1硅在自然界主要以氧化物形式存在，不存在單質(zhì)。2硅的常見(jiàn)幾種化合物，二氧化硅sio2，一氧化硅sio，硅的鹵化six4,三氯化硅，硅烷。3固體可以分為晶體和非晶體兩大類(lèi)。4在不同的帶軸方向上晶體的物理性質(zhì)不同，這是晶體的各向異性。5幾種典型的晶胞，簡(jiǎn)立方，體心立方，面心立方，氯化銫結(jié)構(gòu)，氯化鈉結(jié)構(gòu)，金剛石結(jié)構(gòu)，閃鋅礦結(jié)構(gòu)，纖鋅礦結(jié)構(gòu)。6硅的提純有化學(xué)提純，物理提純兩種方法。7高純度的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅則基本是以區(qū)熔法和直拉法兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。8對(duì)于大直徑的單晶硅或者需要高輸出功率的太陽(yáng)能電池，其硅片的形狀一般為方形。9電參數(shù)的測(cè)量是硅材料電學(xué)性能測(cè)試的重要內(nèi)容。它主要包括導(dǎo)電型號(hào)，電阻率，少子壽命和遷徙率測(cè)量。10電阻率的測(cè)量接觸法四探針?lè)ǎ卣闺娮璺?。非接觸法電容耦合法，電感耦合法。1、硅根據(jù)其雜質(zhì)可分為_(kāi)__和____。2、所有晶體都是由_____、_____、______或這些_____在三維空間按一定規(guī)則排列而成。3、在自然界中，硅主要以_____和______的形式存在。4、硅的提純中常用的兩種提純技術(shù)是______和_______。5、由高純度的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅則基本是以______和_____。6、太陽(yáng)電池用單晶片，一般有兩種形狀：______和_____。7、非晶硅是重要的___________。8、硅半導(dǎo)體的導(dǎo)電過(guò)程存在______和______兩種載流子。9、半導(dǎo)體材料的電阻率與______以及______有關(guān)。10、在直拉法中摻入雜質(zhì)的方法有共熔法和投雜法兩種。、答案1（粗硅高純硅）2原子分子離子粒子集團(tuán)）3（氧化硅硅酸鹽）4(精餾吸附)5（區(qū)熔法直拉法）6（圓形方形）7（薄膜半導(dǎo)體材料）8（電子空穴）9（載流子濃度載流子遷移率）10（）1、晶體硅中存在缺陷后，會(huì)在晶體能帶的禁帶中引入缺陷能級(jí)，形成一定的復(fù)合中心，__減少__電池中的載流子濃度。2、無(wú)論是內(nèi)圓切割方式還是外圓切割方式，受制于刀片的__厚度__3、_硅膠化學(xué)機(jī)械拋光是利用__二氧化硅膠__或者近膠體狀溶液進(jìn)行拋光4、通常在不影響PN結(jié)特性的前提下，擴(kuò)散溫度選擇__高些__，可以縮短擴(kuò)散時(shí)間，有利于生產(chǎn)。5、_四探針?lè)╛_測(cè)量薄層電阻6、在光生伏特效應(yīng)中，若PN結(jié)開(kāi)路，在結(jié)的兩邊積累電子--空穴對(duì)，產(chǎn)生__開(kāi)路電壓__。7、當(dāng)拉晶時(shí)，固液界面并不平坦，對(duì)于分凝系數(shù)不為1的雜質(zhì)而言，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生的單晶硅的__徑向電阻率__有較大的不均勻性。8、在能耗上，單晶由于有拉晶的過(guò)程，相對(duì)能耗__遠(yuǎn)大于__鑄造多晶硅。9、常溫下，由于電離產(chǎn)生了大量的空穴，把此類(lèi)主要依靠空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體成為_(kāi)_P型半導(dǎo)體__。10、n0和p0的乘積稱(chēng)為_(kāi)_非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體平衡態(tài)判據(jù)式__。1、硅的光吸收處于（紅外波段）2、以硅材料作為基體的太陽(yáng)能電池可以分為（單晶硅太陽(yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池）3.晶體生長(zhǎng)過(guò)程可看成相界的推移過(guò)程，由此，晶體生長(zhǎng)方式分為三類(lèi)(固相生長(zhǎng)，液相生長(zhǎng)，汽相生長(zhǎng))4.在太陽(yáng)能級(jí)多晶硅制備中，改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)有（能耗低，成本低，產(chǎn)量高，質(zhì)量穩(wěn)定，對(duì)環(huán)境不產(chǎn)生污染）等。5.在摻金量相同時(shí)N型硅比P型硅壽命下降的（更快些）6.如果硅材料很純，材料的電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系是(=1/e)7.(多晶硅薄膜)太陽(yáng)電池以成為目前世界光伏領(lǐng)域中最活躍的研究方向。8.化學(xué)法提純高純多晶硅的生產(chǎn)方法大多分為三步（中間化合物的合成，中間化合物的分離提純，中間產(chǎn)物被還原）9.多晶硅片生產(chǎn)流程：清洗硅材、裝料、化料、（晶體生長(zhǎng)）、退火、冷卻、（硅錠出爐）、破錠、多線切割、（硅片清洗）、包裝等。10.單晶硅的原生缺陷是（晶體原生顆粒缺陷）1、晶體缺陷主要包含有以下四種，分別為：點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。2、多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：SiCl4法、硅烷法、流化床法、西門(mén)子改良法。3.框圖簡(jiǎn)要說(shuō)明硅片制備主要工藝流程：?jiǎn)尉L(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包。4.硅太陽(yáng)能電池主要通過(guò)擴(kuò)散在表面制備PN結(jié)。什么是恒定源擴(kuò)散？擴(kuò)散過(guò)程中，認(rèn)為硅片周?chē)碾s質(zhì)濃度是恒定的，不隨時(shí)間而改變，硅片表面的雜質(zhì)濃度Ns保持不變，始終等于源相中的雜質(zhì)濃度，稱(chēng)這種情況為恒定源擴(kuò)散。5.畫(huà)出硅太陽(yáng)能電池制造工藝流程簡(jiǎn)要方框圖：硅片加工→化學(xué)清洗和拋光→涂源擴(kuò)散→真空蒸鍍制備上電極→化學(xué)鍍鎳制備下電極→邊緣腐蝕→中間測(cè)試分檔→引線浸錫→蒸鍍反射膜→總測(cè)分類(lèi)。6.直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有哪幾個(gè)主要階段？縮頸的主要目的是什么？拉晶過(guò)程：潤(rùn)晶、縮頸、放肩、等徑生長(zhǎng)、拉光；縮頸的主要目的是排除接觸不良引起的多晶和盡量消除籽晶內(nèi)原有位錯(cuò)的延伸。7.硅太陽(yáng)能電池主要通過(guò)擴(kuò)散在表面制備PN結(jié)。如何對(duì)擴(kuò)散參數(shù)進(jìn)行控制1)擴(kuò)散溫度和時(shí)間：在不影響P—N結(jié)特性的前提下，擴(kuò)散溫度選擇高一些，可以縮短擴(kuò)散時(shí)間，有利于生產(chǎn)。對(duì)于淺擴(kuò)散情況，溫度選擇要適當(dāng)。2)擴(kuò)散結(jié)果的測(cè)定：通常采用磨角染色法或者是陽(yáng)極氧化法和滾槽法等間接手段。3)薄層電阻測(cè)定：用四探針?lè)y(cè)量。4)表面濃度的計(jì)算。如何用四探針?lè)y(cè)量薄層電阻？并畫(huà)出簡(jiǎn)明電路圖9.說(shuō)明晶棒切割的主要方式及特點(diǎn)晶棒切割主要通過(guò)使用內(nèi)圓切割、外圓切割、多線切割等方式進(jìn)行切割。無(wú)論是內(nèi)圓切割方式還是外圓切割方式，受制于刀片的厚度，對(duì)于硅料的使用率和本身硅片的厚度都有很強(qiáng)的局限性。而相對(duì)較新的多線切割在材料的利用和硅片厚度上明顯較為出色。多線切割由于使用細(xì)鋼絲替換刀片，使得材料的利用率大大上升，同時(shí)也能大大降低硅片的厚度。10.為什么要消除硅片加工時(shí)產(chǎn)生的表面損傷層？簡(jiǎn)要說(shuō)明消除步驟及特點(diǎn)。在切割、研磨和拋光過(guò)程中，會(huì)帶來(lái)表面損傷層。尤其在切割和研磨過(guò)程中表面形成一個(gè)晶格高度扭曲層和一個(gè)較深的彈性變形層。退貨或者擴(kuò)散加熱時(shí)，彈性應(yīng)力消失，產(chǎn)生高密度位錯(cuò)層。如此引進(jìn)的二次缺陷比單晶生長(zhǎng)時(shí)引進(jìn)的多得多，從而產(chǎn)生無(wú)窮多的載流子復(fù)合中心，使光生載流子的壽命大大降低，無(wú)法被內(nèi)建電場(chǎng)分離?；瘜W(xué)拋光：使用“OP4”腐蝕液分兩次拋光硅片，總時(shí)間3~5分鐘，拋光后用王水或者酸性雙氧水清除殘存離子型雜質(zhì)和原子型雜質(zhì)。化學(xué)拋光只能去除一定限度的表面損傷層。化學(xué)機(jī)械拋光：氧化鉻拋光：速度快，工藝較易掌握，但拋光損傷層較厚硅膠化學(xué)機(jī)械拋光：利用二氧化硅膠體或者近膠體狀溶液進(jìn)行拋光，是拋光損傷層最小的一種方法。2、硅的光吸收處于____________波段。答案：紅外4、三氯氫硅的提純主要是______和______兩個(gè)過(guò)程。答案：粗餾、精餾5、多晶硅的定向凝固，是在凝固過(guò)程中采用強(qiáng)制手段，在凝固金屬和未凝固體中建立起特定方向的____________。答案：溫度梯度6、冶煉級(jí)硅生產(chǎn)的工藝過(guò)程都可以大體分為_(kāi)_____，配料，______，出爐和產(chǎn)品包裝等幾個(gè)部分。答案：原料準(zhǔn)備、熔煉7、改良西門(mén)子法包括五個(gè)主要環(huán)節(jié)：____________、____________、____________、____________和___________。答案：SiHCl3的合成、SiHCl3精餾提純、SiHCl3的氫還原、尾氣的回收、SiCl4的氫化分離8、由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以____________和____________兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。答案：區(qū)熔法、直拉法1晶體中那些位于同一平面內(nèi)的原子形成的平面稱(chēng)為晶面其法線方向稱(chēng)為晶向2所謂少子壽命是指半導(dǎo)體中非平衡少數(shù)載流子平均存在的時(shí)間長(zhǎng)短3導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類(lèi)材料稱(chēng)為半導(dǎo)體。4半導(dǎo)體的電阻率數(shù)值對(duì)溫度、雜質(zhì)和光照三個(gè)外部條件變化有較高的敏感性。5多晶硅的制備方法有改良的西門(mén)子法，硅烷法，粒狀硅法三種6單晶硅的制備方法有區(qū)熔法和切克勞斯基法（直拉法）7絕對(duì)純凈而沒(méi)有缺陷的半導(dǎo)體叫作本征半導(dǎo)體8摻入施主雜質(zhì)、以電子為多數(shù)載流子的硅叫N型硅。9晶體可以分為單晶體、多晶體和無(wú)定形體。10晶體在不同的方向上具有不同的性質(zhì)，這就是晶體的多向異性。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率___越大__，材料的電阻就___越低_________。半導(dǎo)體材料的電學(xué)參數(shù)是用_____摻雜___的方法來(lái)控制的。在直拉法中摻入雜質(zhì)的方法有____共熔法_____和___投雜法____。單晶徑向電阻率的差異會(huì)使大面積器件電流分布不均勻,產(chǎn)生____局部過(guò)熱_____，引起______局部擊穿_____,降低___耐壓和功率指標(biāo)_________。影響直拉法單晶電阻率的幾個(gè)因素有雜質(zhì)的__分凝___、__蒸發(fā)___、__沾污____?？刂茊尉Эv向電阻率均勻性的方法有__變速拉晶法_______和__雙坩堝法____。影響單晶徑向電阻率均勻性的主要原因是晶體生長(zhǎng)時(shí)固液界面的__平坦度_______和____小平面反應(yīng)____。在拉晶時(shí)，在固液界面處熱交換主要有_____熔硅凝固放出的潛熱________、熔體的熱傳導(dǎo)、通過(guò)晶體向上的熱傳導(dǎo)和_____通過(guò)晶體向外的輻射熱____________。為了獲取徑向電阻率均勻的單晶，必須調(diào)平固液界面。方法有___調(diào)整晶體生長(zhǎng)熱系統(tǒng)使熱場(chǎng)的徑向溫度梯度變小_____、調(diào)節(jié)拉晶運(yùn)行參數(shù)、___調(diào)節(jié)晶體或坩堝的轉(zhuǎn)速_____________________。10、拉摻Sb單晶時(shí)，要在氬氣氛下控制，原因是_____Sb易揮發(fā)_________________。由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以（直拉法）和（區(qū)熔法）兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。2硅晶體中硅原子兩兩之間的夾角為（109°28′）3.在晶格中，通過(guò)任意兩點(diǎn)連一直線，則這直線上包含了無(wú)數(shù)個(gè)相同的格點(diǎn)，此直線稱(chēng)為（晶列）。4.三氯氫硅還原法最早由（西門(mén)子）公司研究成功。5.硅在自然界中主要以（氧化物）的形式存在。6.多晶硅的定向凝固，是在凝固過(guò)程中采用強(qiáng)制手段，在凝固金屬和未凝固體中建立起特定方向的（溫度梯度）。7.在鍺，硅材料中，當(dāng)III族雜質(zhì)元素在數(shù)量上占優(yōu)勢(shì)時(shí)，材料呈現(xiàn)(P)型，當(dāng)V族占優(yōu)勢(shì)時(shí)，結(jié)果材料成（P）型。10.硅的原子序數(shù)是（14）。1.硅晶體是__原子晶體__,是深灰色而帶有金屬光澤的晶體。2.硅的常見(jiàn)幾種化合物，__二氧化硅sio2__，__一氧化硅sio__，__硅的鹵化six4__,__三氯化硅__，__硅烷_(kāi)_3.在不同的帶軸方向上晶體的物理性質(zhì)不同，這是晶體的__各向異性__4.在鍺，硅材料中，當(dāng)III族雜質(zhì)元素在數(shù)量上占優(yōu)勢(shì)時(shí)，材料呈現(xiàn)(P)型，當(dāng)V族占優(yōu)勢(shì)時(shí)，結(jié)果材料成（P）型。5.由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以__直拉法__和__區(qū)熔法__兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主6.多晶硅的定向凝固，是在凝固過(guò)程中采用強(qiáng)制手段，在凝固金屬和未凝固體中建立起特定方向的__溫度梯度__8.電阻率的測(cè)量接觸法__四探針?lè)╛_，__拓展電阻法__。__非接觸法電容耦合法__，__電感耦合法__。9高純度的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅則基本是以__區(qū)熔法__和__直拉法__兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主10.電參數(shù)的測(cè)量是硅材料電學(xué)性能測(cè)試的重要內(nèi)容。它主要包括__導(dǎo)電型號(hào)__，__電阻率__，__少子壽命__和__遷徙率測(cè)量__。1.晶體缺陷主要類(lèi)型有點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷。2.晶體生長(zhǎng)過(guò)程可看成相界的推移過(guò)程，由此，晶體生長(zhǎng)方式分為三類(lèi)固相生長(zhǎng)、液相生長(zhǎng)、汽相生長(zhǎng)。3.在太陽(yáng)能級(jí)多晶硅制備中，改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)有能耗低、成本低、產(chǎn)量高、質(zhì)量穩(wěn)定對(duì)環(huán)境不產(chǎn)生污染等。4.在摻金量相同時(shí)N型硅比P型硅壽命下降的更快些。5.如果硅材料很純，材料的電阻率QUOTE和雜質(zhì)濃度QUOTE的關(guān)系是=1/QUOTEeQUOTE。6.多晶硅薄膜太陽(yáng)電池以成為目前世界光伏領(lǐng)域中最活躍的研究方向。7.單晶硅的原生缺陷是晶體原生顆粒缺陷。1.硅晶體中硅原子兩兩之間的夾角為（109°28′）2.單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm，（111）晶面的面間距為（0.941nm）和原子密度為（7.801nm-2）3.在晶格中，通過(guò)任意兩點(diǎn)連一直線，則這直線上包含了無(wú)數(shù)個(gè)相同的格點(diǎn)，此直線稱(chēng)為（晶列）。4.三氯氫硅還原法最早由（西門(mén)子）公司研究成功。6.多晶硅的定向凝固，是在凝固過(guò)程中采用強(qiáng)制手段，在凝固金屬和未凝固體中建立起特定方向的（溫度梯度）。7.由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以（直拉法）和（區(qū)熔法）兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。8.在鍺，硅材料中，當(dāng)III族雜質(zhì)元素在數(shù)量上占優(yōu)勢(shì)時(shí)，材料呈現(xiàn)(P)型，當(dāng)V族占優(yōu)勢(shì)時(shí)，結(jié)果材料成（P）型。10.硅多晶300g,摻雜P-Si母合金0.2g拉制單晶頭部電阻率為1Ω·cm（相應(yīng)參雜濃度為5.2*），假設(shè)遷移率是常數(shù)，為0.35/VS，則母合金濃度為（2.2*）1、太陽(yáng)能電池發(fā)電的原理主要是________________，硅太陽(yáng)能電池的基本材料為P型單晶硅，上表面為N+型區(qū)，構(gòu)成一個(gè)_______。晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)處于平衡狀態(tài)，必須滿(mǎn)足的平衡條件有：_____________、_____________和________________。不論胚芽的形狀如何，要想形成臨界晶核，體系的吉布斯自由能的增加必須達(dá)到該晶核表面能的______。精餾是實(shí)現(xiàn)多級(jí)部分_____和多級(jí)部分________的實(shí)用技術(shù)。______是實(shí)現(xiàn)精餾技術(shù)的工具。從石英砂制取硅需經(jīng)過(guò)加料、熔化、__________、放肩生長(zhǎng)、_____________、尾部生長(zhǎng)。對(duì)于硅材料，當(dāng)Ⅲ族雜質(zhì)元素在數(shù)量上占優(yōu)勢(shì)時(shí)，材料呈_______型，反之當(dāng)Ⅴ族元素占優(yōu)勢(shì)時(shí)則呈現(xiàn)_______型。P在硅中電離時(shí)，能夠施放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成__________，稱(chēng)它們?yōu)開(kāi)________。B在硅中能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴并形成__________，所以稱(chēng)它們?yōu)開(kāi)________。半導(dǎo)體材料的電阻率一方面與載流子_______有關(guān)，另一方面又與載流子的遷移率有關(guān)。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率越______。單晶生長(zhǎng)中影響電阻率均勻性的因素有_______、____________、坩堝污染。直拉法生長(zhǎng)單晶硅的過(guò)程有潤(rùn)晶、縮頸、放肩、等徑生長(zhǎng)、拉光。其中，縮頸的主要目的是排除接觸不良引起的多晶和盡量消除_______內(nèi)原有位錯(cuò)的延伸。答案：1、半導(dǎo)體的光電效應(yīng)、PN+2、熱平衡條件、力學(xué)平衡條件、相平衡條件3、1/34、汽化、冷凝、精餾塔5、縮頸生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)6、P、N7、正電中心、施主雜質(zhì)、負(fù)點(diǎn)中心、受主雜質(zhì)8、密度、低9、分凝、蒸發(fā)10、籽晶典型的晶胞結(jié)構(gòu)有簡(jiǎn)立方、體心立方、________、氯化銫結(jié)構(gòu)、_______金剛石結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)、________、這8種結(jié)構(gòu)。晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)處于平衡態(tài)時(shí)，必須滿(mǎn)足的平衡條件：______、_____、_______。硅的提純必須經(jīng)過(guò)_______或者物理提純。精餾是利用不同組分有不同的_____，在同一溫度下各組分具有不同的____的特點(diǎn)進(jìn)行分離的。為制備性能優(yōu)良的太陽(yáng)電池，在鑄造多晶硅晶體生長(zhǎng)時(shí)，需要解決以下問(wèn)題：盡量___的晶粒；盡量______的固液界面溫度；盡量___的熱應(yīng)力；盡可能少的來(lái)自坩堝的污染。____可以鈍化鑄造多晶硅中雜質(zhì)和缺陷，包括晶界。硅單晶的直拉生長(zhǎng)的主要工藝流程有加料、熔化、______、放肩生長(zhǎng)、_______、尾部生長(zhǎng)。直拉單晶爐的設(shè)備中石墨坩堝勇于支撐石英坩堝，石墨坩堝的底部比較厚，以起到較好的_______效果，從而使熔體的溫度從底部到表面逐漸______。鑄造多晶硅的原材料與直拉、區(qū)熔單晶硅生長(zhǎng)方法相比，鑄造方法對(duì)硅原料的不純有更大的_________，這也是鑄造多晶硅成本相對(duì)較低的原因。熱作用使硅原子在晶格格點(diǎn)上振動(dòng)，當(dāng)振動(dòng)能量超過(guò)某一定值時(shí)，硅原子便脫離格點(diǎn)位置，到達(dá)晶格格點(diǎn)間隙位置，形成間隙原子，同時(shí)晶格位置便留下一個(gè)空位，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生相等數(shù)目的空位和間隙原子，這樣成對(duì)產(chǎn)生的空位和間隙原子稱(chēng)為_(kāi)______。1、面心立方、氯化鈉結(jié)構(gòu)、纖鋅礦結(jié)構(gòu)2、熱平衡條件、力學(xué)平衡條件、相平衡條件3、化學(xué)提純4、沸點(diǎn)、蒸汽壓5、大、均勻、小6、氫7、縮頸生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)8、絕熱、降低9、容忍性10、弗蘭克缺陷晶體缺陷主要包含有以下四種，分別為：點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和【體】缺陷。肖特基缺陷屬于【點(diǎn)缺陷】。本征半導(dǎo)體

Si、Ge等的【四】個(gè)價(jià)電子，與另四個(gè)原子構(gòu)成【四】個(gè)共價(jià)鍵，當(dāng)摻入少量的五價(jià)原子（如P、As）時(shí)，就形成了n型半導(dǎo)體。平衡載流子是指在PN結(jié)中只存在【本征激發(fā)】而產(chǎn)生的載流子。調(diào)平固液界面屬于控制直拉法生長(zhǎng)單晶硅的【橫向】電阻率均勻性。多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：【SiCl4法】、【硅烷法】、【流化床法】、【西門(mén)子改良法】。位錯(cuò)屬于【線缺陷】。層錯(cuò)屬于【面缺陷】。平衡載流子是指在PN結(jié)中只存在【本征激發(fā)】而產(chǎn)生的載流子。少量的能量使空穴從束縛的狀態(tài)變?yōu)樽杂休d流子，這個(gè)過(guò)程成為【雜質(zhì)電離】。硅的光吸收處于紅外波段。三氯氫硅的提純主要是粗餾和精餾兩個(gè)過(guò)程。以硅石和碳質(zhì)還原劑等為原料經(jīng)碳熱還原法生產(chǎn)的含硅97%以上的產(chǎn)品，在我國(guó)通稱(chēng)為工業(yè)硅或冶金級(jí)硅。冶煉級(jí)硅生產(chǎn)的工藝過(guò)程都可以大體分為原料準(zhǔn)備，配料，熔煉，出爐和產(chǎn)品包裝等幾個(gè)部分。三氯氫硅還原法最早由西門(mén)子公司研究成功。由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以區(qū)熔法和直拉法兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。CZ法生長(zhǎng)單晶硅工藝主要包括加料，熔化，縮頸生長(zhǎng)，放肩生長(zhǎng)，等徑生長(zhǎng)，尾部生長(zhǎng)6個(gè)主要步驟。單晶硅棒或多晶硅錠制成硅片是一個(gè)重要的過(guò)程，它對(duì)太陽(yáng)能電池性能和效率有重要的影響。硅片的翹曲度是衡量硅片的參數(shù)之一。1、硅元素原子序數(shù)是_________。2、半導(dǎo)體按其是否含有雜質(zhì)及雜質(zhì)成分，分為_(kāi)____________、_______________。3、寫(xiě)出生成三氯氫硅的化學(xué)方程式：_______________________________。4、晶體生長(zhǎng)過(guò)程亦即相變過(guò)程，也可以看作是相界面的推移過(guò)程。因此，可將晶體生長(zhǎng)方式分為_(kāi)___________、____________、____________。5、三氯氫硅還原法最早由西門(mén)子公司研究成功，因此又稱(chēng)為_(kāi)______________。6、鑄造多晶硅的方法：________、___________、__________、___________。7、應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)的成長(zhǎng)硅單晶的方法：_____________、____________。8、目前硅片清洗最常用的方法有：_____________、____________、____________。9、氫還原三氯氫硅的化學(xué)方程式：____________________________________。10、硅的提純分為：___________、____________。1、142、本征半導(dǎo)體，雜志半導(dǎo)體3、Si+3HCl=SiHCl3+H2固相生長(zhǎng)，液相生長(zhǎng)，汽相生長(zhǎng)5、西門(mén)子法6、布里曼法，熱交換法，電磁鑄錠法，澆鑄法7、懸浮區(qū)熔法，直拉法8、化學(xué)清洗法，超聲清洗法，真空高溫處理法9、SiHCl3+H2=Si+3HCl10、物理提純，化學(xué)提純單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定型硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。晶體缺陷包括點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。其中點(diǎn)缺陷包括：弗倫克爾缺陷、肖特基缺陷。半導(dǎo)體材料的電阻率一方面與載流子的密度有關(guān)，另一方面又于載流子的遷移率有關(guān)。直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程的步驟有：籽晶熔接、引晶和縮頸、放肩、等徑生長(zhǎng)、收晶。在切割、研磨和拋光的過(guò)程中，會(huì)帶來(lái)表面損傷層。從而產(chǎn)生無(wú)窮多的載流子復(fù)合中心，使光生載流子的壽命大大降低，無(wú)法被內(nèi)建電場(chǎng)分離。在擁有等于或者大于硅材料禁帶寬度的光子照射到硅材料上，在價(jià)帶上的電子吸收這個(gè)光子的能量，躍遷到導(dǎo)帶上，并且在價(jià)帶上留下一個(gè)空穴。在室溫下，除了本征激發(fā)外還受到雜質(zhì)電離的影響，載流子濃度增加，使半導(dǎo)體的電阻率上升。平衡載流子是指在PN結(jié)中只存在本征激發(fā)而產(chǎn)生的載流子?？刂浦崩ㄉL(zhǎng)的單晶硅的電阻率均勻性分為控制其縱向電阻率均勻性和徑向電阻率的均勻性。當(dāng)拉晶時(shí)固液界面并不平坦，對(duì)于分凝系數(shù)不為1的雜志而言，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生的單晶硅的徑向電阻率有較大的不均勻性。1硅的化學(xué)提純可以分為中間產(chǎn)物的合成，中間產(chǎn)物的提純和中間產(chǎn)物的還原三步。2物理提純可以分為濕法提純；區(qū)域提純和雜質(zhì)蒸發(fā)三種。3結(jié)晶學(xué)把晶體生長(zhǎng)過(guò)程看作是成核長(zhǎng)大的過(guò)程。成核根據(jù)其生長(zhǎng)方式可分為原生成核和輔助成核。4熱交換法制備多晶硅常分為裝料，加熱，化料，晶體生長(zhǎng)，退火和冷卻六步。5精餾提純是利用不同的組份有不同的沸點(diǎn)，在同一溫度下各組分有不同蒸汽壓的特點(diǎn)進(jìn)行分離的。6吸附提純中的吸附劑應(yīng)具有較大的表面積，吸附容量大；具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，抗磨損；容易再生等特點(diǎn)。7硅不能采用水平區(qū)域提純法是因?yàn)闆](méi)有合適的容器。（石英是最好的，但石英和硅仍有反應(yīng)）8鑄造多晶硅中的碳雜質(zhì)的主要來(lái)源是鑄造原材料中的雜質(zhì)和制備過(guò)中石英坩堝和石墨加熱器形成的CO與硅熔體形成的碳雜質(zhì)。9三氯氫硅還原法主要分為三氯氫硅的合成；三氯氫硅的提純和氫還原三氯氫硅。10在絕對(duì)溫度零度和無(wú)外界激發(fā)的條件下，硅晶體沒(méi)有自由電子存在?；瘜W(xué)法提純高純多晶硅的生產(chǎn)方法大多數(shù)分為_(kāi)_________________________________、___________________________________、_______________________________三氯氫硅合成化學(xué)方程式________________________________________________臨界晶核指______________________________________________________定向凝固原理___________________________________________________________常見(jiàn)的鑄造多晶硅的方法_________________________、_________________________、________________________氧在鑄造多晶硅中的濃度約為_(kāi)_______________________________________________________________________________是半導(dǎo)體性。晶體生長(zhǎng)分為_(kāi)________________、______________________、_________________高純硅的主要用途_________、_________、________、________、________西門(mén)子法中間原料三氯氫硅的熔點(diǎn)__________沸點(diǎn)_________半導(dǎo)體材料的電學(xué)參數(shù)是用摻雜的方法來(lái)控制的。多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：SiCl4法、硅烷法、流化床法、西門(mén)子改良法。晶棒切割主要通過(guò)使用內(nèi)圓切割、外圓切割、多線切割等方式進(jìn)行切割。晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)處于平衡態(tài)時(shí)，必須滿(mǎn)足的平衡條件有：熱平衡條件、力學(xué)平衡條件和相平衡條件。每個(gè)面心立方晶胞中包含4個(gè)原子。硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價(jià)鍵。為了消除硅片加工產(chǎn)生的表面損傷層，進(jìn)行的氧化鉻拋光，特點(diǎn)是：速度快，工藝較易掌握，但拋光損傷層較厚。硅太陽(yáng)能電池主要通過(guò)擴(kuò)散在表面制備PN結(jié)，其中，用四探針?lè)y(cè)量薄層電阻。以B摻入Si為例，其中，受主雜質(zhì)是B原子。10．N型半導(dǎo)體中，稱(chēng)△n為非平衡多子，△p為非平衡少子。1、硅晶體的結(jié)構(gòu)是金剛石結(jié)構(gòu)，每個(gè)原子周?chē)淖罱徳訑?shù)是4個(gè)。2、硅晶體（111）面間的距離是為0.78?。3、晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)處于平衡態(tài)時(shí)，必須滿(mǎn)足的平衡條件有：熱平衡條件、力學(xué)平衡條件和相平衡條件。4、化學(xué)法提純高純多晶硅的生產(chǎn)方法大多數(shù)分為三步：中間化合物的合成、中間化合物的分離提純和中間產(chǎn)物被還原或者是分解成高純硅。5、硅烷法在提純方面的優(yōu)點(diǎn)之一就是硅烷的熱分解，寫(xiě)出其化學(xué)反應(yīng)式：SiQUOTE→Si+2QUOTE6、每個(gè)面心立方晶胞中包含4個(gè)原子。7、硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價(jià)鍵。8、對(duì)于臨界晶核，應(yīng)同時(shí)滿(mǎn)足三個(gè)條件：母相壓強(qiáng)等于外壓強(qiáng)；三個(gè)相的化學(xué)勢(shì)相等；新相壓強(qiáng)大于外壓強(qiáng)，其差值等于新相表面能隨新相體積的變化率。9、單晶硅的制備方法是直拉單晶法。10、拋光工藝分為三類(lèi)：機(jī)械拋光類(lèi)、化學(xué)拋光類(lèi)和化學(xué)—機(jī)械拋光類(lèi)。1，硅的化學(xué)提純是將硅用化學(xué)方法轉(zhuǎn)化為_(kāi)___，再將其提純至所需純度，然后再還原成高純硅。2，____是鑄造多晶硅的主要雜質(zhì)。3，硅中的點(diǎn)缺陷包括_________以及__________。4，硅晶胞中的原子數(shù)為_(kāi)___個(gè)原子。5，用氫還原高純度三氯氫硅的化學(xué)式為_(kāi)____________。6，熱交換法與布里曼法主要區(qū)別在于_________________。7，固相表面產(chǎn)生了流體相的濃縮這種現(xiàn)象叫_______。8，拋光工藝分為三類(lèi)：_______、_______和_______。從石英砂中制取硅的工藝可分為：加料，熔化，（縮頸生長(zhǎng)），（放肩生長(zhǎng)），（等徑生長(zhǎng)），（尾部生長(zhǎng)）。半導(dǎo)體材料的電阻率一方面與（載流子濃度）有關(guān)，另一方面與（載流子的遷移率）有關(guān)。影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素主要包括（分凝），（蒸發(fā)），（坩堝污染）多晶硅的主要生產(chǎn)方法包括（SiCl4法），（硅烷法），（流化床法），（西門(mén)子改良法）晶體生長(zhǎng)中調(diào)節(jié)固液界面的目的是（控制徑向電阻率均勻性）晶棒切割的主要方式有：（內(nèi)圓切割），（外圓切割），（多線切割）B在硅中電離時(shí)能夠（接受）電子而產(chǎn)生（導(dǎo)電空穴），并形成（負(fù)電中心），所以稱(chēng)它們?yōu)槭苤麟s質(zhì)直拉法生長(zhǎng)單晶硅的拉晶過(guò)程：（潤(rùn)晶），縮頸生長(zhǎng)，放肩生長(zhǎng)，等徑生長(zhǎng)，（拉光）晶體硅存在缺陷后，會(huì)在硅晶體能帶的禁帶中引入（缺陷能級(jí)）2、直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有籽晶熔接、、、、收晶5個(gè)主要階段。3、在直拉法生長(zhǎng)單晶硅時(shí)橫向電阻率均勻性的控制方法是：。4、直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程中縮頸的主要目的是和。5、硅片制備主要工藝流程：?jiǎn)尉L(zhǎng)→→→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→→打包6、硅太陽(yáng)能電池主要通過(guò)在表面制備PN結(jié)。7、主要依靠導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱(chēng)為P型半導(dǎo)體。8、主要依靠導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱(chēng)為N型半導(dǎo)體。9、Cz硅單晶生長(zhǎng)工藝中影響縱向電阻率均勻性主要因素有：、、沾污等。10、晶棒切割主要通過(guò)使用、、等方式進(jìn)行切割。1、點(diǎn)缺陷線缺陷面缺陷和體缺陷2、引晶和縮頸放肩等徑生長(zhǎng)3、調(diào)平固液界面4、排除接觸不良引起的多晶盡量消除籽晶內(nèi)原有位錯(cuò)的延伸5、整形切片硅片檢測(cè)6、擴(kuò)散7、空穴8、電子9、雜質(zhì)的分凝蒸發(fā)10、內(nèi)圓切割外圓切割多線切割共價(jià)鍵有兩個(gè)重要的性質(zhì)：_______________和_______________。半導(dǎo)體按其是否含有雜質(zhì)及雜質(zhì)成分，可分為_(kāi)_____________、_________________。在人工晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)中，為了在所希望的地方生長(zhǎng)出晶體，必須嚴(yán)格控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的___________。工業(yè)所有吸附劑應(yīng)滿(mǎn)足的要求（寫(xiě)出3個(gè)）：__________________、____________________和____________________?？蓪⒍嗑Ч璧蔫T造方法細(xì)化分為_(kāi)______________、_________________、電磁鑄錠法、___________________。鑄造多晶硅制備過(guò)程中，可以采用____________________________作為坩堝。硅中的__________和______________是晶體中所固有的，因此通常又被稱(chēng)為本征點(diǎn)缺陷。直拉單晶硅生長(zhǎng)完成后呈圓棒狀，因此，單晶硅生長(zhǎng)完成后需要進(jìn)行______________。________________是硅片的最重要參數(shù)。倒角工藝是用具有特定形狀的砂輪磨去硅片邊緣的__________、______________、_______等。7、太陽(yáng)能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)8P10使縱向電阻率逐漸降低的效果與使電阻率逐漸升高的效果達(dá)到平衡，就會(huì)得到縱向電阻率比1.根據(jù)單晶硅的使用目的不同，單晶硅的制備工藝也不同，主要的制備工藝有兩種，分別是區(qū)域熔煉法和切克勞斯基法。3.在熱平衡狀態(tài)半導(dǎo)體中,載流子的產(chǎn)生和復(fù)合的過(guò)程保持動(dòng)態(tài)平衡，從而使載流子濃度保持定值，則處于此種狀態(tài)下的載流子為平衡載流子。處于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，其載流子濃度也不再是n0和p0（此處0是下標(biāo)），可以比他們多出一部分。比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。4使縱向電阻率逐漸降低的效果與使電阻率逐漸升高的效果達(dá)到平衡，就會(huì)得到縱向電阻率比較均勻的晶體。方法：變速拉晶法，雙坩堝法。5多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：SiCl4法、硅烷法、流化床法、西門(mén)子改良法

。6硅片的主要工藝流程包括：?jiǎn)尉L(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包。7純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放電子。這種雜質(zhì)稱(chēng)施主雜質(zhì)8.在P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是：空穴9.總厚度變差TTV是指：硅片厚度的最大值與最小值之差10..常用的半導(dǎo)體電阻率測(cè)量方法有：直接法、二探針?lè)?、三探針?lè)?、四探針?lè)?、多探針。在晶格中，通過(guò)任意兩點(diǎn)連一直線，則這直線上包含了無(wú)數(shù)個(gè)相同的格點(diǎn)，此直線稱(chēng)為_(kāi)___________。精餾是利用不同組分有不同的____________，在同一溫度下，各組分具有不同蒸汽壓的特點(diǎn)進(jìn)行分離的。物理吸附的最大優(yōu)點(diǎn)是其為一種____________過(guò)程，吸附劑經(jīng)脫附后可以循環(huán)使用，不必每次更換吸附劑。多晶硅的定向凝固，是在凝固過(guò)程中采用強(qiáng)制手段，在凝固金屬和未凝固體中建立起特定方向的____________。工業(yè)硅生產(chǎn)過(guò)程中一般要做好以下幾個(gè)方面：____________、____________、____________和____________。改良西門(mén)子法包括五個(gè)主要環(huán)節(jié)：____________、____________、____________、____________和____________。由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以____________和____________兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。CZ法生長(zhǎng)單晶硅工藝主要包括加料，熔化，____________，放肩生長(zhǎng)，等徑生長(zhǎng)，___________6個(gè)主要步驟。以硅石和碳質(zhì)還原劑等為原料經(jīng)碳熱還原法生產(chǎn)的含硅97%以上的產(chǎn)品，在我國(guó)通稱(chēng)為工業(yè)硅或____________?？偤穸茸儾頣TV是指：____________；翹曲度WARP是指____________。1、晶列2、沸點(diǎn)3、可逆4、溫度梯度5、觀察爐子情況，及時(shí)調(diào)整配料比；選擇合理的爐子結(jié)構(gòu)參數(shù)和電氣參數(shù)；及時(shí)搗爐，幫助沉料；保持料層有良好的透氣性6、SiHCl3的合成；SiHCl3精餾提純；SiHCl3的氫還原；尾氣的回收；SiCl4的氫化分離7、區(qū)熔法；直拉法8、縮頸生長(zhǎng)；尾部生長(zhǎng)9、冶金級(jí)硅10、硅片厚度的最大值與最小值之差；硅片的中面與參考面之間的最大距離與最小距離之差硅片的主要工藝流程包括→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包非平衡載流子通過(guò)而消失，非平衡載流子的平均生存時(shí)間叫做壽命τ，壽命τ與在中的位置密切相關(guān)由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以和兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。單晶硅的主要工業(yè)生產(chǎn)方法是：多晶硅的定向凝固，是在凝固過(guò)程中采用強(qiáng)制手段，在凝固金屬和未凝固體中建立起特定方向的____________。CZ法生長(zhǎng)單晶硅工藝主要包括加料，熔化，____________，放肩生長(zhǎng)，等徑生長(zhǎng)，___________6個(gè)主要步驟。晶體缺陷主要包含有以下四種，分別為：點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷單晶硅的主要生產(chǎn)方法是：西門(mén)子改良直拉法在P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是：空穴4.硅片的主要工藝流程包括單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包5．純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放電子。這種雜質(zhì)稱(chēng)施主雜質(zhì).6．當(dāng)半導(dǎo)體中載流子濃度的分布不均勻時(shí)，載流子將做擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；在半導(dǎo)體存在外加電壓情況下，載流子將做漂移運(yùn)動(dòng)。7．非平衡載流子通過(guò)復(fù)合效應(yīng)而消失，非平衡載流子的平均生存時(shí)間叫做壽命τ，壽命τ與復(fù)合中心在禁帶中的位置密切相關(guān)8.常用的半導(dǎo)體電阻率測(cè)量方法有直接法、二探針?lè)ā⑷结樂(lè)?、四探針?lè)?、多探針三氯氫硅還原法最早由西門(mén)子公司研究成功。CZ法生長(zhǎng)單晶硅工藝主要包括加料，熔化，縮頸生長(zhǎng)，放肩生長(zhǎng)，等徑生長(zhǎng)，尾部生長(zhǎng)6個(gè)主要步驟。由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以區(qū)熔法和直拉法兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以____區(qū)熔法________和_________直拉法___兩種物理提純生