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金屬高溫氧化和熱腐蝕第四章僉屬氧牝物晶體結(jié)構(gòu)與缺陷學(xué)生:路云舒專業(yè):化學(xué)工藝目錄1緒論2簡(jiǎn)單金屬氧化物的晶體結(jié)構(gòu)3熱力學(xué)可逆缺陷——點(diǎn)缺陷4點(diǎn)缺陷方程與平衡5外來(lái)電子對(duì)點(diǎn)缺陷平衡影響6熱力學(xué)不可逆缺陷金屬與氣體高溫反應(yīng)生成致密氧化物膜,將金屬與反應(yīng)氣體隔離,繼續(xù)反應(yīng)的惟途徑是反應(yīng)物質(zhì)原子或離子經(jīng)由膜的擴(kuò)散傳輸以及電子經(jīng)由膜的遷移。MMoatmosphere緒論一些必要的概念:1空間點(diǎn)陣:組成晶體的粒子(原子、離子或分子)在三維空間中形成有規(guī)律的某種對(duì)稱排列,如果我們用點(diǎn)來(lái)代表組成晶體的粒子,這些點(diǎn)的總體就稱為空間點(diǎn)陣。固態(tài)晶體的結(jié)構(gòu)特征是分子、原子或離子在空間長(zhǎng)程有序排列,即晶體點(diǎn)陣具有周期性。但實(shí)際晶體總存在不完整性,即結(jié)構(gòu)缺陷也就是晶格缺陷緒論2晶胞:晶格中,有規(guī)律的最小的幾何單元稱為晶胞緒論晶胞有三個(gè)要由a、b、c三個(gè)晶胞的晶軸及它們間大小、型的夾角α,βγ所確定式由組成晶素晶胞的胞的原子或分子及內(nèi)容它們?cè)谄?Kb胞中的位置所決定晶胞緒論3熱力學(xué)可逆缺陷:在晶體中的數(shù)量取決于環(huán)境溫度與壓力,即缺陷濃度隨周圍溫度與壓力而改變,各種點(diǎn)缺陷屬于此類型。4熱力學(xué)不可逆缺陷:晶體中缺陷濃度與外界條件變化無(wú)關(guān),即不受環(huán)境溫度與壓力變化的影響,如線與面缺陷等。當(dāng)晶體中點(diǎn)缺陷濃度高時(shí)(一般在0.1),則孤立的點(diǎn)缺陷之間相互作用形成復(fù)雜的缺陷簇或擴(kuò)散缺陷。5.點(diǎn)群(pointgroup)是指一個(gè)三維的有限圖形或物體中全部對(duì)稱要素的集合。三斜晶系、單斜晶系、正交七大晶系晶系、四方晶系、六角(六方)晶系、三角(三方)晶系、立方晶系4.1簡(jiǎn)單金屬氧化物晶體結(jié)構(gòu)布拉維系-七大晶

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