1、第一章,1.5 半導(dǎo)體三極管,半導(dǎo)體三極管,一、三極管 基本結(jié)構(gòu),基極,發(fā)射極,集電極,NPN型,PNP型,基區(qū)：較薄，摻雜濃度低,集電區(qū)：面積較大,發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高,發(fā)射結(jié),集電結(jié),IC,1.實(shí)驗線路,二、 電流分配和放大原理,IC,IB,IE,2.實(shí)驗數(shù)據(jù),(1) IE = IB+IC,(2) IC (或IE )IB,這就是晶體管的 電流放大作用,3.四個結(jié)論：,(3)當(dāng)IB當(dāng)=0時, IC =ICEO0.001mA=1uA,(4)要是晶體管起放大作用,其外部條件: 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏.,EB,RB,Ec,發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。,進(jìn)入P區(qū)的電子

2、少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。,4.晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動規(guī)律,EB,RB,Ec,集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。,從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。,IC=ICE+ICBOICE,IB=IBE-ICBOIBE,IB,EB,RB,Ec,IC=ICE+ICBOICE,ICE與IBE之比稱為電流放大倍數(shù),要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。,NPN型三極管,PNP型三極管,IC,測量電路,三、 特性曲線,（1）輸入特性,死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.1V。,工作壓降： 硅管UBE0.60.7V,鍺管UBE

3、0.20.3V。,（2）輸出特性,IC(mA ),此區(qū)域滿足IC=IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。,當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時，IC只與IB有關(guān)，IC=IB。,此區(qū)域中UCEUBE,集電結(jié)正偏，IBIC，UCE0.3V稱為飽和區(qū)。,此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。,四、 主要參數(shù),前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。,共射直流電流放大倍數(shù)：,工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號?；鶚O電流的變化量為IB，相應(yīng)的集電極電流變化為IC，則交流電流放大倍數(shù)為：,例：UCE=6V時：IB=40A, IC=

4、1.5mA； IB=60 A, IC=2.3mA。,在以后的計算中，一般作近似處理：=,2.集-基極反向截止電流ICBO,ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。,3.集-射極反向截止電流ICEO,Ec,集電結(jié)反偏有ICBO,根據(jù)放大關(guān)系，由于ICBO的存在，必有電流 ICBO。, ICBO,B,E,C,N,N,P,4.集電極最大電流ICM,集電極電流IC上升會導(dǎo)致三極管的值的下降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。,所以集電極電流應(yīng)為：IC= IB+ICEO,而ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。,5.集-射極反向擊穿電壓,當(dāng)集-射極之間的電壓UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是25C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。,6.集電極最大允許功耗PCM,集電極電流IC流過三極管，