第8章+模擬和雙極集成電路的版圖設(shè)計.ppt_第1頁
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文檔簡介

1、第8章 模擬和雙極集成電路的版圖設(shè)計,主要內(nèi)容 8.1 模擬CMOS集成電路 8.2 鋁柵CMOS集成電路 8.3 雙極集成電路,8.1 模擬CMOS集成電路 8.1.1模擬集成電路和數(shù)字集成電路的比較 8.1.2 MOS器件的對稱性 對稱是模擬集成電路版圖設(shè)計的重要技巧之一，包括器件對稱、布局布線對稱等。常用的匹配規(guī)則有： 1) 把匹配器件相互靠近放置 2) 保持器件相同方向 圖(c)和(d)的方案更合理。,圖8.1 (a)差分對管;(b)M1和M2管的柵極取向不同的版圖; (c)柵在一條直線上的版圖;(d)柵平行排列的版圖,“柵陰影”效應(yīng)使源區(qū)或漏區(qū)邊緣的擴散產(chǎn)生細(xì)微的不對稱。,圖8.2

2、由注入傾斜造成柵陰影區(qū),考慮柵陰影后,圖(a)的結(jié)構(gòu)更好一些。,柵陰影效應(yīng),(a)兩個MOS管的柵在同一直線上; (b)兩個柵相互平行,3) 增加虛擬器件提高對稱性,注意器件周圍保持相同的環(huán)境。,(a)M2管旁邊的的金屬線引起不對稱;(b)在M1管相對稱位置安排同樣一條線來消除不對稱性,4) 共中心(四方交叉),共中心版圖,5) 器件采用指狀交叉布線方式,一維交叉耦合,8.2 鋁柵CMOS集成電路 8.2.1 鋁柵CMOS電路版圖 鋁柵工藝中沒有多晶層，版圖的層次只有P-阱、P+擴散區(qū)、N+擴散區(qū)、光刻柵、接觸孔、金屬和壓焊塊等。 1. 反相器,2. 門電路,(a) 2輸入或非門 (b) 3輸入或非門,3. 無隔離環(huán)D觸發(fā)器,(a) 有鋁層的照片,(b) 去除鋁層后的照片,從照片提取的D觸發(fā)器電路圖,8.3 雙極集成電路 8.3.1 雙極晶體管的版圖圖形 1. NPN管 NPN管最常用的版圖圖形有4種。,2. PNP管 (1) 橫向PNP管 橫向PNP管的結(jié)構(gòu)及其寄生的PNP管,橫向PNP管的結(jié)構(gòu), 多

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