無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹2023年最新陜西理工大學(xué)第一章測(cè)試按材料的化學(xué)組成（或基本組成）分類，可以分為（）。

參考答案:

無機(jī)非金屬材料;高分子材料;金屬材料;復(fù)合材料按材料尺寸及形態(tài)分類，可以分為（）。

參考答案:

零維（納米）材料;二維（薄膜）材料;一維（纖維）材料;三維（塊體）材料主要用于各種現(xiàn)代工業(yè)及尖端科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的高性能特種陶瓷包括（）。

參考答案:

結(jié)構(gòu)陶瓷;功能陶瓷半導(dǎo)體材料按結(jié)構(gòu)可分為（）。

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多晶態(tài);非晶態(tài);單晶態(tài)多孔材料共同持點(diǎn)是（）。

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密度小;比表面積大;孔隙率高;對(duì)氣體有選擇性透過作用第二章測(cè)試依據(jù)等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數(shù)（）立方密堆積的堆積系數(shù)。

參考答案:

等于某AX型晶體，A+的電荷數(shù)為1，A-B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為（）。

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6在ABO3（鈣鈦礦）型結(jié)構(gòu)中，B離子占有（）。

參考答案:

八面體空隙能夠發(fā)生自發(fā)極化效應(yīng)的物質(zhì)包括（）。

參考答案:

鈦酸鋇構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元為[SiO4]，兩個(gè)相鄰的[SiO4]之間可以通過哪種方式相互連接（）。

參考答案:

共頂?shù)谌聹y(cè)試對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（）。

參考答案:

負(fù)離子空位;間隙正離子固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但發(fā)生點(diǎn)陣畸變，性能變化。所形成的固溶體包括有限固溶體和無限固溶體兩種類型，其中（）。

參考答案:

結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（）。

參考答案:

非化學(xué)計(jì)量缺陷;熱缺陷;電荷缺陷;雜質(zhì)缺陷位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在何種力的作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變（）。

參考答案:

外力熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（）。

參考答案:

正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加第四章測(cè)試硅酸鹽玻璃的結(jié)構(gòu)是以硅氧四面體為結(jié)構(gòu)單元形成的（）的聚集體。

參考答案:

近程有序，遠(yuǎn)程無序在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R=O/Si減小時(shí)，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化，熔體析晶能力（）。

參考答案:

減小可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越小，就（）形成玻璃。

參考答案:

越容易當(dāng)O/Si比趨近于4時(shí)，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋ǎ?/p>

參考答案:

K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2Si:O趨近于1/2時(shí)硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（）。

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架狀過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘越小，臨界晶核半徑越小，析晶能力（）。

參考答案:

不變過冷度愈大，臨界晶核半徑越小，相應(yīng)地相變（）。

參考答案:

愈易進(jìn)行在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R＝O/Si減小時(shí)，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分?jǐn)?shù)（），熔體粘度增大，熔體析晶傾向減小。

參考答案:

減小第五章測(cè)試為提高陶瓷坯釉的附著力，應(yīng)降低（）。

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;粗糙度對(duì)液固相潤(rùn)濕性能的影響是（）

參考答案:

不一定為了提高液相對(duì)固相的潤(rùn)濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（）。

參考答案:

升高固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（）液體的表面能。

參考答案:

大于判斷重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)，垂直方向的層間距與體內(nèi)各自是否相同（）。

參考答案:

不同；相同第六章測(cè)試相的主要特點(diǎn)有（）。

參考答案:

相與相之間有界面，越過界面時(shí)性質(zhì)突變;一種物質(zhì)可以有幾個(gè)相;相與物質(zhì)的數(shù)量多少無關(guān)，也與物質(zhì)是否連續(xù)無關(guān)鹽水溶液中的獨(dú)立組元數(shù)是（）。

參考答案:

2單元系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（）。

參考答案:

1Si02高低溫型轉(zhuǎn)變的特點(diǎn)包括（）

參考答案:

結(jié)構(gòu)變化小;體積變化小;轉(zhuǎn)變速度快判斷三元系統(tǒng)相圖中界線的性質(zhì)用到的規(guī)則是（）。

參考答案:

切線規(guī)則第七章測(cè)試在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分別稱為（）。

參考答案:

本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散穩(wěn)定擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（）。

參考答案:

不隨時(shí)間而變化在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對(duì)擴(kuò)散有重要的影響，主要是通過（），使得擴(kuò)散系數(shù)增大。

參考答案:

增加缺陷濃度，使晶格發(fā)生畸變擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)與擴(kuò)散的關(guān)系是（）。

參考答案:

越緊密；越困難空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于（）的擴(kuò)散。

參考答案:

置換型固溶體第八章測(cè)試A，B進(jìn)行反應(yīng)生成AmBn,為擴(kuò)散控制的固相反應(yīng)，若DB》DA，則在AmBn-A界面上，反應(yīng)物B的濃度CB為（）

參考答案:

0兩固相反應(yīng)，增大壓力有助于顆粒的接觸面積，加速物質(zhì)傳遞過程，使反應(yīng)速度增加；有液相參加的固相反應(yīng)，提高壓力不表現(xiàn)積極作用，甚至適得其反。（）

參考答案:

對(duì)固相反應(yīng)過程主要包括界面上的化學(xué)反應(yīng)和產(chǎn)物內(nèi)部物質(zhì)傳遞兩個(gè)步驟。因此，除反應(yīng)物的化學(xué)組成、特性和結(jié)構(gòu)狀態(tài)以及溫度、壓力等因素外，凡是可能活化晶格，促進(jìn)物質(zhì)的內(nèi)、外擴(kuò)散作用的因素，都會(huì)對(duì)反應(yīng)產(chǎn)生影響。（）

參考答案:

對(duì)楊德方程適用于固相反應(yīng)穩(wěn)定擴(kuò)散的反應(yīng)初期。（）

參考答案:

對(duì)金斯特林格采用楊德球狀模型，但放棄了擴(kuò)散截面不變的假設(shè)。因此，金斯特林格方程能夠描述轉(zhuǎn)化率很大情況下的固相反應(yīng)。（）

參考答案:

對(duì)第九章測(cè)試調(diào)幅分解屬于連續(xù)型相變。它是一種無熱力學(xué)能壘、無形核的固態(tài)相變。（）

參考答案:

對(duì)一般而言，隨熔體性質(zhì)不同，自發(fā)結(jié)晶所需的過冷度可以不同，但都包含晶核生成和晶體長(zhǎng)大兩個(gè)過程。（）

參考答案:

對(duì)成核-長(zhǎng)大型相變是材料中常見的一種相變，如結(jié)晶釉的形成。成核-長(zhǎng)大型相變是由（）的濃度起伏開始發(fā)生相變，并形成新相核心。

參考答案:

程度大，范圍小在成核－生長(zhǎng)機(jī)制的液－固相變過程中，其成核過程有非均勻成核與均勻成核之分。將非均勻成核與均勻成核過程的成核勢(shì)壘相比較，有如下關(guān)系（）。

參考答案:

非均勻成核勢(shì)壘≤均勻成核勢(shì)壘按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵不相等，因此一級(jí)相變（）。

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有相變潛熱，并伴隨有體積改變第十章測(cè)試從工藝的角度考慮，下列選項(xiàng)中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是（）

參考答案:

燒結(jié)溫度過低目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值來衡量燒結(jié)的難易，若材料γGB/γSV越大，則()

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