電子技術(shù)基礎(chǔ)項目化教程項目一習題與提高參考答案一、填空題1.空穴，自由電子2.N，自由電子，P，空穴3.導(dǎo)通，截止，單向?qū)щ娦?.死區(qū)，擊穿5.0.5V，0.7V6.NPN，PNP，兩，雙極型晶體管7.正偏，反偏8.集電，發(fā)射9.0.7V，0.2V10.放大區(qū)，飽和區(qū)，截止區(qū)11.100,12012.結(jié)型場效應(yīng)管，絕緣柵型場效應(yīng)管，P，N，增強型，耗盡型13.1，單級14.場效應(yīng)管，晶體管，場效應(yīng)管二、選擇題1.B2.A,B3.B4.A5.B6.B7.B8.B9.B三、分析計算題1.（1）截止，UAO12V（2）導(dǎo)通，UAO6V（3）導(dǎo)通，UAO-6V2.（a）飽和（b）放大（c）截止（d）放大3.對地電位分別為-8V、-3V、-3.2V,PNP,集電極，發(fā)射極，基極，鍺管3V、12V、3.7V，NPN，發(fā)射極，集電極，基極，硅管4.（a）集電極、發(fā)射極、基極，NPN，1.96/0.0449（b）基極、集電極、發(fā)射極，PNP，1/0.011005.（a）耗盡型N溝道MOS，UGS(off)0.4V，IDSS2mA（b）耗盡型N溝道結(jié)型管，UGS(off)-5V，IDSS4.8mA（c）耗盡型P溝道MOS，UGS(off)2V，IDSS2mA（d）增強型N溝道MOS，UGS(th)1V四、提高題1.分析并比較NPN型和PNP型晶體管的區(qū)別。答：NPN型和PNP型晶體管的主要區(qū)別如下：（1）發(fā)射極材料：NPN型晶體管的發(fā)射極材料為N型半導(dǎo)體，PNP型晶體管的發(fā)射極材料為P型半導(dǎo)體。（2）基極材料：NPN型晶體管的基極材料為P型半導(dǎo)體，PNP型晶體管的基極材料為N型半導(dǎo)體。（3）工作原理：NPN型晶體管在正常工作時，發(fā)射極電流大于集電極電流；PNP型晶體管在正常工作時，發(fā)射極電流小于集電極電流。2.簡述MOS場效應(yīng)管的工作原理。答：MOS場效應(yīng)管的工作原理如下：（1）當柵極電壓UGS大于閾值電壓UGS(th)時，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，電流ID主要由源極到漏極的溝道電阻決定。（2）當柵極電壓UGS小于閾值電壓UGS(th)時，N溝道MOS場效應(yīng)管截止，電流ID接近于零。（3）當柵極電壓UGS為負值時，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，電流ID主要由源極到漏極的溝道電阻決定。3.分析并比較晶體管和場效應(yīng)管的特點。答：晶體管和場效應(yīng)管的特點如下：（1）晶體管：晶體管具有電流放大作用，可用于放大信號、開關(guān)電路等。晶體管的輸入阻抗較高，輸出阻抗較低。（2）場效應(yīng)管：場效應(yīng)管具有電壓控制作用，可用于放大信號、開關(guān)電路等。場效應(yīng)管的輸入阻抗較高，輸出阻抗較高。4.分析并比較TTL邏輯門電路和CMOS邏輯門電路的特點。答：TTL邏輯門電路和CMOS邏輯門電路的特點如下：（1）TTL邏輯門電路：TTL邏輯門電路具有較低的功耗、較高的工作速度和較低的輸入阻抗。TTL邏輯門電路的抗干擾能力較差。（2）CMOS邏輯門電路：CMOS邏輯門電路具有較低的功耗、較高的工作速度、較高的輸入阻抗和較好的抗干擾能力。CMOS邏輯門電路的輸出阻抗較高。5.簡述數(shù)字電路中的時序邏輯電路。答：時序邏輯電路是指電路的輸出不僅與當前輸入有關(guān)，還與電路的過去狀態(tài)有關(guān)。時序邏輯電路可分為同步時序電路和異步時序電路。（1）同步時序電路：同步時序電路的時鐘信號同步，即所有觸發(fā)器的時鐘信號同時觸發(fā)。同步時序電路具有以下特點：電路的輸出穩(wěn)定、抗干擾能力強。（2）異步時序電路：異步時序電路的時鐘信號不同步，即觸發(fā)器的時鐘信號不同時觸發(fā)。異步時序電路具有以下特點：電路的輸出不穩(wěn)定、抗干擾能力較弱。五、總結(jié)通過學習電子技術(shù)基礎(chǔ)項目化教程項目一，我們了解了半導(dǎo)體材料、PN結(jié)、晶體管、場效應(yīng)管、邏輯門