1、學習從工程學角度分析問題是根據(jù)情況合理近似器件的數(shù)學模型和電路工作條件，用簡便的分析方法取得實際結(jié)果。 對電路進行解析、修正時，如果能夠滿足技術指標，請不要追求準確的數(shù)值。 器件是非線性的，特性有分散性，RC值有誤差，工藝上采用允許一定誤差，合理估計的方法。 對于部件，請將重點放在特性、殘奧表、技術指標和正確的使用方法上，不要過分追求其內(nèi)部機構(gòu)。 器件的目的是探討應用。 5.1半導體的導電特性、半導體的導電特性：(可以作為熱敏電阻等溫度感應元件)。 摻雜性：在純粹的半導體中導入某種雜質(zhì)，導電能力發(fā)生顯著變化(可以制作二極管、晶體管、晶閘管等各種用途的半導體器件)。 光敏性：照射光時，導電能力會

2、發(fā)生顯著變化(可以使用光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等各種光敏元件)。 感熱性：隨著環(huán)境溫度的上升，導電能力顯著增強，5.1.1本征半導體，完全純粹且具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體。 晶體中原子的排列方式、硅單晶中的共價鍵結(jié)構(gòu)、共價鍵結(jié)構(gòu)、共價鍵中的2個電子稱為價電子。 價電子、價電子在得到一定的能量(受到溫度上升或光)后，能夠擺脫原子核的束縛，成為自由電子(帶負電)，同時在共價鍵上留下空穴，稱為空穴(帶正電)。 本征半導體的導電機理，這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。 空穴、溫度越高，結(jié)晶中產(chǎn)生的自由電子越多。 自由電子被外部電場吸引并填充鄰接原子的價電子，在該原子中出現(xiàn)一個空穴，結(jié)果相當于空穴的

3、移動(相當于正電荷的移動)。 關于本征半導體的導電機理，當在半導體的兩端施加外部電壓時，在半導體上出現(xiàn)使2個電流(1)自由電子取向運動的電子電流(2)價電子輸送空穴電流，注意： (1)在本征半導體中載流子數(shù)極少，其導電性能越差(2)溫度越高，載流子的數(shù)量越多，半導體的導電性能也越好因此，溫度對半導體器件的性能有很大影響。 自由電子和空穴都稱為載流子。 自由電子和空位成對發(fā)生，同時不斷復合。 在一定溫度下，載氣的產(chǎn)生和再結(jié)合動態(tài)平衡，半導體中的載氣維持一定的數(shù)量。 5.1.2 N型半導體和p型半導體，摻雜后的自由電子數(shù)大幅增加，自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式，被稱為電子半導體或n型半導

4、體。 如果導入5價元素、多佑電子、磷原子，則在常溫下成為自由電子，失去1個電子成為正離子，向本征半導體導入微量的雜質(zhì)(某元素)，形成雜質(zhì)半導體。 在n型半導體中，自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。 動畫、5.1.2 N型半導體和p型半導體、摻雜后的孔數(shù)大幅增加，孔導電成為這類半導體的主要導電方式，被稱為孔半導體或p型半導體。 摻雜3價元素，p型半導體中空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。 硼原子接受一個電子，變成負離子、空穴、動畫，n型和p型都是中性的，不導電到外部。 1 .雜質(zhì)半導體中的多子的數(shù)量與(a .摻雜濃度、b .溫度)有關。 2 .雜質(zhì)半導體中的少子數(shù)量與(a .摻雜濃度

5、、b .溫度)有關。 3 .溫度上升的話少子的數(shù)量(a .減少，b .不變，c .增加)。 根據(jù)a、b、c、4 .施加電壓，p型半導體中的電流主要是n型半導體中的電流。 (a .電子電流、b .空穴電流)、b、a、5.1.3 PN結(jié)的形成、多子的擴散運動、少子的漂移運動、濃度差、p型半導體、n型半導體、內(nèi)部電場越強擴散的結(jié)果，空間電荷區(qū)域變寬。 空間電荷區(qū)域也稱為PN結(jié)，擴散和漂移這一對相反的運動最終達到動平衡，空間電荷區(qū)域的厚度是一定的。 形成空間電荷的區(qū)域，5.1.4 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，?. PN結(jié)施加正向電壓(正向偏置)，PN結(jié)變窄，對p正切、n接負、IF、內(nèi)、PN結(jié)施加正向電壓，P

6、N結(jié)變窄，正向電流大，正向電阻小，PN結(jié)動畫、2. PN結(jié)的反向電壓(反向偏置)、p接負、n接正、動畫、PN結(jié)擴大，2. PN結(jié)的反向電壓(反向偏置)、內(nèi)部電場增強，少子的漂移增強，少子數(shù)少，因此IR、p接負、n接正、溫度越高少子數(shù)動畫、PN結(jié)上施加反向電壓后，PN結(jié)變寬，反向電流變小，反向電阻變大，PN結(jié)變?yōu)榻刂範顟B(tài)。5.2半導體二極管、5.2.1基本結(jié)構(gòu)、(a )點接觸型、(b )面接觸型、結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。 用于檢波和頻率轉(zhuǎn)換等高頻電路。 用于接合面積大、正向電流大、接合電容大、商用頻率大的電流整流電路。 (c )平面型用于集成電路的制造工藝。 PN結(jié)的結(jié)面積也可以很小，可

7、以用于高頻整流和開關電路。 圖1 12的半導體二極管的結(jié)構(gòu)和符號、二極管的結(jié)構(gòu)示意圖、5.2.2伏安特性、硅管0.5V、鍺管0.1V。 反擊穿電壓U(BR )、導通電壓降、施加電壓大于死區(qū)電壓的二極管導通。 施加電壓大于反擊穿電壓的二極管被破壞，失去單向?qū)щ娦浴?順向特性、逆向特性、特點：非線性、硅0.60.8V鍺0.20.3V、死區(qū)電壓、逆向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持恒定。 5.2.3主要殘奧表、1 .最大整流電流IOM、二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。 2 .反向操作峰值電壓URWM是提供以不破壞二極管的反向峰值電壓，其為二極管反向破壞電壓UBR的一半或三分之二。 二極管破壞后單向?qū)щ娦员黄茐?，進一步過熱燒損。 3 .反向峰值電流IRM是指對二極管施加最高反向動作電壓時的反向電流。 反向電流越大，表示管的單向?qū)щ娦栽讲?，IRM受溫度的影響，溫度越高，反向電流越大。 硅管的反向電流小，鍺管的反向電流大，是硅管的幾十到幾百倍。 二極管的單向?qū)щ娦裕? .對二極管施加正向電壓(正偏壓、陽極正切、陰極負切)時，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管的正向電阻小，正向電流大。 2 .對二極管施加反向電壓(反向偏壓、陽極接觸負、陰極接觸正)時，二極管處于反向截止狀態(tài)，二極管的反向電阻大，反向電流小。 3 .施加電壓大于反向擊穿電壓的二極管被破壞，失去單向?qū)щ娦?/p>