1、模擬電子技術(shù)（第3版）,模塊一 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ),知識(shí)點(diǎn)一 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí),半導(dǎo)體導(dǎo)電具有的特點(diǎn)： 熱敏性：當(dāng)半導(dǎo)體材料受外界熱刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著改變；,光敏性：當(dāng)半導(dǎo)體材料受外界光照射時(shí)，其導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著改變； 摻雜性：在純凈半導(dǎo)體材料中，摻入微量雜質(zhì)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)有顯著增加。,（一） 本征半導(dǎo)體,完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體。,1本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共價(jià)鍵 2本征激發(fā)和兩種載流子自由電子和空穴 在本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴成對(duì)出現(xiàn)，數(shù)目相同。,圖1.1 硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),圖1.2 本征激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì),空穴也是一種載流子。 半導(dǎo)體材料中

2、空穴越多，其導(dǎo)電能力也就越強(qiáng)。,3結(jié)論, 半導(dǎo)體中存在兩種載流子，一種是帶負(fù)電的自由電子，另一種是帶正電的空穴，它們都可以運(yùn)載電荷形成電流。 本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴相伴產(chǎn)生，數(shù)目相同。, 一定溫度下，本征半導(dǎo)體中電子空穴對(duì)的產(chǎn)生與復(fù)合相對(duì)平衡，電子空穴對(duì)的數(shù)目相對(duì)穩(wěn)定。 溫度升高，激發(fā)的電子空穴對(duì)數(shù)目增加，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力增強(qiáng)。 空穴的出現(xiàn)是半導(dǎo)體導(dǎo)電區(qū)別導(dǎo)體導(dǎo)電的一個(gè)主要特征。,圖1.3 束縛電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng),（二） 雜質(zhì)半導(dǎo)體,雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩類：電子型（N型）半導(dǎo)體和空穴型（P型）半導(dǎo)體。,1N型半導(dǎo)體,N型半導(dǎo)體中，自由電子為多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱為多子；空穴為少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱為少子

3、。 N型半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電。,2P型半導(dǎo)體,P型半導(dǎo)體中，空穴為多數(shù)載流子（多子），自由電子為少數(shù)載流子（少子）。 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電。,圖1.4 N型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),圖1.5 P型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),（三） PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?1PN結(jié)的形成 多數(shù)載流子因濃度上的差異而形成的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，如圖1.6所示。,圖1.6 P型和N型半導(dǎo)體交界處載流子的擴(kuò)散,P區(qū)和N區(qū)在交界面的兩側(cè)形成一個(gè)不能移動(dòng)的帶異性電荷的離子層，此離子層被稱為空間電荷區(qū)，這就是所謂的PN結(jié)，如圖1.7所示。,圖1.7 PN結(jié)的形成,少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。 漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方

4、向相反。,2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?（1）PN結(jié)外加正向電壓 PN結(jié)P端接高電位，N端接低電位，稱PN結(jié)外加正向電壓，又稱PN結(jié)正向偏置，簡(jiǎn)稱為正偏，如圖1.8所示。,圖1.8 PN結(jié)外加正向電壓,PN結(jié)正向?qū)〞r(shí)，通過(guò)PN結(jié)的電流（正向電流）大，而PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻（正向電阻）小。,（2）PN結(jié)外加反向電壓,PN結(jié)P端接低電位，N端接高電位，稱PN結(jié)外加反向電壓，又稱PN結(jié)反向偏置，簡(jiǎn)稱為反偏，如圖1.9。,圖1.9 PN結(jié)外加反向電壓,PN結(jié)反向截止時(shí)，通過(guò)PN結(jié)的電流（反向電流）小，而PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻（反向電阻）大。 因?yàn)榄h(huán)境溫度愈高，少數(shù)載流子的數(shù)目愈多，所以溫度對(duì)反向電流的影響很大。,結(jié)論

5、：PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵窹N結(jié)外加正向電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。,知識(shí)點(diǎn)二 半導(dǎo)體二極管,（一） 二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) 二極管同PN結(jié)一樣具有單向?qū)щ娦浴?圖1.10 不同結(jié)構(gòu)的各類二極管,圖1.11所示為二極管的符號(hào)。 由P端引出的電極是正極，由N端引出的電極是負(fù)極，箭頭的方向表示正向電流的方向，VD是二極管的文字符號(hào)。,圖1.11 二極管的符號(hào),圖1.12 常見(jiàn)的二極管外形,根據(jù)使用的不同，二極管的外形各異，圖1.12所示為幾種常見(jiàn)的二極管外形。,（二） 二極管的伏安特性和主要參數(shù),1二極管的伏安特性 二極管兩端的電壓U及其流過(guò)二極管的電流I之間的關(guān)系曲線，稱為二極管的

6、伏安特性。,（1）正向特性,如圖1.13所示，當(dāng)二極管所加正向電壓比較小時(shí)（0UUth），二極管上流經(jīng)的電流為0，管子仍截止，此區(qū)域稱為死區(qū)，Uth稱為死區(qū)電壓（門(mén)坎電壓）。 硅二極管的Uth約為0.5V，鍺二極管的Uth約為0.1V。,圖1.13 二極管的伏安特性曲線,硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.7V，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.3V。,（2）反向特性,二極管外加反向電壓時(shí)，反向電流很小（IIS），而且在相當(dāng)寬的反向電壓范圍內(nèi)，反向電流幾乎不變，因此稱此電流值為二極管的反向飽和電流。 這時(shí)二極管呈現(xiàn)的電阻很大，認(rèn)為管子處于截止?fàn)顟B(tài)。,（3）反向擊穿特性,當(dāng)反向電壓的值增大到UBR時(shí)，反向

7、電壓值稍有增大，反向電流會(huì)急劇增大，稱此現(xiàn)象為反向擊穿，UBR稱為反向擊穿電壓。,2二極管的溫度特性,二極管是對(duì)溫度非常敏感的器件。 隨溫度升高，二極管的正向壓降會(huì)減小，正向伏安特性左移，反向飽和電流會(huì)增大，反向伏安特性下移。 圖1.14所示為溫度對(duì)二極管伏安特性的影響。,圖1.14 溫度對(duì)二極管伏安特性的影響,3二極管的主要參數(shù),（1）最大整流電流 最大整流電流（IF）是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)二極管的最大正向電流的平均值。,（2）反向擊穿電壓,反向擊穿電壓（UBR）是指二極管擊穿時(shí)的電壓值。 一般手冊(cè)中給出的最高反向工作電壓（峰值）URM約為擊穿電壓的一半，以確保管子安全工作。,（

8、3）反向飽和電流,反向飽和電流（IS）是指管子沒(méi)有擊穿時(shí)的反向電流值。 其值愈小，說(shuō)明二極管的單向?qū)щ娦杂谩?（三） 特殊二極管,1穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管又名齊納二極管，簡(jiǎn)稱穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。 （1）穩(wěn)壓管的伏安特性和符號(hào) 圖1.15所示為穩(wěn)壓管的伏安特性和符號(hào)。,圖1.15 穩(wěn)壓二極管的伏安特性和符號(hào),（2）穩(wěn)壓管的主要參數(shù), 穩(wěn)定電壓UZ。它是指當(dāng)穩(wěn)壓管中的電流為規(guī)定值時(shí)，穩(wěn)壓管在電路中其兩端產(chǎn)生的穩(wěn)定電壓值。, 穩(wěn)定電流IZ。穩(wěn)定電流為穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)，穩(wěn)壓管中流過(guò)的電流，有最小穩(wěn)定電流IZmin和最大穩(wěn)定電流IZmax之分。若穩(wěn)壓管中流過(guò)的電流小于IZmin，穩(wěn)壓

9、管沒(méi)有穩(wěn)壓作用；若穩(wěn)壓管中流過(guò)的電流大于IZmax，穩(wěn)壓管會(huì)因過(guò)流而損壞。, 耗散功率PM。它是指穩(wěn)壓管正常工作時(shí)，管子上允許的最大耗散功率。由耗散功率PM和穩(wěn)定電壓UZ可以決定最大穩(wěn)定電流IZmax。反向工作時(shí)PN結(jié)的功率損耗為PZ=UZ IZ。,（3）應(yīng)用穩(wěn)壓管應(yīng)注意的問(wèn)題, 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓時(shí)，一定要外加反向電壓，保證管子工作在反向擊穿區(qū)。當(dāng)外加的反向電壓值大于或等于UZ時(shí)，才能起到穩(wěn)壓作用；若外加的電壓值小于UZ，穩(wěn)壓二極管相當(dāng)于普通的二極管。, 在穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中，一定要配合限流電阻的使用，保證穩(wěn)壓管中流過(guò)的電流在規(guī)定的電流范圍之內(nèi)。,（4）穩(wěn)壓管應(yīng)用電路,例題1-1：如圖1.16所示的穩(wěn)

10、壓管穩(wěn)壓電路，若限流電阻R=1.6k，UZ=12V，IZmax=18mA，通過(guò)穩(wěn)壓管的電流IZ等于多少？限流電阻的值是否合適？,圖1.16 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路,解：由圖可得： 因?yàn)镮ZIZmax，所以限流電阻的值合適。,例題1-2：穩(wěn)壓管限幅電路。如圖1.17所示，輸入電壓ui為幅度為10V的正弦波，電路中使用兩個(gè)穩(wěn)壓管對(duì)接，已知UZ1=6V，UZ2=3V，穩(wěn)壓二極管的正向?qū)▔航禐?.7V，試對(duì)應(yīng)輸入電壓ui畫(huà)出輸出電壓uo的波形。,圖1.17 穩(wěn)壓二極管限幅電路,解：輸出電壓uo的波形如圖1.17所示，uo被限定在6.7V+3.7V之間。,知識(shí)點(diǎn)三 半導(dǎo)體三極管,（一） 三極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) 三

11、極管從結(jié)構(gòu)上來(lái)講分為兩類：NPN型和PNP型三極管。,圖1.21 三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào),符號(hào)中發(fā)射極上的箭頭方向，表示發(fā)射結(jié)正偏時(shí)電流的流向。 常見(jiàn)的三極管外形如圖1.22所示。,圖1.22 常見(jiàn)的三極管外形,（二） 三極管的電流分配原則及放大作用,三極管實(shí)現(xiàn)放大的外部條件是其發(fā)射結(jié)必須加正向電壓（正偏），而集電結(jié)必須加反向電壓（反偏）。,1實(shí)驗(yàn)結(jié)論,由實(shí)驗(yàn)及測(cè)量結(jié)果可以得出以下結(jié)論： 滿足關(guān)系：IE=IC+IB； 定義 ， 叫做三極管的直流電流 放大系數(shù)。,定義 ， 稱為三極管的交流電流 放大系數(shù)。 一般有三極管的電流放大系數(shù)： 。 穿透電流ICEO越小越好。,2三極管實(shí)現(xiàn)電流分配的原理

12、,（1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射自由電子，形成發(fā)射極電流IE （2）自由電子在基區(qū)與空穴的復(fù)合形成基極電流IB （3）集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的自由電子，形成集電極電流IC,PNP管與NPN管的工作過(guò)程類似，只是所加的電壓極性、產(chǎn)生的電流方向與NPN管剛好相反。,3結(jié)論, 要使三極管具有放大作用，發(fā)射結(jié)必須正向偏置，而集電結(jié)必須反向偏置。 一般有1。通常認(rèn)為 。 三極管的電流分配及放大關(guān)系式為,圖1.24 三極管內(nèi)部載流子的傳輸與分配,例題1-3：在圖1.23所示的電路中，若測(cè)得IB=0.025mA，取=50。試計(jì)算IC和IE的值。 解： ，,圖1.23 三極管電流放大的實(shí)驗(yàn)電路,（三） 三極管的特

13、性曲線及主要參數(shù),1三極管的特性曲線 三極管的特性曲線是指三極管的各電極電壓與電流之間的關(guān)系曲線，它反映出三極管的特性。 （1）輸入特性曲線 （2）輸出特性曲線,圖1.25 三極管的輸入特性,圖1.26 三極管的輸出特性,一般把三極管的輸出特性分為三個(gè)工作區(qū)域，下面分別介紹。 截止區(qū)。三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：,a發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反向偏置； b若不計(jì)穿透電流ICEO，有IB、IC近似為0； c三極管的集電極和發(fā)射極之間電阻很大，三極管相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。, 放大區(qū)。三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，具有以下特點(diǎn)： a三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置； b基極電流IB微小的變化會(huì)引起

14、集電極電流IC較大的變化，有電流關(guān)系式： ；,c對(duì)NPN型的三極管，有電位關(guān)系 ； d對(duì)NPN型硅三極管有發(fā)射結(jié)電壓 ，鍺三極管有 。, 飽和區(qū)。三極管工作在飽和狀態(tài)時(shí)具有如下特點(diǎn)： a三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正向偏置； b三極管的電流放大能力下降，通常有 ；,cUCE的值很小，稱此時(shí)的電壓UCE為三極管的飽和壓降，用UCES表示。一般硅三極管的UCES約為0.3V，鍺三極管的UCES約為0.1V。 d三極管的集電極和發(fā)射極近似短接，三極管類似于一個(gè)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。,三極管作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，通常工作在截止和飽和導(dǎo)通狀態(tài)；作為放大元件使用時(shí)，一般要工作在放大狀態(tài)。,例題1-4：一個(gè)工作在放大狀態(tài)中的三極

15、管，已經(jīng)測(cè)得其3個(gè)引出端的電位分別為3.5V、6.6V和2.8V。試問(wèn)此三極管為什么類型？3個(gè)引出端分別對(duì)應(yīng)管子的什么電極？,解：因?yàn)楣茏庸ぷ髟诜糯髤^(qū)，而且有6.6V3.5V2.8V，所以根據(jù)放大狀態(tài)的特點(diǎn)，端應(yīng)該對(duì)應(yīng)三極管的基極b；端對(duì)應(yīng)三極管的集電極c。端對(duì)應(yīng)三極管的發(fā)射極e；此三極管為NPN型的硅管。,2三極管的主要參數(shù),（1）共發(fā)射極電流放大系數(shù) 和,一般,，其值大約在20100。,（2）極間反向電流 集電極基極間的反向飽和電流ICBO。ICBO對(duì)溫度十分敏感，該值越小，三極管的溫度特性越好。 集電極發(fā)射極間的穿透電流ICEO。有關(guān)系 。 ICEO同ICBO一樣隨溫度的升高而增大。,（

16、3）極限參數(shù) 集電極最大允許電流ICM。 集電極最大允許功率損耗PCM。 如圖1.27所示，虛線為管子的允許功率損耗線，虛線以內(nèi)的區(qū)域表示管子工作時(shí)的安全區(qū)域。 反向擊穿電壓。,3溫度對(duì)三極管特性的影響,隨溫度的升高，三極管的輸入特性具有負(fù)的溫度特性，即在相同的基極電流IB下，UBE的值會(huì)隨溫度的升高而減小。,對(duì)于三極管的輸出特性，隨溫度的升高值會(huì)增大。 溫度每升高一度，值大約增大1%。 反向電流會(huì)隨溫度的升高而增大，溫度每升高1，反向飽和電流將增加一倍。,圖1.28 溫度對(duì)三極管輸入特性的影響,圖1.29 溫度對(duì)三極管輸出特性的影響,例題1-5：某一三極管的PCM=100mW，ICM=20m

17、A，U（BR）CEO=15V。試問(wèn)在下列幾種情況下，哪種是正常工作？UCE=3V，IC=10mA；UCE=2V，IC=40mA；UCE=6V，IC=20mA。,解： 對(duì)于：因?yàn)閁CEU（BR）CEO，ICICM，PC=ICUCE=30mWPCM，所以是正常工作。 對(duì)于：雖然有UCEU（BR）CEO，PC=ICUCE=80mWPCM，但I(xiàn)C=40mAICM=20mA，因此不是正常工作。,對(duì)于：雖然有UCEU（BR）CEO，IC=20mAICM=20mA，但PC=ICUCE=120mWPCM，因此也不是正常工作。,知識(shí)點(diǎn)四 場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管同三極管一樣，也是一種放大器件。 三極管是一種電流控制器

18、件，它利用基極電流對(duì)集電極電流的控制作用來(lái)實(shí)現(xiàn)放大；,場(chǎng)效應(yīng)管則是一種電壓控制器件，它利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流的大小，從而實(shí)現(xiàn)放大。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，場(chǎng)效應(yīng)管分為兩大類，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。,（一） 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道結(jié)型管和P溝道結(jié)型管。 它們都具有3個(gè)電極：柵極、源極和漏極。 1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 2N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理, 當(dāng)柵源電壓UGS=0時(shí) 當(dāng)UGS0時(shí),圖1.32 N溝道結(jié)型管的結(jié)構(gòu)與符號(hào),圖1.33 P溝道結(jié)型管的結(jié)構(gòu)與符號(hào),圖1.34 UGS=0時(shí)的導(dǎo)電溝道,圖1.35 UGS0時(shí)的導(dǎo)電溝道,調(diào)整柵源電壓UGS的值，可以改變導(dǎo)電溝道的寬度

19、，從而調(diào)整溝道的導(dǎo)通電阻。, 當(dāng)UP0時(shí),圖1.36 UGSUP時(shí)的導(dǎo)電溝道,圖1.37 UGS和UDS共同作用的情況,為實(shí)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在工作時(shí)，柵極和源極之間的PN結(jié)必須反向偏置。,3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線及主要參數(shù),（1）輸出特性曲線 場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性可分為4個(gè)區(qū)域：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、截止區(qū)（夾斷區(qū)）和擊穿區(qū)。 可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 截止區(qū)（夾斷區(qū)） 擊穿區(qū),（2）轉(zhuǎn)移特性曲線,在場(chǎng)效應(yīng)管的UDS一定時(shí)，ID與UGS之間的關(guān)系稱為轉(zhuǎn)移特性，如圖1.39所示，它反映了場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。,圖1.38 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性,圖

20、1.39 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性,當(dāng)UGS=0V時(shí)，導(dǎo)電溝道電阻最小，ID最大，稱此電流為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流IDSS。 當(dāng)UGS=UP時(shí)，導(dǎo)電溝道被完全夾斷，溝道電阻最大，此時(shí)ID=0，稱UP為夾斷電壓。,（3）主要參數(shù), 夾斷電壓UP。當(dāng)UDS為某一固定值時(shí)（一般取10V），使漏極電流ID近似為零的柵源電壓值稱為UP。, 飽和漏極電流IDSS。當(dāng)UDS為某一固定值時(shí)（一般取10V），UGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流稱為IDSS。它是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管所能輸出的最大電流。, 直流輸入電阻RGS。它是指柵源之間所加的一定電壓與柵源電流的比值。 最大耗散功率PDM。它是指管子允許的最大耗散功率。,

21、 低頻跨導(dǎo)gm。gm為UDS一定時(shí)，漏極電流的變化量與柵源電壓變化量的比值，即,gm反映了場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流的控制及放大作用，單位是mS（毫西門(mén)子）。 漏源擊穿電壓U（BR）DS。 柵源擊穿電壓U（BR）GS。,（二） 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，每一種又包括N溝道和P溝道兩種類型。,增強(qiáng)型MOS管是指場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓UGS=0時(shí)，管子沒(méi)有導(dǎo)電溝道，加上電壓UDS，沒(méi)有漏極電流ID產(chǎn)生。 管子需要一定的柵源電壓來(lái)開(kāi)啟導(dǎo)電溝道。,耗盡型MOS管是指場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓UGS=0時(shí)，管子的導(dǎo)電溝道已經(jīng)存在，加上電壓UDS，就會(huì)有漏極電流ID產(chǎn)生。 不需要開(kāi)啟導(dǎo)電溝

22、道。,1增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,（1）結(jié)構(gòu)與符號(hào),圖1.40 N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)與符號(hào),符號(hào)中的箭頭表示從P區(qū)（襯底）指向N區(qū)（N溝道），虛線表示增強(qiáng)型。,（2）N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理,圖1.41 N溝道增強(qiáng)型MOS管加?xùn)旁措妷篣GS,形成導(dǎo)電溝道所需要的最小柵源電壓UGS，稱為開(kāi)啟電壓UT。 此類管子，在柵源電壓UGS=0時(shí)，D、S間沒(méi)有導(dǎo)電溝道。 UGSUT時(shí)，才有溝道形成，因此稱此類管子為增強(qiáng)型管。,（3）特性曲線, 輸出特性（漏極特性）曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線,2耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,（1）結(jié)構(gòu)、符號(hào)與工作原理,圖1.42 N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性,圖1.43 N溝道增強(qiáng)

23、型MOS管的轉(zhuǎn)移特性,圖1.44所示為N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)，箭頭表示由P區(qū)指向N，實(shí)線表示耗盡型。,圖1.44 N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與符號(hào),（2）特性曲線,圖1.45 N溝道耗盡型MOS管的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性,耗盡型MOS管工作時(shí)，其柵源電壓UGS可以為0，也可以取正值或負(fù)值，這個(gè)特點(diǎn)使其在應(yīng)用中具有更大的靈活性。,3絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù),開(kāi)啟電壓UT：是指UDS為一定值時(shí)，形成導(dǎo)電溝道，使增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通所需要的柵源電壓值。 其他主要參數(shù)與結(jié)型管的含義相同。,模塊一 能力培養(yǎng),能力培養(yǎng) （一）二極管的測(cè)試,1二極管極性的判定 若二極管性能良好，但看不出二極管的正負(fù)極性

24、，可用萬(wàn)用表的歐姆擋（R100或R1k擋）測(cè)量其極性。,圖1.46 二極管極性的測(cè)試,2二極管好壞的判定,用萬(wàn)用表的歐姆擋（R100或R1k擋）測(cè)量二極管的正、反向電阻。 若測(cè)得的反向電阻很大（幾百千歐以上），正向電阻很?。◣浊W以下），表明二極管性能良好。, 若測(cè)得的反向電阻和正向電阻都很小，表明二極管短路，已損壞。 若測(cè)得的反向電阻和正向電阻都很大，表明二極管斷路，已損壞。,能力培養(yǎng) （二）三極管的檢測(cè),對(duì)中、小功率三極管，可用萬(wàn)用表的R100或R1k擋測(cè)量。 對(duì)于大功率三極管，可用萬(wàn)用表的R1或R10電阻擋測(cè)量。,1已知型號(hào)和管腳排列的三極管，判斷其性能的好壞,（1）測(cè)量極間電阻 （2）三極管的穿透電流ICEO大小的判斷 （3）電流放大系數(shù)的估計(jì),2檢測(cè)判別三極管的管腳,（1）判定基極和管型 （2）判定集電極c和發(fā)射極e 圖1.47所示為判別三極管c、e電極的原理圖。,圖1.47 判別三極管c、e電極的原理圖,能