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文檔簡介
大學物理(2-2)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年中國石油大學(華東)載流線圈在磁場中受的磁力矩與載流線圈磁矩大小成正比.
答案:對利用安培環(huán)路定理可以計算任意載流導體的磁場分布.
答案:錯靜電場與電荷是不可分割的整體.
答案:對靜電場中,若在電場區(qū)域內電場線是平行的,則該區(qū)域內電場強度和電勢都相等.
答案:錯二能級系統(tǒng)可以作為產生激光的工作物質.
答案:錯不僅載流線圈有磁矩,電子、質子等微觀粒子也同樣具有磁矩.
答案:對原子系統(tǒng)處于正常狀態(tài)時,每個電子趨向占有最低的能級.
答案:對質子(電荷為e,質量為m)和α粒子(電荷為2e,質量為4m)垂直磁場方向進入同一勻強磁場中,若兩粒子的初速度相同,設質子和α粒子受到洛侖茲力作用而產生的加速度大小分別為a1和a2,則a1:a2=1:2.
答案:錯在通有電流的亥姆霍茲線圈的軸線上放一小平面載流線圈,則該載流線圈將發(fā)生轉動,最后的平衡位置是該載流線圈的電流和亥姆霍茲線圈的電流平行.
答案:對
答案:兩個相距不太遠的平面圓線圈,怎樣可使其互感系數(shù)近似為零?設其中一線圈的軸線恰通過另一線圈的圓心
答案:兩線圈的軸線互相垂直放置在沒有其它電荷存在的情況下,一個點電荷q1受另一點電荷q2的作用力為f12,當放入第三個電荷Q后,以下說法正確的是:
答案:f12的大小和方向都不會改變,但q1受的總電場力發(fā)生了變化關于磁場中的高斯定理的敘述中,下列說法正確的是
答案:在任意磁場中穿過閉合曲面的磁通量均為零激發(fā)本征半導體中傳導電子的幾種方法有(1)熱激發(fā),(2)光激發(fā),(3)用三價元素摻雜,(4)用五價元素摻雜.對于純鍺和純硅這類本征半導體,在上述方法中能激發(fā)其傳導電子的只有
答案:(1)(2)和(4)自發(fā)輻射來源于原子在不同能級之間的隨機躍遷發(fā)射,因為發(fā)射的光不是相干光.
答案:對對于多個無限長平行載流直導線的磁場問題,由于總的磁場強度不具備對稱性,求解過程中不可用安培環(huán)路定理.
答案:錯感應電場和靜電場一樣,都是保守場.
答案:錯若入射光的頻率均大于一給定金屬的紅限,則當入射光頻率不變而強度增大一倍時,該金屬的飽和光電流也增大一倍.
答案:對靜電場的保守性體現(xiàn)在電場強度的環(huán)流等于零.
答案:對一個電子在磁場中作圓周運動時,洛侖茲力不作功;當它作螺旋線運動時,洛侖茲力也不作功.
答案:對制作低頻變壓器鐵芯時,總是把鐵芯做成片狀,片與片之間涂導電材料.
答案:錯兩個電容不同的電容器,串聯(lián)后接在電源上,則電容小的電容器上的電勢差反而大.
答案:對在電勢不變的空間,場強處處為零.
答案:對用3價元素摻雜純凈的硅半導體,可以得到p型號半導體.
答案:對兩根長度相同載有電流I的細導線分別均勻密繞在半徑為R和r的長直圓筒上形成兩個螺線管,兩螺線管單位長度上的匝數(shù)相等。設R=2r,則兩螺線管中的磁感強度大小BR和Br應滿足:
答案:2BR=Br
答案:一個平行板電容器,充電后與電源斷開,當用絕緣手柄將電容器兩極板間距離拉大,則兩極板間的電勢差U12、電場強度的大小E、電場能量W將發(fā)生如下變化:
答案:U12增大,E不變,W增大冬天,我們看不到室內取暖用的暖氣片發(fā)光是因為
答案:暖氣片輻射的光以紅外線為主直接證實了電子自旋存在的最早的實驗之一是
答案:斯特恩-蓋拉赫實驗一導體圓線圈在均勻磁場中運動,能使其中產生感應電流的一種情況是
答案:線圈繞自身直徑軸轉動,軸與磁場方向垂直
答案:在銅條上a、b兩點產生一小電勢差,且Ua>Ub選無窮遠處為電勢零點,半徑為R的導體球帶電后,其電勢為U0,則球外離球心距離為r處的電場強度的大小為
答案:
答案:從A到D,電場力做功一樣大p型半導體中雜質原子所形成的局部能級(也稱受主能級),在能帶結構中應處于
答案:禁帶中,但接近滿帶頂一電偶極子放在均勻電場中,當電偶極矩的方向與場強方向不一致時,其所受的合力F和合力矩M為:
答案:設有一個帶正電的導體球殼。當球殼內充滿電介質、球殼外是真空時,球殼外一點的場強大小和電勢用E1,U1表示;而球殼內、外均為真空時,殼外一點的場強大小和電勢用E2,U2表示,則兩種情況下殼外同一點處的場強大小和電勢大小的關系為
答案:E1=E2,U1=U2
答案:場強弱的地方電勢一定低、電勢高的地方場強一定強.
答案:錯感應電場是無源有旋場.
答案:對n型半導體的導電能力大于本征半導體和p型半導體.
答案:錯載流導線在磁場中所受到的安培力的方向與磁感應強度方向不一定垂直.
答案:錯球形電容器充電后,電場中各點的能量密度均相等.
答案:錯根據互感的定義,互感M不僅兩個線圈的形狀、大小、匝數(shù)、相對位置以及周圍磁介質的磁導率有關,而且與線圈所通電流強度以及電流強度隨時間的變化率有關.
答案:錯在導體表面曲率半徑大的地方面電荷密度大,所以電場強度就大.
答案:錯線圈處于均勻磁場中,均勻磁場與線圈平面垂直。該線圈保持周長不變,當它由圓形變?yōu)闄E圓形過程中,線圈中不產生感應電動勢.
答案:錯若將放在電場中某點的試探電荷q改為-q,則該點的電場強度大小不變,方向與原來相反。
答案:錯用5價元素摻雜純凈的硅半導體,可以得到n型號半導體.
答案:對平行板電容器中充滿某種介電質后,電容器的電容會減小.
答案:錯線圈的自感系數(shù)只與線圈的形狀、大小以及周圍介質的磁導率有關,而與線圈通的電流大小無關.
答案:對一個帶電粒子在空間的運動軌跡是螺旋線,則該空間除了磁場外,可能還有電場.
答案:對已知某點的電場強度,就可以確定該點的電勢.
答案:錯
答案:
答案:
答案:硫化鎘(CdS)晶體的禁帶寬度為2.42eV,要使這種晶體產生本征光電導,入射到晶體上的光的波長不能大于
答案:514nm在點電荷激發(fā)的電場中,如以點電荷為中心作一個球面,關于球面上的電場,以下說法正確的是
答案:球面上的電場強度E處處不等
答案:
答案:
答案:鐵磁質,順磁質,抗磁質在下列關于光電效應的表述中,正確的是
答案:若入射光的頻率大于給定金屬的紅限頻率,則當入射頻率不變而強度增大一倍時,該金屬的飽和光電流也增大一倍
答案:
答案:高斯定理成立,但不能用它求出閉合面上各點的場強一根無限長平行直導線載有電流I,一矩形線圈位于導線平面內沿垂直于載流導線方向以恒定速率運動(如圖所示),則
答案:線圈中感應電流為順時針方向
答案:B≠0,因為雖然B1=B3=0,但B2≠0真空中有兩個點電荷M、N,相互間作用力為F,當另一點電荷Q移近這兩個點電荷時,M、N兩點電荷之間的作用力
答案:大小和方向都不變靜電場中某點電勢的數(shù)值等
答案:單位正電荷置于該點時具有的電勢能
答案:與絕緣體相比較,半導體能帶結構的特點是
答案:禁帶寬度較窄下列各組量子數(shù)中,哪一組可以描述原子中電子的狀態(tài)?
答案:(3,1,-1,1/2)位移電流產生的磁場不服從安培環(huán)路定理.
答案:錯電容器串聯(lián)使用,是為了增大其耐壓性能,電容器并聯(lián)使用,是為了增大其容電本領.
答案:對在等勢面上,電場強度的值不一定相等.
答案:對概率波的統(tǒng)計解釋是:在某一時刻,在空間某一地點,粒子出現(xiàn)的概率正比于該時刻、該地點的波函數(shù)的平方.
答案:對根據氫原子的量子力學理論,電子出現(xiàn)在某處的概率正比于電子在該處的波函數(shù).
答案:錯鐵磁質的相對磁導率遠遠小于1.
答案:錯電位移矢量沿一個閉合曲面的積分等于零,曲面內一定沒有自由電荷.
答案:錯位移電流和傳導電流一樣,會在其周圍激發(fā)磁場.
答案:對如果一個電子在通過空間某一區(qū)域時不偏轉,則這個區(qū)域一定沒有磁場.
答案:錯法拉第電磁感應定律適用于任意閉合回路.
答案:對光電效應和康普頓效應都包含有電子與光子的相互作用過程.正確的理解是兩種效應都相當于電子與光子的彈性碰撞過程.
答案:錯根據麥克斯韋方程,變化的電場可以產生渦旋磁場,變化的磁場可以產生渦旋電場.
答案:對兩個平行放置的同軸圓環(huán)形導體,若通以電流后,它們彼此排斥,則兩環(huán)中電流流動的方向平行.
答案:錯能帶結構中的價帶是由價電子能級分裂而形成的.
答案:對電動勢用正、負來表示方向,它是矢量.
答案:錯磁場的高斯定理,說明磁場是發(fā)散式的場
答案:錯正電荷在電勢高的地方,電勢能也一定高.
答案:對二個電子以相同的速度v平行運動,在實驗室中觀察,由于它們之間相對靜止,所以它們之間除了萬有引力之外,只有電力,沒有磁力.
答案:錯考察電容器的指標有兩個,一個是它的電容大小,一個是它的耐壓性能.
答案:對有人說:只要知道電場中的一個等勢面,就可以確定它周圍的電場.
答案:錯A、B兩個電子都垂直于磁場方向射入一均勻磁場而作圓周運動。A電子的速率是B電子速率的兩倍。設RA,RB分別為A電子與B電子的軌道半徑;TA,TB分別為它們各自的周期。則
答案:RA∶RB=2,TA∶TB=1
答案:不變一個圓形線環(huán),它的一半放在方形區(qū)域的勻強磁場中,另一半位于磁場之外,如圖所示.磁場的方向垂直指向紙內.欲使圓線環(huán)中產生逆時針方向的感應電流,應使
答案:線環(huán)向左平移
答案:
答案:
答案:EA<EB<EC,UA>UB>UC在無限長的載流直導線附近放置一個矩形閉合線圈,開始時線圈與導線在同一平面內,且線圈中兩條邊與導線平行,當線圈以相同的速率作如圖所示的三種不同方向的平動時,則線圈中的感應電流
答案:以情況Ⅱ中為最大一帶電粒子平行磁感線射入勻強磁場,則它作________________運動;一帶電粒子垂直磁感線射入勻強磁場,則它作________________運動;一帶電粒子與磁感線成任意交角射入勻強磁場,則它作______________運動
答案:勻速直線;勻速率圓周;等距螺旋線
答案:
答案:麥克斯韋位移電流假說的中心思想是
答案:變化電場將激發(fā)渦旋磁場
答案:BO>BQ>BP
答案:曲面S的電場強度通量不變,曲面上各點場強變化在靜磁場中,下面能用安培環(huán)路定理計算磁感應強度是
答案:無限長載流直導線
答案:Oc
答案:Φ不變,B增大如圖所示,一金屬棒在均勻磁場中以速度勻速運動,下面哪一個圖示正確表示了金屬棒表面的電荷分布
答案:圖b如圖所示,M、N為水平面內兩根平行金屬導軌,ab與cd為垂直于導軌并可在其上自由滑動的兩根直裸導線.外磁場垂直水平面向上.當外力使ab向右平移時,則cd將
答案:向右移動
答案:按照原子的量子理論,原子可以通過自發(fā)輻射和受激輻射的方式發(fā)光,它們所產生的光的特點是
答案:兩個原子自發(fā)輻射的同頻率的光是不相干的,原子受激輻射的光與入射光是相干的本征半導體是電子與空穴兩種載流子同時參與導電,而雜質半導體(n型或p型)只有一種載流子(電子或空穴)參與導電,所以本征半導體導電性能比雜質半導體好.
答案:錯世界上第一臺激光器是紅寶石激光器.
答案:對在激光器中利用光學諧振腔
答案:可同時提高激光束的方向性和單色性如果(1)鍺用銻(五價元素)摻雜,(2)硅用鋁(三價元素)摻雜,則分別獲得的半導體屬于下述類型
答案:(1)為n型半導體,(2)為p型半導體激光是基于受激輻射的基本原理而發(fā)光的.
答案:對p型半導體的導電機構完全決定于半導體中空穴載流子的運動.
答案:錯激光全息照相技術主要是利用激光的哪一種優(yōu)良特性
答案:相干性好n型半導體中雜質原子所形成的局部能級靠近空帶(導帶)的底部,使局部能級中多余的電子容易被激發(fā)躍遷到空帶中去,大大提高了半導體導電性能.
答案:對微觀粒子滿足不確定關系是由于粒子具有波粒二象性.
答案:對由氫原子理論知,當大量氫原子處于n=3的激發(fā)態(tài)時,原子躍遷將發(fā)出
答案:三種波長的光鉀金屬表面被藍光照射時有光子逸出,若增大藍光光強,則
答案:單位時間內逸出的光電子數(shù)增加光子具有波粒二象性,電子只具有粒子性.
答案:錯康普頓效應結果表明,經典力學的動量守恒定律需要修正.
答案:錯如果兩種不同質量的粒子,其德布羅意波長相同,則這兩種粒子的
答案:動量相同若入射光的頻率均大于一給定金屬的紅限,則該金屬分別受到不同頻率的光照射時,釋出的光電子的最大初動能也不同.
答案:對在量子力學中,電子的運動沒有軌道的概念,取而代之的是空間概率分布的概念.
答案:對對于位移電流,有下述四種說法,正確的是
答案:位移電流就是變化的電場尺寸相同的鐵環(huán)與銅環(huán)所包圍的面積中,通以相同變化率的磁通量,當不計環(huán)的自感時,環(huán)中
答案:感應電動勢相同,感應電流不同將形狀完全相同的銅環(huán)和木環(huán)靜止放置,并使通過兩環(huán)面的磁通量隨時間的變化率相等,則不計自感時
答案:兩環(huán)中感應電動勢相等兩個彼此無關的閉合回路,其中之一的磁通量發(fā)生了7.5Wb的改變,另一發(fā)生了7.2Wb的改變,前者的感應電動勢一定大于后者.
答案:錯在國際單位制中,磁通量單位用高斯.
答案:錯產生動生電動勢的非靜電場力是洛倫茲力,所以洛倫茲力對運動電荷不做功的說法是錯誤的.
答案:錯電介質的相對相對電容率總是大于1,磁介質的磁導率也總是大于1.
答案:錯順磁物質的磁導率
答案:比真空的磁導率略大洛侖茲力和安培力分別是運動電荷和載流導線在磁場中受力的規(guī)律,盡管它們都是磁力,但本質是不同的
答案:錯閉合曲線當中沒有包含電流,說明閉合曲線中的磁感應強度處處為零
答案:錯一個帶電粒子在電磁場中不可能作勻速直線運動,而只能是直線加速運動或曲線運動
答案:錯一運動電荷q,質量為m,進入均勻磁場中
答案:其動能不變,動量改變
答案:為零閉合回路上各點磁感應強度都為零,回路內一定沒有電流.
答案:錯一電荷為q的粒子在均勻磁場中運動,下列說法正確的是
答案:在速度不變的前提下,若電荷q變?yōu)?q,則粒子受力反向,數(shù)值不變導體中某點的電流密度矢量,其方向沿該點電場強度的方向,即沿該點電流的方向.
答案:對位移電流由變化電場形成,它能
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