輸、儲存要求確保產(chǎn)品不在包裝、運(yùn)輸、儲存過程中有二次污染，可靠運(yùn)輸，與用戶協(xié)商確定。3.33.3.1經(jīng)過實(shí)驗(yàn)燈證與客戶反饋，若雜質(zhì)及氣體元素含量過大時，用戶端使用效果會明顯變差。表3是成分結(jié)果。表3成分結(jié)果牌號4N55N編號1234512345Ti含里％99.9988799.9992299.9988999.9990999.9989599.9991599.9995599.9994399.9995399.99957雜質(zhì)含里gAg0.050.050.050.050.050.050.0050.050.050.05Al0.530.191.10.430.50.450.130.120.0930.09B0.010.010.010.010.010.010.010.010.010.01Ca0.20.20.20.20.20.20.20.20.20.2Co0.0130.00580.00660.00550.0080.0050.0050.0050.0050.005Cr0.590.760.980.80.980.670.540.420.220.35Cu0.170.150.260.290.370.230.190.1S0.150.28Fe8.15.16.75.86.65.42.43.52.82.1K0.010.010.010.010.010.010.010.010.010.01Li0.0050.0050.0050.00050.0050.0050.0050.0050.0050.005Mg0.050.050.050.050.050.050.050.050.050.05Mn0.0320.0320.0150.0320.0270.0420.0350.020.00510.035Mo0.050.050.050.050.050.050.050.050.050.05Na0.010.010.010.010.010.010.010.010.010.01Ni0.220.280.380.280.210.250.0190.0480.0440.023Pb0.010.010.010.010.010.010.010.010.010.01Si0.520.220.430.220.390.280.150.240.210.19

Sn0.050.050.050.050.050.050.050.050.050.05Th0.00050.00050.00050.00050.00050.00050.00050.00050.00050.0005U0.00050.00050.00050.00050.00050.00050.00050.00050.00050.0005V0.110.110.130.230.140.110.0610.040.0380.053w0.010.010.010.010.010.010.010.010.010.01Zn0.050.050.050.050.050.050.050.050.050.05Zr0.510.460.550.540.720.520.50.650.620.62雜質(zhì)總含里10心11.3017.813811.05769.12910.4518.4634.4915.7294.69114.252氣體雜質(zhì)元麥含里毋6C20121110111010101010H2.11.51.61111111Nr101411111010101110029024027