集成電路制半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)半半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)制造過(guò)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué) 制膜：制作各種材料的薄基本步驟硅片準(zhǔn)備、延半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)硅片半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)（）圖形轉(zhuǎn)移：將設(shè)計(jì)在掩膜版(相底片學(xué)光刻工藝流半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)光刻三要素：–光刻膠又叫光致抗蝕劑，它是由光敏化合物、 半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)正正膠后可后不半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)亮場(chǎng)版和暗場(chǎng)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué) 之間有一個(gè)很小的間隙投影式：利用透鏡或反到襯底上的方法，目前用的最多的方式。（特半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)

超超細(xì)線（特征尺寸甚遠(yuǎn)紫外線光X半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)圖形轉(zhuǎn)移：刻蝕技 濕濕法刻蝕一般都是各向同性的，即橫向和縱向的腐半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過(guò)轟擊等物理作用等離子刻蝕(PlasmaEtching)：利用放電產(chǎn)生的游離基(ReactiveIonEtchingRIE)：RIEVLS半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)摻雜工藝 摻入的雜質(zhì)主要磷(P)、砷(As——N型硼(B——P型子注入(ionimplantation)。半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)擴(kuò)擴(kuò)散由雜替位式擴(kuò)間隙式擴(kuò)散：溫度低，擴(kuò)散系數(shù)高（比替位式擴(kuò)散大選擇性擴(kuò)縱向擴(kuò)散的同時(shí)，存在橫向擴(kuò)散。兩步擴(kuò)散法：事先進(jìn)行預(yù)擴(kuò)散（預(yù)淀積再擴(kuò)散使擴(kuò)散層推進(jìn)到預(yù)期的深度（再擴(kuò)散）擴(kuò)散適于結(jié)較深（0.3m)、線條較粗（3m)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)體半體半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)離子離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能離子注入的深度由注入離子的能量和離子的質(zhì)量決低溫（600oC）、摻雜均勻性好、離子注入劑量可精確控制，重復(fù)性好、橫向擴(kuò)散比縱向擴(kuò)散小得多?？梢宰⑷敫鞣N各樣的元素并可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)多數(shù)注入離子停留在與硅晶格位置不一致的位置上，半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到–退火方–爐退–快速退火：脈沖激光法、掃描、連續(xù)波激半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)氧化氧化 SiO2SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性熱氧化干氧氧水蒸汽氧濕氧氧干氧－濕氧－干氧(簡(jiǎn)稱干濕干)氧化濺射半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)氧化硅層的擴(kuò)散時(shí)的掩蔽層，離子注入的(有時(shí)與光刻膠、作為集成電路 介質(zhì)材料半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)化學(xué)汽相淀積化學(xué)汽相淀積(ChemicalVaporDeposition)：通過(guò)CVD技術(shù)特–CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的SiO2、多晶硅、非半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)物理氣相淀積蒸發(fā)（Evaporation）：在真空系統(tǒng)中，金屬原子有燈絲加熱蒸發(fā)和蒸發(fā)兩種。半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)半導(dǎo)體器件物 電子與信息學(xué)圖形轉(zhuǎn)–光刻：接觸光刻