集成電子技術基礎教程 第一篇第4章(5)_第1頁
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文檔簡介

1、集成電子技術基礎教程,第一篇 電子器件與電子電路基礎,第四章 集成電路中的電子器件,集成電路分類,二極管、三極管、場效應管、電阻、電容,各種連線,集成電路同一塊硅片制作特殊功能電路,集成電路器件之間絕緣,小規(guī)模SSI 、中規(guī)模MSI 、大規(guī)模LSI和超大規(guī)模VLSI,模擬集成電路,數字集成電路,介質(如SiO2)隔離模擬集成電路,PN結隔離數字集成電路,1.4.1 復合管,兩只或兩只以上的半導體三極管(或場效應管) 按一定方式連接成Darlington結構,常見達林頓管組合:,合的近似程度:,結論:,等效復合管的管型取決于第一只管子的類型,等效復合管的12,等效復合管的輸入電流可大大減小,T1

2、可采用小功率管,組成復合管時也可由晶體管和場效應管或多個晶體管進行復合,1.4.2 多集電極管和多發(fā)射極管,多集電極管,集電極電流之比IC1/IC2約等于集電區(qū)面積之比,利用它的多個集電極可以構成多個具有比較穩(wěn)定電流關系的電流源,多發(fā)射極三極管,多發(fā)射極三極管常作為門電路的輸入級電路,在數字集成電路中,影響門電路轉換速度的主要因素是晶體管的開關時間,多發(fā)射極管的引入可以加快后級晶體管存儲電荷的消散,縮短開關時間,從而提高門電路的轉換速度,1.4.3 肖特基三極管,肖特基三極管:普通雙極型三極管的集電結上,并接一個肖特基勢壘二極管(SBD),三極管的開關速度受存儲時間的影響最大,三極管飽和越深,存儲時間越長,SBD的開啟電壓約為0.3V,正向壓降0.4V(比普通二極管低0.20.3V) ,本身又沒有電荷存儲效應,開關時間短,利

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