上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步？結(jié)深？薄層電阻？固溶度？2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點？特征擴(kuò)散長度？預(yù)淀積＋退火。預(yù)淀積：氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層（結(jié)深），在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為/，反映擴(kuò)散入硅內(nèi)部的凈雜質(zhì)總量。固溶度：在平衡條件下，雜質(zhì)能溶解在硅中而不發(fā)生反應(yīng)形成分凝相的最大濃度。表面濃度恒定，余誤差函數(shù)分布(erfc)。隨時間變化：雜質(zhì)總量增加，擴(kuò)散深度增加雜質(zhì)總量恒定，高斯函數(shù)/正態(tài)分布(Gaussian)。隨時間變化：表面濃度下降，結(jié)深增加1如何判斷對費克定律應(yīng)用何種解析解？當(dāng)表面濃度為固溶度時，意味著該分布是余誤差分布當(dāng)表面濃度較低時，意味著該分布是經(jīng)過長時間的推進(jìn)過程，是高斯分布。費克定律解析解的應(yīng)用本征擴(kuò)散時，理想邊界條件下的解。實際情況需要修正，如：高濃度電場效應(yīng)雜質(zhì)分凝點缺陷…2例題：CMOS中的p阱的形成。要求表面濃度Cs=4x1017cm-3，結(jié)深xj=3mm。已知襯底濃度為CB=1×1015cm3。設(shè)計該工藝過程。離子注入＋退火3假定推進(jìn)退火獲得的結(jié)深，則根據(jù)該數(shù)值為推進(jìn)擴(kuò)散的“熱預(yù)算”。解：1）假設(shè)離子注入+推進(jìn)退火42）推進(jìn)退火的時間假定在1100C進(jìn)行推進(jìn)退火，則擴(kuò)散系數(shù)D=1.5×10-13cm2/s3）所需離子注入的雜質(zhì)劑量可以推算出該劑量可以很方便地用離子注入實現(xiàn)在非常薄的范圍內(nèi)的雜質(zhì)預(yù)淀積54）假如采用950C熱擴(kuò)散預(yù)淀積而非離子注入預(yù)淀積時間為此時，B的固溶度為2.5×1020/cm3，擴(kuò)散系數(shù)D=4.2×10-15cm2/s該預(yù)淀積為余誤差分布，則但是預(yù)淀積時間過短，工藝無法實現(xiàn)。應(yīng)改為離子注入！即使6影響雜質(zhì)分布的其他因素Fick’sLaws：OnlyvalidfordiffusionunderspecialconditionsSimplification!71、電場效應(yīng)（Fieldeffect）——非本征擴(kuò)散電場的產(chǎn)生：由于載流子的遷移率高于雜質(zhì)離子，二者之間形成內(nèi)建電場。載流子領(lǐng)先于雜質(zhì)離子，直到內(nèi)建電場的漂移流與擴(kuò)散流達(dá)到動態(tài)平衡。如果NA、ND＞ni（擴(kuò)散溫度下）時，非本征擴(kuò)散效應(yīng)8所以，雜質(zhì)流由兩部分組成：內(nèi)建電場以n型摻雜為例，

9由并假定雜質(zhì)全部離化，有場助擴(kuò)散方程：其中h為擴(kuò)散系數(shù)的電場增強(qiáng)因子：當(dāng)摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征載流子濃度時，h接近2。10電場效效應(yīng)對對于低低濃度度本體體雜質(zhì)質(zhì)分布布影響響更大大112、擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)與與雜質(zhì)質(zhì)濃度度的關(guān)關(guān)系在雜質(zhì)質(zhì)濃度度很高高時，，擴(kuò)散散系數(shù)數(shù)不再再是常常數(shù)，，而與與摻雜雜濃度度相關(guān)關(guān)擴(kuò)散方方程改改寫為為：箱型12p型摻雜n型摻雜Ⅲ、ⅤⅤ族元元素在在硅中中的擴(kuò)擴(kuò)散運運動是是建立立在雜雜質(zhì)與與空位位相互互作用用的基基礎(chǔ)上上的，，摻入入的施施主或或受主主雜質(zhì)質(zhì)誘導(dǎo)導(dǎo)出了了大量量荷電電態(tài)空空位，，從而而增強(qiáng)強(qiáng)了擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)。。13非本征征摻雜雜擴(kuò)散散系數(shù)數(shù)比本本征摻摻雜擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)高一個個數(shù)量量級！！由于非非本征征摻雜雜的擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)在在摻雜雜邊緣緣迅速速衰減減，因因而出出現(xiàn)邊邊緣陡陡峭的的“箱箱型””分布布。箱型1000C下，，非本本征擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)：：14對于B，P來說說，在在氧化化過程程中，，其擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)增增加。。對Sb來說說，擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)減減小。。雙擴(kuò)散散機(jī)制制:雜雜質(zhì)質(zhì)可以以通過過空位位和間間隙兩兩種方方式擴(kuò)擴(kuò)散3、氧氧化增增強(qiáng)/抑制制擴(kuò)散散（oxidationenhanced/retardeddiffusion）OED/ORD151））OED：：對于原原子B或P來說說，其其在硅硅中的的擴(kuò)散散可以以通過過間隙隙硅原原子進(jìn)進(jìn)行。。氧化化時由由于體體積膨膨脹，，造成成大量量Si間隙隙原子子注入入，增增加了了B和和P的的擴(kuò)散散系數(shù)數(shù)（1＋＋2）Si＋＋2OI＋2V?SiO2＋2I＋＋stressA+IAI162）ORD：對于Sb來來說，，其在在硅中中的擴(kuò)擴(kuò)散主主要是是通過過空位位進(jìn)行行。氧化注注入間間隙間隙隙和空空位在在硅中中復(fù)合合硅中中空位位濃度度減小小Sb的的擴(kuò)散散被抑抑制I+VSis表示晶晶格上上的Si原原子As受受間隙隙和空空位擴(kuò)擴(kuò)散兩兩種機(jī)機(jī)制控控制，，氧化化時的的擴(kuò)散散受影影響較較小174、發(fā)發(fā)射極極推進(jìn)進(jìn)效應(yīng)應(yīng)（EmitterPusheffect）實驗現(xiàn)現(xiàn)象：：在P（磷磷）發(fā)發(fā)射區(qū)區(qū)下的的B擴(kuò)擴(kuò)散比比旁邊邊的B擴(kuò)散散快，，使得得基區(qū)區(qū)寬度度改變變。A＋I(xiàn)AI，由于發(fā)發(fā)射區(qū)區(qū)內(nèi)大大量A(P)I的存在在使得得反應(yīng)應(yīng)向左左進(jìn)行行，通通過摻雜原原子A(P)向下擴(kuò)擴(kuò)散并并找到到晶格格位置置的同同時，，釋放大大量的的間隙原原子I，產(chǎn)生生所謂謂“間間隙原原子泵泵”效效應(yīng)，加快快了硼硼的擴(kuò)擴(kuò)散。。PhosphorusBoron18常用雜雜質(zhì)硼硼（B），，磷（（P）），砷砷（As））在硅硅中的的性質(zhì)質(zhì)1）硼硼B(yǎng):III族族元素素，受受主雜雜質(zhì)，，1150℃℃時時固溶溶度達(dá)達(dá)2.4×1020原子/cm3D0=1cm2/sEa=3.46eV高濃度度摻雜雜如考慮慮場助助效應(yīng)應(yīng)h電場增增強(qiáng)因因子192）磷磷Ⅴ族元元素，，施主主原子子，有有吸收收銅、、金等等快擴(kuò)擴(kuò)散雜雜質(zhì)的的性質(zhì)質(zhì)（這這些雜雜質(zhì)在在缺陷陷處淀淀積會會產(chǎn)生生漏電電）,固溶溶度達(dá)達(dá)5××1021原子/㎝3。磷的本本征擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)主主要由由中性性空位位V0作用決決定。。高濃度度磷擴(kuò)擴(kuò)散時濃度度分布布有三三個區(qū)區(qū)域。。主要要是磷磷離子子與V0，V-，V=三種空空位的的作用用造成成的。。溫度為為1000℃℃時，，尾區(qū)區(qū)的擴(kuò)擴(kuò)散系系數(shù)比本征征情況況下的的擴(kuò)散散系數(shù)數(shù)大二二個數(shù)數(shù)量級級。因因此磷磷常作作為深深結(jié)擴(kuò)擴(kuò)散的的雜質(zhì)質(zhì)203）砷砷Ⅴ族元元素，，施主主雜質(zhì)質(zhì)，半半徑與與硅相相同，，擴(kuò)散系系數(shù)小小，僅僅磷、、硼的的十分分之一一。在高摻摻雜情情況下下也不不引起起畸變變。在硅晶晶體中中，砷砷激活活量低低于摻摻雜量量，電電激活活濃度度達(dá)2×1021㎝-3適宜于于淺結(jié)結(jié)，精精確控控制21氣態(tài)相相源擴(kuò)擴(kuò)散（（gassource）液態(tài)源源擴(kuò)散散（liquidsource）固態(tài)源源擴(kuò)散散（solidsource））旋涂源源擴(kuò)散散（spin-on-glass）注意：：在引引入擴(kuò)擴(kuò)散源源后作作推進(jìn)進(jìn)擴(kuò)散散時，，常常常會在在硅片片上表表面有有一氧氧化層層或其其它覆覆蓋層層保護(hù)護(hù)硅片片，使使硅片片中的的雜質(zhì)質(zhì)不會會揮發(fā)發(fā)到大大氣中中去。。擴(kuò)散摻摻雜工工藝221、氣氣態(tài)源源擴(kuò)散散利用載載氣（（如N2）稀釋釋雜質(zhì)質(zhì)氣體體，雜雜質(zhì)氣氣體在在高溫溫下與與硅表表面硅硅原子子發(fā)生生反應(yīng)應(yīng)，釋釋放出出雜質(zhì)質(zhì)原子子向硅硅中擴(kuò)擴(kuò)散。。氣態(tài)雜雜質(zhì)源源(劇毒毒氣體體):磷磷烷烷（PH4）、砷砷烷（（AsH3）、氫氫化銻銻（SbH3）、乙乙硼烷烷（H2B6）等232、液液態(tài)源源擴(kuò)散散利用載載氣（（如N2）通過過液態(tài)態(tài)雜質(zhì)質(zhì)源，，攜帶帶著雜雜質(zhì)蒸蒸汽進(jìn)進(jìn)入高高溫擴(kuò)擴(kuò)散反反應(yīng)管管，雜雜質(zhì)蒸蒸汽在在高溫溫下分分解，，并與與硅表表面硅硅原子子發(fā)生生反應(yīng)應(yīng)，釋釋放出出雜質(zhì)質(zhì)原子子向硅硅中擴(kuò)擴(kuò)散。。舟241）液液態(tài)源源硼擴(kuò)擴(kuò)散源硼硼酸酸三甲甲脂B[(CH3)O]3在500oC以以上分分解反反應(yīng)B[(CH3)O]3B2O3+CO2+H2O＋＋...2B2O3+3Si3SiO2+4B例：預(yù)預(yù)淀積積:950oC通通源10－－20分分鐘，，N2再分布布:1100－－1200oC干氧氧＋濕濕氧＋＋干氧氧252）液液態(tài)源源磷擴(kuò)擴(kuò)散源三三氯氯氧磷磷(POCl3)>600C5POCl3P2O5+3PCl52P2O5+5Si=5SiO2+4P(向向硅中中擴(kuò)散散)PCl5難分解解，會會腐蝕蝕硅，，故還還要通通入少少量O24PCl5+5O22P2O5+10Cl2例：：預(yù)預(yù)淀積積:1050CN2和O2再分布布:950CO2263、固固態(tài)源源擴(kuò)散散（（B2O3，P2O5，BN等））舟惰性氣氣體作作為載載氣把把雜質(zhì)質(zhì)源蒸蒸氣輸輸運到到硅片片表面面，在在擴(kuò)散散溫度度下，，雜質(zhì)質(zhì)化合合物與與硅反反應(yīng)生生成單單質(zhì)雜雜質(zhì)原原子相相硅內(nèi)內(nèi)擴(kuò)散散。27銻的箱箱法擴(kuò)擴(kuò)散硅硅片片與擴(kuò)擴(kuò)散源源同放放一箱箱內(nèi)，，在N2氣保護(hù)護(hù)下擴(kuò)擴(kuò)散源：：Sb2O3:SiO2=1:4(粉粉末重重量比比)2Sb2O3+3Si=4Sb+3SiO2片狀固固態(tài)氮氮化硼硼擴(kuò)散散活化處處理4BN+3O22B2O3+2N2900C1h.通通O2擴(kuò)散2B2O3+3Si3SiO2+4BBN片片與硅硅片大大小相相當(dāng)，，和硅硅片相相間均均勻放放置在在舟上上。不不需載載氣，，但以以N2或Ar2保護(hù)。。284、旋旋涂涂摻雜雜法（（spin-on-glass））用旋涂涂法在在Si表面面形成成摻雜雜氧化化層，，然后后在高高溫下下雜質(zhì)質(zhì)向硅硅中擴(kuò)擴(kuò)散。。源：As（（arsenosilica）；；Sb（antimonysilica）；；B（（borosilica））；P（（phosphorosilica））烘焙200C15分鐘鐘去處處溶劑劑根據(jù)Rs和xj要求決決定擴(kuò)擴(kuò)散溫溫度和和時間間特點：：摻摻雜元元素多多濃濃度度范圍圍廣29擴(kuò)散層層質(zhì)量量檢驗驗薄層電電阻測測量結(jié)深測測量摻雜分分布測測量30四探針針薄層層電阻阻測量量四根根探探針針的的四四個個針針尖尖都都保保持持在在一一條條直直線線上上（（linear）），，并并以以等等壓壓力力壓壓在在半半導(dǎo)導(dǎo)體體樣樣品品表表面面。。1和和4稱稱為為電電流流探探針針，，由由穩(wěn)穩(wěn)壓壓電電源源恒恒電電流流供供電電；；3和和4稱稱為為電電位位探探針針，，測測量量這這兩兩個個探探針針之之間間的的電電位位差差VItSSSS>>t時時成成立立??！143231結(jié)深深測測量量磨角角染染色色法法（（bevelandstain））pn結(jié)結(jié)顯顯示示技技術(shù)術(shù)：：不不同同導(dǎo)導(dǎo)電電類類型型的的區(qū)區(qū)域域，，由由于于電電化化學(xué)學(xué)勢勢不不同同，，經(jīng)經(jīng)染染色色后后顯顯示示出出不不同同顏顏色色。。常用用染染色色液液：：HF與與01％％HNO3的混混合合液液，，使使p區(qū)區(qū)的的顯顯示示的的顏顏色色比比n區(qū)區(qū)深深。。32摻雜雜分分布布測測量量C－－V測測量量（（Capacitance-VoltageMeasurement））測量量結(jié)結(jié)的的反反偏偏電電容容和和電電壓壓的的關(guān)關(guān)系系可可以以測測得得擴(kuò)擴(kuò)散散層層的的摻摻雜雜分分布布。。VR1/C2對于于均均勻勻摻摻雜雜的的單單邊邊突突變變結(jié)結(jié)，，結(jié)結(jié)電電容容由由下下式式給給出出：：s硅的的介介電電常常數(shù)數(shù);NB襯底底摻摻雜雜濃濃度度Vbi結(jié)的的內(nèi)內(nèi)建建勢勢;VR反偏偏電電壓壓33二次次離離子子質(zhì)質(zhì)譜譜（（SecondaryIonMassSpectroscopy,SIMS））用高高能能離離子子束束轟轟擊擊樣樣品品，，使使其其產(chǎn)產(chǎn)生生正正負(fù)負(fù)二二次次離離子子，，將將這這些些二二次次離離子子引引入入質(zhì)質(zhì)譜譜儀儀進(jìn)進(jìn)行行分分析析，，再再由由檢檢測測系系統(tǒng)統(tǒng)收收集集，，據(jù)據(jù)此此識識別別樣樣品品的的組組分分。。3435非本本征征擴(kuò)擴(kuò)散散前面面討討論論對對于于恒恒定定擴(kuò)擴(kuò)散散系系數(shù)數(shù)而而言言，，只只發(fā)發(fā)生生在在摻摻雜雜濃濃度度低低于于擴(kuò)擴(kuò)散散溫溫度度下下的的本本征征載載流流子子濃濃度度ni時時。。當(dāng)當(dāng)雜雜質(zhì)質(zhì)濃濃度度大大于于ni時時，，擴(kuò)擴(kuò)散散系系數(shù)數(shù)變變得得與與濃濃度度有有關(guān)關(guān)，，稱稱為為非非本本征征擴(kuò)擴(kuò)散散。。非非本本征征擴(kuò)擴(kuò)散散區(qū)區(qū)內(nèi)內(nèi)，，同同時時擴(kuò)擴(kuò)散散或或相相繼繼擴(kuò)擴(kuò)散散的的雜雜質(zhì)質(zhì)之之間間存存在在著著相相互互作作用用和和協(xié)協(xié)同同效效應(yīng)應(yīng)，，使使擴(kuò)擴(kuò)散散更更為為復(fù)復(fù)雜雜。。36與濃度有有關(guān)的擴(kuò)擴(kuò)散當(dāng)基質(zhì)原原子離開開晶格位位置而產(chǎn)產(chǎn)生空位位，依照照空位的的電荷數(shù)數(shù)，可有有中性空空位V0、受主空空位V－、雙電荷荷受主V2－、施主空空位V+等。可以以預(yù)期，，某種帶帶電狀態(tài)態(tài)下的空空位密度度，有類類似與載載流子濃濃度的溫溫度相關(guān)關(guān)性。如果雜質(zhì)質(zhì)擴(kuò)散以以空位擴(kuò)擴(kuò)散為主主，則D正比于于空位密密度。低低摻雜濃濃度時，，EF＝Ei，空位密密度等于于Ci而與雜質(zhì)質(zhì)濃度無無關(guān)。正正比與Ci的D也將將和雜質(zhì)質(zhì)濃度無無關(guān)。高高摻雜濃濃度時，，EF向?qū)У椎滓苿樱?，指?shù)項項大于1，這是是CV增大，進(jìn)進(jìn)而是D變大。。如上圖圖的右側(cè)側(cè)所示。。37考慮擴(kuò)散散系數(shù)時時，D可可以寫成成：Cs為表表面濃度度，Ds為表面面擴(kuò)散系系數(shù)，γγ是用來來描述與與濃度有有關(guān)的參參數(shù)。擴(kuò)散方程程式為：：可將擴(kuò)散散方程式式寫成一一常微分分方程式式并以數(shù)數(shù)值法求求解。38結(jié)深可以以用下式式表示39擴(kuò)散分布布－硅中中的擴(kuò)散散硅內(nèi)所測測量到的的D與雜雜質(zhì)濃度度的關(guān)系系B和As，其其γ＝1，曲線線（c））所示，非常常陡峭。。Au和Pt，γγ＝-2，曲線線（d））所示，，呈一凹陷陷的形狀狀。P，與V2－有關(guān)，D隨C2而變化，，分布解決決曲線（（b）所所示。但但由于離解效應(yīng)應(yīng)，擴(kuò)散散分布將將呈現(xiàn)出出不規(guī)則的形形狀。40磷在不同同表面濃濃度下，，在1000℃℃下擴(kuò)散散1h后后的分布布41在砷化鎵鎵中的鋅鋅擴(kuò)散在砷化鎵鎵中的擴(kuò)擴(kuò)散會比比在硅中中要來得得復(fù)雜，，因為雜雜質(zhì)的擴(kuò)擴(kuò)散包含含砷和鎵鎵兩種晶晶格原子子移動。?？瘴辉谠谏榛夋墧U(kuò)散過過程中扮扮演了一一個主要要角色，，因為p型和n型雜質(zhì)質(zhì)最終必必須進(jìn)駐駐晶格位位置上，，然而空空位的荷荷電狀態(tài)態(tài)迄今尚尚未確定定。鋅是砷化化鎵中最最廣為使使用的擴(kuò)擴(kuò)散劑，，它的D會隨C2而變化，，所以擴(kuò)擴(kuò)散分布布如下圖圖所示，，是陡峭峭的。并并注意即即使是最最低表面面濃度的的情況，，擴(kuò)散型型態(tài)也屬屬于非本本征擴(kuò)散散。4243擴(kuò)散相關(guān)關(guān)工藝－－橫向擴(kuò)擴(kuò)散一維擴(kuò)散散方程基基本能描描述擴(kuò)散散工藝，，但在掩掩蔽層的的邊緣例例外，因因為在邊邊緣處雜雜質(zhì)會向向下、向向橫向擴(kuò)擴(kuò)散。這這時必須須考慮二二維的擴(kuò)擴(kuò)散方程程式，并并使用數(shù)數(shù)值分析析技術(shù)求求得在不不同初始始與邊界界條件下下的擴(kuò)散散分布。。顯示一恒恒定表面面初始濃濃度條件件下的輪輪廓線，，并假設(shè)設(shè)D與濃濃度無關(guān)關(guān)。垂直滲透透約為2.8um橫向滲透透約為2.3um44由于橫向向擴(kuò)散作作用，結(jié)結(jié)包含了了一個中中央平面面區(qū)及一一個近似似圓柱、、曲率半半徑為rj的邊。此此外，如如果掩蔽蔽層有尖尖銳的角角，在這這個角處處的結(jié)將將因橫向向擴(kuò)散而而近似與與圓球狀狀。既然然電場強(qiáng)強(qiáng)度在圓圓柱與圓圓球結(jié)處處較強(qiáng)，，則該處處雪崩擊擊穿電壓壓遠(yuǎn)低于于有相同同襯底摻摻雜的平平面結(jié)處處。45本節(jié)課主主要內(nèi)容容常用雜質(zhì)質(zhì)的擴(kuò)散散特性？？B,P,As常用擴(kuò)散散摻雜方方法？常用擴(kuò)散散摻雜層層的質(zhì)量量測量？？B：p型型雜質(zhì)，，OED；P：：n型雜雜質(zhì)，深深結(jié)，OED；；As：：n型雜雜質(zhì)，離離子注入入精確控控制實現(xiàn)現(xiàn)淺結(jié)氣態(tài)源、、液態(tài)源源、固態(tài)態(tài)源、旋旋涂法薄層電阻阻：四探探針法；；結(jié)深：：染色法法；摻雜雜分布：：C-V法，SIMS非本征擴(kuò)擴(kuò)散469、靜夜四無無鄰，荒居居舊業(yè)貧。。。12月-2212月-22Thursday,December29,202210、雨中黃葉葉樹，燈下下白頭人。。。04:39:2404:39:2404:3912/29/20224:39:24AM11、以我獨沈沈久，愧君君相見頻。。。12月-2204:39:2404:39Dec-2229-Dec-2212、故人江海海別，幾度度隔山川。。。04:39:2404:39:2404:39Thursday,December29,202213、乍見見翻疑疑夢，，相悲悲各問問年。。。12月月-2212月月-2204:39:2404:39:24December29,202214、他鄉(xiāng)生生白發(fā)，，舊國見見青山。。。29十十二月20224:39:24上午午04:39:2412月-2215、比不了得得就不比，，得不到的的就不要。。。。十二月224:39上上午12月-2204:39December29,202216、行動出成成果，工作作出財富。。。2022/12/294:39:2404:39:2429December202217、做前前，能能夠環(huán)環(huán)視四四周；；做時時，你你只能能或者者最好好沿著著以腳腳為起起點的的射線線向前前。。。4:39:24上上午4:39上上午午04:39:2412月月-229、沒沒有有失失敗敗，，只只有有暫暫時時停停止止成成功功！！。。12月月-2212月月-22Thursday,December29,202210、很多多事情情努力力了未未必有有結(jié)果果，但但是不不努力力卻什什么改改變也也沒有有。。。04:39:2404:39:2404:3912/29/20224:39:24AM11、成功功就是是日復(fù)復(fù)一日日那一一點點點小小小努力力的積積累。。。12月月-2204:39:2404:39Dec-2229-Dec-2212、世間成成事，不不求其絕絕對圓滿滿，留一一份不足足，可得得無限完完美。。。04:39:2404:39:2404:39Thursday,December29,202213、不不知知香香積積寺寺，，數(shù)數(shù)里里入入云云峰峰。。。。12月月-2212月月-2204:39:2404:39:24December29,202214、意意志志堅堅強(qiáng)強(qiáng)的的人人能能把把世世界界放放在在手手中中像像泥泥塊塊一一樣樣任任意意揉揉捏捏。。29十十二二月月20224:39:24上上午午04:39:2412月月-2215、楚塞塞三湘湘接，，荊門門九派派通。。。。十二月月224:39上上午午12月月-2204:39Dec