目錄索引一、4F2+CBADRAM有打開備長間 5二、資議 8三、險示 8圖表索引圖1：DRAM業(yè)產(chǎn)迭代 5圖2：Xtacking6圖3：DRAM術(shù)線 6圖4：NAND片技升級 7圖5：DRAM片技升級 7一、存儲代工模式迎來產(chǎn)業(yè)變革機會（存儲晶圓邏輯晶圓圖1：DRAM行業(yè)的產(chǎn)品迭代芯語在3DNANDXtackingBiCS3DNANDXtacking架構(gòu)，通過將存儲單元與邏輯電路分離設(shè)計與制造，再自六年前首次發(fā)布Xtacking技術(shù)以來，長江存儲已將NAND的IO接口速度從最初的800MT/s3.6GT/s4圖2：Xtacking技術(shù)Semiconductordigest在DRAM方面，未來DRAM芯片也有望借助CBA技術(shù)實現(xiàn)架構(gòu)升級，CBA技術(shù)將存儲陣列晶圓和邏輯控制單元晶圓分開制造，并在制造完成后通過熔融鍵合或混合鍵合等工藝將兩片晶圓鍵合在一起，以實現(xiàn)系統(tǒng)整體的更優(yōu)性能。例如，針對新一代DRAM，三星和SK海力士正在研發(fā)在不同晶圓上制造存儲單元和外圍電路，并通過混合鍵合將其連接，從而實現(xiàn)提高存儲單元密度等優(yōu)化。圖3：DRAM技術(shù)路線Semiwiki-邏輯雙晶圓堆疊進行架構(gòu)升級的過程中，邏輯晶圓的制造可望在原本IDM助邏輯代工產(chǎn)業(yè)中的HKMG、FinFET等技術(shù)，進一步優(yōu)化系統(tǒng)級性能。例如，三星在其第10代V-NAND中，使用其邏輯工藝在單獨的晶圓上制造外圍電路（包括行解碼器、感應(yīng)放大器、緩沖器、電壓發(fā)生器、I/O）。圖4：NAND芯片的技術(shù)升級TEL官網(wǎng)另一方面，SK海力士以往的HBM產(chǎn)品，包括HBM3E都是基于公司自身制程工藝制造了BaseHBM4BasedieIDM圖5：DRAM芯片的技術(shù)升級TEL官網(wǎng)AIAI未來存儲產(chǎn)業(yè)的新興模式之一，以邏輯晶圓代工為特征的存儲代工模式有望落地并快速發(fā)展從而更高效地改善半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能、面積、成本和上市時間。隨著該領(lǐng)域逐步實現(xiàn)技術(shù)落地和迭代更新，相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)鏈有望充分受益。二、投資建議建議關(guān)注晶圓代工和上游半導(dǎo)體設(shè)備等相關(guān)公司。三、風(fēng)險提示（一）市場需求不及預(yù)期若電子產(chǎn)品應(yīng)用市場需求不及預(yù)期，相關(guān)公司產(chǎn)品銷售可能受到影響，從而影響公司的經(jīng)營表現(xiàn)。（二）技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期電子行業(yè)相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)的專業(yè)化程度較高，存在一定技術(shù)壁壘，技術(shù)開發(fā)難度和研發(fā)投入大，若新一代產(chǎn)品研發(fā)進度不及預(yù)期，相關(guān)公司的經(jīng)營表現(xiàn)可能受到影響。（三）客戶開拓不