1、5a-1,第五章 放大電路的頻率特性,模擬電子技術(shù)基礎(chǔ),5a-2,第五章 放大電路的頻率特性,5.1 頻率響應(yīng)中的基本概念 5.2 單極共射放大器的頻率響應(yīng) 5.3 *共集電路的高頻響應(yīng) 5.4 *共基電路的高頻響應(yīng) 5.5 *差分放大器的高頻響應(yīng) 5.6 *場(chǎng)效應(yīng)管的高頻響應(yīng) 5.8 多極放大器的頻率響應(yīng) 5.9 *建立時(shí)間tr和上限頻率fH的關(guān)系,5a-3,5.1.1 失真,一、 頻率失真,5.1 頻率響應(yīng)中的基本概念,td,td2,幅度失真,相位失真,5a-4,二、 線性失真和非線性失真,起因不同 線性失真由電路中的線性電抗元件（電阻、電容、電感等）引起， 非線性失真由電路中的非線性元件

2、（晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管的非線性）引起。,2. 結(jié)果不同 線性失真不產(chǎn)生新的頻率分量信號(hào)，非線性失真產(chǎn)生輸入信號(hào)中所沒有的新的頻率分量。,5a-5,三、 不失真條件理想頻率響應(yīng),式中：,5a-6,5.1.2 頻率特性的主要特征參數(shù),低頻區(qū),中頻區(qū),高頻區(qū),半功率點(diǎn)L,半功率點(diǎn) H,實(shí)際的放大器幅頻響應(yīng),5a-7,上限頻率fH： 高頻放大倍數(shù)下降為中頻區(qū)的,下限頻率fL： 低頻放大倍數(shù)下降為中頻區(qū)的,通頻帶：,時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率,時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率,增益帶寬積：,5a-8,用分貝表示H，L點(diǎn)的增益G,半功率點(diǎn)： H，L,又稱H，L點(diǎn)為-3dB頻率點(diǎn)，BW為-3dB帶寬,波特圖：在半對(duì)數(shù)坐標(biāo)中近似表示頻率特性的

3、曲線,5a-9,設(shè)電壓增益為AuI （常數(shù)），則幅頻特性為|A( j)|= AuI ，相頻特性為( j)=0 (AuI 0時(shí)),0o,5.1.3 頻率特性的波特圖表示,-180o,5a-10,一、 RC高通電路的頻率特性,令：,幅頻響應(yīng),相頻響應(yīng),5a-11,1. 幅頻響應(yīng),5a-12,2. 相頻響應(yīng),+20dB/十倍頻程,-45o/十倍頻程,5a-13,二、 RC低通電路的頻率特性,R1,C1,幅頻響應(yīng),相頻響應(yīng),令：,5a-14,(),|A(j)| dB,f,f,0,0dB,-3dB,-20dB,0dB線,f1,-90o,-45o,-20dB/十倍頻程,-45o/十倍頻程,10f1,0.1

4、f1,5a-15,三、 頻率特性為A(j)= j+ z時(shí)的波特圖,幅頻響應(yīng),相頻響應(yīng),幅頻特性：,5a-16,(j),|A(j)| dB,0,0,3dB,z,90o,45o,0.1z,10z,z,0.1z,10z,5a-17,四、 頻率特性為 時(shí)的波特圖,幅頻特性：,因?yàn)椋?相頻特性：,5a-18,(j),|A(j)| dB,0,0,3dB,20dB,90o,45o,z,0.1z,10z,5a-19,5.2 單極放大器的頻率特性,5.2.1 晶體管的混合型等效電路,rbc,rbe,Cbc,Cbe,b,rce,rbb,5a-20,5a-21,rbe,Cbe,rbb 基區(qū)體電阻 一般為 50 300，由手冊(cè)給定,rbe 發(fā)射結(jié)電阻,Cbe 發(fā)射結(jié)電容 小功率管約為幾十幾百pf,rbb,rbc,rbc 集電結(jié)電阻 其值 100K10M ，通常視為開路,5a-22,Cbc,Cbc 集電結(jié)電容 小功率管約為210pf 由手冊(cè)給定,受控電流源,稱為互導(dǎo), 單位 S,rbb,5a-23,rce 受控源內(nèi)阻 較大，約為 100 k,同中頻等效模型一樣，只在小信號(hào)條件下適用,在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，rbc很大，與Cbc并聯(lián)時(shí)可以忽略，rce與負(fù)載RL并聯(lián)時(shí)，一般RL f時(shí)，由上式可得,fT = 0 f,5a-32,fT是晶體管的重要參數(shù)，常在手冊(cè)中給出，典型值(10