1、回顧次低頻電子電路、1、上一節(jié)，靜態(tài)工作點穩(wěn)態(tài)電路q是不穩(wěn)定的基于要素的分壓式發(fā)射極電阻共射放大電路晶體管放大器的3種構成、次低頻電子電路、2、本節(jié)的內(nèi)容、增強型場效應晶體管結(jié)型場效應晶體管(JFET )絕緣柵型場效應管(IGFET )、 次低頻增強型場效應晶體管(Field Effect Transistor )是FET、次低頻電子電路、4、4，1.4.1增強型場效應晶體管的概要，增強型場效應晶體管是與上述的雙極晶體管(BJT )不同的半導體數(shù)據(jù)老虎鉗。 次低頻電子電路、5、兩者的動作機構不同，雙極晶體管(BJT )有2種載流子(多子、少子)增強型場效應晶體管(FET )有1種載流子(多子)

2、、次低頻電子電路、6、控制方式不同、雙極的結(jié)型場效應晶體管(JFET ) 在絕緣柵型場效應管(IGFET )、次低頻電子電路、8、MOS增強型場效應晶體管(MOSFET )、絕緣柵型場效應管(IGFET )結(jié)構的去老虎鉗中最常見的是次低頻電子電路、9、JFET去老虎鉗、 JFET是兩種3360 n溝道JFET P溝道JFET、次低頻電子電路、10、MOSFET、MOSFET是3360 n溝道MOSFET P溝道MOSFET、次低頻電子電路，與11分類的n溝道MOS也是， 分成n溝道增強型-enMOSfetn溝道耗盡型-dnmosfeet的p溝道m(xù)os是p溝道增強型-epmosfetp溝道耗盡型

3、-dpmosfeet 次低頻電子電路，14，1 .注意象征符和結(jié)構，增強型場效應晶體管的結(jié)構，原理和象征符與BJT有所不同。 下面我們來看一下結(jié)型場效應晶體管(JFET )的情況。次低頻電子電路、15、JFET (圖)、次低頻電子電路、16、2nJFET的動作原理，以下，以n溝道為例分析JFET的動作原理。次低頻電子電路、17、外加片偏移、管工作要求外加電源保證靜態(tài)設定： VDS漏極直流電壓-順向電壓VGS男同性戀直流電壓-反向電壓外加、次低頻電子電路、18、VGS男同性戀直流電壓的作用橫向電場作用VGS PN結(jié)電容耗盡層寬度溝道寬度、低頻電子電路、20、 VDS漏極直流電壓的作用(圖)，看次

4、低頻電子電路，21，VDS的作用(不加VGS )，縱電場作用溝道楔型構造(上寬下窄)，次低頻電子電路楔型構造，a點(前端閉鎖)預大頭針關斷b點(下端閉鎖)全大頭針關斷(大頭針關斷)，次低頻電子電路，24，說明，溝道VGS對iD的控制作用。次低頻電子電路、25、3特性曲線有：傳輸特性(考慮為什么不稱為輸入特性：輸出特性、次低頻電子電路、26、傳輸特性、解析傳輸特性、次低頻電子電路、27、iD函數(shù)式、次低頻電子電路、28、傳輸特性(圖)、n溝道JFET傳輸特性曲線： IDSS為飽和電流vgs (圖) 即次低頻電子電路、30、輸出特性(圖)、次低頻電子電路、31、1.4.3MOS增強型場效應晶體管、

5、mos增強型場效應晶體管是絕緣柵型場效應管的主要形式，應用十分廣泛。 以次低頻電子電路、32、MOSFET (圖)、次低頻電子電路、33、1.n溝道增強型(e型) MOSFET、n溝道增強型MOSFET為例，介紹MOS管的工作原理。在介紹次低頻電子電路、34、(1)結(jié)構和符號、n溝道增強型(e型) MOSFET的結(jié)構和符號、次低頻電子電路、35、結(jié)構和符號(圖)、次低頻電子電路、36、片偏移、VGS的動作原理分析中，分別介紹垂直電場作用橫向電場作用、次低頻電子電路、38、VGS垂直電場作用(向下) VGS垂直電場作用(向下)吸引p基板中的自由電子向上形成反型層(p封底出現(xiàn)n型層)，連通2個n區(qū)

6、域(形成溝道)。次低頻電子電路、40、iD式、次低頻電子電路、41、iD式中符號的含義、COX -每單位面積的男同性戀電容n -溝道電子的遷移率w-的特性曲線也包括遷移特性輸出特性、次低頻電子電路、43、遷移特性(圖)、次低頻電子電路、44、輸出特性(圖)、 是次低頻電子電路、45、2.n溝道耗盡型MOSFET兩種，以下，通過對n溝道耗盡型MOSFET進行分析的管結(jié)構(圖)、次低頻電子電路、48、結(jié)構特征、SiO2摻雜納金屬釷絡離子，形成正的電場，從p基板吸引電子并向上移動、反型層加上VGS (正可負)，溝道寬度變窄，VDS電壓降使溝道變成楔形。 次低頻電子電路，49，管象征符(圖)，請參見以

7、下幾頁：次低頻電子電路，50，(2)特性曲線，兩種特性曲線傳輸特性曲線輸出特性曲線，次低頻電子電路，51，特性曲線(圖)，次低頻電子電路，次低頻電子電路，53，1 .直流殘奧儀， 直流殘奧儀表是與管的工作條件相關的大頭針、關斷電壓、導通電壓、漏極飽和電流、直流輸入電阻、次低頻電子電路、54、(1)大頭針多關斷電壓VGS(OFF )，在適用于JFET和MOSFET為vgs=vget的增強型MOSFET的VGSVGS(th )的情況下JFET : rGS約108109對MOSFET : rGS約10111012通常，超過rGS、次低頻電子電路、58、2 .極限殘奧儀表、極限殘奧儀表值，可以認為是要

8、不得殘奧儀表。 漏極耐壓男同性戀源極耐壓最大電功耗、次低頻電子電路、59、漏極源極耐壓V(BR)DS是指能夠施加在管的漏極源極間的最大電壓。次低頻電子電路、60、男同性戀源極破壞電壓V(BR)GS指的是可施加在管的男同性戀源極間的最大電壓。 次低頻電子電路，61，最大電功耗PDM，管道最大耗散功率PDM=IDMVDS，次低頻電子電路，62，3 .交流殘奧儀表，交流殘奧儀表與管道工作目標(信號)有關。 跨導輸出電阻極間電容、次低頻電子電路、63、(1)跨導gm、跨導gm的式(ms) gm反映了對VGS的ID的控制能力。次低頻電子電路、64、跨導gm (圖)、圖根據(jù)對遷移特性曲線上的q點的斜率值(

9、與q點相關)、次低頻電子電路、65、分析、JFET與MOSFET (耗盡層)、次低頻電子電路、66的增強型MOSFET、次低頻電子電路、68、分析， 對應于工作點q的gm可以通過增大增強型場效應晶體管的屏幕縱橫比和生物電流來提高gm、次低頻電子電路、69、(2)輸出電阻，公式輸出電阻rds反映了VDS對iD的影響。 是混沌查詢密碼輸出特性曲線在某一點處的切向梯度的倒數(shù)。次低頻電子電路、70、恒流特性、恒流區(qū)域iD根據(jù)VDS幾乎沒有變化(恒流特性)，次低頻電子電路、71、厄利電壓(圖)、圖、次低頻電子電路、72、(3)的極間電容男同性戀源極電容CGS由勢壘和信道容量構成(約0.11PF ) 男同

10、性戀漏極電容CGD由勢壘和信道容量構成(約0.11PF )漏極源極電容CDS由封裝和讀取電容構成(約110PF )，次低頻電子電路、73、各種FET管符號、次低頻電子電路及次低頻電子電路、76、BJT、導電機構：多子、少子(雙極) 工作控制方式：流量控制輸入阻抗： 102103放大能力：大工藝：復雜使用： CE置換不可輻射溫度特性：噪聲耐受力：差，次低頻導電機構：多子(單極型)工作控制方式：電壓控制輸入阻抗： 1081012放大能力： gm小工藝：簡單， 易集成使用： DS置換輻射溫度特性：良好的抗干擾能力：良好.次低頻電子電路，78，比較結(jié)果，次低頻電子電路，79，使用FET的一些注意事項：保存測量焊接，次低頻電子電路，80，保存：注意將一些大頭針短路(用合十禮層捆綁)，次低頻電子電路