1、Group Meeting,Dong-Ming Fang,April 18, 2008,Work in the last two weeks,Completed ,1,Read ,2,Read ,3,Read ,4,Downloaded ,5,Conceiving ,6,Work in the last two weeks,Completed PPT file for oral speech,Work in the last two weeks,Thesis draft written by,Work in the last two weeks,Processes Information St

2、orage,PECVD:SiO2, Si3N4, SiC Sputter: Ti, Au, Pt, Al, Cr, W, Pb LPCVD: PolySi, SiO2,Si3N4 Si Oxidation:HO,O2,H2O,Membrane,Ion Injection:As+,P+,B+,BF2+ Diffusion: P+,B+,Adjusting,ICP: Si, Ti/Al, Cr/Cu, Cr/Pt, Ti/Pt/Au, Pyrex, SiO2 RIE:Si,SiO2,Si3N4, SiO2, Solutions: KOH, BHF, HF, H3PO4,Etching,Anode

3、(electrostatic), Au-Si, hot,Bonding,Work in the last two weeks,References and PPT files,Work in the last two weeks,Safety and Operation Handbook,Future work in the next week,Work in the last week,Work in the last week,Work in the last month,Work in the last month,實(shí)驗(yàn)相關(guān),曝光顯影,電鍍,甩膠烘膠,正膠AZ P4903,Work in

4、 the last month,2008.4.22,用,2008.4.25,. 大概15um,Work in the last two weeks,電鍍,項(xiàng)目申請,申請的準(zhǔn)備,3,.會議投稿,1,2,4,Work in the last two weeks,稀釋HF溶液 HF 0.4mol/L， 腐蝕速率： 室溫100nm/s， 32度時(shí)200nm/s,HF 2.6mol/L HNO3 2.2mol/L 32度時(shí)300nm/s,Ti濕法腐蝕,50:1:1 H2O:HF:HNO3 20:1:1 H2O:HF:H2O2 1:1:20 HF:H2O2:HNO3,Work in the last tw

5、o weeks,I2 0.09mol/L KI 0.6mol/L 腐蝕速率： 室溫8-15nm/s,Au濕法腐蝕,1:2:1 0 I2:KI:H2O 25g：7g：100ml Br2:KI:H2O 1:2:3 HF:HAc:HNO3,Work in the last two weeks,國家基金對項(xiàng)目的要求越來越高,基礎(chǔ)性 前瞻性 戰(zhàn)略性,強(qiáng)調(diào)原創(chuàng)性,提高 交叉項(xiàng)目的 強(qiáng)度和比例,強(qiáng)調(diào)學(xué)科交叉,Work in the last two weeks,研究實(shí)力,寫作技巧,創(chuàng)新思想,一新遮百丑 基金有多種 手段保護(hù) 創(chuàng)新思想,以往的 研究積累 和研究水平,準(zhǔn)確、清晰、 具體、可行 的研究計(jì)劃,申請基

6、金的三要素,Work in the last two weeks,申請書的核心問題,創(chuàng)新性 重要性 實(shí)用性 連續(xù)性 可行性,科學(xué)選題,做什么（What） -問題的提出 為什么（Why） -意義分析 怎么做（How） -技術(shù)路線,立項(xiàng)依據(jù),工作積累 實(shí)驗(yàn)條件 人才梯隊(duì),支持條件,Work in the last two weeks,立項(xiàng)依據(jù),闡述項(xiàng)目對社會或經(jīng)濟(jì)的意義,1,本項(xiàng)目國內(nèi)外進(jìn)展情況,2,提出本項(xiàng)目解決的目標(biāo),3,強(qiáng)調(diào)項(xiàng)目的必要性和重要性,4,Work in the last two weeks,研究目標(biāo),1,研究內(nèi)容,2,擬解決的關(guān)鍵問題,3,充分反映特色和創(chuàng)新點(diǎn),4,預(yù)期成果,5,

7、研究方案,Work in the last two weeks,支持條件,以往研究的積累,研究者的水平和專長,研究所需的設(shè)施和設(shè)備,合作研究,Work in the last two weeks,題目、內(nèi)容摘要、主題詞,研究組組成,年度計(jì)劃及預(yù)期進(jìn)展,申請經(jīng)費(fèi)的額度和預(yù)算,專家和單位的推薦意見,1,2,3,4,5,其它內(nèi)容,Work in the last two months,PECVD:SiO2, Si3N4, SiC Sputter: Ti, Au, Pt, Al, Cr, W, Pb LPCVD: PolySi, SiO2,Si3N4 Si Oxidation:HO,O2,H2O,薄膜

8、工藝,Ion Injection:As+,P+,B+,BF2+ Diffusion: P+,B+,調(diào)整參數(shù),ICP: Si, Ti/Al, Cr/Cu, Cr/Pt, Ti/Pt/Au, Pyrex, SiO2 RIE:Si,SiO2,Si3N4, SiO2, Solutions: KOH, BHF, HF, H3PO4,刻蝕工藝,Anode (electrostatic), Au-Si, hot,鍵合工藝,微電子所工藝信息庫,Work in the last two months,MEMS 和IC的 關(guān)鍵性 差別,IC無可動部件，而MEMS 器件可以產(chǎn)生某種運(yùn)動,IC依靠其表面之下的各種效應(yīng)

9、來工作，而MEMS 基本上是靠表面效應(yīng)工作的器件,IC本質(zhì)上是平面化的，MEMS一般來說卻不是,Work in the last two months,MEMS 的優(yōu)勢,集成化,微型化,多功能,低成本,高性能,低功耗,Work in the last two months,.組件層面,.系統(tǒng)層面,.元件層面,.技術(shù)層面,Work in the last two months,.加工技術(shù),加工,技術(shù),加工,技術(shù),Work in the last two months,懸空結(jié)構(gòu),模片,溝、槽,單晶硅 多晶硅 鍵合技術(shù) 微電子所四個(gè)體硅標(biāo)準(zhǔn)工藝,機(jī)械性能好 幾何尺寸大 浪費(fèi)硅材料 與IC兼容不好,各

10、向同性腐蝕,各向異性腐蝕,體微加工,Work in the last two months,表面微加工,兩層多晶硅表面微加工（北大微電子所）,三層多晶硅表面微加工（Berkley SA中心，PolyMUMPs）,五層多晶硅表面微加工（美國Sandia國家實(shí)驗(yàn)室）,兩層MEMS結(jié)構(gòu)：一層是結(jié)構(gòu)材料,另一層為地面材料,多晶硅作為結(jié)構(gòu)層，淀積PSG作為犧牲層， 氮化硅作為電隔離層,兩層主要的薄膜層，結(jié)構(gòu)層：多晶硅， 犧牲層：二氧化硅,Work in the last two months,LIGA技術(shù),LIGA技術(shù) 準(zhǔn)LIGA技術(shù) SLIGA技術(shù),電鍍 ( Galvanoformung),壓模(Ab

11、formung),光刻 (Lithographie),Work in the last two months,易于大批量生產(chǎn),5,不適合制作多層結(jié)構(gòu),6,LIGA技術(shù)特點(diǎn),Work in the last two months,硅/硅鍵合,1、靈活性和半導(dǎo)體工藝兼容性 2、溫度在鍵合過程中起著關(guān)鍵的作用 3、硅片表面的平整度和清潔度,硅/玻璃鍵合,1、兩靜電鍵合材料的熱膨脹系數(shù)近似匹配 2、陽極的形狀影響鍵合效果 3、表面狀況對鍵合力也有影響,金屬/玻璃鍵合,1、電壓、溫度和表面光潔度影響鍵合反應(yīng) 2、離子擴(kuò)散陽極氧化影響鍵合 3、鍵合界面處產(chǎn)生過渡層,鍵合技術(shù),鍵合技術(shù)可以將表面加工和體加工

12、有機(jī)地結(jié)合在一起,Work in the last two months,三維MEMS結(jié)構(gòu)加工中的材料,Work in the last two months,金屬： 如Ti，Al， Cu，Cr 等,非金屬： 二氧化硅、氮化硅、 碳化硅和磷硅玻璃等,有機(jī)物和聚合物： 如光刻膠，聚酰亞胺、PMMA、SU-8等,犧牲層 材料,Work in the last two months,前CMOS (pre-CMOS),混合CMOS ( intermediate-CMOS),后CMOS(post-CMOS),CMOS-MEMS技術(shù)：將MEMS部分和CMOS電路做在同一塊襯底上,一種是在CMOS結(jié)構(gòu)層上面

13、再淀積一層結(jié)構(gòu)層的微加工,另一種是直接以CMOS原有的結(jié)構(gòu)層作為MEMS結(jié)構(gòu)層的微加工,Work in the future,2. 考慮,1. 完成,3. 制作,4. 加工,Work in the last two weeks,Attend 08MEMS training,01,Write SC-JRP application,02,Write application,03,Design the ,04,Work in the last two weeks,Write SC-JRP application,Input Chinese and English version,Contact wi

14、th Vincent of NUS,The joint unit not Univ., but A*STAR,Cooperation failed, but be trained,Work in the last two weeks,Write .,Proposal Title,Complex,面向,Work in the last two weeks,Work in the last two weeks,The ,Develop ,Current ,Fabricate .,Aims and Significance,Work in the last two weeks,investigate

15、 .,study ,realize ,set up ,Work in the last two weeks,Applications,Multiband ,Integration ,High .,R,Work in the last two weeks,Novelty,Current research Most .,This proposal Investigate .,Work in the last two weeks,Methodology,SSS,Single wafer ,Measure .,Step2,Step3,Step4,Optimize Simulate .,Silicon-based Traditional . Polymer ,Develop . Integrate switches .,Test Modify Set up,Step1,D