1、1,PPT學(xué)習(xí)交流,Introduction of IC Assembly Process IC封裝工藝簡(jiǎn)介,艾,2,PPT學(xué)習(xí)交流,IC Process Flow,Customer 客 戶,IC Design IC設(shè)計(jì),Wafer Fab 晶圓制造,Wafer Probe 晶圓測(cè)試,Assembly 除了BGA和CSP外，其他Package都會(huì)采用Lead Frame， BGA采用的是Substrate；,11,PPT學(xué)習(xí)交流,Raw Material in Assembly(封裝原材料),【Gold Wire】焊接金線,實(shí)現(xiàn)芯片和外部引線框架的電性和物 理連接； 金線采用的是99.99%的

2、高純度金； 同時(shí)，出于成本考慮，目前有采用銅 線和鋁線工藝的。優(yōu)點(diǎn)是成本降低， 同時(shí)工藝難度加大，良率降低； 線徑?jīng)Q定可傳導(dǎo)的電流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；,12,PPT學(xué)習(xí)交流,Raw Material in Assembly(封裝原材料),【Mold Compound】塑封料/環(huán)氧樹(shù)脂,主要成分為：環(huán)氧樹(shù)脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫 模劑，染色劑，阻燃劑等）； 主要功能為：在熔融狀態(tài)下將Die和Lead Frame包裹起來(lái)， 提供物理和電氣保護(hù)，防止外界干擾； 存放條件：零下5保存，常溫下需回溫24小時(shí)；,13,PPT學(xué)習(xí)交流,R

3、aw Material in Assembly(封裝原材料),成分為環(huán)氧樹(shù)脂填充金屬粉末（Ag）； 有三個(gè)作用：將Die固定在Die Pad上； 散熱作用，導(dǎo)電作用； -50以下存放，使用之前回溫24小時(shí)；,【Epoxy】銀漿,14,PPT學(xué)習(xí)交流,Typical Assembly Process Flow,FOL/前段,EOL/中段,Plating/電鍍,EOL/后段,Final Test/測(cè)試,15,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL Front of Line前段工藝,Back Grinding 磨片,Wafer,Wafer Mount 晶圓安裝,Wafer Saw 晶圓切割,Wafer Wash

4、晶圓清洗,Die Attach 芯片粘接,Epoxy Cure 銀漿固化,Wire Bond 引線焊接,2nd Optical 第二道光檢,3rd Optical 第三道光檢,EOL,16,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL Back Grinding背面減薄,Taping 粘膠帶,Back Grinding 磨片,De-Taping 去膠帶,將從晶圓廠出來(lái)的Wafer進(jìn)行背面研磨，來(lái)減薄晶圓達(dá)到 封裝需要的厚度（8mils10mils）； 磨片時(shí)，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域 同時(shí)研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測(cè)量厚度；,17,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL Wafer Saw晶圓切割

5、,Wafer Mount 晶圓安裝,Wafer Saw 晶圓切割,Wafer Wash 清洗,將晶圓粘貼在藍(lán)膜（Mylar）上，使得即使被切割開(kāi)后，不會(huì)散落； 通過(guò)Saw Blade將整片Wafer切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序； Wafer Wash主要清洗Saw時(shí)候產(chǎn)生的各種粉塵，清潔Wafer；,18,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL Wafer Saw晶圓切割,Wafer Saw Machine,Saw Blade(切割刀片)： Life Time：9001500M； Spindlier Speed：3050K rpm：Feed Speed：3050/s;,1

6、9,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL 2nd Optical Inspection二光檢查,主要是針對(duì)Wafer Saw之后在顯微鏡下進(jìn)行Wafer的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品。,Chipping Die 崩 邊,20,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL Die Attach 芯片粘接,Write Epoxy 點(diǎn)銀漿,Die Attach 芯片粘接,Epoxy Cure 銀漿固化,Epoxy Storage： 零下50度存放；,Epoxy Aging： 使用之前回溫，除去氣泡；,Epoxy Writing： 點(diǎn)銀漿于L/F的Pad上，Pattern可選；,21,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL Die Attach 芯片粘接,

7、芯片拾取過(guò)程： 1、Ejector Pin從wafer下方的Mylar頂起芯片，使之便于 脫離藍(lán)膜； 2、Collect/Pick up head從上方吸起芯片，完成從Wafer 到L/F的運(yùn)輸過(guò)程； 3、Collect以一定的力將芯片Bond在點(diǎn)有銀漿的L/F 的Pad上，具體位置可控； 4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um； 5、Bond Head Speed：1.3m/s；,22,PPT學(xué)習(xí)交流,FOL Die Attach 芯片粘接,Epoxy Write： Coverage 75%;,Die Attach： Placemen

8、t99.95%的高純 度的錫（Tin），為目前普遍采用的技術(shù)，符合 Rohs的要求； Tin-Lead：鉛錫合金。Tin占85%，Lead占 15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰；,38,PPT學(xué)習(xí)交流,EOL Post Annealing Bake（電鍍退火）,目的： 讓無(wú)鉛電鍍后的產(chǎn)品在高溫下烘烤一段時(shí)間，目的在于 消除電鍍層潛在的晶須生長(zhǎng)（Whisker Growth）的問(wèn)題; 條件： 150+/-5C; 2Hrs；,晶須,晶須，又叫Whisker，是指錫在長(zhǎng)時(shí)間的潮濕環(huán)境和溫度變化環(huán)境下生長(zhǎng)出的一種須狀晶體，可能導(dǎo)致產(chǎn)品引腳的短路。,39,PPT學(xué)習(xí)交流,EOL Trim&Form（切筋成型）,Trim：將一條片的Lead Frame切割成單獨(dú)的Unit（IC）的過(guò)程； Form：對(duì)Trim后的IC產(chǎn)品進(jìn)行引腳成型，達(dá)到工藝需要求的形狀， 并放置進(jìn)Tube或者Tray盤中；,40,PPT學(xué)習(xí)交流,EOL Trim&Form（切筋成型）,Cutting Tool& Forming Punch,Cutting Die,Stripper Pad,Forming Die,1,2,3,4,41,PPT學(xué)習(xí)交流,EOL Final Vis