CCS31.080.01

ICSL40

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/SZAA000X—2024

車身域控制器場效應(yīng)管負(fù)載能力試驗方法

TestMethodforLoadCapacityofFieldEffectTransistorinVehicleDomain

Controller

(標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿)

2024-XX-XX發(fā)布2024-XX-XX實施

深圳自動化學(xué)會發(fā)布

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車身域控制器場效應(yīng)管負(fù)載能力試驗方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了乘用車及電動車車身域控制器場效應(yīng)管的選型使用、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)范；

本標(biāo)準(zhǔn)適用于比亞迪品牌及其所屬品牌所有乘用車及電動車及其對應(yīng)車身域控制器選型使用、技術(shù)要求、

試驗方法、檢驗規(guī)范，其他品牌的的乘用及電動車對應(yīng)車身域控制器場效應(yīng)管可參照此標(biāo)準(zhǔn)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單一）適用于本文件。

GB/T191—2008包裝儲運圖示標(biāo)志

GB/T5465.2—2008電氣設(shè)備用圖形符號第2部分：圖形符號

GB/T30512-2014汽車禁用物質(zhì)要求

GB/T2900.32-1994電工術(shù)語電力半導(dǎo)體器件

GJB3164-1998半導(dǎo)體分立器件包裝規(guī)范

IEC60191-6-2009半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化-第6部分表面安裝的半導(dǎo)體器件封裝外形圖紙制

備的一般規(guī)則(MechanicalStandardizationofSemiconductorDevices-Part6:GeneralRulesForthe

PreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages)

IEC60747-82021半導(dǎo)體器件-分立器件-第8部分：場效應(yīng)晶體管(Semiconductordevices–

Discretedevices–Part8:Field-effecttransistors)

JESD51-1集成電路的熱測試方法(IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod)

JESD51-14一維傳熱路徑下半導(dǎo)體器件結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試法(TransientDualInterfaceTest

MethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductorDeviceswithHeat

FlowThroughaSinglePath)

AEC-Q101-Rev–E基于分立半導(dǎo)體應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機(jī)理(FailureMechanismBasedStress

TestQualificationForDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications)

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

功率MOSFET

MOSFET是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的縮寫，中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體

場效應(yīng)晶體管，是一種單極型器件，具有柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source），簡稱金氧半

場效晶體管或MOS管。

3.2

NMOS

N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET導(dǎo)電溝道為N

1

T/SZAA000X—2024

型，通過電子移動導(dǎo)電，主回路電流方向為漏極指向源極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差（G電位比S

電位高），Source端一般接地（低邊驅(qū)動）。

3.3

PMOS

P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體（P-typemetaloxidesemiconductor），P型功率MOSFET導(dǎo)電溝道為P型，

通過空穴進(jìn)行導(dǎo)電，主回路電流方向為源極指向漏極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差（S電位比G電

位高），Source端一般接VDD（高邊驅(qū)動）。

3.4

柵極

Gate，簡稱G極。MOS管的控制端。在G極施加驅(qū)動電壓可控制MOS管開啟、關(guān)閉。

3.5

源極

Source，簡稱S極。源極是控制柵極電場的參考點。改變柵極和源極之間的電壓，可控制源極和漏

極之間的電流流動。

3.6

漏極

Drain，簡稱D極。相對于源極，是電流流經(jīng)的另一個端口。對于N型功率MOSFET，電流方向為

漏極指向源極，對于P型功率MOSFET，電流方向為源極指向漏極。

3.7

TC

TemperatureCycling，高溫與低溫循環(huán)交替作用下測試器件機(jī)械應(yīng)力。

3.8

絕對最大限值-VDS耐壓

VGS=0V時，漏源兩極未發(fā)生擊穿前所能施加的最大電壓。為確保MOS管的功能正常，在漏源兩

極施加的電壓，應(yīng)控制在此電壓值范圍內(nèi)。

3.9

絕對最大限值-VGS耐壓

柵源兩級間可以施加的正負(fù)最大電壓。為確保MOS管的功能正常，在柵源兩極施加的電壓，應(yīng)控

制在此電壓值范圍內(nèi)。

3.10

絕對最大限值-持續(xù)帶載ID

指在MOS管殼溫為25℃或者更高溫度，保證MOSFET不超過其最大額定結(jié)溫的條件下，可通過

的最大持續(xù)直流電流。如果流過的電流超過該值，會有MOS管擊穿的風(fēng)險。

3.11絕對最大限值-脈沖帶載IDM

在一定脈沖條件下（規(guī)格書標(biāo)識），MOS管的漏極能承受的最大脈沖電流值，并在此沖擊后MOS

的功能和性能正常。此參數(shù)會受脈沖寬度和占空比等的制約，反映了器件可處理的脈沖電流的高低，

脈沖電流要遠(yuǎn)高于連續(xù)的直流電流，超過此值，管子面臨損壞。

3.12

絕對最大限值-雪崩電流IAS

在MOS管關(guān)斷時，由于系統(tǒng)電路中存在寄生電感，寄生電感中所存儲的能量需要通過MOS管以

雪崩擊穿的形式進(jìn)行泄放，其可承受的最大電流，超過此值，MOS管面臨損壞。

3.13

絕對最大限值-雪崩能量EAS

EAS表示MOS管可承受的最大單次脈沖雪崩擊穿能量值。雪崩擊穿能量決定了MOS可以容忍瞬間

2

T/SZAA000X—2024

承受雪崩電流的安全值。

3.14

絕對最大限值-結(jié)溫TJ

TJ(結(jié)溫)(JunctionTemperature)，指MOSFET芯片內(nèi)部PN結(jié)的溫度。其受MOSFET工作時所能承

受的最高溫度限制，超過這個溫度可能會導(dǎo)致器件性能下降、損壞甚至失效。

3.15

絕對最大限值-結(jié)溫TSTG

TSTG是指存儲或運輸MOSFET的溫度范圍，是存儲的限定溫度值。MOS管在此溫度范圍內(nèi)儲藏

后對MOS的功能、性能不受影響。

3.16

絕對最大限值-耗散功率PD

PD表示最大耗散功率，是指MOS管的功能和性能正常時所能承受的最大漏源耗散功率。其計算公

式為：，其中RθJC代表結(jié)-殼熱阻。

????????

?

3.17?=R???

電氣特性-擊穿電壓V(BR)DSS

指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓，當(dāng)漏源電流達(dá)到規(guī)定值時的漏源電壓值。

3.18

電氣特性-漏源漏電流IDSS

指在規(guī)定的溫度和柵源短接情況下，在漏源兩極施加電壓所產(chǎn)生的漏源電流。

3.19

電氣特性-柵極漏電流IGSS

指在規(guī)定的溫度和漏源短接情況下，在柵源兩極施加電壓所產(chǎn)生的柵源電流。

3.20

電氣特性-閾值電壓VGS(th)

指在規(guī)定的溫度和柵漏短接情況下，在柵源兩極施加電壓，當(dāng)漏源電流達(dá)到一定值時的柵源電壓值。

VGsth是負(fù)溫度系數(shù)，當(dāng)溫度上升時，MOS的柵源閾值電壓會降低。

3.21

電氣特性-導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(ON)

指在規(guī)定的溫度和柵極驅(qū)動電壓下，當(dāng)漏源電流達(dá)到特定值時，所測得的漏源電阻。

3.22

電氣特性-跨導(dǎo)GFS

GFS表示正向跨導(dǎo)，漏極電流變化量與柵源電壓變化量的比值，反映的是柵極電壓對漏源電流控制

的能力。

3.23

電氣特性-體二極管導(dǎo)通壓降VSD

指在規(guī)定的溫度和柵源短接的情況下，在源漏兩端施加電壓，當(dāng)源漏電流達(dá)到一定值時，所測得的

源漏兩極的壓降。

3.24

電氣特性-體二極管帶載電流IS

指在規(guī)定的溫度和柵源短接的情況下，流經(jīng)源漏兩端的最大可承受電流。超過該規(guī)定值時，MOS

管功能、性能會下降。

3.25

結(jié)電容

3

T/SZAA000X—2024

3.25.1輸入電容Ciss

漏極對源極交流短路時，柵極與源極之間的電容。

3.25.2輸出電容Coss

柵極對源極交流短路時，漏極和源極之間的電容。

3.25.3反向傳輸電容Crss

漏極和柵極之間的電容。

3.26

柵極電阻Rg

柵極和源極之間的內(nèi)部電阻值。

3.27

柵極電荷

3.27.1柵極總電荷量Qg

使柵極電壓從0V上升到指定電壓所需要的柵極電荷量。

3.27.2柵極-源極電荷量Qgs

使柵極電壓從0V上升到柵極穩(wěn)定電壓(米勒平臺)所需要的電荷量。

3.27.3柵極-漏極電荷量Qgd

米勒平臺開始到結(jié)束所需的電荷量。

3.28

開關(guān)時間

3.28.1導(dǎo)通延遲時間td(on)

柵極電壓上升到設(shè)定電壓的10%后，到漏極電壓下降到設(shè)定電壓的90%之間的時間。

3.28.2關(guān)斷延時td(off)

柵極電壓下降到設(shè)定電壓的90%后，到漏極電壓上升到設(shè)定電壓的10%之間的時間。

3.28.3上升時間tr

漏極電壓從設(shè)定電壓的90%下降到10%所需要的時間。

3.28.4下降時間tf

漏極電壓從設(shè)定電壓的10%上升到90%所需要的時間。

3.29

反向恢復(fù)時間trr

指定測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的時間。

3.30

反向恢復(fù)時間Qrr

指定測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的電荷量。

3.31

FR4材質(zhì)

FR4材質(zhì)是一種火焰阻燃級別為4的玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂材料的簡稱，具有較高阻燃性能。此種

材料是由玻璃纖維布浸漬環(huán)氧樹脂后，再覆上銅箔加工而成，常被用作PCB基板材料。其中FR4全稱

為FlameRetardantGrade4，是一種阻燃型環(huán)氧玻璃布基覆銅板的等級標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)國際電工委員會（IEC）

標(biāo)準(zhǔn)，F(xiàn)R-4級別為4表示材料的垂直燃燒速率小于或等于30毫米/分鐘。

3.32

可靠性項目術(shù)語及定義（AEC-Q101）

應(yīng)符合表1的規(guī)定。

4

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表1可靠性項目術(shù)語及定義

序號縮略語全稱中文說明

1ACAutoclave高溫蒸煮試驗

2WBPWireBondPullStrength鍵合拉力強(qiáng)度

3WBSWireBondshearstrength鍵合剪切力強(qiáng)度

4DPADestructivePhysicalAnalysis破壞性物理分析

5DSDieShear芯片剪切力強(qiáng)度

6DIDielectricIntegrity電介質(zhì)完整性

7ESDElectrostaticDischarge靜電放電

HighlyAcceleratedTemperatureand高加速溫度和濕度應(yīng)

8HAST

humidityStressTest力試驗

9H3TRBHighHumidityHighTemp.ReverseBias高溫高濕反偏試驗

10HTGBHighTemperatureGateBias高溫柵極偏置試驗

11HTRBHighTemperatureReverseBias高溫反偏試驗

12IOLIntermittentOperationalLife間斷性工作壽命

13MSMechanicalShock機(jī)械沖擊

14PCPreconditioning預(yù)處理

15PDPhysicalDimension物理尺寸

16PVParametricVerification參數(shù)認(rèn)定

17RSHResistancetoSolderHeat耐焊性

18RTSResistancetoSolvents耐溶解性

19SDSolderability可焊性

20TCTemperatureCycling溫度循環(huán)

21TCDTTcDelaminationTest溫度循環(huán)分層測試

22TCHTTemperatureCyclingHottest溫度循環(huán)熱測試

23TSTerminalStrength端子強(qiáng)度

24TRThermalResistance熱阻

25UISUnclampedinductiveSwitching非鉗位電感開關(guān)

26WBSWireBondShear鍵合剪切力

4分類、參數(shù)要求及封裝

4.1產(chǎn)品分類

4.1.1按導(dǎo)電溝道類型分類

產(chǎn)品導(dǎo)電溝道類型可分成如下兩類：

5

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車身域使用的控制器場效應(yīng)管按照導(dǎo)電溝道類型分類一般分為以下兩類：

a）N溝道場效應(yīng)管

b）P溝道場效應(yīng)管

相關(guān)定義參考3.2，3.3相關(guān)內(nèi)容。

4.2產(chǎn)品標(biāo)記封裝信息

在此封裝信息中，MOS的各項物理參數(shù)都可以找到對應(yīng)值，包括長、寬、高、引腳尺寸、引腳間

距、焊盤尺寸等具體數(shù)值及公差，封裝絲印信息，應(yīng)顯現(xiàn)廠家、型號、生產(chǎn)批次、極性或方向，絲

印內(nèi)容應(yīng)清晰，完整，無模糊，缺劃，重影等現(xiàn)象。

4.3參數(shù)要求

不同品牌提供產(chǎn)品規(guī)格書參數(shù)部分應(yīng)包含：絕對最大限制，電氣特性，熱阻特性及封裝信息。格式

允許不同。

5技術(shù)要求

5.1參數(shù)描述

符號描述要求應(yīng)符合表2，關(guān)鍵參數(shù)選用要求應(yīng)符合表3。

表2符號描述要求

圖例引腳符號描述

(2)D1GGate

2DDrain

(1)G

3SSource

(3)S

4GGate

5、6、7、8DDrain

1、2、3SSource

表3關(guān)鍵參數(shù)選用要求

項目標(biāo)號范圍單位

漏極源極

Drain-SourceVoltage-≧

耐壓VDS40V

柵極源極耐

Gate-SourceVoltage-≧

壓VGS±20V

GateThresholdVoltage柵極閾值VGS(th)≧2V

6

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電壓

（注4）

最大連

DrainCurrent-Continuous≧

續(xù)電流ID45A

Drain

Current-Continuous(TC=100℃)最I(lǐng)D(100℃)≧31.8A

大連續(xù)工作電流

漏極脈沖電

PulsedDrainCurrent≧

流IDM125A

Drain-SourceOn-StateResistance

RDS(ON)≦8m?

導(dǎo)通內(nèi)阻（注3）

最大

MaximumPowerDissipation≧

耗散功率PD28W

Singlepulseavalancheenergy(Note

EAS≧115mJ

1)單脈沖雪崩能量（注1）

OperatingJunctionandStorage

TemperatureRange工作結(jié)溫和儲TJ,TSTG-55To175℃

存溫度范圍

ThermalResistance,

RθJC≦4.5℃/W

Junction-to-case結(jié)到外殼熱阻

ThermalResistance,Junction-to-

(Note2)

ambient結(jié)到環(huán)境的熱阻RθJA≦45℃/W

（注2）

Notes備注:

1.EAScondition測試條件:起始溫度

TJ=25℃,VDD=20V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25?.

2.SurfaceMountedonFR4Board表面安裝在FR4板上,t≤10sec.

3.VGS=10V,ID=20A

4.VDS=VGS,ID=250μA

5.1.1電氣特性-動態(tài)特性

一般規(guī)格書中涉及的動態(tài)特性參數(shù)包括結(jié)電容、柵極電荷、開關(guān)時間等，具體如下：

結(jié)電容(Ciss、Coss、Crss)：

(1)輸入電容Ciss：在漏、源兩極施加一定電壓，柵、源兩極施加一定幅值的交流信號時，測出的

柵、源兩極的內(nèi)部電容，即Ciss=Cgs+Cgd,且Cgs>>Cgd,當(dāng)Ciss(主要指Cgs)兩端電壓差達(dá)到閾值電

壓VGS(th)時，MOS管才會趨向?qū)ǎ碝OS管的開啟、關(guān)斷時間是由Ciss充電、放電時間決定的。

在實際電路應(yīng)用中，降低驅(qū)動電路的輸出阻抗，提高驅(qū)動電流，提高Ciss的充放電速度，才能加

快MOS的導(dǎo)通、關(guān)斷時間。??

(2)輸出電容Coss:柵、源兩極電壓為零，漏、源兩極施加一定幅值的交流信號時，測出的漏、源

兩極的內(nèi)部電容，即Coss=Cds+Cgd。在實際電路應(yīng)用中，Coss可能會引起電路的諧振。??

(3)反向傳輸電容Crss:在源極接地時，漏、柵兩極施加一定幅值的交流信號時，測出的漏、柵之間

的電容，也稱為米勒電容，即Crss=Cgd。此參數(shù)影響MOS的開啟、關(guān)斷延時以及上升、下降時間。

7

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(4)柵極電阻Rg：MOS管柵極內(nèi)部寄生電阻。

SiO2D

Cgs

SourceRgGateSource

Cgd

RwRg

GCds

p+Cgdp+

CdsCgs

Rd

n-n-

n+n+S

Drain

圖1MOS內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖圖2符號示意圖

柵極電荷(Qg、Qgs、Qgd)

(1)柵極總電荷量Qg：指對Ciss充電，柵極電壓由0V達(dá)到一定驅(qū)動電壓VGS所需的總電荷量；

(2)柵-源電荷量Qgs：指對Ciss充電，柵極電壓由0V達(dá)到米勒平臺所需的電荷量；

(3)柵-漏電荷量Qgd：指對Crss充電，米勒平臺開始到結(jié)束所需的電荷量；

Qg的大小與柵極電壓有關(guān)，Qgs的大小與漏極電流有關(guān)，Qgd的大小與漏源電壓有關(guān)。通常MOS

規(guī)格書中此值的測試條件為：Vgs=10V,Vds=耐壓的50%，Id與Rdson電流一致。

開關(guān)特性

一般規(guī)格書中涉及的開關(guān)特性參數(shù)有如下：

(1)導(dǎo)通延時td(on):是指從VGS電壓上升到設(shè)定電壓的10%時到VDS電壓下降到設(shè)定電壓的90%時

經(jīng)歷的時間，或者指從VGS電壓上升到設(shè)定電壓的10%時到ID電流上升到設(shè)定電流的10%時經(jīng)歷

的時間。(不同廠商判斷條件不同)??

(2)關(guān)斷延時td(off):是指從VGS電壓下降到設(shè)定電壓的90%時到VDS電壓上升到設(shè)定電壓的10%時

經(jīng)歷的時間，或者指從VGS電壓下降到設(shè)定電壓的90%時到ID下降到設(shè)定電流的90%時經(jīng)歷的時

間。(不同廠商判斷條件不同)

(3)上升時間tr:是指VDS電壓從設(shè)定電壓的90%下降到10%時經(jīng)歷的時間，或者指ID電流從設(shè)定

電流的10%上升到90%時經(jīng)歷的時間。(不同廠商判斷條件不同)?

(4)下降時間tf:是指VDS電壓從設(shè)定電壓的10%上升到90%時經(jīng)歷的時間，或者指ID電流從設(shè)定

電流的90%下升到10%時經(jīng)歷的時間。(不同廠商判斷條件不同)?

(5)trr、Qrr:表示體二極管的反向恢復(fù)時間，反向恢復(fù)電荷量。是指在規(guī)定的測試條件下，內(nèi)部寄生

二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的時間、電荷量。

Vgs

Vds

Qg90%

QgsQgd

10%

t

Vgsrtr

td(on)td(off)

tontoff

Charge

圖3電荷量與Vgs的示意圖圖4Vds與Vgs的示意圖

8

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5.1.2熱阻特性

一般規(guī)格書中涉及的熱阻特性有兩種，如下：

(1)RθJA：表示MOS管內(nèi)部結(jié)到外部工作環(huán)境的熱阻，指(結(jié)溫TJ-工作環(huán)境溫度TA)與功率之比。

(2)RθJC：表示MOS管內(nèi)部結(jié)到外殼的熱阻，指(結(jié)溫TJ-殼溫Tc)與功率之比。

Ta

Tc1

Tjθcaθja

θjt

θjc

θca

Tc2

Ta

圖5MOS熱阻測試原理圖

5.1.3封裝信息

在此封裝信息中，MOS的各項物理參數(shù)都可以找到對應(yīng)值，包括長、寬、高、引腳尺寸、引腳間

距、焊盤尺寸等具體數(shù)值及公差。

5.1.4散熱性能要求

應(yīng)符合表4規(guī)定。

表4散熱性能要求

參數(shù)符號限值單位注釋

結(jié)-殼熱阻R?JC≦4.8°C/W

結(jié)-環(huán)境熱阻R?JA≦48°C/W

注釋(表中熱阻限值適用于封裝尺寸不大于5mm*6mm)：

結(jié)-殼熱阻(R?JC)

R?JC結(jié)-殼熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫封固面層的熱阻所決定。

結(jié)-環(huán)境熱阻(R?JA)

R?JA結(jié)-環(huán)境熱阻是由芯片至漏極的殼面焊錫封固面層的熱阻再至環(huán)境所決定的。R?JA一般基于1平方英

寸、2盎司敷銅的FR4板上測得，不同的板材和測試環(huán)境對R?JA測試結(jié)果有較大的影響。

5.2外觀要求

5.2.1外觀質(zhì)量要求

車身域控制器用場效應(yīng)管外觀質(zhì)量要求應(yīng)符合表5規(guī)定。

表5外觀質(zhì)量要求

缺陷種類指標(biāo)

塑封體：缺損、封裝體裂紋、不允許

引腳：毛刺、壓傷、變形、沾污不明顯

9

T/SZAA000X—2024

缺陷種類指標(biāo)

斷裂、連筋引腳斷裂及連筋是不允許

鍍層：覆蓋不全、變色、鍍層剝落不允許

印字：模糊、字體大小不一致、色差、

不明顯

錯誤，印字不全、雙重打印

打印錯誤，印字不全、雙重打印不允許

5.2.2尺寸規(guī)格及偏差

車身域控制器用場效應(yīng)管一般選用PDFN5×6-8L封裝，選用時提供尺寸允許偏差應(yīng)符合表6規(guī)定，

相關(guān)內(nèi)容不少于以下信息。

表6尺寸允許偏差表

L

dc

eD

4

E

K

2xD2

1

E

E

3

F

E

2

E

E

R

1

Φ1

1

L

1REFTopView

D1

VBottomView

I

E

W

"

A

"

F

A1Max

10°

b

A

SideView

CommonDimensions（參數(shù)描述）

Symbol

Millimeters（公制）Inches（英制）

（代號）

Min.最小Nom.正常Max.最大Min.最小Nom.正常Max.最大

A0.9001.0001.1500.0350.0390.045

A10.000---0.0500.000---0.002

b0.2460.2540.3500.0100.0100.014

C0.3100.4100.5100.0120.0160.020

d1.27BSC0.050BSC

D4.9505.0505.1500.1950.1990.203

D14.0004.1004.2000.1570.1610.165

D20.125REF0.005REF

e0.62BSC0.024BSC

E5.5005.6005.7000.2170.2200.224

E16.0506.1506.2500.2380.2420.246

10

T/SZAA000X—2024

E23.4253.5253.6250.1350.1390.143

E30.250REF0.010REF

E40.275REF0.011REF

F--0.100--0.004

L0.5000.6000.7000.020.020.03

L10.6000.7000.8000.020.030.03

K1.225REF0.05REF

注：TopView：俯視圖(電路正面)；BottomView：底視圖(電路反面)；SideView：側(cè)視圖(電路側(cè)面)。

6檢測方法

6.1通用性能檢測

6.1.1檢測環(huán)境

檢測環(huán)境條件分為基準(zhǔn)條件和一般條件，具體參數(shù)應(yīng)滿足表7的要求。一般情況下，基準(zhǔn)條件

下的試驗結(jié)果更具備代表性。

表7檢測環(huán)境的具體參數(shù)

條件溫度相對濕度

℃%大氣壓力kPa

工作-40～850～10050～106

存儲-40～1500～10050～106

注1：環(huán)境條件也可根據(jù)相關(guān)方的需求或協(xié)議來確定，并應(yīng)在檢測報告中說明采用環(huán)境的具體參數(shù)。/

6.1.2試樣處理

試樣處理應(yīng)滿足以下要求：

a)按車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)驗證：驗證數(shù)量3個批次，每個批次77顆；不同項目具體參考表8。

b)應(yīng)對試樣進(jìn)行靜電防護(hù)，避免損壞器件影響檢測結(jié)果。

c)無特殊要求樣品應(yīng)貼裝于FR4材質(zhì)，1平方英寸2oZ銅皮的印刷電路板上進(jìn)行實驗。

6.1.3實驗框圖

實驗應(yīng)滿足圖6至圖9要求。

11

T/SZAA000X—2024

DS

NMOSPMOS

GG

SD

圖6晶體管特性測試儀

電子負(fù)載

示波器

直流可調(diào)電源

D電流探頭

直流可調(diào)電源NMOS

G

S電壓探頭

直流可調(diào)電源

示波器

電流探頭

直流可調(diào)電源

S

PMOS

電壓探頭

G

D

電子負(fù)載

圖7內(nèi)阻測試布局圖

12

T/SZAA000X—2024

電子負(fù)載數(shù)字多用表

電子負(fù)載數(shù)字多用表

D

S

NMOS點溫計PMOS

直流可調(diào)電源點溫計

直流可調(diào)電源

G

G

S

D

圖8VSD測試

V(BR)eff

VDS

LHSW

I

DID

VGS

DUT

RGVDD

VDS

VGSID

圖9雪崩測試電路圖

6.1.4驗證流程

應(yīng)符合圖10的規(guī)定。

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T/SZAA000X—2024

圖10驗證流程

6.1.5通用測試

應(yīng)符合表8規(guī)定。

表8通用測試參數(shù)

序號項目測試方法要求備注

短接G、S，在D和GS間

擊穿電壓

1通過250uA電流，此時兩參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試

V(BR)DSS

極間電壓即為VBRDSS

短接G、S，在D和GS間

漏極漏電流

2加VDS最大額定電壓，此參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試

IDSS

時兩極間電流即為IDSS

短接G、D，在DG和S間

3VGS(th)開啟電壓通過250uA電流，此時兩參考規(guī)格書范圍圖6使用晶體管特性儀測試

極間電