模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第5章 放大電路的頻率響應(yīng)題解(童詩白)_第1頁
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文檔簡介

1、第五章 放大電路的頻率響應(yīng)(童詩白)自 測 題一、選擇正確答案填入空內(nèi)。(1)測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化,可以得到它的頻率響應(yīng),條件是 。A.輸入電壓幅值不變,改變頻率B.輸入電壓頻率不變,改變幅值C.輸入電壓的幅值與頻率同時變化(2)放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是而低頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是 。A.耦合電容和旁路電容的存在B.半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在。C.半導(dǎo)體管的非線性特性D.放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適(3)當(dāng)信號頻率等于放大電路的fL 或fH時,放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的 。A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍即增益下降A(chǔ).3dB B

2、.4dB C.5dB與U 相位關(guān)系是 。 (4)對于單管共射放大電路,當(dāng)f fL時,U oiA.45 B.90 C.135與U 的相位關(guān)系是 。 當(dāng)f fH時,UoiA.45 B.135 C.225解:(1)A (2)B,A (3)B A (4)C C第五章題解1二、電路如圖T5.2所示。已知:VCC12V;晶體管的C4pF,fT = 50MHz,rbb'100, 080。試求解:(1)中頻電壓放大倍數(shù)A usm;(2)C';(3)fH和fL;(4)畫出波特圖。圖T5.2解:(1)靜態(tài)及動態(tài)的分析估算:IBQ=VCC-UBEQR22.6 AbIEQ=(1+)IBQ1.8mAUC

3、EQ=VCC-ICQRc3Vrb'e=(1+)26mVI1.17kEQrbe=rbb'+rb'e1.27kRi=rbeRb1.27kgIEQm=U69.2mA/VTA =Rib'eusmRr(-gmRc ) -178s+Rirbe(2)估算C':第五章題解2fTC02rb'e(C+C)02rb'efT-C214pF'C=C+(1+gmRc)C1602pF(3)求解上限、下限截止頻率:R=rb'e(rb'b+RsRb)rb'e(rb'b+Rs)567f1H=2RC'175kHzf1L=2(R+

4、R14Hzsi)C(4)在中頻段的增益為20lgA usm45dB頻率特性曲線如解圖T5.2所示。解圖T5.2三、 已知某放大電路的波特圖如圖T5.3所示,填空:第五章題解3| dB,A 。 (1)電路的中頻電壓增益20lg|Au mu m(2)電路的下限頻率fL Hz,上限頻率fH kHz. 。 (3)電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式Au圖T5.3解:(1)60 104(2)10 10(3)±103±100jf 或(1+)(1+j4)(1+j5)(1+j)(1+j4)(1+j5)jf1010101010說明:該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“”,也可能為“”。第五章題解4習(xí) 題5

5、.1 在圖P5.1所示電路中,已知晶體管的rbb'、C、C,Rirbe。 填空:除要求填寫表達(dá)式的之外,其余各空填入增大、基本不變、減小。圖P5.1(1)在空載情況下,下限頻率的表達(dá)式fL 。當(dāng)Rs減小時,fL將 ;當(dāng)帶上負(fù)載電阻后,fL將 。(2)在空載情況下,若b-e間等效電容為C, 則上限頻率的表達(dá)''C將式fH ;當(dāng)Rs為零時,fH將 ;當(dāng)Rb減小時,gm將 ,fH將 。解:(1)1 。;。 2(Rs+Rbrbe) C1(2)1 ;,。 '2rb'e(rbb'+RbRs)C第五章題解5的表達(dá)式。 5.2 已知某電路的波特圖如圖P5.2所示

6、,試寫出Au圖P5.2解: 設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。 Au(1+-3210f)(1+j5)jf10 或 Au-3.2jf ff(1+j)(1+j5)1010的表達(dá)式。 5.3 已知某共射放大電路的波特圖如圖P5.3所示,試寫出A u圖P5.3解:觀察波特圖可知,中頻電壓增益為40dB,即中頻放大倍數(shù)為100;的表達(dá)式下限截止頻率為1Hz和10Hz,上限截止頻率為250kHz。故電路Au為第五章題解6= Au-100(1+)(1+)(1+j)5jfjf2.510+10f(1+jf)(1+j)(1+j)5102.5102 =或 Au5.4 已知某電路的幅頻特性如圖P5.4所示,

7、試問:(1)該電路的耦合方式;(2)該電路由幾級放大電路組成;(3)當(dāng)f 104Hz時,附加相移為多少?當(dāng)f 105時,附加相移又約為多少?解:(1)因?yàn)橄孪藿刂诡l率為0,所以電路為直接耦合電路;(2)因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為 圖P5.460dB/十倍頻,所以電路為三級放大電路;(3)當(dāng)f 104Hz時,'135o;當(dāng)f 105Hz時,'270o 。的表達(dá)式,并近似估5.5 若某電路的幅頻特性如圖P5.4所示,試寫出Au算該電路的上限頻率fH。的表達(dá)式和上限頻率分別為 解:Au'3f±10H = fH5.2kHz Auf31.13(1+j4)10第五章題解75.

8、6 已知某電路電壓放大倍數(shù)= Au-10jf ff(1+j)(1+j5)1010試求解:(1)A um?fL?fH ?(2)畫出波特圖。解:(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出A um、fL、fH。-100jfA u=10(1+jf10)(1+jf105)A um=-100fL=10Hzf5H=10Hz(2)波特圖如解圖P5.6所示。解圖P5.65.7 已知兩級共射放大電路的電壓放大倍數(shù)第五章題解8=Au200jffff 1+j 1+j4 1+j5102.5105 ?fL?fH ? (1)Au m(2)畫出波特圖。、fL、fH。 解:(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出Au m103jfA u

9、=(1+jf5)(1+jff104)(1+j2.5105)A um=103fL=5HzfH104Hz(2)波特圖如解圖P5.7所示。解圖P5.7第五章題解95.8 電路如圖P5.8所示。已知:晶體管的、rbb'、C均相等,所有電容的容量均相等,靜態(tài)時所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路,將結(jié)論填入空內(nèi)。圖P5.8(1)低頻特性最差即下限頻率最高的電路是 (2)低頻特性最好即下限頻率最低的電路是 (3)高頻特性最差即上限頻率最低的電路是 解:(1)(a) (2)(c) (3)(c)5.9 在圖P5.8(a)所示電路中,若 100,rbe1k,C1C2Ce100F,則下

10、限頻率fL?解:由于所有電容容量相同,而Ce所在回路等效電阻最小,所以下限頻率決定于Ce所在回路的時間常數(shù)。R=Rerbe+RsRbrbe+Rs201+1+1fL80Hz2 RCe第五章題解105.10 在圖P5.8(b)所示電路中,若要求C1與C2所在回路的時間常數(shù)相等,且已知rbe=1k,則C1:C2? 若C1與C2所在回路的時間常數(shù)均為25ms,則C1、C2各為多少?下限頻率fL?解:(1)求解C1:C2因?yàn)?C1(RsRi)C2(RcRL)將電阻值代入上式,求出C1 : C25 : 1。(2)求解C1、C2的容量和下限頻率C1=C2=Rs+Ri12.5 F2.5 FRc+RL16.4H

11、z2fL1.2fL110HzfL1=fL2=5.11 在圖P5.8(a)所示電路中,若Ce突然開路,則中頻電壓放大倍數(shù) 、fH和fL各產(chǎn)生什么變化(是增大、減小、還是基本不變)?為什么? Ausm解:Ausm將減小,因?yàn)樵谕瑯臃档腢i作用下,Ib將減小,Ic隨之 必然減小。 減小,ofL減小,因?yàn)樯倭艘粋€影響低頻特性的電容。fH增大。因?yàn)镃會因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小,所以雖然C所在回落的等效電阻有所增大,但時間常數(shù)仍會減小很多,故fH增大。5.12 在圖P5.8(a)所示電路中,若C1Ce,C2Ce, 100,rbe1k,欲使fL 60Hz,則Ce應(yīng)選多少微法?解:下限頻率決定于C

12、e所在回路的時間常數(shù),fL回路的等效電阻。R和Ce的值分別為:R=Re''1。R為Ce所在2RCerbe+RsRbrbe+Rs20 1+1+第五章題解11Ce1133F 2RfL5.13 在圖P5.8(d)所示電路中,已知晶體管的rbb'100,rbe1k,靜態(tài)電流IEQ2mA,C800pF;Rs2k,Rb500 k,RC3.3 k,C=10F。試分別求出電路的fH、fL,并畫出波特圖。 解:(1)求解fLfL='12(Rs+Ri)15.3Hz 2(Rs+rbe)(2)求解fH和中頻電壓放大倍數(shù)rb'e=rbe-rb'b=0.9kfH=gm113

13、16kHz''2rb'e(rb'b+RbRs)C2rb'e(rb'b+Rs)CIEQUT77mA/V=Ausmrrb'eRi''b'e(-gmRL)(-gmRL)-76Rs+RirbeRs+rbe20lgAusm37.6dB其波特圖參考解圖P5.6。5.14電路如圖P5.14所示,已知CgsCgd5pF,gm5mS,C1C2CS10F。的表達(dá)式。 試求fH、fL各約為多少,并寫出Aus圖P5.14第五章題解12的表達(dá)式分析如下: 解:fH、fL、Aus=AusmfLRi''(-gmRL)-gmRL-

14、12.4Rs+Ri116Hz2RsCs ''Cgs=Cgs+(1+gmRL)Cgd72pFfH=111.1MHz''2(RsRg)Cgs2RsCgs-12.4(jf) Ausff(1+j)(1+j)6161.1105.15在圖5.4.7(a)所示電路中,已知Rg2M,RdRL10k,C 10F;場效應(yīng)管的CgsCgd4pF,gm 4mS。試畫出電路的波特圖,并標(biāo)出有關(guān)數(shù)據(jù)。解:=-gR'=-20, 20lgA 26dBAummLum''Cgs=Cgs+(1+gmRL)Cgd=88pFfLfH=10.796Hz2(Rd+RL)C1904Hz

15、'2RgCgs其波特圖參考解圖P5.6。第五章題解135.16 已知一個兩級放大電路各級電壓放大倍數(shù)分別為U-25j f Au1=o1=ffUi 1+j 1+j5410 U-2j f Au2=o=ffUi2 1+j 1+j55010(1)寫出該放大電路的表達(dá)式;(2)求出該電路的fL和fH各約為多少;(3)畫出該電路的波特圖。解:(1)電壓放大電路的表達(dá)式=A A Auu1u2=-50f2fff2(1+j)(1+j)(1+j5)45010(2)fL和fH分別為:fL50Hz11,f64.3kHzHfH1.2105(3)根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式可知,中頻電壓放大倍數(shù)為104,增益為80dB。波特圖如解圖P5.16所示。解圖P5.16第五章題解145.17 電路如圖P5.17所示。試定性分析下列問題,并簡述理由。(1)哪一個電容決定電路的下限頻率;(2)若T1和T2靜態(tài)時發(fā)射極電流相等,且rbb'和C 相等,則哪一級的上限頻率低。 '圖P5.17解:(1)決定電路下限頻率的是Ce,因?yàn)樗诨芈返牡刃щ娮枳钚?。?/p>

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