基于LTCC工藝的設計規(guī)范總結1．材料特性特性相關參數(shù)值1.相對介電常數(shù)￡廣5.9±0.2@(1~100GH)2.介質損耗角正切：<0.002@(1~100GHz)3.電阻率：>1012at100DVCQ5.層數(shù)：最多30層6.每層層厚：0.1mm7.導體厚度：0.01mm8.孔徑：最小直徑0.1mm可選6mil8mil10mil12mil9.密度：Density3.2g/cm310.鍍金屬：銅（Cu）頂層：嵌入其中，中間層：上下各嵌入50%過孔鍍銀（Ag）11.基板尺寸（最大）105mmx105mm12.生瓷片精度橫向平面精度：±5um眾向生瓷精度：±10um2.導體線寬和間距ACSeeNoteACSeeNoteLTCCCLASSABcABCPOD/POC5mils7mils5mis3rniT4mils*3mIs*LowVolume6e6454ProductionID1010808建議尺寸最小尺寸ABC頂層45um45um45um內(nèi)層100um100um100umNote：可能的情況下推薦更大的間距，密度過大或者焊盤過近將造成潛在的短路問題相關參數(shù)：網(wǎng)印最小線寬/間距100um/100um相關參數(shù)：網(wǎng)印最小線寬/間距100um/100um蝕刻最小線寬/間距45um/45um直描最小線寬/間距50um/75um3.導體到基板邊緣的間距/和腔體間隙SubstrateorcaviryedgeD3.導體到基板邊緣的間距/和腔體間隙SubstrateorcaviryedgeDrn.Aor

B推薦尺寸LTCCCLASSASURFACEBBURIEDRFGROUNDS*ASURFACEBBURIEDRFGROUND'POD/POC山mils10mils10mills5mils'5mils.Toedge'LowVolutneWmils10mils10milsSmil5r5mils*：?mils*ProductionICmils15mils15mils10mils10mils10mils4.電氣過孔Catchpad214的可選通孔直徑為：6mils、互連通孔最小直徑：0.1mm8mils、10mils、12mils5.8mils、10mils、12milsELTCCCLASSA{minJB(min.)POD/POC25xViasize2.5xViasizeLowVolume3xViasize3xU匕sizeProduttion3kViasize3xV\3s.izeA一般取3倍于孔徑尺寸注意：散熱和RF通孔排除在此標準外相關參數(shù)：互連通孔最小節(jié)距：0.3mm6.過孔托盤在通孔上面和下面的托盤必須以一定的距離與通孔的所有邊都重疊，除非密集布線情況時不允許使用此方法（通孔直接與導線相連）LTCCCLASSA(min.)POD/POC1milsLowVolums2milsProduction4mils.基板邊緣電氣通孔LTCCCLASSA(min.)POD；POC3Viadiameters.(18milsmiiniinum)LowVolume4Viadiameters.\2bmilsminimum)Production4Viadiameters.(2b-milsminimuni)ViaEdgeof

substrateViaEdgeof

substrateA值推薦3?4倍于通孔直徑，最小為18?25mil.器件安裝處通孔分布當設計的密度需要長的通孔串時，通孔必須交錯分布以防發(fā)生突然折斷的裂縫。層與層直接的電氣通孔之間的交錯連接：通孔采取垂直方向的交錯(z字型)，以使傳送通道(routingchannels)的封閉(blockage)降到最小，并減小通孔的"加速效應"(postingeffect)o以下是交錯通孔技術的示例：LTCCCLASSA(min.)POD1POCTangentLowVoliime1UadiameterProducikn1Viadiameter可接受的Z字形 推薦的階梯型 堆疊通孔通孔堆棧：說明：電連接建議使用交錯通孔，在特別情況下，在同一通孔處最多可以通孔15層。

大面積的裸露導體區(qū)域，比如面板，必須是實心的。燒結板在所有可能的地方應該網(wǎng)格化。鋪地的區(qū)域必須是實心的，以此在需要時提供對傳輸線或其他關鍵信號線的保護。所有鋪地板的邊緣(在基板的周圍和腔體附近)都必須造成城形，來提升生瓷帶層與層之間的迭片結構的粘合性。相鄰層之間的面板的柵格形狀必須是可以相互抵消(offset)的，使基板頂層和地層表面較為平整注意：接地板的網(wǎng)格應盡可能的大來減小多余增量和損耗，對于大面積地面/電源面，建議使用柵格形式，對于特別情況，局部可以使用面地面/面電源面。10.空腔空腔底部導體與空腔壁之間的間隙CrosssectionCrosssectionMewConcuctorLTCCCLASSAMinimum"PC1DJPOC2.5milsLowVolume5milsProduction10mis如果有必要，底部導體的電氣連接可以穿過空腔壁，但是不能超過壁長的25%,最大50%,城形的金屬化設計可以用來滿足該設計。裸露/燒結導體到腔體壁之間的間隙LTCCCLASSAExposedBBuriedPOD/POC5mils10milsLowVolume5mils10milsP「Qduction1Emils15mils

11.通孔與腔體的間隙通孔和腔體壁之間的間隙CrasssectionviewCrasssectionviewLTCCCLASSLTCCCLASSAPODfPOC2.bxviaSizeL-owVolume-2.5xviaSizeP「QduGion2.5xviaSize連接架CaviN,洲height*Conductor3。連接架CaviN,洲height*Conductor3。milsmin.Typ.10mils.miBondpadtoe-dgeBondpadshelf注意：在設計確認前應該檢查連接架上的空腔壁高度12.空腔與空腔的間隔:

Cr0sssectionvie**最小尺寸MINIMUMDIMENSIONSLTCCCLASSA-WallwidthB-CavdepthC-Bas-ethicknessPOD/POCSOMils2x"A"dim.22.2milsmininum”LowVclum-e50mils2x"A"dim.22.2