2026北方華創(chuàng)校招面試題及答案

單項選擇題（每題2分，共20分）1.半導體制造中，光刻的主要作用是（）A.去除雜質(zhì)B.圖形轉(zhuǎn)移C.提高導電性D.增加厚度2.以下哪種氣體常用于化學氣相沉積（CVD）工藝？（）A.氧氣B.氮氣C.氫氣D.硅烷3.刻蝕工藝可分為（）A.干法和濕法B.高溫和低溫C.化學和物理D.快速和慢速4.北方華創(chuàng)主要從事（）領域的研發(fā)和生產(chǎn)。A.汽車制造B.半導體裝備C.食品加工D.服裝制造5.衡量芯片性能的重要指標之一是（）A.顏色B.尺寸C.集成度D.重量6.以下哪種材料常用于半導體襯底？（）A.玻璃B.陶瓷C.硅片D.塑料7.離子注入的目的是（）A.改變材料顏色B.改變材料電學性能C.增加材料硬度D.減小材料尺寸8.薄膜沉積工藝中，物理氣相沉積（PVD）的主要方法是（）A.蒸發(fā)和濺射B.氧化和還原C.溶解和沉淀D.加熱和冷卻9.在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中，北方華創(chuàng)處于（）環(huán)節(jié)。A.芯片設計B.半導體裝備制造C.芯片封裝測試D.原材料供應10.以下哪種設備不屬于北方華創(chuàng)的產(chǎn)品范圍？（）A.刻蝕機B.光刻機C.真空爐D.電子天平多項選擇題（每題2分，共20分）1.半導體制造工藝包含以下哪些環(huán)節(jié)？（）A.光刻B.刻蝕C.薄膜沉積D.離子注入2.北方華創(chuàng)的產(chǎn)品優(yōu)勢有（）A.技術先進B.質(zhì)量可靠C.服務完善D.價格昂貴3.以下屬于半導體材料的有（）A.硅B.鍺C.砷化鎵D.金剛石4.化學氣相沉積（CVD）工藝的特點有（）A.可精確控制薄膜成分B.沉積速率快C.薄膜質(zhì)量高D.設備成本低5.刻蝕工藝的要求包括（）A.高選擇性B.高刻蝕速率C.低損傷D.均勻性好6.北方華創(chuàng)在行業(yè)內(nèi)的地位體現(xiàn)在（）A.市場份額高B.技術領先C.品牌影響力大D.資金實力弱7.半導體裝備的發(fā)展趨勢有（）A.高精度B.高集成度C.智能化D.大型化8.以下哪些是離子注入工藝的優(yōu)點？（）A.精確控制雜質(zhì)濃度B.低溫工藝C.可實現(xiàn)大面積注入D.設備簡單9.薄膜沉積工藝對半導體器件的影響有（）A.影響器件性能B.決定器件尺寸C.保護器件表面D.改變器件顏色10.北方華創(chuàng)的企業(yè)文化包括（）A.創(chuàng)新B.責任C.合作D.共贏判斷題（每題2分，共20分）1.光刻是半導體制造中最關鍵的工藝之一。（）2.北方華創(chuàng)只生產(chǎn)刻蝕機這一種半導體裝備。（）3.化學氣相沉積（CVD）只能沉積一種材料。（）4.刻蝕工藝的選擇性越高越好。（）5.離子注入會對半導體材料造成損傷。（）6.物理氣相沉積（PVD）的薄膜質(zhì)量不如化學氣相沉積（CVD）。（）7.半導體裝備的精度對芯片制造沒有影響。（）8.北方華創(chuàng)在國際市場上沒有競爭力。（）9.薄膜沉積工藝的均勻性對器件性能有重要影響。（）10.半導體制造工藝不需要嚴格的環(huán)境控制。（）簡答題（每題5分，共20分）1.簡述北方華創(chuàng)的主要業(yè)務。北方華創(chuàng)主要從事半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，為半導體、新能源、新材料等領域提供關鍵裝備和技術解決方案。2.光刻工藝的基本原理是什么？光刻是利用光刻膠的感光特性，通過掩膜版將設計好的圖形轉(zhuǎn)移到半導體晶圓表面的光刻膠上，再經(jīng)過顯影等步驟，將圖形復制到晶圓上，實現(xiàn)圖形的精確轉(zhuǎn)移。3.化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）的主要區(qū)別是什么？CVD是通過化學反應在基底表面沉積薄膜，可精確控制成分和結(jié)構(gòu)；PVD是通過物理方法使材料蒸發(fā)或濺射沉積，工藝簡單、沉積速率快，但成分控制較難。4.刻蝕工藝在半導體制造中的作用是什么？刻蝕工藝用于去除不需要的半導體材料，將光刻膠上的圖形精確地轉(zhuǎn)移到下層材料上，從而形成半導體器件所需的各種精細結(jié)構(gòu)，是制造集成電路的關鍵步驟。討論題（每題5分，共20分）1.討論半導體裝備國產(chǎn)化的重要性。半導體裝備國產(chǎn)化可保障國家產(chǎn)業(yè)安全，減少對國外技術依賴；降低成本，提高國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)競爭力；推動技術創(chuàng)新，帶動相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進我國半導體產(chǎn)業(yè)自主可控。2.談談北方華創(chuàng)在技術創(chuàng)新方面面臨的挑戰(zhàn)和機遇。挑戰(zhàn)：技術研發(fā)難度大、資金投入高、國際競爭激烈。機遇：國內(nèi)市場需求增長、政策支持、技術積累和人才儲備。北方華創(chuàng)應加大研發(fā)投入，加強合作，提升創(chuàng)新能力。3.分析半導體制造工藝中各環(huán)節(jié)的相互關系。光刻確定圖形，為后續(xù)刻蝕和薄膜沉積提供模板；刻蝕將光刻圖形轉(zhuǎn)移到材料上；薄膜沉積提供功能層；離子注入改變材料電學性能。各環(huán)節(jié)緊密相連，相互影響，共同決定芯片性能。4.如果你加入北方華創(chuàng)，你認為自己能為公司做出哪些貢獻？若加入，我會憑借專業(yè)知識和技能，積極參與項目研發(fā)，提出創(chuàng)新想法；認真完成工作任務，保證工作質(zhì)量和效率；加強團隊協(xié)作，營造良好工作氛圍，助力公司發(fā)展。答案單項選擇題1.B2.D3.A4.B5.C6.C7.B8.A9.B10.D多項選擇題1.ABCD2.ABC3.A