1、主要內(nèi)容,1.研究磁介質(zhì)的宏觀現(xiàn)象 2.了解各種磁效應(yīng)的微觀機(jī)制,6.1 分子電流觀點(diǎn),1.磁介質(zhì)的磁化 磁化強(qiáng)度矢量M及其與磁化電流的關(guān)系 2.磁介質(zhì)內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B 3.磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量H與有磁介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理和“高斯定理”,6.1.1磁介質(zhì)的磁化 磁化強(qiáng)度矢量M及其與磁化電流的關(guān)系,有關(guān)磁介質(zhì)（鐵芯）磁化的理論，有兩種不同的觀點(diǎn)分子電流觀點(diǎn)和磁荷觀點(diǎn)。兩種觀點(diǎn)假設(shè)的微觀模型不同，但是最后得到的宏觀規(guī)律的表達(dá)式完全一樣在這種意義下兩種觀點(diǎn)是等效的。本節(jié)介紹分子電流觀點(diǎn) 分子電流觀點(diǎn)就是就是安培分子環(huán)流假說，即： 組成磁鐵的最小單元（磁分子）就是環(huán)形電流。若這樣一些分子環(huán)流定向地排列起來，在

2、宏觀上就會(huì)顯示出N、S極來。,磁化強(qiáng)度矢量: 為了描述磁介質(zhì)的磁化狀態(tài)引入磁化強(qiáng)度矢量的概念，它定義為單位體積內(nèi)分子磁矩的矢量和，用M代表磁化強(qiáng)度矢量 式中mi 代表小體積元V內(nèi)第 i個(gè)分子的磁矩，求和遍及V內(nèi)所有分子。單位：安培/米 (A/m)。,用平均分子磁矩代替每個(gè)分子的真實(shí)磁矩，于是介質(zhì)中的磁化強(qiáng)度為M=nmi=nIa,n為單位體積內(nèi)的分子環(huán)流數(shù)。 磁介子公式： 它是反映磁介質(zhì)中磁化電流I的分布與磁化強(qiáng)度之間聯(lián)系的普遍公式。,6.1.2 磁介質(zhì)內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度B,如果磁化強(qiáng)度M已知，我們可以計(jì)算出它產(chǎn)生的附加磁感應(yīng)強(qiáng)度B來。然后將它疊加在磁化場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B上，就可得到有磁介質(zhì)時(shí)的磁感應(yīng)強(qiáng)

3、度B B=B0+B 對(duì)于很薄的磁介質(zhì)片 B0, B=B0+BB0,6.1.3 磁介質(zhì)的安培環(huán)路定理和“高斯定理”,有磁介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理 引入磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量H H=B/0-M0 磁場(chǎng)強(qiáng)度B滿足的高斯定理,6.2 介質(zhì)的磁化規(guī)律,1.磁化率和磁導(dǎo)率 2.順磁質(zhì)和抗磁質(zhì),6.2.1 磁化率和磁導(dǎo)率,定義：實(shí)驗(yàn)證明，如果磁介質(zhì)是各向同性的，在外磁場(chǎng)不太強(qiáng)的情況下，任一點(diǎn)的磁化強(qiáng)度MJ與磁場(chǎng)強(qiáng)度H之間有如下關(guān)系 ,式中 為磁介質(zhì)的磁化率，它是只和磁介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)的純數(shù)。將 代入 可得: 這更直接地表達(dá)了磁介質(zhì)中任意點(diǎn)的B與H的關(guān)系，式中： ，是磁介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率: 稱為磁介質(zhì)的磁導(dǎo)率。,試驗(yàn)表明：磁介質(zhì)在外磁場(chǎng)B0中可以被磁化，從而產(chǎn)生附加磁場(chǎng)B，使空間的總磁場(chǎng)B改變:B=B0+B 。 （1）順磁質(zhì) 如果附加磁場(chǎng)B 的方向與外磁場(chǎng)B0 同向，二者疊加使磁場(chǎng)B 增強(qiáng)，這種磁介質(zhì)叫順磁質(zhì); （2）抗磁質(zhì) 如果附加磁場(chǎng)B 的方向與外磁場(chǎng)B0反向，二者疊加使磁場(chǎng)B 削弱，這種磁介質(zhì)叫抗磁質(zhì)。,6.2.2順磁質(zhì)和抗磁質(zhì),磁介質(zhì)的分類 如果能在同一傳導(dǎo)電流的磁場(chǎng)中，先后測(cè)出在真空和充滿某種磁介質(zhì)時(shí)的磁感強(qiáng)度B0和B，則它們的比值就是該磁介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率 ，即: 按r值